JPS63134631A - セミプロセス電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
セミプロセス電磁鋼板の製造方法Info
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- JPS63134631A JPS63134631A JP61279150A JP27915086A JPS63134631A JP S63134631 A JPS63134631 A JP S63134631A JP 61279150 A JP61279150 A JP 61279150A JP 27915086 A JP27915086 A JP 27915086A JP S63134631 A JPS63134631 A JP S63134631A
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- JP
- Japan
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- annealing
- flux density
- magnetic flux
- steel sheet
- semi
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、鉄損および磁束密度が共に優れたセミプロセ
ス電磁鋼板の製造方法に関する。
ス電磁鋼板の製造方法に関する。
近時、エネルギー事情の逼迫から、エネルギー消費量の
節減が世界的に強く要求されるところとなっており、電
気機器についても高性能化による電力消費量の低減が大
きな課題となっている。このような情況を背景に、昨今
、低鉄損であるとともに高い磁束密度を示す高性能電磁
鋼板の要求が高まってきた。
節減が世界的に強く要求されるところとなっており、電
気機器についても高性能化による電力消費量の低減が大
きな課題となっている。このような情況を背景に、昨今
、低鉄損であるとともに高い磁束密度を示す高性能電磁
鋼板の要求が高まってきた。
ところで、!磁鋼板、とくに無方向性電磁鋼板は、製造
後ユーザー側で■形、E形等の複雑な形状に打ち抜いて
使用されることが多いが、この場合打ち抜き後において
歪取り焼鈍を施すのが通例となっている。
後ユーザー側で■形、E形等の複雑な形状に打ち抜いて
使用されることが多いが、この場合打ち抜き後において
歪取り焼鈍を施すのが通例となっている。
この歪取り焼鈍は一般に750℃x2h程度の条件で実
施され、結晶粒の粗大化も可能なことから、鉄損特性の
向上に利用できる。また、電6fftlJ仮の打ち抜き
性は結晶粒が小さいほど良好であることから、打ち抜き
前の段階にあっては結晶粒の成長を抑えた方が好ましい
。
施され、結晶粒の粗大化も可能なことから、鉄損特性の
向上に利用できる。また、電6fftlJ仮の打ち抜き
性は結晶粒が小さいほど良好であることから、打ち抜き
前の段階にあっては結晶粒の成長を抑えた方が好ましい
。
そこで従来から、この歪取り焼鈍の実施を前提とした無
方向性1a磁鋼板、すなわち歪取り焼鈍の実施によって
始めて所定の鉄損特性が得られる無方向性1a磁鋼板が
製造されている。これはセミプロセス電磁鋼板と呼ばれ
、歪取り焼鈍を前提としないフルプロセス電磁鋼板と区
別される。
方向性1a磁鋼板、すなわち歪取り焼鈍の実施によって
始めて所定の鉄損特性が得られる無方向性1a磁鋼板が
製造されている。これはセミプロセス電磁鋼板と呼ばれ
、歪取り焼鈍を前提としないフルプロセス電磁鋼板と区
別される。
ところで、従来の電磁鋼板においては、鉄…を下げる目
的から、固有抵抗を増加させ渦電流損を減じる効果のあ
るSi.Alの添加が採用されていた。ところがこのよ
うなSt、A1の添加は反面、磁束密度の低下をもたら
すものであり、したがってこの種の電磁鋼板にあっては
低鉄損と高磁束密度の両立は不可能であった。
的から、固有抵抗を増加させ渦電流損を減じる効果のあ
るSi.Alの添加が採用されていた。ところがこのよ
うなSt、A1の添加は反面、磁束密度の低下をもたら
すものであり、したがってこの種の電磁鋼板にあっては
低鉄損と高磁束密度の両立は不可能であった。
このようなことから、最近になって鉄損が低くしかも磁
束密度の高いセミプロセス電磁鋼板の開発が進められる
ようになり、既に有効な製造方法も提案されている。そ
の1つは、特公昭61−7446号公報に記載された方
法である。
束密度の高いセミプロセス電磁鋼板の開発が進められる
ようになり、既に有効な製造方法も提案されている。そ
の1つは、特公昭61−7446号公報に記載された方
法である。
この製造方法は、上記SL、Affiによる対策に代え
てMnを使用するというもので、これにより磁束密度低
下の弊害を来すことなく、すなわち高磁束密度を維持し
ながら、鉄損の向上を達成するものである。すなわち、
この製造法は、co、o。
てMnを使用するというもので、これにより磁束密度低
下の弊害を来すことなく、すなわち高磁束密度を維持し
ながら、鉄損の向上を達成するものである。すなわち、
この製造法は、co、o。
5%以下、Si0.1〜1.0%、Mn0.75〜1.
