JPS631268B2 - - Google Patents
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- JPS631268B2 JPS631268B2 JP57019638A JP1963882A JPS631268B2 JP S631268 B2 JPS631268 B2 JP S631268B2 JP 57019638 A JP57019638 A JP 57019638A JP 1963882 A JP1963882 A JP 1963882A JP S631268 B2 JPS631268 B2 JP S631268B2
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- silicon carbide
- thermal conductivity
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- Ceramic Products (AREA)
Description
本発明は、炭化ケイ素焼結体の製法に関する。
近年、半導体工業の進歩は目ざましく、大規模
集積回路等に使用される絶縁基板には半導体チツ
プ等の回路構成要素が増々高密度に搭載形成され
るようになつてきた。さらに大容量、小型化に対
する要請も大きくなり、使用する絶縁基板は熱放
散性の良い材料が要求されるようになつてきた。
従来、こうした絶縁基板用材料としてはアルミナ
焼結体が使用されているが、アルミナ基板は熱放
散性があまり良くないのでこうした目的を達成す
るためには、より熱放散の大きい絶縁基板の開発
が要請されるようになつてきた。絶縁基板材料と
して、 (1) 電気絶縁性が大きいこと、 (2) 熱伝導率が大きいこと、 (3) 熱膨張係数がシリコンの熱膨張係数に近いこ
と、 (4) 機械的強度が大きいこと、 などが要求される。 ところで炭化ケイ素焼結体は、その熱膨張係数
が約４×10-6／℃で、アルミナのそれの約８×
10-6／℃に比べて小さく、シリコンの熱膨張係数
約3.3×10-6／℃に近い。また機械強度も曲げ強
さで50Kg／mm2以上を有し、アルミナのそれの約
20Kg／mm2に比べると極めて高強度であることが
知られている。また炭化ケイ素焼結体の熱伝導率
は0.1〜0.3cal／cm・sec・℃でアルミナの約３倍
以上の値を有する。これらの点から、炭化ケイ素
は電気絶縁性の大きいものが開発されると、大規
模集積回路などの絶縁基板用材料として極めて有
用である。 炭化ケイ素は炭素とケイ素から成る―族化
合物半導体である。このため、電気絶縁性を有す
る高密度焼結体を得ることは困難と考えられてお
り、事実、こうしたものはこれまで見当らなかつ
た。 炭化ケイ素は共有結合性の大きい化合物である
ため、硬く強靭で、1500℃以上の高温でも耐酸化
性、耐食性に優れた安定な物質であることは良く
知られているが、この強い共有結合性のため高密
度焼結が困難な材料であつた。 そこで高密度炭化ケイ素焼結体を得るために
種々の焼結助剤が用いられてきた。 例えば、アルミニウムや鉄を添加してホツトプ
レスすることにより、炭化ケイ素の理論密度の98
％の密度を有する焼結体が得られることが知られ
ている〔Alliegro et al.J.Am.Ceram.Soc.39、
386〜389（1956）〕。また、ホウ素と炭素を用いて、
ホツトプレス法または無加圧法で高密度の焼結体
を得る方法が知られている（特開昭49―99308
号）。これらはいずれもガスタービン用部品等の
耐熱構造材を提供することを目的とするものであ
る。これらの焼結助剤を用いた炭化ケイ素焼結体
の熱伝導率の値はいずれも0.4cal／cm・sec・℃
以下である。 また、炭化ケイ素にBe炭化物を添加して焼結
したものが、特開昭53―67711号、特開昭55―
