JPS6312347Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6312347Y2 JPS6312347Y2 JP1984149959U JP14995984U JPS6312347Y2 JP S6312347 Y2 JPS6312347 Y2 JP S6312347Y2 JP 1984149959 U JP1984149959 U JP 1984149959U JP 14995984 U JP14995984 U JP 14995984U JP S6312347 Y2 JPS6312347 Y2 JP S6312347Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vram
- mask
- ion
- defect
- repair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
ａ 産業の利用分野
本考案は半導体製造工程で使用されるマスクリ
ペア装置のうち、特にイオンビームを用いた装置
に関するものである。
ペア装置のうち、特にイオンビームを用いた装置
に関するものである。
ｂ 従来の技術
マスクリペア装置はマスクパターンの欠陥を修
正するものであり、マスクパターンが殆んど直線
で構成されているため、長方形領域の修正を行な
つていた。
正するものであり、マスクパターンが殆んど直線
で構成されているため、長方形領域の修正を行な
つていた。
ｃ 考案が解決しようとする問題点
ｂで述べたように長方形領域の修正のため複雑
な形状の場合は領域を分割して修正するか、欠陥
を包含する大きな長方形で修正していた。このた
め前者の方法では手間がかかり、後者の方法では
欠陥でない場所にまで影響を及ぼし、かつまた修
正領域が大きくなるため余計な時間もかかるとい
う問題があつた。
な形状の場合は領域を分割して修正するか、欠陥
を包含する大きな長方形で修正していた。このた
め前者の方法では手間がかかり、後者の方法では
欠陥でない場所にまで影響を及ぼし、かつまた修
正領域が大きくなるため余計な時間もかかるとい
う問題があつた。
ｄ 問題点を解決しようとする手段
マスクパターンの２次イオン像を２値化して、
パターン表示用VRAMへ取り込み、CRTへ表示
する機構と、イオニビーム走査と同期してビーム
制御用VRAMのドツトの１，０に応じてビーム
をブランキングする機構と、人間がCRT上で場
所を指示できる機構と指定された場所に対応する
ビーム制御用VRAMのドツトを１にする機構に
より構成された手段である。
パターン表示用VRAMへ取り込み、CRTへ表示
する機構と、イオニビーム走査と同期してビーム
制御用VRAMのドツトの１，０に応じてビーム
をブランキングする機構と、人間がCRT上で場
所を指示できる機構と指定された場所に対応する
ビーム制御用VRAMのドツトを１にする機構に
より構成された手段である。
ｅ 作用
前記CRT上に表示された２次イオン像を見な
がら人間が前記指示機構によりCRT上の領域を
指定し、対応するビーム制御用VRAMのドツト
を１にする。次に２つのVRAMの対応するドツ
ト同士の理論和をつくり、これをビーム制御用
VRAMへ格納する。その後、イオンビーム走査
を行えば、指定領域内の欠陥部位でのみビームは
ONされる。
がら人間が前記指示機構によりCRT上の領域を
指定し、対応するビーム制御用VRAMのドツト
を１にする。次に２つのVRAMの対応するドツ
ト同士の理論和をつくり、これをビーム制御用
VRAMへ格納する。その後、イオンビーム走査
を行えば、指定領域内の欠陥部位でのみビームは
ONされる。
ｆ 実施例
以下、図面に従つて本考案の実施例を説明す
る。第１図においては、１はイオン源で、発生し
たイオンビーム２はマスク３に照射され、２次イ
オン４を発生する。５は２次イオン検出器で、特
定のイオンのみ検出するようになつている。信号
は２値化回路６により０，１になり、CPU７か
ら出力されるアドレスに従つてパターン表示用
VRAM８へ書き込まれる。一方CPU７は同じア
ドレスをDAコンバータ９に送り、これにより
XYデフレクター１０は駆動される。また欠陥修
正時にはCPU７はビーム制御用VRAM１１へも
アドレスを送り、VRAM１１から送り出される
１，０に従つてインバータ１２は０の時、ビーム
ブランキング電極１３を駆動し、ブランキングを
行なう。
る。第１図においては、１はイオン源で、発生し
たイオンビーム２はマスク３に照射され、２次イ
オン４を発生する。５は２次イオン検出器で、特
定のイオンのみ検出するようになつている。信号
は２値化回路６により０，１になり、CPU７か
ら出力されるアドレスに従つてパターン表示用
VRAM８へ書き込まれる。一方CPU７は同じア
ドレスをDAコンバータ９に送り、これにより
