JPH0774452B2 - 光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法 - Google Patents
光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法Info
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- JPH0774452B2 JPH0774452B2 JP61280671A JP28067186A JPH0774452B2 JP H0774452 B2 JPH0774452 B2 JP H0774452B2 JP 61280671 A JP61280671 A JP 61280671A JP 28067186 A JP28067186 A JP 28067186A JP H0774452 B2 JPH0774452 B2 JP H0774452B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光化学反応を利用し、低温プロセスにて原料
ガスを励起・分解または重合し、アモルファスシリコン
（以下、ａ−Siと略記する。）等の機能性堆積膜を形成
するための方法であって、高エネルギ光と同時に、赤外
線を使用して堆積膜速度を向上せしめると共に光透過窓
の堆積膜を阻止するように構成した光化学気相成長法
（以下、「光CVD法」という。）による機能性堆積膜の
形成方法に関する。
ガスを励起・分解または重合し、アモルファスシリコン
（以下、ａ−Siと略記する。）等の機能性堆積膜を形成
するための方法であって、高エネルギ光と同時に、赤外
線を使用して堆積膜速度を向上せしめると共に光透過窓
の堆積膜を阻止するように構成した光化学気相成長法
（以下、「光CVD法」という。）による機能性堆積膜の
形成方法に関する。
従来、例えばSiH4やSi2H6等の水素化ケイ素化合物を原
料として堆積膜を形成する方法としては、グロー放電堆
積法や熱エネルギー堆積法が知られている、これら堆積
法は、水素化ケイ素化合物等を電気エネルギーや熱エネ
ルギーを用いて励起・分解し、支持体上にａ−Siの堆積
膜を形成する方法である。このようにして得られた堆積
膜は種々の目的に利用されている。
料として堆積膜を形成する方法としては、グロー放電堆
積法や熱エネルギー堆積法が知られている、これら堆積
法は、水素化ケイ素化合物等を電気エネルギーや熱エネ
ルギーを用いて励起・分解し、支持体上にａ−Siの堆積
膜を形成する方法である。このようにして得られた堆積
膜は種々の目的に利用されている。
しかし、グロー放電堆積法においては、高出力下では堆
積中のａ−Si膜への放電エネルギーの影響が大きく、再
現性のある安定した条件制御が困難となる。特に、広面
積、厚膜の堆積膜を形成する場合に、これが顕著であ
る。
積中のａ−Si膜への放電エネルギーの影響が大きく、再
現性のある安定した条件制御が困難となる。特に、広面
積、厚膜の堆積膜を形成する場合に、これが顕著であ
る。
また、熱エネルギー堆積法においては、高温が必要とな
ることから、使用できる基体が限定されると共に、高温
によりａ−Si膜中の有用な結合水素原子が脱離する確率
が増加し、所望の特性の堆積膜が得にくい。
ることから、使用できる基体が限定されると共に、高温
によりａ−Si膜中の有用な結合水素原子が脱離する確率
が増加し、所望の特性の堆積膜が得にくい。
このように、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法に
より堆積膜を形成する場合には、均一な電気的、光学的
特性および品質の安定性の確保が難しく、更には堆積中
の膜表面の乱れあるいは堆積膜内の欠陥が生じやすい等
の問題点が残されているのが現状である。
より堆積膜を形成する場合には、均一な電気的、光学的
特性および品質の安定性の確保が難しく、更には堆積中
の膜表面の乱れあるいは堆積膜内の欠陥が生じやすい等
の問題点が残されているのが現状である。
そうしたところにあって、近年、これらの問題点を解決
すべく、光エネルギーを利用したａ−Si堆積膜の堆積法
（光CVD法）が提案され、注目を集めている。
すべく、光エネルギーを利用したａ−Si堆積膜の堆積法
（光CVD法）が提案され、注目を集めている。
この光CVD法によると、ａ−Si堆積膜を低温で、かつイ
オンフリーの反応で作製できる利点などにより、上記問
題点を大幅に改善することができる。
オンフリーの反応で作製できる利点などにより、上記問
題点を大幅に改善することができる。
そして提案されている方法は、反応容器と、該反応容器
内に原料ガスを導入する手段と、該原料ガスに高エネル
ギー光を照射する手段とを備えていて、光化学反応を利
用して該反応容器内に設置した基体上に薄膜を形成す
る、という類のものであり、その原理構成は、第４図に