32796号公報およびその対応米国特許第4172109号
に示されているが、これは原料の炭化ケイ素粉末
中に0.5〜５重量％の過剰炭素を含むものを用い
て焼結した高強度材料に関するもので、とくにこ
うした過剰炭素はその焼結体の熱伝導性を著しく
損う。 本発明の目的は熱伝導率の大きい非酸化物系セ
ラミツク焼結体を提供するにある。 平均粒径10μm以下、ベリリウム量0.1〜3.5重量
％相当量の酸化ベリリウムと残部が平均粒径
10μm以下の炭化ケイ素とから成る粉末組成物を、
非酸化性雰囲気中で圧力100Kg／cm2以上、温度
1850〜2500℃でホツトプレスし、理論密度90％以
上とすることを特徴とする高熱伝導性炭化ケイ素
焼結体の製法にある。理論密度90％以上にするこ
とによつて室温の熱伝導率が0.4cal／cm・sec・
℃以上である焼結体が得られる。 Be量が0.1重量％未満では効果が少なく、特に
炭化ケイ素を主成分とする焼結体では、室温の熱
伝導率が0.4cal／cm・sec・℃以上の焼結体が得
られない。一方3.5重量％より多いと炭化ケイ素
焼結体ではその熱膨張係数が４×10-6℃よりも大
きくなり、とくに、シリコン半導体素子用の基板
として使用する場合などに問題となる。 添加は炭化ケイ素粉末にBeO粉末を混合する。
このときBeOとしては約0.5〜14重量％添加する
こにより焼結体中に0.1〜3.5重量％含ませること
ができる。但し焼結時の雰囲気、温度によつて多
小変る。 本発明において上記酸化ベリリウムおよび炭化
ケイ素微粉末は、平均10μm、好ましくは2μm以
下の粒径を有する。 熱伝導率が0.5cal／cm・sec・℃以上のものを
得たいときは、炭化ケイ素はその主成分がα型
SiCである粉末を用いて焼結するのが良い。 酸化ベリリウムを含有する炭化ケイ素粉末の焼
結は非酸化性雰囲気がよい。酸化性雰囲気では炭
化ケイ素粉末表面が酸化し高密度な焼結体が得ら
れにくい。 好ましい焼結温度は1850〜2500℃、さらに好ま
しくは1900〜2300℃である。温度が1850℃より低
い場合には高密度な焼結体が得られにくい。2500
℃より高い場合には炭化ケイ素の昇華が激しく、
焼結体は過焼成になり、緻密な磁器が得られにく
い。焼結時に試料を高圧で加圧するホツトプレス
法では、加圧する荷重は使用するダイスの材質に
よる。黒鉛製のダイスでは約700Kg／cm2まで圧力
を加えることができる。通常の圧力は100〜300
Kg／cm2である。またサブミクロンの粒径を有する
炭化ケイ素粉末を使用することにより、ホツトプ
レスしないでも緻密（理論値90％）な焼結体を得
ることができる。焼結時間は原料粉末の粒径、温
度、焼結時に加える荷重により最適値が決められ
る。原料粉末の粒径が小さく、温度が高く、焼結
時に加える荷重が大きいほど短時間で高密度の焼
結体が得られる。 実施例 １ 平均粒径2μmの炭化ケイ素粉末に粒径10μm以
下の酸化ベリリウム粉末を0.1〜20重量％添加し
混合した。次いで混合粉末を室温で1000Kg／cm2の
圧力を加えて成形体とした。成形体は1.60〜
1.67g／cm3の密度（炭化ケイ素の理論密度の50〜
52％の相対密度）を有する。次に成型体を黒鉛製
のダイスに入れ、減圧度１×10-5〜１×10-3torr
中でホツトプレス法により焼結した。焼結圧力は
300Kg／cm2で、加熱は室温から2000℃まで約2hで
昇温し、2000℃で1h保持したのち加熱電源を切
つて放冷した。圧力は温度が1500℃以下になつて
から解除した。上記によつて製造した炭化ケイ素
焼結体の特性とベリリウムの含有量との関係を第
１図〜第４図に示す。 第１図〜第４図の結果より、炭化ケイ素焼結体
に含有するベリリウムの量が0.1〜3.5重量％の範
囲の場合に高密度で高熱伝導率、低熱膨張係数
（４×10-6／℃以下）を併せ有する焼結体が得ら
れる。 実施例 ２ 炭化ケイ素粉末に対し酸化ベリリウム粉末を４