50%、30.005%以下の熱延板を使用する。
50%、30.005%以下の熱延板を使用する。
ところが、この方法では、十分な磁束密度を達成するた
めには熱延板焼鈍を欠くことができない。
めには熱延板焼鈍を欠くことができない。
またスキンパス圧延を行わないと十分な鉄損の低下が実
現できないが、これを行った場合には磁束密度の低下が
避けられず、十分に高い磁束密度が得られない。このよ
うに、特公昭61−7446号記載の方法も、実際には
低鉄損と高磁束密度の両立を図ることは困難であり、ま
た工数、コストの点でも不利な面がある。
現できないが、これを行った場合には磁束密度の低下が
避けられず、十分に高い磁束密度が得られない。このよ
うに、特公昭61−7446号記載の方法も、実際には
低鉄損と高磁束密度の両立を図ることは困難であり、ま
た工数、コストの点でも不利な面がある。
本発明は、上記実状に鑑みなされたものであって、ユー
ザー側での打抜き、歪取り焼鈍後において、十分に低い
鉄損値と高い磁束密度とを実現でき、しかも製造工程が
P1略化できるセミプロセス電磁鋼板の製造方法の提供
を目的とする。
ザー側での打抜き、歪取り焼鈍後において、十分に低い
鉄損値と高い磁束密度とを実現でき、しかも製造工程が
P1略化できるセミプロセス電磁鋼板の製造方法の提供
を目的とする。
本発明者らは、上記した従来の技術を踏まえ、鉄損と磁
束密度の2特性の両立を可能にする方法を見出すべく、
鋭意実験、研究を行った。
束密度の2特性の両立を可能にする方法を見出すべく、
鋭意実験、研究を行った。
その結果、特公昭61−7446号の技術に従って、M
nを0.75〜1.5%含有させた場合において、その
Mnに対し多い目のCを共存させ、このMn、C共存の
下で冷延後の焼鈍を実施するようにすれば、鉄…、磁束
密度がともに改善され、■鉄損を下げるためのスキンパ
ス圧延を省略しても十分に低い鉄を員が確保できること
、■またこの場合、スキンパス圧延の省略によって磁束
密度の低下が避けられ、上記C,Mn共存下での焼鈍の
効果と相俟ち、著しく高い磁束密度が実現されることを
知見した。
nを0.75〜1.5%含有させた場合において、その
Mnに対し多い目のCを共存させ、このMn、C共存の
下で冷延後の焼鈍を実施するようにすれば、鉄…、磁束
密度がともに改善され、■鉄損を下げるためのスキンパ
ス圧延を省略しても十分に低い鉄を員が確保できること
、■またこの場合、スキンパス圧延の省略によって磁束
密度の低下が避けられ、上記C,Mn共存下での焼鈍の
効果と相俟ち、著しく高い磁束密度が実現されることを
知見した。
本発明は、上記の知見に基づくものであって、下記製造
方法を要旨とする。
方法を要旨とする。
Co、 006〜0.03%、Si0.1〜1.0%、
Mno、 75〜1.5%、P20.150%、S≦0
゜005%で、必要に応じSo 1.Aj!0.1〜0
.3%か、またはSol、A10.1%未満とB/N0
.5〜1゜5となる蓋のBとを含み、残部がFeおよび
不可避的不純物からなる熱延鋼板を脱スケールして、ま
たは脱スケールの前または後に650〜850℃で30
秒以上焼鈍(熱延板焼鈍)して、冷間圧延し、しかるの
ち焼鈍を行いC量をo、oos%以下にすることを特徴
とするセミプロセス無方向外電Mim板の製造方法。
Mno、 75〜1.5%、P20.150%、S≦0
゜005%で、必要に応じSo 1.Aj!0.1〜0
.3%か、またはSol、A10.1%未満とB/N0
.5〜1゜5となる蓋のBとを含み、残部がFeおよび
不可避的不純物からなる熱延鋼板を脱スケールして、ま
たは脱スケールの前または後に650〜850℃で30
秒以上焼鈍(熱延板焼鈍)して、冷間圧延し、しかるの
ち焼鈍を行いC量をo、oos%以下にすることを特徴
とするセミプロセス無方向外電Mim板の製造方法。
一般にこの種電磁鋼板については、C量は原則として少
ないほどよいとの認識がある。Cは最終製品の段階で、
磁気時効を生じさせ、鉄損を増加させるよう働くからで
あるが、こうした観点からCは従来、0.005%以下
に規制するのが通例であった。
ないほどよいとの認識がある。Cは最終製品の段階で、
磁気時効を生じさせ、鉄損を増加させるよう働くからで
あるが、こうした観点からCは従来、0.005%以下
に規制するのが通例であった。
これに対し本発明は、Cを当初0.006〜0.03%
と多目に含有させるものであり、0.75%以上のMn
にこの多目のCを共存させて、冷延後の焼鈍を行うとい
うものである。このC,Mn共存下での焼鈍の実施によ
り、きわめて低い鉄損と高いレベルの磁束密度が実現さ
れることになる。Mnは頭記した如くそれ単独の作用と
しても、鉄損を下げる働きがあるが、上記のような条件
下で焼鈍を行えば、このMn本来の効果の上に、それと
は別の磁気特性(鉄を員、磁束密度)の改善作用がもた
らされ、これが上乗せされた形となる。このようなこと
からスキンパス圧延なしのままで、鉄損、磁束密度の高
いレベルでの両立が達成されることになるのである。
と多目に含有させるものであり、0.75%以上のMn
にこの多目のCを共存させて、冷延後の焼鈍を行うとい
うものである。このC,Mn共存下での焼鈍の実施によ
り、きわめて低い鉄損と高いレベルの磁束密度が実現さ
れることになる。Mnは頭記した如くそれ単独の作用と
しても、鉄損を下げる働きがあるが、上記のような条件
下で焼鈍を行えば、このMn本来の効果の上に、それと
は別の磁気特性(鉄を員、磁束密度)の改善作用がもた
らされ、これが上乗せされた形となる。このようなこと
からスキンパス圧延なしのままで、鉄損、磁束密度の高
いレベルでの両立が達成されることになるのである。
上記C,Mn共存下での焼鈍により磁気特性が改善され