示されるところのものである。第４図において、１は高
エネルギー光源からの高エネルギー光の光束を示し、２
は光透過窓、３は堆積膜、４は基体、５は反応容器、６
は排気管、７は原料ガス導入管をそれぞれ示す。ところ
が、第４図に図示の原理構成の従来の光CVD法による機
能性堆積膜の形成装置については、堆積膜形成装置内に
搬入された基体面上だけでなく、この堆積膜形成装置の
光透過窓に配設された透光板内面上にもａ−Si等の堆積
膜が形成され、これが反応室内への入射光の光強度を大
きく下げて、基体面上への堆積膜の形成速度を低下させ
るという新たな問題がある。
内に原料ガスを導入する手段と、該原料ガスに高エネル
ギー光を照射する手段とを備えていて、光化学反応を利
用して該反応容器内に設置した基体上に薄膜を形成す
る、という類のものであり、その原理構成は、第４図に
示されるところのものである。第４図において、１は高
エネルギー光源からの高エネルギー光の光束を示し、２
は光透過窓、３は堆積膜、４は基体、５は反応容器、６
は排気管、７は原料ガス導入管をそれぞれ示す。ところ
が、第４図に図示の原理構成の従来の光CVD法による機
能性堆積膜の形成装置については、堆積膜形成装置内に
搬入された基体面上だけでなく、この堆積膜形成装置の
光透過窓に配設された透光板内面上にもａ−Si等の堆積
膜が形成され、これが反応室内への入射光の光強度を大
きく下げて、基体面上への堆積膜の形成速度を低下させ
るという新たな問題がある。
この問題を回避するための一つの方法として、光透過窓
の内面に真空ポンプ用の油を塗布する方式が提案されて
いる。しかしこの方法については、反応容器の内部に油
を主とする有機物が持ち込まれてしまうことになり、そ
れが原因で形成される堆積膜内部に前記有機物の分子が
混入してしまうところとなり、得られる堆積膜は結局は
所望の特性、高品質性を有さないものになってしまうと
いう問題がある。
の内面に真空ポンプ用の油を塗布する方式が提案されて
いる。しかしこの方法については、反応容器の内部に油
を主とする有機物が持ち込まれてしまうことになり、そ
れが原因で形成される堆積膜内部に前記有機物の分子が
混入してしまうところとなり、得られる堆積膜は結局は
所望の特性、高品質性を有さないものになってしまうと
いう問題がある。
また別の方法として、透光板の内面を定期的にエッチン
グ（食刻）し、それに堆積した膜を除去する方式が提案
されている。しかしこの方法については、膜形成用原料
ガスとは別にエッチング用ガスが必要であり、更にエッ
チング反応を起こさせるためのガス励起装置（例えばRF
放電装置）も同時に必要となり、したがって装置全体
は、光CVD法用装置とエッチング装置とを合体した複雑
な装置構成のものになるという問題がある。
グ（食刻）し、それに堆積した膜を除去する方式が提案
されている。しかしこの方法については、膜形成用原料
ガスとは別にエッチング用ガスが必要であり、更にエッ
チング反応を起こさせるためのガス励起装置（例えばRF
放電装置）も同時に必要となり、したがって装置全体
は、光CVD法用装置とエッチング装置とを合体した複雑
な装置構成のものになるという問題がある。
本発明は、光CVD法による機能性堆積膜の形成について
の従来の形成方法における上述の問題点を解決すること
を目的とするものである。
の従来の形成方法における上述の問題点を解決すること
を目的とするものである。
すなわち本発明の主たる目的は、均一にして均質、そし
て高品質のものであって、優れた所望の特性を具有する
堆積膜を常時安定して効率的に且つ連続して形成する光
CVD法による形成方法を提供することにある。
て高品質のものであって、優れた所望の特性を具有する
堆積膜を常時安定して効率的に且つ連続して形成する光
CVD法による形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、透光板を常時充分な光透過機能を
発揮できるものに維持し、そして均一にして均質、かつ
高品質のものであって、優れた所望の特性を具有する機
能性堆積膜を光CVD法により常時安定して高効率に連続
して形成するための形成方法を提供することにある。
発揮できるものに維持し、そして均一にして均質、かつ
高品質のものであって、優れた所望の特性を具有する機
能性堆積膜を光CVD法により常時安定して高効率に連続
して形成するための形成方法を提供することにある。
本発明者は、第４図に示す原理構成の、従来の光CVD法
による機能性堆積膜の形成装置の前述の問題点を解決す
べく、鋭意研究を重ね、該装置に赤外線導入手段を取り
付けて赤外線を反応容器内に照射できるようにしておい
て、原料ガスを反応室内に導入し、そこに高エネルギー
光と赤外線を同時併行的に照射して基体表面上への堆積
膜形成を試行錯誤的に試みたところ、下述する事実が確
認された。
による機能性堆積膜の形成装置の前述の問題点を解決す
