JPS631740B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS631740B2 JPS631740B2 JP55036553A JP3655380A JPS631740B2 JP S631740 B2 JPS631740 B2 JP S631740B2 JP 55036553 A JP55036553 A JP 55036553A JP 3655380 A JP3655380 A JP 3655380A JP S631740 B2 JPS631740 B2 JP S631740B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- silicon
- frame
- ray
- ray exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光用マスクの製造方法に関する
ものである。
ものである。
Ｘ線露光処理は、従来行われている電子線露光
処理において問題となる二次電子の発生や塵埃に
よる散乱がなく、高いアスペクト比のレジスト微
細パターンが得られることを特徴としている。
処理において問題となる二次電子の発生や塵埃に
よる散乱がなく、高いアスペクト比のレジスト微
細パターンが得られることを特徴としている。
第１図はＸ線露光装置の原理図である。
すなわち、Ｘ線露光装置は、基本的にＸ線発生
室１と試料室２とに分割され、両室はベリリウム
窓３で区切られて構成され、Ｘ線発生室１が常に
高真空に保たれてターゲツト４が汚れないように
されている。
室１と試料室２とに分割され、両室はベリリウム
窓３で区切られて構成され、Ｘ線発生室１が常に
高真空に保たれてターゲツト４が汚れないように
されている。
同図において、Ｘ線発生室１内において、電子
銃５から発生した電子線６がターゲツト４に衝突
し、該ターゲツト４からＸ線７が発生する。そし
てベリリウム窓３を通して試料室２へ入射したＸ
線７は、Ｘ線露光用マスク８を通過して、被処理
基板９上に被着されているＸ線レジスト１０に選
択的に照射される。
銃５から発生した電子線６がターゲツト４に衝突
し、該ターゲツト４からＸ線７が発生する。そし
てベリリウム窓３を通して試料室２へ入射したＸ
線７は、Ｘ線露光用マスク８を通過して、被処理
基板９上に被着されているＸ線レジスト１０に選
択的に照射される。
ここで該Ｘ線露光用マスク８は、第２図に詳細
に示されるようにフレーム２１、メンブラン（支
持膜）２２並びにＸ線吸収体２３からなる。
に示されるようにフレーム２１、メンブラン（支
持膜）２２並びにＸ線吸収体２３からなる。
従来メンブラン２２としてシリコン（Si）、窒
化シリコン（Si3N4）など剛体薄膜が用いられて
きた。ところがこれらの剛体薄膜からなるメンブ
ランを用いて露光処理を行うと、製造工程中の熱
処理などにより被処理基板に反りが生じた場合、
マスクと被転写基板とが完全密着せず、正確な露
光処理ができなかつた。
化シリコン（Si3N4）など剛体薄膜が用いられて
きた。ところがこれらの剛体薄膜からなるメンブ
ランを用いて露光処理を行うと、製造工程中の熱
処理などにより被処理基板に反りが生じた場合、
マスクと被転写基板とが完全密着せず、正確な露
光処理ができなかつた。
そこでポリイミド等のプラスチツク・フイルム
をメンブランとして使用することが提案された。
このような構造によれば、マスクと被処理基板と
を完全密着させることができる他、該プラスチツ
ク・フイルムが透明なので光学的位置合わせがで
きるという特長がある。
をメンブランとして使用することが提案された。
このような構造によれば、マスクと被処理基板と
を完全密着させることができる他、該プラスチツ
ク・フイルムが透明なので光学的位置合わせがで
きるという特長がある。
このようなプラスチツク・フイルムでメンブラ
ンを構成したＸ線露光用マスクのフレームは、一
般にステンレス又はパイレツクスガラスが使われ
ている。
ンを構成したＸ線露光用マスクのフレームは、一
般にステンレス又はパイレツクスガラスが使われ
ている。
ところがステンレスは加工精度は良いが、熱膨
張係数が10×10-6／℃であり、被処理基板である
シリコン基板（熱膨張係数２×10-6／℃）に露光
処理を行なうとする時、その差が大きく、電子線
露光による該Ｘ線露光用マスクの製作時と該Ｘ線
露光用マスクを用いてのＸ線露光処理時とで温度
差がある場合、あるいは長時間のＸ線露光時に温
度変化が生じた場合には該Ｘ線露光用マスクと被
処理基板との間に位置ずれを生じてしまい、微細
加工上、不適当である。例えば直径100〔mm〕のシ
リコン（Si）基板に対し露光処理を行う際、その
処理中の温度差が２〔℃〕ある場合、最大位置ず
れは1.6〔μm〕程に達する。
張係数が10×10-6／℃であり、被処理基板である