重量％添加した混合粉末を実施例１と同様にして
ホツトプレス法により焼結体を得た。このときの
焼結体に含まれるベリリウムの含有量は約１重量
％であつた。本実施例においてはホツトプレス条
件を変えて焼結体を作製した。第１表は得られた
焼結体の特性とホツトプレス条件との関係を示す
もので、温度1850〜2500℃、圧力100Kg／cm2以上
で焼結することにより、理論密度の90％以上、
0.4cal／cm・sec・℃以上の熱伝導率、1011Ωcm以
上の電気抵抗率および3.3×10-6／℃の熱膨張係
数の焼結体を得た。
集積回路等に使用される絶縁基板には半導体チツ
プ等の回路構成要素が増々高密度に搭載形成され
るようになつてきた。さらに大容量、小型化に対
する要請も大きくなり、使用する絶縁基板は熱放
散性の良い材料が要求されるようになつてきた。
従来、こうした絶縁基板用材料としてはアルミナ
焼結体が使用されているが、アルミナ基板は熱放
散性があまり良くないのでこうした目的を達成す
るためには、より熱放散の大きい絶縁基板の開発
が要請されるようになつてきた。絶縁基板材料と
して、 (1) 電気絶縁性が大きいこと、 (2) 熱伝導率が大きいこと、 (3) 熱膨張係数がシリコンの熱膨張係数に近いこ
と、 (4) 機械的強度が大きいこと、 などが要求される。 ところで炭化ケイ素焼結体は、その熱膨張係数
が約４×10-6／℃で、アルミナのそれの約８×
10-6／℃に比べて小さく、シリコンの熱膨張係数
約3.3×10-6／℃に近い。また機械強度も曲げ強
さで50Kg／mm2以上を有し、アルミナのそれの約
20Kg／mm2に比べると極めて高強度であることが
知られている。また炭化ケイ素焼結体の熱伝導率
は0.1〜0.3cal／cm・sec・℃でアルミナの約３倍
以上の値を有する。これらの点から、炭化ケイ素
は電気絶縁性の大きいものが開発されると、大規
模集積回路などの絶縁基板用材料として極めて有
用である。 炭化ケイ素は炭素とケイ素から成る―族化
合物半導体である。このため、電気絶縁性を有す
る高密度焼結体を得ることは困難と考えられてお
り、事実、こうしたものはこれまで見当らなかつ
た。 炭化ケイ素は共有結合性の大きい化合物である
ため、硬く強靭で、1500℃以上の高温でも耐酸化
性、耐食性に優れた安定な物質であることは良く
知られているが、この強い共有結合性のため高密
度焼結が困難な材料であつた。 そこで高密度炭化ケイ素焼結体を得るために
種々の焼結助剤が用いられてきた。 例えば、アルミニウムや鉄を添加してホツトプ
レスすることにより、炭化ケイ素の理論密度の98
％の密度を有する焼結体が得られることが知られ
ている〔Alliegro et al.J.Am.Ceram.Soc.39、
386〜389（1956）〕。また、ホウ素と炭素を用いて、
ホツトプレス法または無加圧法で高密度の焼結体
を得る方法が知られている（特開昭49―99308
号）。これらはいずれもガスタービン用部品等の
耐熱構造材を提供することを目的とするものであ
る。これらの焼結助剤を用いた炭化ケイ素焼結体
の熱伝導率の値はいずれも0.4cal／cm・sec・℃
以下である。 また、炭化ケイ素にBe炭化物を添加して焼結
したものが、特開昭53―67711号、特開昭55―
32796号公報およびその対応米国特許第4172109号
に示されているが、これは原料の炭化ケイ素粉末
中に0.5〜５重量％の過剰炭素を含むものを用い
て焼結した高強度材料に関するもので、とくにこ
うした過剰炭素はその焼結体の熱伝導性を著しく
損う。 本発明の目的は熱伝導率の大きい非酸化物系セ
ラミツク焼結体を提供するにある。 平均粒径10μm以下、ベリリウム量0.1〜3.5重量
％相当量の酸化ベリリウムと残部が平均粒径
10μm以下の炭化ケイ素とから成る粉末組成物を、
非酸化性雰囲気中で圧力100Kg／cm2以上、温度
1850〜2500℃でホツトプレスし、理論密度90％以