べく、鋭意研究を重ね、該装置に赤外線導入手段を取り
付けて赤外線を反応容器内に照射できるようにしておい
て、原料ガスを反応室内に導入し、そこに高エネルギー
光と赤外線を同時併行的に照射して基体表面上への堆積
膜形成を試行錯誤的に試みたところ、下述する事実が確
認された。
即ち、照射する赤外線を原料ガス分子の振動吸収のある
波長を含むものにし、その強度を該赤外線のみでは原料
ガスがあまり分解されない程度のものにする場合、原料
ガスはその赤外線を円滑に吸収し、赤外線を吸収してい
るその原料ガス、即ち、赤外線の行路中にある原料ガス
は、導入されるエネルギー光に対して、それが仮に低エ
ネルギーのものであっても、円滑に吸収され、それによ
り効率的光分解がもたらされ、基体上への膜堆積の形成
が円滑に進行する。他方、光透過窓（透光板）の反応容
器側表面への膜堆積は著しく鈍化する。
波長を含むものにし、その強度を該赤外線のみでは原料
ガスがあまり分解されない程度のものにする場合、原料
ガスはその赤外線を円滑に吸収し、赤外線を吸収してい
るその原料ガス、即ち、赤外線の行路中にある原料ガス
は、導入されるエネルギー光に対して、それが仮に低エ
ネルギーのものであっても、円滑に吸収され、それによ
り効率的光分解がもたらされ、基体上への膜堆積の形成
が円滑に進行する。他方、光透過窓（透光板）の反応容
器側表面への膜堆積は著しく鈍化する。
本発明者は、上述したところの相互関係を明らかにすべ
く更なる研究を重ね以下のところを究明するに至った。
く更なる研究を重ね以下のところを究明するに至った。
即ち、原料ガス分子の核間距離（χ）と、エネルギー
（ｅ）との関係は、概念的には第３図に示すようになっ
ていて、通常の原料ガスを直接光分解するについてはａ
に相当する電子励起が必要である。ところが、原料ガス
分子の核間距離（χ）を振動させる、即ち、振動励起さ
せてやるとｂのような電子励起が可能になる。即ち、原
料ガス分子を前もって振動励起させておくことにより、
より低いエネルギーの光であってもそれへの原料ガスの
吸収が大になり満足のゆく光分解が可能になる。したが
って、赤外線の行路になっている部分にある原料ガス
は、エネルギー光により分解されやすくなっていてエネ
ルギー光が高エネルギーのものであれば勢い円滑に分解
され、基体表面への円滑な膜堆積をもたらす。そして、
光透過窓（透光板）の反応容器側表面への膜堆積は、原
料ガスが基体表面への膜堆積にほとんど費やされてしま
うことから著しく鈍化し、従来装置にみられるような問
題はほとんど生じなくなる。
（ｅ）との関係は、概念的には第３図に示すようになっ
ていて、通常の原料ガスを直接光分解するについてはａ
に相当する電子励起が必要である。ところが、原料ガス
分子の核間距離（χ）を振動させる、即ち、振動励起さ
せてやるとｂのような電子励起が可能になる。即ち、原
料ガス分子を前もって振動励起させておくことにより、
より低いエネルギーの光であってもそれへの原料ガスの
吸収が大になり満足のゆく光分解が可能になる。したが
って、赤外線の行路になっている部分にある原料ガス
は、エネルギー光により分解されやすくなっていてエネ
ルギー光が高エネルギーのものであれば勢い円滑に分解
され、基体表面への円滑な膜堆積をもたらす。そして、
光透過窓（透光板）の反応容器側表面への膜堆積は、原
料ガスが基体表面への膜堆積にほとんど費やされてしま
うことから著しく鈍化し、従来装置にみられるような問
題はほとんど生じなくなる。
本発明は、上述の本発明者が確認した事実及び究明した
事実関係に基づいて完成するに至ったものである。本発
明は、光化学反応によって、基板上に機能性堆積膜を形
成するための形成方法であって、（ａ）基板上に堆積膜
を堆積させるため反応容器の反応室内に原料ガスを導入
する工程と、（ｂ）前記原料ガス分子の振動吸収のある
波長を含む赤外線を照射する工程と、（ｃ）前記（ｂ）
工程と同時に前記反応容器の光透過手段を介して反応室
に前記赤外線とは異なり前記原料ガスの振動吸収なしで
は分解・重合できず、前記原料ガスの吸収振動時に分解
・重合できる高エネルギー光を照射することによって光
透過手段近傍の非分解・非重合領域と基板近傍の分解・
重合領域とを形成する工程とからなることを特徴とする
機能性堆積膜の形成方法に関する。
事実関係に基づいて完成するに至ったものである。本発
明は、光化学反応によって、基板上に機能性堆積膜を形
成するための形成方法であって、（ａ）基板上に堆積膜
を堆積させるため反応容器の反応室内に原料ガスを導入
する工程と、（ｂ）前記原料ガス分子の振動吸収のある
波長を含む赤外線を照射する工程と、（ｃ）前記（ｂ）
工程と同時に前記反応容器の光透過手段を介して反応室
に前記赤外線とは異なり前記原料ガスの振動吸収なしで
は分解・重合できず、前記原料ガスの吸収振動時に分解
・重合できる高エネルギー光を照射することによって光
透過手段近傍の非分解・非重合領域と基板近傍の分解・