シリコン基板（熱膨張係数２×10-6／℃）に露光
処理を行なうとする時、その差が大きく、電子線
露光による該Ｘ線露光用マスクの製作時と該Ｘ線
露光用マスクを用いてのＸ線露光処理時とで温度
差がある場合、あるいは長時間のＸ線露光時に温
度変化が生じた場合には該Ｘ線露光用マスクと被
処理基板との間に位置ずれを生じてしまい、微細
加工上、不適当である。例えば直径100〔mm〕のシ
リコン（Si）基板に対し露光処理を行う際、その
処理中の温度差が２〔℃〕ある場合、最大位置ず
れは1.6〔μm〕程に達する。
又パイレツクスガラスは、その熱膨張係数が３
×10-6／℃とシリコンに近いがそれ自体の加工精
度を上げにくいという難点がある。
×10-6／℃とシリコンに近いがそれ自体の加工精
度を上げにくいという難点がある。
従つて被転写基板材料であるシリコンをフレー
ム材料に使用すれば、温度差による転写ずれを零
にすることができる。
ム材料に使用すれば、温度差による転写ずれを零
にすることができる。
ところで従来Ｘ線マスクに使用されるシリコン
フレーム厚は、通常直径76〔mm〕で300〜400〔μm〕
厚、直径100〔mm〕で600〔μm〕程度である。これ
は、通常のLSI製造用ウエーハをそのまま使用し
ていることと、薄いほどシリコンのエツチング時
間が短かくてすむためである。
フレーム厚は、通常直径76〔mm〕で300〜400〔μm〕
厚、直径100〔mm〕で600〔μm〕程度である。これ
は、通常のLSI製造用ウエーハをそのまま使用し
ていることと、薄いほどシリコンのエツチング時
間が短かくてすむためである。
ところが、ポリイミド等のプラスチツク・マス
クはメンブランが均等な張力で張られている場合
でも張力が大きいためフレームが変形し吸収体パ
ターンのピツチ精度を悪くする。又、ポリイミド
膜厚不均一、並びにポリイミド化のための熱処理
時に、成膜用基板面内の温度不均一がある場合に
は、均一な張力分布とならずフレームに複雑な変
形が生じ、従つて吸収体パターンのピツチ精度が
悪くなるといつた欠点がある。
クはメンブランが均等な張力で張られている場合
でも張力が大きいためフレームが変形し吸収体パ
ターンのピツチ精度を悪くする。又、ポリイミド
膜厚不均一、並びにポリイミド化のための熱処理
時に、成膜用基板面内の温度不均一がある場合に
は、均一な張力分布とならずフレームに複雑な変
形が生じ、従つて吸収体パターンのピツチ精度が
悪くなるといつた欠点がある。
これを解決する手段としては、シリコン・フレ
ーム厚をできるだけ厚くすることであるが、厚く
することは次の二つの問題点がある。
ーム厚をできるだけ厚くすることであるが、厚く
することは次の二つの問題点がある。
一つはシリコン背面エツチングに長時間を要す
ることである。仮にシリコン厚を３〔mm〕厚とし
た場合、水酸化カリウム（KOH）溶液やエチレ
ンジアミン―ピロカテコール混液のエツチング速
度は約１〔μm／分〕と非常に遅いため50時間も要
する。
ることである。仮にシリコン厚を３〔mm〕厚とし
た場合、水酸化カリウム（KOH）溶液やエチレ
ンジアミン―ピロカテコール混液のエツチング速
度は約１〔μm／分〕と非常に遅いため50時間も要
する。
又、弗酸―硝酸―酢酸混液では組成、液回転速
度、液温によつてエツチング速度によつて変化す
るが速いものでは10〔μm／分〕程度となりエツチ
ング時間も５時間程度と短かくなるが次のもう一
つの問題点がある。
度、液温によつてエツチング速度によつて変化す
るが速いものでは10〔μm／分〕程度となりエツチ
ング時間も５時間程度と短かくなるが次のもう一
つの問題点がある。
第３図ａはＸ線露光用マクス製作工程中のシリ
コン背面エツチング前の状態を示したもので300
〜600〔μm〕厚のシリコン基板３１上にポリイミ
ド皮膜３２を形成した試料を、０リング３３でエ
ツチング液がフレームとして残る外周部に浸入し
ないように密閉している。
コン背面エツチング前の状態を示したもので300
〜600〔μm〕厚のシリコン基板３１上にポリイミ
ド皮膜３２を形成した試料を、０リング３３でエ
ツチング液がフレームとして残る外周部に浸入し
ないように密閉している。
同図ｂはエツチング完了時の状態を示したもの
でシリコン厚が600〔μm〕程度では０リング３３
近傍でのサイドエツチング量はわずかで、０リン
グ３３による密閉状態は保たれフレーム３４が残
る。
でシリコン厚が600〔μm〕程度では０リング３３
近傍でのサイドエツチング量はわずかで、０リン
グ３３による密閉状態は保たれフレーム３４が残
る。
ところが厚いシリコンの場合には密閉状態が保
たれなくなる。第４図ａは、厚いシリコン基板４
１上にポリイミド皮膜４２を形成した試料を０リ
ング４３で密閉したシリコン・エツチング前の状
態である。
たれなくなる。第４図ａは、厚いシリコン基板４
１上にポリイミド皮膜４２を形成した試料を０リ
ング４３で密閉したシリコン・エツチング前の状