上とすることを特徴とする高熱伝導性炭化ケイ素
焼結体の製法にある。理論密度90％以上にするこ
とによつて室温の熱伝導率が0.4cal／cm・sec・
℃以上である焼結体が得られる。 Be量が0.1重量％未満では効果が少なく、特に
炭化ケイ素を主成分とする焼結体では、室温の熱
伝導率が0.4cal／cm・sec・℃以上の焼結体が得
られない。一方3.5重量％より多いと炭化ケイ素
焼結体ではその熱膨張係数が４×10-6℃よりも大
きくなり、とくに、シリコン半導体素子用の基板
として使用する場合などに問題となる。 添加は炭化ケイ素粉末にBeO粉末を混合する。
このときBeOとしては約0.5〜14重量％添加する
こにより焼結体中に0.1〜3.5重量％含ませること
ができる。但し焼結時の雰囲気、温度によつて多
小変る。 本発明において上記酸化ベリリウムおよび炭化
ケイ素微粉末は、平均10μm、好ましくは2μm以
下の粒径を有する。 熱伝導率が0.5cal／cm・sec・℃以上のものを
得たいときは、炭化ケイ素はその主成分がα型
SiCである粉末を用いて焼結するのが良い。 酸化ベリリウムを含有する炭化ケイ素粉末の焼
結は非酸化性雰囲気がよい。酸化性雰囲気では炭
化ケイ素粉末表面が酸化し高密度な焼結体が得ら
れにくい。 好ましい焼結温度は1850〜2500℃、さらに好ま
しくは1900〜2300℃である。温度が1850℃より低
い場合には高密度な焼結体が得られにくい。2500
℃より高い場合には炭化ケイ素の昇華が激しく、
焼結体は過焼成になり、緻密な磁器が得られにく
い。焼結時に試料を高圧で加圧するホツトプレス
法では、加圧する荷重は使用するダイスの材質に
よる。黒鉛製のダイスでは約700Kg／cm2まで圧力
を加えることができる。通常の圧力は100〜300
Kg／cm2である。またサブミクロンの粒径を有する
炭化ケイ素粉末を使用することにより、ホツトプ
レスしないでも緻密（理論値90％）な焼結体を得
ることができる。焼結時間は原料粉末の粒径、温
度、焼結時に加える荷重により最適値が決められ
る。原料粉末の粒径が小さく、温度が高く、焼結
時に加える荷重が大きいほど短時間で高密度の焼
結体が得られる。 実施例 １ 平均粒径2μmの炭化ケイ素粉末に粒径10μm以
下の酸化ベリリウム粉末を0.1〜20重量％添加し
混合した。次いで混合粉末を室温で1000Kg／cm2の
圧力を加えて成形体とした。成形体は1.60〜
1.67g／cm3の密度（炭化ケイ素の理論密度の50〜
52％の相対密度）を有する。次に成型体を黒鉛製
のダイスに入れ、減圧度１×10-5〜１×10-3torr
中でホツトプレス法により焼結した。焼結圧力は
300Kg／cm2で、加熱は室温から2000℃まで約2hで
昇温し、2000℃で1h保持したのち加熱電源を切
つて放冷した。圧力は温度が1500℃以下になつて
から解除した。上記によつて製造した炭化ケイ素
焼結体の特性とベリリウムの含有量との関係を第
１図〜第４図に示す。 第１図〜第４図の結果より、炭化ケイ素焼結体
に含有するベリリウムの量が0.1〜3.5重量％の範
囲の場合に高密度で高熱伝導率、低熱膨張係数
（４×10-6／℃以下）を併せ有する焼結体が得ら
れる。 実施例 ２ 炭化ケイ素粉末に対し酸化ベリリウム粉末を４
重量％添加した混合粉末を実施例１と同様にして
ホツトプレス法により焼結体を得た。このときの
焼結体に含まれるベリリウムの含有量は約１重量
％であつた。本実施例においてはホツトプレス条
件を変えて焼結体を作製した。第１表は得られた
焼結体の特性とホツトプレス条件との関係を示す
もので、温度1850〜2500℃、圧力100Kg／cm2以上
で焼結することにより、理論密度の90％以上、
0.4cal／cm・sec・℃以上の熱伝導率、1011Ωcm以
上の電気抵抗率および3.3×10-6／℃の熱膨張係
数の焼結体を得た。
【表】
実施例 ３