重合領域とを形成する工程とからなることを特徴とする
機能性堆積膜の形成方法に関する。
本発明の方法において使用する原料ガスは、形成する堆
積膜の種類により選択して導入されるものであるが、供
給源から単一にか或いは混合して導入される。例えば、
ａ−Si堆積膜を形成する場合には、原料ガスとしてケイ
素に水素、ハロゲン、あるいは炭化水素基などが結合し
たシラン類及びハロゲン化シラン類を用いることがで
き、これ等の原料ガスは、１種を使用しても、あるいは
２種を併用してもよい。また、これ等の原料ガスは、
H2、F2あるいは、He、Ar等の不活性ガスにより希釈して
用いることもある。さらに、ａ−Si堆積膜はｐ型不純物
又はｎ型不純物元素をドーピングすることが可能であ
り、これらの不純物導入用物質は、ガス状態で、または
原料ガスと混合して反応容器内へ導入せしめる。
積膜の種類により選択して導入されるものであるが、供
給源から単一にか或いは混合して導入される。例えば、
ａ−Si堆積膜を形成する場合には、原料ガスとしてケイ
素に水素、ハロゲン、あるいは炭化水素基などが結合し
たシラン類及びハロゲン化シラン類を用いることがで
き、これ等の原料ガスは、１種を使用しても、あるいは
２種を併用してもよい。また、これ等の原料ガスは、
H2、F2あるいは、He、Ar等の不活性ガスにより希釈して
用いることもある。さらに、ａ−Si堆積膜はｐ型不純物
又はｎ型不純物元素をドーピングすることが可能であ
り、これらの不純物導入用物質は、ガス状態で、または
原料ガスと混合して反応容器内へ導入せしめる。
本発明の方法において用いる高エネルギー光としては、
例えば水銀ランプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザ
ー、アルゴンイオンレーザー、窒素レーザー、エキシマ
レーザー等を発生源にして発生せしめたものが使用され
るが、特に、本発明で用いられる高エネルギー光とし
て、それのみでは原料ガスを全く分解しない波長のもの
を選べば、高エネルギー光透過窓への膜形成を完全に防
止することができる。例えば原料ガスとしてジシランガ
スを用いた場合には、ジシランガスは200nmより長い波
長の光によっては分解しないので、このような波長の光
と高エネルギー光として用いれば良い。
例えば水銀ランプ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザ
ー、アルゴンイオンレーザー、窒素レーザー、エキシマ
レーザー等を発生源にして発生せしめたものが使用され
るが、特に、本発明で用いられる高エネルギー光とし
て、それのみでは原料ガスを全く分解しない波長のもの
を選べば、高エネルギー光透過窓への膜形成を完全に防
止することができる。例えば原料ガスとしてジシランガ
スを用いた場合には、ジシランガスは200nmより長い波
長の光によっては分解しないので、このような波長の光
と高エネルギー光として用いれば良い。
本発明において用いる基体は、板状、ベルト状等任意の
形状であることができ、その材質は、導電性のものであ
っても或いは電気絶縁性のものであってもよい。そし
て、基体の温度は、成膜前に必ずしも加熱しておくこと
を要しないが、使用する原料ガスの種類、成膜条件等に
よっては加熱しておくことが必要な場合もあり、その場
合基体は適宜の加熱手段により加熱されるが、一般的に
はその温度範囲は、30乃至450℃である。
形状であることができ、その材質は、導電性のものであ
っても或いは電気絶縁性のものであってもよい。そし
て、基体の温度は、成膜前に必ずしも加熱しておくこと
を要しないが、使用する原料ガスの種類、成膜条件等に
よっては加熱しておくことが必要な場合もあり、その場
合基体は適宜の加熱手段により加熱されるが、一般的に
はその温度範囲は、30乃至450℃である。
そして、反応域に導入された原料ガスに高エネルギー光
を照射してそれ等原料ガスに光化学反応を生起させて励
起・分解または重合せしめ前記基体上に堆積膜を形成せ
しめるについては、系内を積極的に加熱することは必ず
しも必要としないが、原料ガスの種類によっては加熱す
ることもできる。またその際反応系内を減圧条件下にお
くのが好ましいが、常圧条件でも勿論よく、場合により
加圧条件化におくこともできる。
を照射してそれ等原料ガスに光化学反応を生起させて励
起・分解または重合せしめ前記基体上に堆積膜を形成せ
しめるについては、系内を積極的に加熱することは必ず
しも必要としないが、原料ガスの種類によっては加熱す
ることもできる。またその際反応系内を減圧条件下にお
くのが好ましいが、常圧条件でも勿論よく、場合により
加圧条件化におくこともできる。
減圧下で光CVD法により堆積膜を形成する場合には、原
料ガスを導入する前に、反応容器内を排気し、反応容器
内の圧力は、好ましくは５×10-6Torr以下、より好まし
くは１×10-6Torr以下とする。また原料ガス等を導入し
