JPS63147316A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPS63147316A JPS63147316A JP29583986A JP29583986A JPS63147316A JP S63147316 A JPS63147316 A JP S63147316A JP 29583986 A JP29583986 A JP 29583986A JP 29583986 A JP29583986 A JP 29583986A JP S63147316 A JPS63147316 A JP S63147316A
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- JP
- Japan
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- buried layer
- impurity
- oxide film
- diffused buried
- opening
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 21
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路装置に関し、特にコンタクト工程によ
り高濃度イオン注入法を使って不純物拡散埋込み層を設
けた集積回路装置に関する。
り高濃度イオン注入法を使って不純物拡散埋込み層を設
けた集積回路装置に関する。
従来、集積回路装置において、基板表面に薄い不純物拡
散埋込み層を設ける場合、コンタク１〜工程との目合せ
ずれやコンタクト開口部のサイドエツチングによる広が
りを考慮して、その不純物拡散埋込み層をコンタクト開
口部よりも大きく形成していた。
散埋込み層を設ける場合、コンタク１〜工程との目合せ
ずれやコンタクト開口部のサイドエツチングによる広が
りを考慮して、その不純物拡散埋込み層をコンタクト開
口部よりも大きく形成していた。
第２図はこの様な従来の構造の一例の縦断面図である。
すなわち、半導体基板〕に不純物拡散埋込み層２′を形
成した後、コンタクト開口部より広い酸化膜３′を気相
成長させその後、コンタク）・工程により酸化膜に窓を
開け、アルミ電極４を形成していた。
成した後、コンタクト開口部より広い酸化膜３′を気相
成長させその後、コンタク）・工程により酸化膜に窓を
開け、アルミ電極４を形成していた。
このなめ不純物拡散埋込み層２は、前述のコンタク１〜
工程との目合せずれ、コンタクト開口部のサイドエツチ
ングに対して、マージンが必要とされていた。そのため
、チップ表面に対する不純物拡散埋込み＠２１の占有率
が大きく、チップサイズ縮小を実現させることに対する
一つの障害となっていた。
工程との目合せずれ、コンタクト開口部のサイドエツチ
ングに対して、マージンが必要とされていた。そのため
、チップ表面に対する不純物拡散埋込み＠２１の占有率
が大きく、チップサイズ縮小を実現させることに対する
一つの障害となっていた。
このように従来の集積回路装置において、基板表面に薄
い不純物拡散埋込み層を設ける場合、コンタクト工程と
の目合せずれや、コンタクト開口部のサイドエツチング
による広がりを考慮して、不純物拡散埋込み層をコンタ
クト開口部よも大きく形成しているので、チップサイズ
の縮小化が困難という欠点がある。
い不純物拡散埋込み層を設ける場合、コンタクト工程と
の目合せずれや、コンタクト開口部のサイドエツチング
による広がりを考慮して、不純物拡散埋込み層をコンタ
クト開口部よも大きく形成しているので、チップサイズ
の縮小化が困難という欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点を除き、チップサイズ
を小型化できるようにした集積回路装置を提供すること
にある。
を小型化できるようにした集積回路装置を提供すること
にある。
本発明の集積回路装置の楕或は、半導体基板と、この基
板表面に形成された酸化膜と、この酸化膜にあけた開口
部に高濃度イオン注入法によって形成された薄い不純物
拡散埋込み層と、この不純物拡散埋込み層上に前記開口
部を埋めて形成された電極部とを備え、自己整合作用に
より前記不純物拡散埋込み層と前記電極部との目合せず
れをなくしたことを特徴とする。
板表面に形成された酸化膜と、この酸化膜にあけた開口
部に高濃度イオン注入法によって形成された薄い不純物
拡散埋込み層と、この不純物拡散埋込み層上に前記開口
部を埋めて形成された電極部とを備え、自己整合作用に
より前記不純物拡散埋込み層と前記電極部との目合せず
れをなくしたことを特徴とする。
次に、本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
本実施例は、半導体基板１の上に酸化膜３を気相成長さ
せ、その後コンタクト工程により酸化膜３に窓となるコ
ンタクト開孔部を開け、このコンタクト開孔部から高濃
度イオン注入法を用いて不純物拡散埋込み層２を形成し
、この不純物拡散埋込みＮ２とコンタクト開孔部とをア
ルミニウムで埋めてアルミ電極４を形成させたものであ
る。
せ、その後コンタクト工程により酸化膜３に窓となるコ
ンタクト開孔部を開け、このコンタクト開孔部から高濃
度イオン注入法を用いて不純物拡散埋込み層２を形成し
、この不純物拡散埋込みＮ２とコンタクト開孔部とをア
ルミニウムで埋めてアルミ電極４を形成させたものであ
る。
本実施例では、不純物拡散埋込み層２を自己整合的に形
成できるので、コンタクト開孔部との目合せずれをなく
すことができる。
成できるので、コンタクト開孔部との目合せずれをなく
すことができる。
以上説明したように本発明は、自己整合作用によ不純物
拡散埋込み層を小さく形成できるので、必要面積の小さ
な、かつドレイン容量の小さな高速化集積回路装置を得
ることができるという効果がある。
拡散埋込み層を小さく形成できるので、必要面積の小さ
な、かつドレイン容量の小さな高速化集積回路装置を得
ることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例による不純物拡散埋込み層部
分の縦断面図、第２図は従来の不純物拡散埋込み層の一
例の縦断面図である。 １・・・半導体基板、２．２′・・・不純物拡散埋込み
層、３．３′・・・酸化膜、４・・・アルミ電極。
分の縦断面図、第２図は従来の不純物拡散埋込み層の一
例の縦断面図である。 １・・・半導体基板、２．２′・・・不純物拡散埋込み
層、３．３′・・・酸化膜、４・・・アルミ電極。
Claims (1)
- 半導体基板と、この基板表面に形成された酸化膜と、こ
の酸化膜にあけた開口部に高濃度イオン注入法によつて
形成された薄い不純物拡散埋込み層と、この不純物拡散
埋込み層上に前記開口部を埋めて形成された電極部とを
備え、自己整合作用により前記不純物拡散埋込み層と前
記電極部との目合せずれをなくしたことを特徴とする集
積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29583986A JPS63147316A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29583986A JPS63147316A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63147316A true JPS63147316A (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=17825852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29583986A Pending JPS63147316A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63147316A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50120257A (ja) * | 1974-03-05 | 1975-09-20 | ||
| JPS53138284A (en) * | 1977-05-09 | 1978-12-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor part |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP29583986A patent/JPS63147316A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50120257A (ja) * | 1974-03-05 | 1975-09-20 | ||
| JPS53138284A (en) * | 1977-05-09 | 1978-12-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor part |
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