るそのメカニズムについては、未だ十分な解明に至って
おらず、明確なことはいえないが、次のように考えられ
る。
るそのメカニズムについては、未だ十分な解明に至って
おらず、明確なことはいえないが、次のように考えられ
る。
MnとCは親和力の強い元素の組み合わせであるため、
冷延後の焼鈍時にCとMnが適量存在すると、CとMn
がペアを組んだ状態が多数形成されることが考えられる
。このようなCとMnのベアは、焼鈍過程での再結晶挙
動に対し、単独の状態(固溶状態)の各元素とは異った
影響を及ぼすことになり、このような関係で、適量のM
n、C共存の下では、磁気特性に有利な(100)面や
(110)面の集積度の高い集合組織が形成され易くな
るものと考察される。
冷延後の焼鈍時にCとMnが適量存在すると、CとMn
がペアを組んだ状態が多数形成されることが考えられる
。このようなCとMnのベアは、焼鈍過程での再結晶挙
動に対し、単独の状態(固溶状態)の各元素とは異った
影響を及ぼすことになり、このような関係で、適量のM
n、C共存の下では、磁気特性に有利な(100)面や
(110)面の集積度の高い集合組織が形成され易くな
るものと考察される。
なお、上記のような焼鈍を行う場合にも、その多目にし
たCff1が最P−製品の段階まで持ち込まれると、当
然磁気時効による鉄損増加の弊害が生じることになる。
たCff1が最P−製品の段階まで持ち込まれると、当
然磁気時効による鉄損増加の弊害が生じることになる。
こうした弊害を避けて本来のすぐれた磁気特性を維持す
るためには、冷延後の焼鈍において、脱炭を進めてやり
、C含有量を、磁気時効の実質的に生じないo、oos
%以下のレベルまで低下させるようにすることが必要と
なってくる。
るためには、冷延後の焼鈍において、脱炭を進めてやり
、C含有量を、磁気時効の実質的に生じないo、oos
%以下のレベルまで低下させるようにすることが必要と
なってくる。
以下、本発明の各構成要件について、具体的に説明する
。
。
○ まず、熱延鋼板の鋼成分についていうと、その各成
分の限定理由は次のとおりである。
分の限定理由は次のとおりである。
C:Mnとともに本発明において最も重要な元素である
。Mnとの共存に意味があり、そのような共存状態にお
いて、冷延後の焼鈍を経て磁気特性の改善に貢献する。
。Mnとの共存に意味があり、そのような共存状態にお
いて、冷延後の焼鈍を経て磁気特性の改善に貢献する。
第1図はCの磁気特性に及ぼす効果を示し初期C量(熱
延板C量)を変化させて磁気特性を調査した結果のプロ
ット図である。供試材は、C以外の鋼成分は本発明の条
件を満たすもの(0.7%5i−1,2%Mn−0.0
10%P−0.003〜0.004%S)を用い、これ
を後述実施例に示すプロセス(熱延板焼鈍実施材の熱延
板焼鈍条件は800℃×2分)で0.51厚の冷延板と
し、その後750℃で焼鈍を行ってGo、 005%以
下に脱炭したもの(初期010.005%以下のものは
脱炭なし)である0図の鉄…、磁束密度の値は、実施例
に示す方法で測定した歪取焼鈍(750℃x2h〔非脱
炭〕)後の値である。
延板C量)を変化させて磁気特性を調査した結果のプロ
ット図である。供試材は、C以外の鋼成分は本発明の条
件を満たすもの(0.7%5i−1,2%Mn−0.0
10%P−0.003〜0.004%S)を用い、これ
を後述実施例に示すプロセス(熱延板焼鈍実施材の熱延
板焼鈍条件は800℃×2分)で0.51厚の冷延板と
し、その後750℃で焼鈍を行ってGo、 005%以
下に脱炭したもの(初期010.005%以下のものは
脱炭なし)である0図の鉄…、磁束密度の値は、実施例
に示す方法で測定した歪取焼鈍(750℃x2h〔非脱
炭〕)後の値である。
同図のデータ(熱延板焼鈍実施材)よりして、Cが0.
006%以上含有されていると、磁束密度が向上し、鉄
を員の値も低下することが分る。しかしこのClが0.
030%をこえると磁束密度が次第に低下し、鉄損の方
も僅かながら増加の傾向が認められる。このような磁気
特性劣化の傾向は、初期C量の増加にしたがって最終C
′Wkとして0.005%以下を得るための脱炭焼鈍時
間が長くなり内部酸化層の厚みが増すことによると考え
られる。
006%以上含有されていると、磁束密度が向上し、鉄
を員の値も低下することが分る。しかしこのClが0.
030%をこえると磁束密度が次第に低下し、鉄損の方
も僅かながら増加の傾向が認められる。このような磁気
特性劣化の傾向は、初期C量の増加にしたがって最終C
′Wkとして0.005%以下を得るための脱炭焼鈍時
間が長くなり内部酸化層の厚みが増すことによると考え
られる。
したがってC量(初期C量)は、0.006〜0゜03
0%の範囲とした。
0%の範囲とした。
Si :Siは固有抵抗を増加させ、鉄を員低下に有効
に寄与する元素であるが、反面磁束密度の低下をもたら
す。1%をこえると、この磁束密度の低下が著しく、本
発明の目的の1つである高磁束密度が達成不可能となる
。また0、1%未満では、鉄損の面で十分な効果が期待
できない。よって、Siは0.1〜1.0%の範囲とし
た。
に寄与する元素であるが、反面磁束密度の低下をもたら
す。1%をこえると、この磁束密度の低下が著しく、本
発明の目的の1つである高磁束密度が達成不可能となる
。また0、1%未満では、鉄損の面で十分な効果が期待
できない。よって、Siは0.1〜1.0%の範囲とし
た。
Mn:Cとともに本発明鋼の基幹をなす元素であり、C
との共存下において、冷延後の焼鈍を経て磁気特性の改
善に大きく寄与する。
との共存下において、冷延後の焼鈍を経て磁気特性の改
善に大きく寄与する。
第2図は、Mn1lを変化させて磁気特性を調査した結
果のプロット図である。同データはC0.O2%、0.