たときの反応容器内の圧力は、好ましくは１×10-2〜10
0Torr、より好ましくは１×10-2〜1Torrとする。
料ガスを導入する前に、反応容器内を排気し、反応容器
内の圧力は、好ましくは５×10-6Torr以下、より好まし
くは１×10-6Torr以下とする。また原料ガス等を導入し
たときの反応容器内の圧力は、好ましくは１×10-2〜10
0Torr、より好ましくは１×10-2〜1Torrとする。
本発明の前記構成の装置を図面の実施例により詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
即ち、第１図は本発明の典型的な例を模式図的に示すも
のであり、第２図は本発明の他の典型的な例を模式図的
に示すものである。なお二者のいずれの実施例において
も、第４図に図示の従来装置と同じ構成のところについ
ては同一の数字符合にて表わしている。
のであり、第２図は本発明の他の典型的な例を模式図的
に示すものである。なお二者のいずれの実施例において
も、第４図に図示の従来装置と同じ構成のところについ
ては同一の数字符合にて表わしている。
第１図に図示の本発明の装置は、第４図に図示の従来装
置に、赤外線透過板で構成してなる赤外線透過窓９を反
応容器５の周囲壁に設け、赤外線発生源（図示せず。）
からの赤外線８が道路（図示せず。）を介して導かれ赤
外線透過窓９を反応容器５内に入力し、基体４表面に対
して並行に入射し、他側の周囲壁に設けられた対向位置
にある赤外線透過窓９を介して出力されるようにされて
いる。赤外線透過窓９の位置は、反応容器内に入力され
る赤外線８が基体４の上部であって、それに近接した位
置に基体表面と並行に入射するように設計されることが
望ましい。
置に、赤外線透過板で構成してなる赤外線透過窓９を反
応容器５の周囲壁に設け、赤外線発生源（図示せず。）
からの赤外線８が道路（図示せず。）を介して導かれ赤
外線透過窓９を反応容器５内に入力し、基体４表面に対
して並行に入射し、他側の周囲壁に設けられた対向位置
にある赤外線透過窓９を介して出力されるようにされて
いる。赤外線透過窓９の位置は、反応容器内に入力され
る赤外線８が基体４の上部であって、それに近接した位
置に基体表面と並行に入射するように設計されることが
望ましい。
該構成の本実施例装置においては、赤外線８の入射光路
となっている部分10での高エネルギー光１による光分解
が促進され、基体４表面への膜堆積速度が向上する。一
方、光透過窓２の反応容器内面における膜堆積は、原料
ガスが基体４表面への膜堆積にほとんど費やされてしま
うことから、著しく減少するところとなる。
となっている部分10での高エネルギー光１による光分解
が促進され、基体４表面への膜堆積速度が向上する。一
方、光透過窓２の反応容器内面における膜堆積は、原料
ガスが基体４表面への膜堆積にほとんど費やされてしま
うことから、著しく減少するところとなる。
第２図に示す実施例装置は、赤外線発生源11を反応容器
内部に取り付けた例を示すものである。本実施例装置に
おいては、赤外線発生源11に反射ミラー12を取り付け、
赤外線発生源11からの赤外線が基体表面に向けて放射さ
れるようにされている。第２図に示す例では、赤外線の
放射が基体表面に対して並行とはなっていないが、赤外
線発生源11及び反射ミラー12の位置を変更することによ
り、赤外線が基体４表面に対して並行に入射するように
することもできる。なお、いずれの場合も、赤外線発生
源11及び反射ミラー12が高エネルギー光の入射光路をさ
またげないように設置することはいうまでもない。
内部に取り付けた例を示すものである。本実施例装置に
おいては、赤外線発生源11に反射ミラー12を取り付け、
赤外線発生源11からの赤外線が基体表面に向けて放射さ
れるようにされている。第２図に示す例では、赤外線の
放射が基体表面に対して並行とはなっていないが、赤外
線発生源11及び反射ミラー12の位置を変更することによ
り、赤外線が基体４表面に対して並行に入射するように
することもできる。なお、いずれの場合も、赤外線発生
源11及び反射ミラー12が高エネルギー光の入射光路をさ
またげないように設置することはいうまでもない。
本発明の光化学気相成長方法は、高エネルギー光と同時
に、原料ガス分子の振動励起をするための赤外線を用い
ることにより、膜堆積速度が向上し、さらに高エネルギ
ー光透過窓への膜形成を抑えることができ、高品質な堆
積膜を製作することができる。
に、原料ガス分子の振動励起をするための赤外線を用い
ることにより、膜堆積速度が向上し、さらに高エネルギ
ー光透過窓への膜形成を抑えることができ、高品質な堆
積膜を製作することができる。
第１図は、本発明の典型的な実施例装置を模式的に示す
断面略図であり、第２図は、本発明の他の典型的な実施
例装置を模式的に示す断面略図である。第３図は、本発
明の原理を説明するための図であって、原料ガス分子の