炭化ケイ素の焼結体は実施例１と同様に、酸化
ベリリウムの添加率を３重量％とし、焼結時の雰
囲気をアルゴンガス、ヘリウムガスおよび窒素ガ
スを使用し製造した。得れた焼結体中のベリリウ
ムの含有量は0.9重量％であつた。その特性は実
施例１のベリリウム含有量１重量％の焼結体とほ
ぼ同じであつた。 実施例 ４ 平均粒径が0.2〜20μmの炭化ケイ素粉末に酸化
ベリリウムを２重量％添加して混合したのち、実
施例１と同様にしてホツトプレス法により焼結体
を製造した。第２表は炭化ケイ素原料粉末の平均
粒径と得られた焼結体の相対密度の関係である。
焼結体は炭化ケイ素原料粉末の平均粒径が10μm
以下であれば相対密度95％以上に緻密化する。ま
た、相対密度が95％以上に緻密化した焼結体は実
施例１のベリリウム含有量0.4重量％の場合と同
様な特性を示した。炭化ケイ素原料粉末の平均粒
径が10μmより大きく、緻密化が十分進行しなか
つた焼結体では熱伝導率が0.2cal／cm・sec・℃
以下、機械的強度が10Kg／mm2以下と小さい値で
あつた。
ベリリウムの添加率を３重量％とし、焼結時の雰
囲気をアルゴンガス、ヘリウムガスおよび窒素ガ
スを使用し製造した。得れた焼結体中のベリリウ
ムの含有量は0.9重量％であつた。その特性は実
施例１のベリリウム含有量１重量％の焼結体とほ
ぼ同じであつた。 実施例 ４ 平均粒径が0.2〜20μmの炭化ケイ素粉末に酸化
ベリリウムを２重量％添加して混合したのち、実
施例１と同様にしてホツトプレス法により焼結体
を製造した。第２表は炭化ケイ素原料粉末の平均
粒径と得られた焼結体の相対密度の関係である。
焼結体は炭化ケイ素原料粉末の平均粒径が10μm
以下であれば相対密度95％以上に緻密化する。ま
た、相対密度が95％以上に緻密化した焼結体は実
施例１のベリリウム含有量0.4重量％の場合と同
様な特性を示した。炭化ケイ素原料粉末の平均粒
径が10μmより大きく、緻密化が十分進行しなか
つた焼結体では熱伝導率が0.2cal／cm・sec・℃
以下、機械的強度が10Kg／mm2以下と小さい値で
あつた。
【表】
実施例 ５
第５図は実施例１及び２で得られた焼結体の室
温の熱伝導率と相対密度との関係をまとめたもの
である。図に示すように、本発明の酸化ベリリウ
ムを加えた焼結体は90％以上の相対密度とするこ
とにより0.4cal／cm・sec・℃以上の高熱伝導率
が得られることがわかる。図中の％は焼結体中の
ベリリウム含有量である。 比較例 １ 炭化ケイ素粉末に添加剤を加えないで実施例１
と同様にしてホツトプレス法により焼結体を得
た。該焼結体の特性は第３表に示す通りで、緻密
化していないため、熱伝導率が低い。
温の熱伝導率と相対密度との関係をまとめたもの
である。図に示すように、本発明の酸化ベリリウ
ムを加えた焼結体は90％以上の相対密度とするこ
とにより0.4cal／cm・sec・℃以上の高熱伝導率
が得られることがわかる。図中の％は焼結体中の
ベリリウム含有量である。 比較例 １ 炭化ケイ素粉末に添加剤を加えないで実施例１
と同様にしてホツトプレス法により焼結体を得
た。該焼結体の特性は第３表に示す通りで、緻密
化していないため、熱伝導率が低い。
【表】
熱伝導率、電気抵抗率は室温で測定
熱膨張係数は室温〜300℃の平均値
比較例 ２ 炭化ケイ素粉末に添加剤として酸化アルミニウ
ムを２重化％添加混合した。混合粉末は実施例１
と同様にして成形体としたのち、ホツトプレス法
により焼結体を得た。焼結体の特性は第４表に示
す通りで、十分に緻密化し、機械的強度は大きい
が、熱伝導率、電気抵抗率はいずれも小さい値を
示している。また、炭化アルミニウム、窒化アル
ミニウム、リン酸アルミニウムを添加剤として使
用した場合にも第４表に示したものと同様な特性
を示した。
熱膨張係数は室温〜300℃の平均値
比較例 ２ 炭化ケイ素粉末に添加剤として酸化アルミニウ