003%で、C,Mn以外の鋼成分は本発明条件を満た
すE(Si:0.5%、P:0.015%、S:0.0
02〜0.003%)を第1図と同様のプロセス(熱延
板焼鈍なし)で冷延板とし、このうちC0.02%材は
720℃で焼鈍を行って0、005%以下に脱戻し、C
0.003%材の方は750℃xlhの非脱炭焼鈍を行
い、このようにして得たものについて、第1図の場合と
同様にして歪取焼鈍後の磁気特性を調査したものである
。
果のプロット図である。同データはC0.O2%、0.
003%で、C,Mn以外の鋼成分は本発明条件を満た
すE(Si:0.5%、P:0.015%、S:0.0
02〜0.003%)を第1図と同様のプロセス(熱延
板焼鈍なし)で冷延板とし、このうちC0.02%材は
720℃で焼鈍を行って0、005%以下に脱戻し、C
0.003%材の方は750℃xlhの非脱炭焼鈍を行
い、このようにして得たものについて、第1図の場合と
同様にして歪取焼鈍後の磁気特性を調査したものである
。
同図によると、初期C量が0.02%(本発明範囲内)
のものでは、Mnが0.75%以上の領域において、磁
束密度、鉄を員がともに著しく改善される傾向がみられ
る。C量が0.003%(本発明範囲外)ともともと低
いものでは、Mn0.75%以上にあっても、鉄…、磁
束密度はともに劣ったものとなっている。すなわち、適
正量のC存在の下で、Mn1lを0.75%以上にして
焼鈍することが、良好な磁気特性を得る上できわめて有
効に作用することが分る。
のものでは、Mnが0.75%以上の領域において、磁
束密度、鉄を員がともに著しく改善される傾向がみられ
る。C量が0.003%(本発明範囲外)ともともと低
いものでは、Mn0.75%以上にあっても、鉄…、磁
束密度はともに劣ったものとなっている。すなわち、適
正量のC存在の下で、Mn1lを0.75%以上にして
焼鈍することが、良好な磁気特性を得る上できわめて有
効に作用することが分る。
ただし、Mnlが1.5%をこえると、冷延時割れが生
じ易くなり、またAC3変態点が低下することから十分
な焼鈍温度をとることができなくなる。
じ易くなり、またAC3変態点が低下することから十分
な焼鈍温度をとることができなくなる。
以上のことから、Mnは0.75〜1.5%の範囲に限
定した。
定した。
P:Pは鋼板の強度を高め打抜き性を改善するのに有効
な元素であるが、0.150%をこえると鋼板の脆化が
避けられず、このため0.150%以下に限定した。な
お、下限については不可避的不純物程度のP量でもとく
に問題を生じることはないので、規定はしない。
な元素であるが、0.150%をこえると鋼板の脆化が
避けられず、このため0.150%以下に限定した。な
お、下限については不可避的不純物程度のP量でもとく
に問題を生じることはないので、規定はしない。
S:Sは硫化物を形成し焼鈍時の粒成長性を低下させ、
鉄損を増加させる有害な元素である。
鉄損を増加させる有害な元素である。
第3図は、S量と磁気特性の関係を示す実験データのプ
ロット図で、S量を変化させその他の成分を本発明の範
囲内で一定の値としだ鋼(0.01%C−0.30%5
i−0.85%Mn−0.060%P)を素材として用
い、冷延後の焼鈍を700℃で行う点板外は第1図の場
合(熱延板焼鈍なし)と全く同じプロセスを経て磁気特
性を調査した結果に基づく。
ロット図で、S量を変化させその他の成分を本発明の範
囲内で一定の値としだ鋼(0.01%C−0.30%5
i−0.85%Mn−0.060%P)を素材として用
い、冷延後の焼鈍を700℃で行う点板外は第1図の場
合(熱延板焼鈍なし)と全く同じプロセスを経て磁気特
性を調査した結果に基づく。
同図から明らかなように、slが0.005%以下にな
ると、鉄を−がきわめて良好な値となる。
ると、鉄を−がきわめて良好な値となる。
したがって、Sは0.005%以下に限定した。
なお、o、oos%以下の範囲において、Sは鉄損の面
で少ないほど有利であり、したがってSの下限値につい
てはとくに指定しない。
で少ないほど有利であり、したがってSの下限値につい
てはとくに指定しない。
So 1.Af :A/!はSiと同様に固有抵抗を増
加させ鉄損を下げる効果がある。しかしその量が0.3
%をこえると、磁束密度の低下を来たし好ましくない。
加させ鉄損を下げる効果がある。しかしその量が0.3
%をこえると、磁束密度の低下を来たし好ましくない。
ここでSol、A40.1%以上の添加では必要ないが
、これが0.1%未満の場合低鉄…を得るには、微細A
INの析出により焼鈍時の粒成長が阻害される傾向を排
除してやることが必要であり、これはBをB/N0.5
〜1.5となる範囲の量添加することにより達成し得る
。
、これが0.1%未満の場合低鉄…を得るには、微細A
INの析出により焼鈍時の粒成長が阻害される傾向を排
除してやることが必要であり、これはBをB/N0.5
〜1.5となる範囲の量添加することにより達成し得る
。
このようなことから、本発明においては、S01、Ai
、1〜0.3%、またはSol、A11.1%未満でB
/N0.5〜1.5となる量のBを含むという条件の何
れかを採用することとした。
、1〜0.3%、またはSol、A11.1%未満でB
/N0.5〜1.5となる量のBを含むという条件の何
れかを採用することとした。
−なお、So 1.A+!0.003%以下の不純物レ
ベルのAl量の場合には、当然上記Bの添加は不要であ
る。
ベルのAl量の場合には、当然上記Bの添加は不要であ
る。
○ 次に1製造プロセスについて述べる。
本発明の方法は、基本的には上記のような成分条件に適
合した熱延鋼板を用い、これを脱スケール後冷間圧延し
、次いで焼鈍を行うというもので、場合によっては脱ス