核間距離とエネルギーとの関係を概念的に示すものであ
る。第４図は、典型的な従来装置を模式的に示す断面略
図である。 図において、 １……高エネルギー光、２……高エネルギー光透過窓、
３……堆積膜、４……基体、５……反応容器、６……排
気口、７……ガス導入管、８……赤外線、９……赤外線
透過窓、10……高吸収ガス、11……赤外線発生源、12…
…反射ミラー
断面略図であり、第２図は、本発明の他の典型的な実施
例装置を模式的に示す断面略図である。第３図は、本発
明の原理を説明するための図であって、原料ガス分子の
核間距離とエネルギーとの関係を概念的に示すものであ
る。第４図は、典型的な従来装置を模式的に示す断面略
図である。 図において、 １……高エネルギー光、２……高エネルギー光透過窓、
３……堆積膜、４……基体、５……反応容器、６……排
気口、７……ガス導入管、８……赤外線、９……赤外線
透過窓、10……高吸収ガス、11……赤外線発生源、12…
…反射ミラー
Claims (4)
- 【請求項１】光化学反応によって、基板上に機能性堆積
膜を形成するための形成方法であって、 （ａ）基板上に堆積膜を堆積させるため反応容器の反応
室内に原料ガスを導入する工程と、 （ｂ）前記原料ガス分子の振動吸収のある波長を含む赤
外線を照射する工程と、 （ｃ）前記（ｂ）工程と同時に前記反応容器の光透過手
段を介して反応室に前記赤外線とは異なり前記原料ガス
の振動吸収なしでは分解・重合できず、前記原料ガスの
吸収振動時に分解・重合できる高エネルギー光を照射す
ることによって光透過手段近傍の非分解・非重合領域と
基板近傍の分解・重合領域とを形成する工程とからなる
ことを特徴とする機能性堆積膜の形成方法。 - 【請求項２】前記赤外線が反応容器外から照射されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の形成
方法。 - 【請求項３】前記赤外線が反応容器内で照射されること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の形成方
法。 - 【請求項４】前記赤外線が反射手段によって照射される
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の形
成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61280671A JPH0774452B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法 |
| US07/481,690 US5112647A (en) | 1986-11-27 | 1990-02-20 | Apparatus for the preparation of a functional deposited film by means of photochemical vapor deposition process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61280671A JPH0774452B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137174A JPS63137174A (ja) | 1988-06-09 |
| JPH0774452B2 true JPH0774452B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=17628306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61280671A Expired - Fee Related JPH0774452B2 (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 光化学気相成長法による機能性堆積膜の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5112647A (ja) |
| JP (1) | JPH0774452B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5308651A (en) * | 1986-12-25 | 1994-05-03 | Kawasaki Steel Corp. | Photochemical vapor deposition process |
| ATE200829T1 (de) * | 1990-09-26 | 2001-05-15 | Canon Kk | Photolithographisches verarbeitungsverfahren und vorrichtung |
| JP2591204Y2 (ja) * | 1990-12-28 | 1999-03-03 | 株式会社トプコン | レンズ保持具 |