ムを２重化％添加混合した。混合粉末は実施例１
と同様にして成形体としたのち、ホツトプレス法
により焼結体を得た。焼結体の特性は第４表に示
す通りで、十分に緻密化し、機械的強度は大きい
が、熱伝導率、電気抵抗率はいずれも小さい値を
示している。また、炭化アルミニウム、窒化アル
ミニウム、リン酸アルミニウムを添加剤として使
用した場合にも第４表に示したものと同様な特性
を示した。
【表】
熱伝導率、電気抵抗率は室温で測定
熱膨態係数は室温〜300℃の平均値
実施例 ６ 本発明の焼結体からなる電気絶縁基板の具体的
な適用例として、実施例１で得たベリリウム含有
量が0.5重量％の炭化ケイ素焼結体を基板として
用いた半導体パワーモジユールで説明する。第５
図は従来構造の組立断面図である。導体４とヒー
トシンク６及びヒートシンク６と金属支持板８の
間を有機絶縁物５及びアルミナ基板７絶縁し、ま
たシリコン素子１とヒートシンク６との熱膨張係
数の差によるひずみを緩和するためにスペーサ３
を介在させてある。第７図は本発明の焼結体から
なる絶縁基板を用いたモジユールの組立断面図で
ある。基板１５はシリコン素子１１と直接ろう付
されており、非常に簡単な構造を有する。 上記半導体装置を−60℃で30分保持したのち室
温にして５分保持し、さらに125℃に昇温して30
分保持するヒートサイクルを加えた。従来法の半
導体装置（第５図）は20回のヒートサイクルで基
板にクラツクが発生するとともにハンダ付箇所に
はがれが生じた。本発明になる半導体装置は150
回のヒートサイクル後でも異常が認められなかつ
た。 本発明によつて得られる炭化ケイ素焼結体は緻
密化しており、高熱伝導率、高電気抵抗率および
低熱膨張係数を有するという特徴を有する。従つ
て前述した如き電気絶縁用基板材料、耐熱、耐酸
化性が要求される部材、耐熱衝撃性が要求される
部材、高温において高強度が要求される部材とし
ても好適である。
熱膨態係数は室温〜300℃の平均値
実施例 ６ 本発明の焼結体からなる電気絶縁基板の具体的
な適用例として、実施例１で得たベリリウム含有
量が0.5重量％の炭化ケイ素焼結体を基板として
用いた半導体パワーモジユールで説明する。第５
図は従来構造の組立断面図である。導体４とヒー
トシンク６及びヒートシンク６と金属支持板８の
間を有機絶縁物５及びアルミナ基板７絶縁し、ま
たシリコン素子１とヒートシンク６との熱膨張係
数の差によるひずみを緩和するためにスペーサ３
を介在させてある。第７図は本発明の焼結体から
なる絶縁基板を用いたモジユールの組立断面図で
ある。基板１５はシリコン素子１１と直接ろう付
されており、非常に簡単な構造を有する。 上記半導体装置を−60℃で30分保持したのち室
温にして５分保持し、さらに125℃に昇温して30
分保持するヒートサイクルを加えた。従来法の半
導体装置（第５図）は20回のヒートサイクルで基
板にクラツクが発生するとともにハンダ付箇所に
はがれが生じた。本発明になる半導体装置は150
回のヒートサイクル後でも異常が認められなかつ
た。 本発明によつて得られる炭化ケイ素焼結体は緻
密化しており、高熱伝導率、高電気抵抗率および
低熱膨張係数を有するという特徴を有する。従つ
て前述した如き電気絶縁用基板材料、耐熱、耐酸
化性が要求される部材、耐熱衝撃性が要求される
部材、高温において高強度が要求される部材とし
ても好適である。
第１図はベリリウム含有量と焼結体の相対密度
との関係を示す図、第２図はベリリウム含有量と
焼結体の室温における熱伝導率との関係を示す
図、第３図はベリリウム含有量と焼結体の室温に
おける電気抵抗率との関係を示す図、第４図はベ
リリウム含有量と焼結体の室温〜300℃における
熱膨張係数の平均値との関係を示す図、第５図は
相対密度と熱伝導率との関係を示す線図、第６図
は従来の半導体装置の断面図、第７図は本発明の
半導体装置の断面図である。 １，１１…シリコン素子、２，１２…アルミニ