態である。
同図ｂは中央部エツチング完了後の状態でシリ
コン基板が厚いためサイドエツチ量も大きく０リ
ングの弾性をもつても密閉できずエツチング液が
フレーム部分４４まで浸入し、フレーム部分４４
もエツチングしてしまう。又、エツチングが不均
一で厚いシリコンが島状に残ると、その重みのた
め数〔μm〕厚のポリイミド皮膜４２が破れると
いつた欠点がある。
コン基板が厚いためサイドエツチ量も大きく０リ
ングの弾性をもつても密閉できずエツチング液が
フレーム部分４４まで浸入し、フレーム部分４４
もエツチングしてしまう。又、エツチングが不均
一で厚いシリコンが島状に残ると、その重みのた
め数〔μm〕厚のポリイミド皮膜４２が破れると
いつた欠点がある。
本発明は、このような従来のＸ線露光用マスク
の有する欠点を除去し、より高精度の露光処理を
行うことができるＸ線露光用マスクを提供しよう
とするものである。
の有する欠点を除去し、より高精度の露光処理を
行うことができるＸ線露光用マスクを提供しよう
とするものである。
また本発明は、該Ｘ線露光用マスクを容易に形
成することができる製造方法をも提供すを。
成することができる製造方法をも提供すを。
このため、本発明によれば、被処理基板と同一
の熱膨張係数を有する１〔mm〕厚以上のフレーム
を有することを特徴とするＸ線露光用マスクが提
供される。
の熱膨張係数を有する１〔mm〕厚以上のフレーム
を有することを特徴とするＸ線露光用マスクが提
供される。
また本発明によれば、被処理基板と同じ材質で
厚みが１〔mm〕厚以上の厚いシリコン成膜用基板
を準備し、フレームとなる領域以外を予め超音波
加工等により基板裏面より削りとり該領域基板厚
みを薄くし、しかる後メンブラン及びＸ線吸収体
パターンを形成したのち基板裏面より化学的エツ
チング等により、フレーム以外の成膜用基板を除
去する工程を有することを特徴とするＸ線露光用
マスクの製造方法が提供される。
厚みが１〔mm〕厚以上の厚いシリコン成膜用基板
を準備し、フレームとなる領域以外を予め超音波
加工等により基板裏面より削りとり該領域基板厚
みを薄くし、しかる後メンブラン及びＸ線吸収体
パターンを形成したのち基板裏面より化学的エツ
チング等により、フレーム以外の成膜用基板を除
去する工程を有することを特徴とするＸ線露光用
マスクの製造方法が提供される。
すなわち本発明によれば、フレーム厚を厚くす
ることによりメンブラン張力によるフレームの変
形を防止し得、マスク・パターンの寸法精度を高
くし得るＸ線露光用マスク、及びかかるＸ線露光
用マスクを容易に提供できるＸ線マスクの製造方
法が提供される。
ることによりメンブラン張力によるフレームの変
形を防止し得、マスク・パターンの寸法精度を高
くし得るＸ線露光用マスク、及びかかるＸ線露光
用マスクを容易に提供できるＸ線マスクの製造方
法が提供される。
次に本発明を実施例をもつて詳細に説明しよ
う。
う。
本発明の具体的な実施例を、第５図に示す製造
工程をもつて、より詳細に説明する。
工程をもつて、より詳細に説明する。
本実施例においては、メンブラン用プラスチツ
ク材としてポリイミドを、またマスクフレーム材
料としてはシリコン（Si）を用いた。
ク材としてポリイミドを、またマスクフレーム材
料としてはシリコン（Si）を用いた。
まず第５図ａに示されるように１〔mm〕厚以上
のシリコンからなる成膜用基板５１を準備する。
のシリコンからなる成膜用基板５１を準備する。
次いで同図ｂに示されるように、該成膜用基板
５１のフレームとなる領域５２以外の領域５３を
裏面から削りとり薄くする。その厚さは容易に撰
択的エツチングできる範囲で、且つ次のポリアミ
ツク酸回転塗布工程での機械的強度を保てる厚さ
とされ、例えば300〜600〔μm〕残されるようにす
る。シリコンは、非常に硬い材料で、通常の機械
加工法では、フレーム部を残して中央部のみ薄く
するといつた加工が困難であるため、本実施例で
は容易に加工できる超音波加工法で行つた。
５１のフレームとなる領域５２以外の領域５３を
裏面から削りとり薄くする。その厚さは容易に撰
択的エツチングできる範囲で、且つ次のポリアミ
ツク酸回転塗布工程での機械的強度を保てる厚さ
とされ、例えば300〜600〔μm〕残されるようにす
る。シリコンは、非常に硬い材料で、通常の機械
加工法では、フレーム部を残して中央部のみ薄く
するといつた加工が困難であるため、本実施例で
は容易に加工できる超音波加工法で行つた。
次いで同図ｃに示されるように成膜用基板５１
の前記エツチング処理がなされない面にポリアミ
ツク酸を厚さ２〜５〔μm〕程に回転塗布したのち
加熱処理を行つてポリイミド皮膜５４を形成し
た。
の前記エツチング処理がなされない面にポリアミ
ツク酸を厚さ２〜５〔μm〕程に回転塗布したのち
加熱処理を行つてポリイミド皮膜５４を形成し
た。
次いで、同図ｄに示されるようにフレーム５２