| EP0659911A1 (en) * | 1993-12-23 | 1995-06-28 | International Business Machines Corporation | Method to form a polycrystalline film on a substrate |
| US7763327B2 (en) * | 1996-04-22 | 2010-07-27 | Micron Technology, Inc. | Methods using ozone for CVD deposited films |
| CN1077607C (zh) * | 1998-11-03 | 2002-01-09 | 南京大学 | 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置 |
| US7547633B2 (en) * | 2006-05-01 | 2009-06-16 | Applied Materials, Inc. | UV assisted thermal processing |
| US7922863B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-04-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for integrated gas and radiation delivery |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58153324A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光をエネルギ−源とする化学気相堆積装置 |
| JPS58158914A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-21 | Semiconductor Res Found | 半導体製造装置 |
| JPS593931A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 薄膜の形成方法 |
| JPS5982732A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59208065A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Nec Corp | レ−ザ金属堆積方法 |
| JPS59140368A (ja) * | 1983-12-27 | 1984-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法とその装置 |
| JPS60167334A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07107190B2 (ja) * | 1984-03-30 | 1995-11-15 | キヤノン株式会社 | 光化学気相成長方法 |
| JPS60225434A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Nec Corp | 高誘電率多元複合酸化膜の形成法 |
| JPS6130028A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相成長法 |
| JPS61104614A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61132959A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Fujitsu Ltd | フラツシユ定着方法 |
| JPS62262433A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-14 | Hitachi Ltd | 表面処理方法 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61280671A patent/JPH0774452B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-02-20 US US07/481,690 patent/US5112647A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5112647A (en) | 1992-05-12 |
| JPS63137174A (ja) | 1988-06-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |