JPS63133673A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置、特に５ｏｌ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　
ｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）上に形成する？ＩＯ５Ｉ−ラ
ンジスタの製造方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、ＳＯＩ基板に形成するＭＯＳ　トランジスタ
の製造方法であり、トランジスタのゲート電極形成後に
酸素雰囲気中で熱処理することにより、ゲート酸化膜の
絶縁破壊を修復することができるようにしたものである
。

〔従来の技術〕

例えば石英より成る絶縁基板上に形成された単結晶Ｓｉ
層（又は多結晶Ｓｉ層）に薄膜ＭＯ５ｌ−ランジスクを
作製することが提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した薄膜ＭＯ５）ランジスクを作製する工程におい
て、ゲート電極のパターニング時、イオン注入時、レジ
スｌ−［を剥離するための０□７５．シャの際などでゲ
ート酸化膜の中及びその側面にピンホールのような欠陥
が生じ、ゲートとソース、ドレイン間にリークが生じる
場合があった。このようなゲート酸化膜の絶縁破壊を防
ぐために、例えばイオン注入時に帯電防止を行うなどの
対策が採られているが、充分な効果が得られないことも
あった。

本発明は、上記問題点を解決することができる半導体装
置の製造方法を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、絶縁基板（１）上に形成された半導体層（２
）にＭＯＳ　トランジスタ（７）が形成されて成る半導
体装置の製造方法において、ＭＯＳ　　ｌ−ランジスタ
（７）のゲート電極（４）形成後に少くともゲート酸化
膜（３）を酸素雰囲気中で熱処理することを特徴とする
。

上記熱処理は、ゲート電極（４）形成後、ゲート酸化膜
（３）に絶縁破壊が生じ易い複数の工程の中、最後の工
程で行うのが好ましい。

〔作　用〕

本発明によれば、ゲート酸化膜（３）に対して酸素雰囲
気中で熱処理を施すことにより、酸素が絶縁破壊された
ゲート酸化膜（３）を再び酸化してゲート酸化膜（３）
を元通りに修復することが可能になる。

〔実施例〕

第１図〜第３図を参照して本発明の詳細な説明する。

本実施例においては、石英基板ｆｌＪ上に多結晶Ｓｉ（
又は単結晶Ｓｉ）　層（２１を形成し、ゲート酸化膜（
３）と多結晶Ｓｉのゲート電極（４）を形成した後、リ
ンＰのイオン注入によってソース領域（５）とドレイン
領域（６）を形成して薄膜ＭＯ３！−ランジスタ（７）
を作製する。そして、この後基板（１）を乾燥した酸素
雰囲気中に置き、９００℃の温度で約２０分間熱処理を
施す。

この後、窒素雰囲気中で１０００“Ｃ１約１０分間の条
件でアニールを廁す゛。

上記工程において、酸素雰囲気中で熱処理を施すことに
よって、酸素はゲート酸化膜（３）の側面を再酸化する
だけではなく、矢印で示すようにゲート酸化膜（３）中
に直接入って拡散することにより、また石英基板（１）
を通ってゲート酸化膜（３）中に拡散して入ることによ
り、ゲート酸化膜（３）を再酸化する。なお、絶縁基板
（１）としては、このように０□が拡散し易い石英等を
使用するのが好ましい。このため、イオン注入も含めて
ゲートのパターニング、レジストの剥離等の工程におい
てゲート酸化膜（３）に絶縁破壊が生じている場合であ
っても、その破壊部分が修復されて、破壊前の特性を回
復することができる。

〔発明の効果〕

本発明に係る工程によって、ソース領域とドレイン領域
を形成するためのイオン注入等の工程を行った後、ゲー
ト酸化膜に絶縁破壊が生じている場合であっても破壊部
分が再酸化されて修復されるため、ＭＯＳ　　ｌ−ラン
ジスタに絶縁破壊が起きるのを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例の平面図、第２図は第１図のＸ−ｘ’線
断面図、第３図は第１図のＹ−Ｙ　’線断面図である。 （１）は絶縁基板、（２）は多結晶Ｓｉ層、（３）はゲ
ート酸化膜、（４）はゲート電極、（５）はソース領域
、（６）はドレイン領域、（７）はＭＯＳ　　ｌ−ラン
ジスタである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　絶縁基板上に形成された半導体層にＭＯＳトランジス
   タが形成されて成る半導体装置の製造方法において、 上記ＭＯＳトランジスタのゲート電極形成後に少くとも
   ゲート酸化膜を酸素雰囲気中で熱処理することを特徴と
   する半導体装置の製造方法。