の縁部を０リング５５で密閉して、中央部の薄い
シリコン部分５３をエツチングし除去する。この
際同図ｅに示されるように薄いシリコンをエツチ
ングするのでサイドエツチ量は少なく、０リング
５５によつて密閉が保たれ、フレーム部はエツチ
ングされることがない。同図ｆはエツチングが完
了した状態を示す。
の縁部を０リング５５で密閉して、中央部の薄い
シリコン部分５３をエツチングし除去する。この
際同図ｅに示されるように薄いシリコンをエツチ
ングするのでサイドエツチ量は少なく、０リング
５５によつて密閉が保たれ、フレーム部はエツチ
ングされることがない。同図ｆはエツチングが完
了した状態を示す。
次いで、ポリイミド皮膜５４の一方の表面に電
子線レジスト層を形成し、該電子線レジストに所
望のパターンを露光し、現像パターン５６を形成
する。この状態を第５図ｇに示す。
子線レジスト層を形成し、該電子線レジストに所
望のパターンを露光し、現像パターン５６を形成
する。この状態を第５図ｇに示す。
しかる後、リフトオフ法、メツキ法などにより
前記ポリイミド皮膜のレジストパターン５５に覆
われていない表面に金（Au）等のＸ線吸収体の
皮膜５７を選択的に形成したのちレジスト５６を
剥離する。この状態を第５図ｈに示す。
前記ポリイミド皮膜のレジストパターン５５に覆
われていない表面に金（Au）等のＸ線吸収体の
皮膜５７を選択的に形成したのちレジスト５６を
剥離する。この状態を第５図ｈに示す。
この結果、該第５図ｈに示される構造をもつて
本発明に係るＸ線露光用マスクが完成される。
本発明に係るＸ線露光用マスクが完成される。
又、本発明の応用として、厚いシリコン基板を
第６図ａ，ｂに平面図及び断面図に示すように一
部超音波加工でシリコン６１を選択的に削りと
り、フレーム部６２以外に格子状にシリコン６７
を厚く残す。このあと第５図ｃと同様にポリイミ
ド皮膜６４を形成したのち背面エツチングを行な
つて薄いシリコン部分を除去する。この場合格子
状のシリコン（リブ）６７は、薄いシリコン部分
６３の厚さ分だけエツチングされるが第６図ｃの
ように残される。
第６図ａ，ｂに平面図及び断面図に示すように一
部超音波加工でシリコン６１を選択的に削りと
り、フレーム部６２以外に格子状にシリコン６７
を厚く残す。このあと第５図ｃと同様にポリイミ
ド皮膜６４を形成したのち背面エツチングを行な
つて薄いシリコン部分を除去する。この場合格子
状のシリコン（リブ）６７は、薄いシリコン部分
６３の厚さ分だけエツチングされるが第６図ｃの
ように残される。
この、リブ６７は薄いポリイミド皮膜６４の機
械的補強の役割をはたす。
械的補強の役割をはたす。
以上のように本発明によれば被転写基板材料で
あるシリコンをフレーム材料に使用することによ
り、温度差による転写ずれを零にすることがで
き、且つ不均一な張力を有するポリイミド膜に対
してもフレームの変形がなくピツチ精度の良い吸
収体パターンを有するＸ線露光用マクスを容易に
製造できる。
あるシリコンをフレーム材料に使用することによ
り、温度差による転写ずれを零にすることがで
き、且つ不均一な張力を有するポリイミド膜に対
してもフレームの変形がなくピツチ精度の良い吸
収体パターンを有するＸ線露光用マクスを容易に
製造できる。
第１図はＸ線露光装置の概略の構造を示す断面
図、第２図は該Ｘ線露光装置において使用される
Ｘ線露光用マスクの一般的な構造を示す断面図、
第３図は従来の薄いシリコン基板の背面エツチ工
程を示す工程断面図、第４図は厚いシリコン基板
に対する背面エツチ工程を示す工程断面図、第５
図は本発明によるＸ線露光用マスクの製造工程を
示す工程断面図、第６図は本発明の応用としての
リブ付Ｘ線露光用マスクの平面図、断面図であ
る。 第５図において、５１…厚いシリコン基板、５
２…フレーム部、５３…薄いシリコン基板部、５
４…ポリイミド皮膜、５５…０リング、５６…電
子線レジスト・パターン、５７…Ｘ線吸収体。
図、第２図は該Ｘ線露光装置において使用される
Ｘ線露光用マスクの一般的な構造を示す断面図、
第３図は従来の薄いシリコン基板の背面エツチ工
程を示す工程断面図、第４図は厚いシリコン基板
に対する背面エツチ工程を示す工程断面図、第５
図は本発明によるＸ線露光用マスクの製造工程を
示す工程断面図、第６図は本発明の応用としての
リブ付Ｘ線露光用マスクの平面図、断面図であ
る。 第５図において、５１…厚いシリコン基板、５
２…フレーム部、５３…薄いシリコン基板部、５
４…ポリイミド皮膜、５５…０リング、５６…電
子線レジスト・パターン、５７…Ｘ線吸収体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被処理基板とほぼ同一の熱膨張係数を有する
厚さ１〔mm〕以上の成膜用基板を準備し、マスク
のフレームとなる領域以外の領域を該基板の一方
の主面から選択的に除去して該領域を薄くした