XYデフレクター１０は駆動される。また欠陥修
正時にはCPU７はビーム制御用VRAM１１へも
アドレスを送り、VRAM１１から送り出される
１，０に従つてインバータ１２は０の時、ビーム
ブランキング電極１３を駆動し、ブランキングを
行なう。
従つて、この装置ではビーム制御用VRAM１
１のドツトが１の所でだけビーム照射を行なうこ
とができる。
１のドツトが１の所でだけビーム照射を行なうこ
とができる。
次にビーム制御用VRAMへのデータの書き込
みについて説明する。
みについて説明する。
たとえば第２図のような像が得られたとする。
２０で示す部分が除きたい欠陥だとすると、ビー
ム制御用VRAM１１上に第３図で示すように欠
陥２０を含む指定領域２１を設定する。その後、
２つのVRAMの論理和をつくれば、第４図のよ
うに欠陥２０と重なるようにビーム制御用
VRAM１１上に修正領域２２ができることにな
る。
２０で示す部分が除きたい欠陥だとすると、ビー
ム制御用VRAM１１上に第３図で示すように欠
陥２０を含む指定領域２１を設定する。その後、
２つのVRAMの論理和をつくれば、第４図のよ
うに欠陥２０と重なるようにビーム制御用
VRAM１１上に修正領域２２ができることにな
る。
ｇ 考案の効果
以上説明してきたように、本考案を使用すれば
任意の複雑な形状の欠陥修正の際の修正領域の設
定がきわめて簡単に行なえ、しかも欠陥以外の場
所へはイオンビームを照射せずにすむのである。
任意の複雑な形状の欠陥修正の際の修正領域の設
定がきわめて簡単に行なえ、しかも欠陥以外の場
所へはイオンビームを照射せずにすむのである。
第１図は本考案実施例の装置概略図、第２図は
パターン表示用VRAMのCRT像、第３図、第４
図はビーム制御用VRAMのCRT像を示す図であ
る。 １……イオン源、２……イオンビーム、３……
マスク、４……２次イオン、５……２次イオン検
出器、６……２値化回路、７……CPU、８……
パターン表示用VRAM、９……DAコンバータ、
１０……XYデフレクター、１１……ビーム制御
用VRAM、１２……インバータ、１３……ビー
ムブランキング電極、２０……マスク欠陥、２１
……指定領域、２２……修正領域。
パターン表示用VRAMのCRT像、第３図、第４
図はビーム制御用VRAMのCRT像を示す図であ
る。 １……イオン源、２……イオンビーム、３……
マスク、４……２次イオン、５……２次イオン検
出器、６……２値化回路、７……CPU、８……
パターン表示用VRAM、９……DAコンバータ、
１０……XYデフレクター、１１……ビーム制御
用VRAM、１２……インバータ、１３……ビー
ムブランキング電極、２０……マスク欠陥、２１
……指定領域、２２……修正領域。
Claims (1)
- イオンビームマスクリペア装置において、マス
ク欠陥部近辺の２次イオン像を２値化して
VRAMへ取り込みCRTへ表示する機構と、イオ
ンビーム走査と同期してVRAMのドツトの１，
０に対応してビームをブランキングする機構を備
えることにより、任意形状のマスク欠陥を修正で
きることを特徴とする、任意形状修正可能なイオ
ンビームマスクリペア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984149959U JPS6312347Y2 (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984149959U JPS6312347Y2 (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166354U JPS6166354U (ja) | 1986-05-07 |
| JPS6312347Y2 true JPS6312347Y2 (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=30708123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984149959U Expired JPS6312347Y2 (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6312347Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JPS58196020A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP1984149959U patent/JPS6312347Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6166354U (ja) | 1986-05-07 |
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