ケールの前または後に熱延板焼鈍が行われる。
合した熱延鋼板を用い、これを脱スケール後冷間圧延し
、次いで焼鈍を行うというもので、場合によっては脱ス
ケールの前または後に熱延板焼鈍が行われる。
ここで、上記各工程についていうと、
熱延板焼鈍
この焼鈍は、磁束密度、鉄損の両面で有効である。これ
は、前出第1図に示した、熱延板焼鈍実施材と同省略材
との比較から明らかである。
は、前出第1図に示した、熱延板焼鈍実施材と同省略材
との比較から明らかである。
焼鈍条件は、650〜b
する必要がある。すなわち650℃未満の温度では上記
磁気特性改善の効果が十分に得られず、また850℃を
こえると結晶粒が粗大化して冷間圧延性の悪化や著しい
肌荒れを来たすことになる。
磁気特性改善の効果が十分に得られず、また850℃を
こえると結晶粒が粗大化して冷間圧延性の悪化や著しい
肌荒れを来たすことになる。
焼鈍時間については、30秒未満では、焼鈍の効果が期
待できない。
待できない。
なお、熱延板そのものを得る工程については、とくに制
限するものでない。転炉溶製一連続鋳造熱間圧延のプロ
セスを経るのが常法であるが、本発明の場合にも、これ
と同じプロセスによることができる。
限するものでない。転炉溶製一連続鋳造熱間圧延のプロ
セスを経るのが常法であるが、本発明の場合にも、これ
と同じプロセスによることができる。
・脱スケール、冷間圧延
何れも、通常どおりでよい、脱スケールは、酸洗処理が
一般で、冷間圧延は1回を原則とする。
一般で、冷間圧延は1回を原則とする。
・冷延後の焼鈍
既述したとおり本発明は、適量のC,Mnが共存する状
態で冷延後の焼鈍を行って磁束密度、鉄を員の両特性を
向上させるというところに最大の特徴がある。冷延後の
焼鈍は本発明においてはこのように大切な役割を担って
いるのである。
態で冷延後の焼鈍を行って磁束密度、鉄を員の両特性を
向上させるというところに最大の特徴がある。冷延後の
焼鈍は本発明においてはこのように大切な役割を担って
いるのである。
冷延後の焼鈍は、一般にメーカー側で行われる再結晶お
よび硬度調整等を目的とした連続焼鈍あるいは箱焼鈍、
ユーザー側で行われる打ち抜き歪みの除去や結晶粒径粗
大化等を目的とした歪取焼鈍が実施されている。
よび硬度調整等を目的とした連続焼鈍あるいは箱焼鈍、
ユーザー側で行われる打ち抜き歪みの除去や結晶粒径粗
大化等を目的とした歪取焼鈍が実施されている。
本発明では冷延後の再結晶をさせる段階ではCとMnを
共存させる必要がある。しかし最終製品ではCが0.0
05%を超えて含有されていると、磁気時効が生じ鉄損
増加を招く。従って冷延後の再結晶工程またはそれ以降
の工程で脱炭を行うことが必要であり、冷延後のメーカ
ー側の連続焼鈍または箱焼鈍、ユーザー側での歪取焼鈍
のいずれかを脱炭焼鈍とし、Cを0.005%以下とし
なければならない、なおこの最終C量の下限については
、Cが少ない程磁気時効には有利であり、特に限定はし
ない。
共存させる必要がある。しかし最終製品ではCが0.0
05%を超えて含有されていると、磁気時効が生じ鉄損
増加を招く。従って冷延後の再結晶工程またはそれ以降
の工程で脱炭を行うことが必要であり、冷延後のメーカ
ー側の連続焼鈍または箱焼鈍、ユーザー側での歪取焼鈍
のいずれかを脱炭焼鈍とし、Cを0.005%以下とし
なければならない、なおこの最終C量の下限については
、Cが少ない程磁気時効には有利であり、特に限定はし
ない。
すなわち本発明における冷延後の焼鈍は、第4図にIグ
ループとして示されているように、C−Mnの共存焼鈍
を兼ねた脱炭焼鈍をメーカー側で冷延後に行うことを基
本とするが、同図に■グループとして示されるように、
メーカー側でC−Mnの共存焼鈍のみを実施して、脱炭
はユーザー側の歪取焼鈍で行わせることも可能である。
ループとして示されているように、C−Mnの共存焼鈍
を兼ねた脱炭焼鈍をメーカー側で冷延後に行うことを基
本とするが、同図に■グループとして示されるように、
メーカー側でC−Mnの共存焼鈍のみを実施して、脱炭
はユーザー側の歪取焼鈍で行わせることも可能である。
また、■グループにおける脱炭焼鈍はOCAC脱炉焼鈍
(1−A、B) 、脱炭を伴う連続焼鈍(1−C)の何
れを採用してもよく、■グループにおけるC−Mn共存
焼鈍も、箱焼鈍(II−A。
(1−A、B) 、脱炭を伴う連続焼鈍(1−C)の何
れを採用してもよく、■グループにおけるC−Mn共存
焼鈍も、箱焼鈍(II−A。
B)、連続焼鈍(II−C)の何れによってもよい。
OCAC脱炉焼鈍、または箱焼鈍を採用する場合には、
その焼鈍後に、平坦化のための連続焼鈍(1−A、II
−A) 、もしくはそれに代わる圧下率2%以下のスキ
ンパス圧延(1−B、II−B)を実施するようにする
のがよい。
その焼鈍後に、平坦化のための連続焼鈍(1−A、II
−A) 、もしくはそれに代わる圧下率2%以下のスキ
ンパス圧延(1−B、II−B)を実施するようにする
のがよい。
なお、Iグループにおける脱炭焼鈍については、再結晶
が完了するまでは脱炭を行わず、再結晶完了後に脱炭反
応が始まるように炉内雰囲気の調整を行うようにするの
がよい。
が完了するまでは脱炭を行わず、再結晶完了後に脱炭反
応が始まるように炉内雰囲気の調整を行うようにするの
がよい。
なお、電磁鋼板を製造する場合、通常はさらに絶縁コー
ティングを付与する工程が入ってくるが、本発明の場合
にも、製造の最終工程としてこのコーティングの工程を
実施することは可能であり、本発明はこのようなケース
をも含むものとする。
ティングを付与する工程が入ってくるが、本発明の場合
にも、製造の最終工程としてこのコーティングの工程を
実施することは可能であり、本発明はこのようなケース
をも含むものとする。
〔実施例1〕
第1表に示す各成分組成の鋼を転炉でr8 Wmし、こ
れを連続鋳造により鋳片(250mm厚さ×1000龍
幅)となし、続いて熱間圧延を行って厚み2.3flの
熱延板を得た。次いでこの熱延板に酸洗−冷間圧延(2
,3m@−0.51)−冷延後の焼鈍(メーカー側)
(第1表の条件)を施した。この際、漱3. 4.7.
12. 14. 21. 22については、酸洗後の
段階で同表に示す条件の熱延板焼鈍を行い、また隘4〜
8および22については、冷延後の焼鈍のあと同表の条
件のスキンパス圧延を実施した。阻4のスキンパスは結
晶粒粗大化のためのスキンパスで、それ以外のスキンパ
スは○CAC脱炉脱炭焼鈍後坦化が目的である。
れを連続鋳造により鋳片(250mm厚さ×1000龍
幅)となし、続いて熱間圧延を行って厚み2.3flの
熱延板を得た。次いでこの熱延板に酸洗−冷間圧延(2
,3m@−0.51)−冷延後の焼鈍(メーカー側)
(第1表の条件)を施した。この際、漱3. 4.7.
12. 14. 21. 22については、酸洗後の
段階で同表に示す条件の熱延板焼鈍を行い、また隘4〜
8および22については、冷延後の焼鈍のあと同表の条
件のスキンパス圧延を実施した。阻4のスキンパスは結
晶粒粗大化のためのスキンパスで、それ以外のスキンパ
スは○CAC脱炉脱炭焼鈍後坦化が目的である。
こうして得た各供試鋼板について、同表の条件で歪取焼
鈍(非脱炭:乾Nt雰囲気、脱炭:20%Ht、so%
Nz、露点+30℃)を行い、磁気特性(鉄損、磁束密
度)を調査した。特性調査は、30菖鳳幅X280m長
さのエプスタイン試験片を、圧延方向とその直角方向か
ら8枚ずつ採取して行った。
鈍(非脱炭:乾Nt雰囲気、脱炭:20%Ht、so%
Nz、露点+30℃)を行い、磁気特性(鉄損、磁束密
度)を調査した。特性調査は、30菖鳳幅X280m長
さのエプスタイン試験片を、圧延方向とその直角方向か
ら8枚ずつ採取して行った。
結果を第1表の右欄に示す。
同表の結果について説明する。
・ll&L1は、この種電磁鋼板の最も基本的な例で、
Siを高目に含有させて鉄損の改善を図ったものである
が、これは磁束密度の点で劣っている。
Siを高目に含有させて鉄損の改善を図ったものである
が、これは磁束密度の点で劣っている。
・N12〜4は、予めclを本発明における最終C量し
ベル(0.0O5%以下)として脱炭を行わなかったも
のである。阻2はとくに鉄を員が高<、阻3は熱延板焼
鈍を実施したため、鉄損、磁束密度とも患2より良好で
はあるが、なお十分なものではない。−4はスキンパス
圧延を行ったもので、鉄損については非常に良好となっ
ているが、磁束密度の低下がみられる。
ベル(0.0O5%以下)として脱炭を行わなかったも
のである。阻2はとくに鉄を員が高<、阻3は熱延板焼
鈍を実施したため、鉄損、磁束密度とも患2より良好で
はあるが、なお十分なものではない。−4はスキンパス
圧延を行ったもので、鉄損については非常に良好となっ
ているが、磁束密度の低下がみられる。
・尚5は、素材鋼成分がC量を除き隘2〜4と略同−条
件の本発明例である。これは熱延板焼鈍を行っておらず
、その点で同条件の阻2と比べると、鉄損、磁気特性と
も相当にすぐれた値となっており、またスキンパス圧延
を行った隘4に比較しても、鉄[員の点では多少高い値
となっているが、磁束密度については勝っており、両特
性のバランスという点でよりすぐれたものとなっている
。
件の本発明例である。これは熱延板焼鈍を行っておらず
、その点で同条件の阻2と比べると、鉄損、磁気特性と
も相当にすぐれた値となっており、またスキンパス圧延
を行った隘4に比較しても、鉄[員の点では多少高い値
となっているが、磁束密度については勝っており、両特
性のバランスという点でよりすぐれたものとなっている
。
・隘6,7は、熱延板焼鈍実施の有無の点でのみ異なる
2つの本発明例で、両者の比較から熱延板焼鈍が鉄損、
磁束密度の両方に有効であることから分る。
2つの本発明例で、両者の比較から熱延板焼鈍が鉄損、
磁束密度の両方に有効であることから分る。
・患8は初期C量が本発明範囲(0.006〜0.03
%)の上限を上潮るもので、これは冷延後の焼鈍でCI
を0.OO3%以下に脱炭したにも拘らず、初!1JI
C量以外は実質的差異のない本発明例隘6に比べ、鉄損
、磁束密度がともに劣っている。
%)の上限を上潮るもので、これは冷延後の焼鈍でCI
を0.OO3%以下に脱炭したにも拘らず、初!1JI
C量以外は実質的差異のない本発明例隘6に比べ、鉄損
、磁束密度がともに劣っている。
・患9と10はMn量の点でのみ異なる2例で、磁9は
本発明範囲を上廻るMn量のために、本発明例である阻
10に対し、鉄損、磁束密度とも劣っている。
本発明範囲を上廻るMn量のために、本発明例である阻
10に対し、鉄損、磁束密度とも劣っている。
・阻11〜14は、全て本発明例で、I’hllと12
、隘13と14は、それぞれ熱延板焼鈍の有無の点での
み異なり、陽13と14は素材鋼にAIが添加された例
である。磁11と12.Il&l13と14の比較から
、磁気特性に対する熱延板焼鈍の効果が明らかである。
、隘13と14は、それぞれ熱延板焼鈍の有無の点での
み異なり、陽13と14は素材鋼にAIが添加された例
である。磁11と12.Il&l13と14の比較から
、磁気特性に対する熱延板焼鈍の効果が明らかである。
またAlの添加がある患13.14はとくに鉄損の点で
よりすぐれたものとなっている。
よりすぐれたものとなっている。
・N115と16は、B添加の有無が異なる2例で、患
15はS o 1. A11.030%でBの添加がな
く、3o1.Ai!0.1%未満のときBをB/No。
15はS o 1. A11.030%でBの添加がな
く、3o1.Ai!0.1%未満のときBをB/No。
5〜1.5となる量含有するという本発明の規定を満足
せず、この条件を満たす本発明例Il&116(B/N
0.9)に比較して、とくに鉄損が大きく劣っている。
せず、この条件を満たす本発明例Il&116(B/N
0.9)に比較して、とくに鉄損が大きく劣っている。
・阻17は、初y4C量を本発明の最終C量しベル(5
0.005%)とじ脱炭を実施しなかった例であり、こ
の点を除き略同条件の本発明例である磁11に比べ、鉄
損、磁束密度ともに悪い。
0.005%)とじ脱炭を実施しなかった例であり、こ
の点を除き略同条件の本発明例である磁11に比べ、鉄
損、磁束密度ともに悪い。
・寛18〜20は、S世態外の条件を一定にしS量を変
化させてその影響をみたもので、Nn18と19はS≦
0.0 O5%の条件を満たす本発明例で、1!120
はその条件に適合しない例である。N118と19とは
、磁気特性に大差がなく何れも良好な値となっているが
、寛20は鉄損の値が大きなものとなっている。
化させてその影響をみたもので、Nn18と19はS≦
0.0 O5%の条件を満たす本発明例で、1!120
はその条件に適合しない例である。N118と19とは
、磁気特性に大差がなく何れも良好な値となっているが
、寛20は鉄損の値が大きなものとなっている。
隘21と22は、A1添加のある本発明例で、Na21
は0.1%以上のAlを含むもの、患22はA1.1%
未満でBをB/N0.5〜1.5となる量含有するもの
であるが、これらは何れも、鉄損、磁束密度の両面です
ぐれた値を示している。
は0.1%以上のAlを含むもの、患22はA1.1%
未満でBをB/N0.5〜1.5となる量含有するもの
であるが、これらは何れも、鉄損、磁束密度の両面です
ぐれた値を示している。
〔実施例2〕
第2表に示す各成分組成の鋼を転炉で溶製し、実施例1
と同一の条件で冷間圧延まで行い、その後同表に示す冷
延後の焼鈍または更にスキンパス圧延を実施し、しかる
のち同表の条件で歪取焼鈍を行って磁気特性を評価した
。
と同一の条件で冷間圧延まで行い、その後同表に示す冷
延後の焼鈍または更にスキンパス圧延を実施し、しかる
のち同表の条件で歪取焼鈍を行って磁気特性を評価した
。
kl、3.4は、冷延後の処理を種々の工程で実施した
本発明例で、何れも良好な磁気特性が得られている。な
お、階2は、初WA C量を本発明の最終C量しベルと
して脱炭を行なわなかった例であり、この点を除き略同
条件のThlに比べ、鉄損、磁束密度ともに劣っている
。
本発明例で、何れも良好な磁気特性が得られている。な
お、階2は、初WA C量を本発明の最終C量しベルと
して脱炭を行なわなかった例であり、この点を除き略同
条件のThlに比べ、鉄損、磁束密度ともに劣っている
。
以上の説明から明らかなように本発明は、セミプロセス
電磁鋼板の製造において、磁束密度を低下させるスキン
パス圧延を行うことなく、歪取り焼鈍後の特性として十
分に低い鉄…を実現することを可能にし、相反傾向をも
つ磁束密度と鉄…の両立を可能ならしめる効果があり、
しかもスキンパス圧延を行わず、また高価な元素の使用
も不要であることから、工数の節減のみならず、コスト
面でも有利であり、その実用価値は極めておきい。
電磁鋼板の製造において、磁束密度を低下させるスキン
パス圧延を行うことなく、歪取り焼鈍後の特性として十
分に低い鉄…を実現することを可能にし、相反傾向をも
つ磁束密度と鉄…の両立を可能ならしめる効果があり、
しかもスキンパス圧延を行わず、また高価な元素の使用
も不要であることから、工数の節減のみならず、コスト
面でも有利であり、その実用価値は極めておきい。
241図は磁気特性に対するCの効果を示す実験データ
のプロ、ト図、第2図は磁気特性に対するMnの効果を
示す実験データのプロット図、第3図は磁気特性に対す
るSの効果を示す同上図、第4図は本1発明における冷
延後の焼鈍について種々のバリエーションを説明するブ
ロック図である。 第 1 図 C(%)(初期Cり 第 2 図 Mn(%)
のプロ、ト図、第2図は磁気特性に対するMnの効果を
示す実験データのプロット図、第3図は磁気特性に対す
るSの効果を示す同上図、第4図は本1発明における冷
延後の焼鈍について種々のバリエーションを説明するブ
ロック図である。 第 1 図 C(%)(初期Cり 第 2 図 Mn(%)
Claims (4)
- (1)C0.006〜0.030%、Si0.1〜1.
0%、Mn0.75〜1.5%、P≦0.150%、S
≦0.005%で、残部がFeおよび不可避的不純物か
らなる熱延鋼板を脱スケール後、冷間圧延し、しかるの
ち焼鈍を行いC量を0.005%以下とすることを特徴
とするセミプロセス電磁鋼板の製造方法。 - (2)C0.006〜0.030%、Si0.1〜1.
0%、Mn0.75〜1.5%、P≦0.150%、S
≦0.005%で、Sol.Al0.1〜0.3%を含
有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる熱延鋼
板を脱スケール後、冷間圧延し、しかるのち焼鈍を行い
C量を0.005%以下とすることを特徴とするセミプ
ロセス電磁鋼板の製造方法。 - (3)C0.006〜0.030%、Si0.1〜1.
0%、Mn0.75〜1.5%、P≦0.150%、S
≦0.005%で、Sol.Al0.1%未満を含み更
にB/N0.5〜1.5となる量のBを含有し、残部は
Feおよび不可避的不純物からなる熱延鋼板を脱スケー
ル後、冷間圧延し、しかるのち焼鈍を行いC量を0.0
05%以下とすることを特徴とするセミプロセス電磁鋼
板の製造方法。 - (4)脱スケールの前または後に650〜850℃で3
0秒以上の焼鈍を行うことを特徴とする特許請求の範囲
第1項乃至第3項の何れかに記載のセミプロセス電磁鋼
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279150A JPH0643614B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | セミプロセス電磁鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279150A JPH0643614B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | セミプロセス電磁鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63134631A true JPS63134631A (ja) | 1988-06-07 |
| JPH0643614B2 JPH0643614B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=17607143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61279150A Expired - Lifetime JPH0643614B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | セミプロセス電磁鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0643614B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02179856A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-12 | Nippon Steel Corp | 磁性焼鈍後の溶接性の優れた無方向性電磁鋼板 |
| US5724479A (en) * | 1994-12-28 | 1998-03-03 | Takahashi; Kei | Fluid flow controlling member |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150093807A (ko) | 2013-02-21 | 2015-08-18 | 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 | 자기 특성이 우수한 세미프로세스 무방향성 전기 강판의 제조 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5067217A (ja) * | 1973-10-20 | 1975-06-05 | ||
| JPS5845352A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-16 | Kawasaki Steel Corp | 打抜性の優れたセミプロセス電磁鋼板とその製造方法 |
| JPS59157259A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-09-06 | Nippon Steel Corp | 鉄損が低くかつ磁束密度がすぐれた無方向性電磁鋼板およびその製造法 |
| JPS617446A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Toshiba Corp | 線状体表面測定装置 |
-
1986
- 1986-11-22 JP JP61279150A patent/JPH0643614B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5067217A (ja) * | 1973-10-20 | 1975-06-05 | ||
| JPS5845352A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-16 | Kawasaki Steel Corp | 打抜性の優れたセミプロセス電磁鋼板とその製造方法 |
| JPS59157259A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-09-06 | Nippon Steel Corp | 鉄損が低くかつ磁束密度がすぐれた無方向性電磁鋼板およびその製造法 |
| JPS617446A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Toshiba Corp | 線状体表面測定装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02179856A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-12 | Nippon Steel Corp | 磁性焼鈍後の溶接性の優れた無方向性電磁鋼板 |
| US5724479A (en) * | 1994-12-28 | 1998-03-03 | Takahashi; Kei | Fluid flow controlling member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0643614B2 (ja) | 1994-06-08 |
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