JPS63146406A - サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
サ−ミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS63146406A JPS63146406A JP61294052A JP29405286A JPS63146406A JP S63146406 A JPS63146406 A JP S63146406A JP 61294052 A JP61294052 A JP 61294052A JP 29405286 A JP29405286 A JP 29405286A JP S63146406 A JPS63146406 A JP S63146406A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- material layer
- electrode
- resistance value
- oxide ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は温度センサなどの用途に用いられる微細、小形
形状のサーミスタの製造方法に関するものである。
形状のサーミスタの製造方法に関するものである。
従来の技術
マンガン、コバルト、ニッケル、 銅なＨの遷移金属の
酸化物を主成分とするサーミスタは、その抵抗値が温度
の上昇に伴って減少する負の抵抗温度係数を持つ感温半
導体として温度センサなどの用途に広く用いられている
。周知のようにサーミスタの抵抗温度係数は通常Ｂ定数
として表わされ、これは下記の式により算出される。
酸化物を主成分とするサーミスタは、その抵抗値が温度
の上昇に伴って減少する負の抵抗温度係数を持つ感温半
導体として温度センサなどの用途に広く用いられている
。周知のようにサーミスタの抵抗温度係数は通常Ｂ定数
として表わされ、これは下記の式により算出される。
（ただし、Ｒ１，Ｒ２は絶対温度Ｔ１．Ｔ２での抵抗値
）そして、サーミスタをセンサとして用いる上で、Ｂ定
数はある程度大きい方が好ましいが、一般的にＢ定数が
大きくなると比抵抗値も大きくなる傾向にある。従って
、Ｂ定数が大きく比抵抗値の小さい材料は得られにくい
。一方、近年の電子機器の小形化及びサーミスタセンサ
の熱応答性の点カらサーミスタ素子も小形のものが要求
されているが、小形化した場合には電極面積が小さくな
るため、サーミスタ素子の抵抗値は増加する。この点か
らも同一の比抵抗値であっても、サーミスタ素子として
の抵抗値は小さくすることが可能な素子構造が望まれて
いる。
）そして、サーミスタをセンサとして用いる上で、Ｂ定
数はある程度大きい方が好ましいが、一般的にＢ定数が
大きくなると比抵抗値も大きくなる傾向にある。従って
、Ｂ定数が大きく比抵抗値の小さい材料は得られにくい
。一方、近年の電子機器の小形化及びサーミスタセンサ
の熱応答性の点カらサーミスタ素子も小形のものが要求
されているが、小形化した場合には電極面積が小さくな
るため、サーミスタ素子の抵抗値は増加する。この点か
らも同一の比抵抗値であっても、サーミスタ素子として
の抵抗値は小さくすることが可能な素子構造が望まれて
いる。
発明が解決しようとする問題点
さて、抵抗値を小さくする上でその最も単純なものは薄
い板状素子の両面に電極をつけたものであるが、この場
合には機械的強度が厚みの２乗に比例する関係から、素
子強度が小さくなり、信頼性上好ましくない。また、他
の構造としてはサーミスタ素子中に内部電極を持つ積層
構造が挙げられ、この場合には電極間距離が数１０μｍ
と薄くできるため、抵抗値の低下効果は大きいが、製造
工程が複雑になること、内部電極材料に高価な白金、パ
ラジウムなどの貴金属を用いねばならないこと、素子の
抵抗値修正が困難なため歩留りが悪くなるなどの問題が
あった。
い板状素子の両面に電極をつけたものであるが、この場
合には機械的強度が厚みの２乗に比例する関係から、素
子強度が小さくなり、信頼性上好ましくない。また、他
の構造としてはサーミスタ素子中に内部電極を持つ積層
構造が挙げられ、この場合には電極間距離が数１０μｍ
と薄くできるため、抵抗値の低下効果は大きいが、製造
工程が複雑になること、内部電極材料に高価な白金、パ
ラジウムなどの貴金属を用いねばならないこと、素子の
