JPS63151027A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はパターン形成方法に関し、特にドライエツチン
グでテーパエツチングを行なうためのレジストパターン
形成方法に関するものである。

従来の技術 半導体素子の微細化に伴いパターン形成には異方性のド
ライエツチング技術が使用されている。

従来のレジストパターン形成方法を用いてドライエツチ
ングを行なう場合の一例を第２図へ〜Ｄに示す。

被エツチング膜である第１の膜１（ｓ　ｉ　、　３１０
２゜ＰｏＬｙＳｉ　、Ａ１等）の形成された基板２の主
面に回転塗布法等により放射線感応性樹脂膜１１（以下
レジストと呼ぶ）を形成する（第２図Ａ）。

次に所定の方法を用いてレジストパターン１１′を形成
する（第２図Ｂ）。

次にこのレジストパターン１１′をマスクとして第１の
膜１を異方性のドライエツチング法を用いてエツチング
を行ない第１の膜パターン１′を形成する（第２図Ｃ）
。

その後レジストパターン３′　を除去したのち第２の膜
６を形成する（第２図Ｄ）。

発明が解決しようとする問題点 上記にのべた方法でパターン形成を行なうと第１の膜パ
ターン１′　は非常に垂直な形状にパターンが形成され
る。

この状態で第２の膜５を形成すると第１の膜パターン１
′　によシ形成された溝部には第２の膜５を形成するこ
とが困難となってしまう。このような現象は溝部の幅と
深さの関係によシ犬きく変化するが、今日ではパターン
の微細化に伴う深さ方向の減少よりも幅の減少の方が大
きくなシますます第２の膜４を溝部に均一に形成するこ
とは困難な状況である。

そこで最近ではドライエツチング条件を途中で変えパタ
ーンの上部にテーパをつけることにより第２の膜の被覆
性を良くする方法が一般に用いられるようになっている
が、ドライエツチング条件を変えて行なう方法では再現
性の悪い、下地との選択比の減少等の問題があるととも
に被エツチング膜の種類により個々にエツチング条件を
選定する必要があり作業性も非常に悪かった。

本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、ドライエツ
チング条件を変えることなくパターン上部にテーパを形
成することが可能なレジストパターンの形成方法を提供
することを目的とする。

問題点を解決するだめの手段 本発明は上記問題点を解決するため、レジストパターン
を形成する際コントラスト性の違うレジストを組み合わ
せてパターン形成を行ない、上層のレジストパターンに
テーパを形成しておき、レジストパターン形状をドライ
エツチングによシ被エツチング膜に転写することによシ
上部にテーパを有するパターンを形成するものである。

作　　用 本発明の方法によりドライエツチング条件によらず、テ
ーパを有するパターン形成を行なうことができる。

実施例 第１図Ａ−Ｅは本発明の方法によりパターン形成を行な
った場合の一実施例を示す。

被エツチング膜である第１の膜１の形成された基板２の
主面に回転塗布法等によシまずコントラストの良い（レ
ジストのコントラストを示す値γ値の高い）第１のレジ
スト３を形成したのちコントラストの悪い（γ値の低い
）第２のレジスト４を形成する（第１図Ａ）。

次に所定の方法によシ第１のレジストパターン３′、第
２のレジストパターン４′を形成する。

この時コントラストの悪い第２のレジストパターン４′
はテーパを持って形成される（第１図Ｂ）。

次にこの第１のレジストパターン３′、第２のレジスト
パターン４′　をマスクとして異方性のドライエツチン
グ法によりエツチングを行なうと第２のレジストパター
ン４′　のテーパが第１のレジストパターンに転写され
るまでは第１の膜１のエツチング形状は第１のレジスト
パターン３′　の形状により決まるため垂直にエツチン
グされる（第１図Ｃ）。

さらにエツチングを行なうと今度は第２のレジストパタ
ーン４′　のテーパが転写された第１のレジストパター
ン３′　の形状が転写されることとなり上部にテーパを
有する第１の膜パターン１′が形成できる（第１図Ｄ）
。

その後筒１のレジストパターン３′を除去したのち、第
２の膜５を形成する（第１図Ｅ）。

以上のべた方法でパターン形成を行なうことにより、ド
ライエツチング条件によることなく、マた被エツチング
膜の種類にも関係なくレジストのγ値を任意に選定する
ことにより任意の角度でテーパを形成することができる
。

テーパを形する深さのコントロールも被エツチング膜と
レジストの選択比によりレジストの膜厚をコントロール
することにより任意に選択が可能である。

発明の効果 以上述べたように本発明の方法を用いることにより、ド
ライエツチング条件によらずまた被エツチング膜の種類
にも関係なく上部にテーパを有するパターン形成を行な
うことができその工業的価値は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−Ｅは本発明の方法でパターン形成を行なう場
合の一実施例の工程断面図、第２図Ａ〜Ｄは従来の方法
でパターン形成を行なう場合の工程断面図である。 １・・・・・・第１の膜、２・・・・・・基板、３′・
・・・・・第１のレジストパターン、４′　・・・・・
・第２のレジストパタ−ン、６・・・・・・第２の膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図　　　　　　１−蓼フ硼 ２〜−一卸 ３−−一茶一し以ト ４−一不２／１　　″ 第１図 ５−−−”ｇ、ｐｎｙｌ莢 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板の主面にコントラストの良い第１の放射線感
   応性樹脂パターンを形成する工程と、任意のテーパを有
   する第２の放射線感応性樹脂パターンを形成する工程と
   、前記第１の放射線感応性樹脂パターンと第２の放射線
   感応性樹脂パターンをマスクとして異方性のドライエッ
   チングを行なう工程とを有してなるパターン形成方法。