JPS63152151A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63152151A JPS63152151A JP30076686A JP30076686A JPS63152151A JP S63152151 A JPS63152151 A JP S63152151A JP 30076686 A JP30076686 A JP 30076686A JP 30076686 A JP30076686 A JP 30076686A JP S63152151 A JPS63152151 A JP S63152151A
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- electrode
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置、特に多層配線構造を有する半導
体装置に関する。
体装置に関する。
近年、半導体装置の集積度を向上させる為、多層配線が
よく使われている。多層配線では、１間絶縁膜の平坦化
が必要である。従来は、第３図と第４図に示すように層
間絶縁膜の下、又、上に、５ｐｉｎ ｏｎ ｑｌａｓｓ
（略称： ８０Ｇ、以後ＳＯＧと称す。）を塗布して
平坦化をはかっている。
よく使われている。多層配線では、１間絶縁膜の平坦化
が必要である。従来は、第３図と第４図に示すように層
間絶縁膜の下、又、上に、５ｐｉｎ ｏｎ ｑｌａｓｓ
（略称： ８０Ｇ、以後ＳＯＧと称す。）を塗布して
平坦化をはかっている。
以下に、従来技術による二層配線構造について説明する
。
。
第３図の中で、１は半導体基板、２はシリコン酸化膜等
の絶縁膜、３はアルミニウム等の第１Ｎ１目の電極金属
、４は段だらしの為の５ＯＧ１５はプラズマＣＶＤ法に
よυ成長したシリコン窒化膜（以下Ｐ−８ｉＮと称す）
、６はアルミニウム等の第２Ｎ目の電極金属である。
の絶縁膜、３はアルミニウム等の第１Ｎ１目の電極金属
、４は段だらしの為の５ＯＧ１５はプラズマＣＶＤ法に
よυ成長したシリコン窒化膜（以下Ｐ−８ｉＮと称す）
、６はアルミニウム等の第２Ｎ目の電極金属である。
第４図に示す、従来技術の実施例については、第３図に
示す実施例と比較して８０Ｇ塗布工程と層間絶縁膜形成
工程の順序が逆であることのみ異なるので説明を省略す
る。
示す実施例と比較して８０Ｇ塗布工程と層間絶縁膜形成
工程の順序が逆であることのみ異なるので説明を省略す
る。
第３図に示す二層配線構造では、８０Ｇ塗布後の管理が
不十分だと、水分やヨゴレ等が付着した場合には、その
後に成長するＰ−８ｉＮの膜厚ムラや、後工程の熱処理
（アロイ等）で、水分やヨゴレ等め二膨張し、層間膜で
あるＰ−８ｉＮを押し上げ、或いは、破裂させるという
問題が生じる。
不十分だと、水分やヨゴレ等が付着した場合には、その
後に成長するＰ−８ｉＮの膜厚ムラや、後工程の熱処理
（アロイ等）で、水分やヨゴレ等め二膨張し、層間膜で
あるＰ−８ｉＮを押し上げ、或いは、破裂させるという
問題が生じる。
又、第４図に示す二層配線構造では、ＳＯＧが電柵金属
と接触している。５ＯＧｆｉ通常リンドープされた（数
モル程度）Ｓｉｎ、で、リンの濃度は低いが、外部引き
出し線に接続しているパッド部の１４１極金属では外部
から浸入した水分によシ加水分解作用をおこし、電極の
腐食が起こる。
と接触している。５ＯＧｆｉ通常リンドープされた（数
モル程度）Ｓｉｎ、で、リンの濃度は低いが、外部引き
出し線に接続しているパッド部の１４１極金属では外部
から浸入した水分によシ加水分解作用をおこし、電極の
腐食が起こる。
以上のように、従来技術では、品質的問題があった。
本発明による二層配線構造は、ＳＯＧを使用せず、第１
市目の電極金属を設ける部分のシリコン酸化膜２に凹部
を有している。
市目の電極金属を設ける部分のシリコン酸化膜２に凹部
を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の縦断面図である。
第３四と第４図の従来例と同じ部分には、同じ番号を付
しである。
しである。
本発明による二層配線構造では、第１層目の電極金属３
を設ける部分のシリコン酸化膜２に凹部を有している。
を設ける部分のシリコン酸化膜２に凹部を有している。
この凹部の深さは、第１層の電極金属３の膜厚に等しく
するのが望ましい。又、シリコン酸化膜２の膜厚は、凹
部の深さの分だけ厚くしておく。
するのが望ましい。又、シリコン酸化膜２の膜厚は、凹
部の深さの分だけ厚くしておく。
第２図は、本発明の実施例２の縦断面図である。
前記第１図の実施例ではシリコン酸化膜２の膜厚を凹部
を設ける分だけ厚くしている。本実施例では、シリコン
酸化膜２の膜厚は従来技術と同じにして、さらにＰ
８１Ｎ５’等の絶縁膜を第１層目の電極金属の膜厚とほ
ぼ同じたけ成長し、第１／ｉｉ目の電極金属を設ける部
分だけ、選択的に除去したものである。
を設ける分だけ厚くしている。本実施例では、シリコン
酸化膜２の膜厚は従来技術と同じにして、さらにＰ
８１Ｎ５’等の絶縁膜を第１層目の電極金属の膜厚とほ
ぼ同じたけ成長し、第１／ｉｉ目の電極金属を設ける部
分だけ、選択的に除去したものである。
以上、説明したように、本発明によれば、第１層目の電
極金属を設ける下の部分の絶縁膜に凹部を形成すること
によシ、平坦な層間絶縁膜ができる。
極金属を設ける下の部分の絶縁膜に凹部を形成すること
によシ、平坦な層間絶縁膜ができる。
又、本発明を、二層配線構造を例にして説明したが三層
以上の多層配線梢造についても同様に適用できる。
以上の多層配線梢造についても同様に適用できる。
第１図は本発明による一実施例を示す縦断面図、第２図
は、本発明による他の実施例を示す縦断面図、第３図お
よび第４図は、従来装置を示す縦断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・シリコン酸
化膜、３・・・・・・一層目の電極金属、４・・・・・
・８０ Ｑ （Ｓｐｉｎ ｏｎｇｌａｓｓ ）、５，５
′・・・・・・Ｐ−８ｉＮ１６・・・・・・二層目の電
極金属 茅 ／ 回 茅 ２ 叉
は、本発明による他の実施例を示す縦断面図、第３図お
よび第４図は、従来装置を示す縦断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・シリコン酸
化膜、３・・・・・・一層目の電極金属、４・・・・・
・８０ Ｑ （Ｓｐｉｎ ｏｎｇｌａｓｓ ）、５，５
′・・・・・・Ｐ−８ｉＮ１６・・・・・・二層目の電
極金属 茅 ／ 回 茅 ２ 叉
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶
縁膜上に被着された電極金属と、該電極金属および前記
第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜を有し、前記
電極金属が形成された部分の下の前記第１の絶縁膜の膜
厚が他より薄くなっていることを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30076686A JPS63152151A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30076686A JPS63152151A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63152151A true JPS63152151A (ja) | 1988-06-24 |
Family
ID=17888839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30076686A Pending JPS63152151A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63152151A (ja) |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP30076686A patent/JPS63152151A/ja active Pending
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