抵抗値修正が困難なため歩留りが悪くなるなどの問題が
あった。
本発明は上記のような素子強度の低下、製造工程の複雑
化、歩留り低下などの問題がなく、低い抵抗値の素子を
得ることのできるサーミスタの製造方法を提供しようと
するものである。
化、歩留り低下などの問題がなく、低い抵抗値の素子を
得ることのできるサーミスタの製造方法を提供しようと
するものである。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明では、比抵抗値が
低く、強度が大きい非酸化物セラミックの表面に、遷移
金属酸化物よりなるサーミスタ材料層を形成する工程と
、上記サーミスタ材料層表面に電極を形成する工程と、
上記非酸化物セラミック材料の表面で、サーミスタ材料
層を形成していない部分に他の電極を形成し、電極他端
とする工程とよりなるものである。
低く、強度が大きい非酸化物セラミックの表面に、遷移
金属酸化物よりなるサーミスタ材料層を形成する工程と
、上記サーミスタ材料層表面に電極を形成する工程と、
上記非酸化物セラミック材料の表面で、サーミスタ材料
層を形成していない部分に他の電極を形成し、電極他端
とする工程とよりなるものである。
ここで、非酸化物セラミック材料としては強度が高く、
比抵抗値の低い、好ましくは比抵抗値が常温で１００・
σ以下の材料、例えば炭化チタン（Ｔｉｅ）、炭化ジル
コニウム（ＺｒＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ ）などを用
いることができる。また、サーミスタ材料層を形成する
方法としては、溶射。
比抵抗値の低い、好ましくは比抵抗値が常温で１００・
σ以下の材料、例えば炭化チタン（Ｔｉｅ）、炭化ジル
コニウム（ＺｒＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ ）などを用
いることができる。また、サーミスタ材料層を形成する
方法としては、溶射。
スパッタなどの方法、あるいはガラス材料を含みサーミ
スタ材料を主成分とするペーストを塗布し焼付けして形
成する方法がある。さらに、サーミスタ材料層上及び非
酸化物セラミック材料上に電極を形成する方法としては
、上記と同様に電極材料を溶射、スパッタなどにより形
成する方法、あるいは電極ペースト材料を塗布、焼付け
する方法などがある。
スタ材料を主成分とするペーストを塗布し焼付けして形
成する方法がある。さらに、サーミスタ材料層上及び非
酸化物セラミック材料上に電極を形成する方法としては
、上記と同様に電極材料を溶射、スパッタなどにより形
成する方法、あるいは電極ペースト材料を塗布、焼付け
する方法などがある。
作用
この構成によれば非酸化物セラミック材料を、電極であ
るとともにサーミスタ材料層を保持する支持体として用
い、サーミスタ材料層の厚みを薄くすることにより、抵
抗値の低い素子を得ることができるものである。
るとともにサーミスタ材料層を保持する支持体として用
い、サーミスタ材料層の厚みを薄くすることにより、抵
抗値の低い素子を得ることができるものである。
実施例
第１図に示す厚み０．２ｆｆｌｔ１１ 、巾２ｆｆｌｆ
１１．長さ７ｍｍの板状をしたＴｉｅからなる非酸化物
セラミック材料１の両面に、第２図に示すようにマンガ
ン、ニッケル、コバルトの酸化物を主成分とし、比抵抗
値が１にΩ・ｃｍ 、 Ｂ定数３５００にのサーミスタ
材料を一端部を残して溶射により６０μｍの厚みで設け
てサーミスタ材料層２を形成した。次に、第３図及び第
４図に示すように銀を主成分とする電極材料をサーミス
タ材料層２の表面と、上記非酸化物セラミック材料１の
表面でサーミスタ材料層２を形成していない部分に塗布
、焼付けして電極３．３＆を形成した。このようＫして
得られたサーミスタ素子の抵抗値を、第２図中のＸの寸
法、乃が笛１Ｍ由のマの廿体冬亦ゆイｈ膚１奔東のｆつ
いて下記の表に示す。
１１．長さ７ｍｍの板状をしたＴｉｅからなる非酸化物
セラミック材料１の両面に、第２図に示すようにマンガ
ン、ニッケル、コバルトの酸化物を主成分とし、比抵抗
値が１にΩ・ｃｍ 、 Ｂ定数３５００にのサーミスタ
材料を一端部を残して溶射により６０μｍの厚みで設け
てサーミスタ材料層２を形成した。次に、第３図及び第
４図に示すように銀を主成分とする電極材料をサーミス