ウムリード線、３…モリブデンスペーサ、４，１
３…導体、５…有機絶縁物、６…ヒートシンク、
７…アルミナ基板、８…支持板、９，１０，１４
…半田、１５…炭化ケイ素焼結体基板。
との関係を示す図、第２図はベリリウム含有量と
焼結体の室温における熱伝導率との関係を示す
図、第３図はベリリウム含有量と焼結体の室温に
おける電気抵抗率との関係を示す図、第４図はベ
リリウム含有量と焼結体の室温〜300℃における
熱膨張係数の平均値との関係を示す図、第５図は
相対密度と熱伝導率との関係を示す線図、第６図
は従来の半導体装置の断面図、第７図は本発明の
半導体装置の断面図である。 １，１１…シリコン素子、２，１２…アルミニ
ウムリード線、３…モリブデンスペーサ、４，１
３…導体、５…有機絶縁物、６…ヒートシンク、
７…アルミナ基板、８…支持板、９，１０，１４
…半田、１５…炭化ケイ素焼結体基板。
Claims (1)
- １ 平均粒径10μm以下、ベリリウム量0.1〜3.5重
量％相当量の酸化ベリリウムと残部が平均粒径
10μm以下の炭化ケイ素とから成る粉末組成物を、
非酸化性雰囲気中で圧力100Kg／cm2以上、温度
1850〜2500℃でホツトプレスし、理論密度90％以
上とすることを特徴とする高熱伝導性炭化ケイ素
焼結体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019638A JPS57166366A (en) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | Non-oxide ceramic sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019638A JPS57166366A (en) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | Non-oxide ceramic sintered body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57166366A JPS57166366A (en) | 1982-10-13 |
| JPS631268B2 true JPS631268B2 (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=12004755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57019638A Granted JPS57166366A (en) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | Non-oxide ceramic sintered body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57166366A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4144207A (en) * | 1977-12-27 | 1979-03-13 | The Carborundum Company | Composition and process for injection molding ceramic materials |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP57019638A patent/JPS57166366A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57166366A (en) | 1982-10-13 |
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