後、該基板の他方の主面にＸ線吸収体支持膜を形
成し、しかる後該基板の一方の主面よりエツチン
グ処理を行ない該フレーム以外の成膜用基板を除
去する工程を有することを特徴とするＸ線露光用
マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3655380A JPS56132343A (en) | 1980-03-22 | 1980-03-22 | Mask for x-ray exposure and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3655380A JPS56132343A (en) | 1980-03-22 | 1980-03-22 | Mask for x-ray exposure and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56132343A JPS56132343A (en) | 1981-10-16 |
| JPS631740B2 true JPS631740B2 (ja) | 1988-01-13 |
Family
ID=12472944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3655380A Granted JPS56132343A (en) | 1980-03-22 | 1980-03-22 | Mask for x-ray exposure and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56132343A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11618953B2 (en) | 2016-11-23 | 2023-04-04 | Institut National De La Recherche Scientifique | System for laser-driven impact acceleration |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5885433A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-21 | Hitachi Ltd | フオトマスク |
| DE3339624A1 (de) * | 1983-11-02 | 1985-05-09 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung einer maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels roentgenstrahllithographie |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923105B2 (ja) * | 1976-03-30 | 1984-05-30 | 株式会社東芝 | 軟ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPS5923104B2 (ja) * | 1976-03-30 | 1984-05-30 | 株式会社東芝 | 軟ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPS5375770A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-05 | Hitachi Ltd | X-ray copying mask |
| JPS55127559A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Fujitsu Ltd | Blank mask for x-ray exposure and using method therefor |
-
1980
- 1980-03-22 JP JP3655380A patent/JPS56132343A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11618953B2 (en) | 2016-11-23 | 2023-04-04 | Institut National De La Recherche Scientifique | System for laser-driven impact acceleration |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56132343A (en) | 1981-10-16 |
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