タ材料層２の表面と、上記非酸化物セラミック材料１の
表面でサーミスタ材料層２を形成していない部分に塗布
、焼付けして電極３．３＆を形成した。このようＫして
得られたサーミスタ素子の抵抗値を、第２図中のＸの寸
法、乃が笛１Ｍ由のマの廿体冬亦ゆイｈ膚１奔東のｆつ
いて下記の表に示す。
発明の効果
以上詳述したように、本発明を用いることにより、上記
表に示すようにＢ定数が大きく抵抗値が低いサーミスタ
素子を量産性良く平易に作成しうろこと、及びＢ定数及
びサーミスタ素子の形状が一定であっても電極面積、電
極形状、サーミスタ材料層の厚みを変えることにより、
種々の抵抗値のものが得られることな′ど、その利用価
値は大きいものである。
表に示すようにＢ定数が大きく抵抗値が低いサーミスタ
素子を量産性良く平易に作成しうろこと、及びＢ定数及
びサーミスタ素子の形状が一定であっても電極面積、電
極形状、サーミスタ材料層の厚みを変えることにより、
種々の抵抗値のものが得られることな′ど、その利用価
値は大きいものである。
なお、上記実施例では非酸化物セラミック材料の形状と
して角板のものを用いたが、円板１円柱。
して角板のものを用いたが、円板１円柱。
円筒その他の形状でも本発明のサーミスタ素子を作りう
ろことは明白である。
ろことは明白である。
第１図は本発明方法に用いる非酸化物セラミックの１例
を示す斜視図、第２図は第１図の非酸化物セラミック上
にサーミスタ材料層を形成した素・体の斜視図、第３図
はさらにその上に電極を形成した素体を示す斜視図、第
４図は第３図の断面図である。 １・・・・・・非酸化物セラミック材料、２・・・・・
・サーミスタ材料層、３，３ａ・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／
−−ＪＨ麹ｎ１勿’ｅ＝ｙ＜−／ り材料 ２−ｍ−す−ミスタネ↑ｔド１ ３３α−−一電馳 第１図 第４１１Ａ
を示す斜視図、第２図は第１図の非酸化物セラミック上
にサーミスタ材料層を形成した素・体の斜視図、第３図
はさらにその上に電極を形成した素体を示す斜視図、第
４図は第３図の断面図である。 １・・・・・・非酸化物セラミック材料、２・・・・・
・サーミスタ材料層、３，３ａ・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／
−−ＪＨ麹ｎ１勿’ｅ＝ｙ＜−／ り材料 ２−ｍ−す−ミスタネ↑ｔド１ ３３α−−一電馳 第１図 第４１１Ａ
Claims (1)
- 比抵抗値が低く、機械強度の大きい非酸化物セラミッ
ク材料の表面に、遷移金属酸化物よりなるサーミスタ材
料層を形成する工程と、上記サーミスタ材料層表面に電
極を形成する工程と、上記非酸化物セラミック材料の表
面でサーミスタ材料層を形成していない部分に他の電極
を形成し電極他端とする工程とを含むサーミスタの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294052A JPS63146406A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | サ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294052A JPS63146406A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | サ−ミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63146406A true JPS63146406A (ja) | 1988-06-18 |
Family
ID=17802655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61294052A Pending JPS63146406A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63146406A (ja) |
-
1986
- 1986-12-10 JP JP61294052A patent/JPS63146406A/ja active Pending
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