JPS63155651A - ヒ−トシンクの固着方法 - Google Patents
ヒ−トシンクの固着方法Info
- Publication number
- JPS63155651A JPS63155651A JP61302317A JP30231786A JPS63155651A JP S63155651 A JPS63155651 A JP S63155651A JP 61302317 A JP61302317 A JP 61302317A JP 30231786 A JP30231786 A JP 30231786A JP S63155651 A JPS63155651 A JP S63155651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- fixed
- metal substrate
- power semiconductor
- vibrator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（り産業上の利用分野
本発明はヒートシンクの固着方法に関する。
（ロ）従来の技術
従来金属基板上にヒートシンクを固着する方法としては
第２図の如く、金属基板（１１）の所定位置に半田を設
け、基板（１１）を加熱した後、半田上にパワー半導体
素子（１３〉が固着された角状のヒートシンク（１２）
を固着して振動面が凹型の振動子（１６）の凹面をヒー
トシンク（１２）の周端に当接妨せて振動子（１６）か
ら発せられる超音波振動により金属基板（１１）上にヒ
ートシンク（１２）を完全固着させるものである。
第２図の如く、金属基板（１１）の所定位置に半田を設
け、基板（１１）を加熱した後、半田上にパワー半導体
素子（１３〉が固着された角状のヒートシンク（１２）
を固着して振動面が凹型の振動子（１６）の凹面をヒー
トシンク（１２）の周端に当接妨せて振動子（１６）か
ら発せられる超音波振動により金属基板（１１）上にヒ
ートシンク（１２）を完全固着させるものである。
この様なヒートシンクは実願昭５８−１４６１４６に記
載されている。
載されている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
即ち、従来のヒートシンクの固着方法はヒートシンクが
固着される位置をあらかじめＸＹ方向軸のデータとして
超音波振動を加える装置に記憶跡せておき、そのデータ
に基づいてヒートシンクの位置を割出し凹型の振動子を
用いて固着するものであった。しかしながら、ヒートシ
ンクの位置割出しをＸＹ方向のデータに基づいて行うと
どうしても位置ズレが発生しヒートシンクの周端を捕え
ることができず振動子から発せられる超音波振動がヒー
トシンクの底面に伝わらず確実な固着が行えない問題点
があった。またある程度の位置ズレを防止するためにヒ
ートシンクに当接する凹面の接触幅を大きく形成しなけ
ればならずヒートシンクのチップ実装面積に制約があり
、大きいチップを実装する場合にはヒートシンクそのも
のも大きく形成しなければならず基板実装密度が小さく
なる問題点があった。
固着される位置をあらかじめＸＹ方向軸のデータとして
超音波振動を加える装置に記憶跡せておき、そのデータ
に基づいてヒートシンクの位置を割出し凹型の振動子を
用いて固着するものであった。しかしながら、ヒートシ
ンクの位置割出しをＸＹ方向のデータに基づいて行うと
どうしても位置ズレが発生しヒートシンクの周端を捕え
ることができず振動子から発せられる超音波振動がヒー
トシンクの底面に伝わらず確実な固着が行えない問題点
があった。またある程度の位置ズレを防止するためにヒ
ートシンクに当接する凹面の接触幅を大きく形成しなけ
ればならずヒートシンクのチップ実装面積に制約があり
、大きいチップを実装する場合にはヒートシンクそのも
のも大きく形成しなければならず基板実装密度が小さく
なる問題点があった。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は上述した問題点に鑑みて為されたものであり、
第１図に示す如く、ヒートシンク（４）の対向する側辺
周端部にパワー半導体素子（２）よりも突出する突出部
（３）を設け、その突出部（３）に振動面が平坦な振動
子（５〉を当接させ振動子（５）に超音波振動を加えて
解決する。
第１図に示す如く、ヒートシンク（４）の対向する側辺
周端部にパワー半導体素子（２）よりも突出する突出部
（３）を設け、その突出部（３）に振動面が平坦な振動
子（５〉を当接させ振動子（５）に超音波振動を加えて
解決する。
（ホ）作用
本発明に依ればヒートシンクの対向する側辺周端部に突
出部を設け、その突出部に振動面が平坦な振動子を当接
許せて超音波振動を加えることにより、ヒートシンクの
位置割出しの位置ズレが発生しても振動子の振動面を大
きく形成しておけば位置ズレに関係なく正確な固着が行
える。
出部を設け、その突出部に振動面が平坦な振動子を当接
許せて超音波振動を加えることにより、ヒートシンクの
位置割出しの位置ズレが発生しても振動子の振動面を大
きく形成しておけば位置ズレに関係なく正確な固着が行
える。
（へ）実施例
以下に第１図に示した実施例に基づいて本発明を説明す
る。
る。
金属基板（１）は放熱性の優れたアルミニウム基板が用
いられ、その表面は陽極酸化されて酸化アルミニウム膜
が形成きれ絶縁基板と形成きれる。
いられ、その表面は陽極酸化されて酸化アルミニウム膜
が形成きれ絶縁基板と形成きれる。
その金属基板（１）の−上面にはエポキシ樹脂等の絶縁
樹脂層を介して銅箔が貼着され、その銅箔は所望形状の
導電パターンにエツチングされ所望の導電路が形成きれ
る。
樹脂層を介して銅箔が貼着され、その銅箔は所望形状の
導電パターンにエツチングされ所望の導電路が形成きれ
る。
ヒートシンク（４）は銅片より成り、その対向する側辺
周端部には突出部（３）が形成きれる。この突出部（３
）の高さはパワー半導体素子（２）よりも突出する様に
ヒートシンク（４）の上面をプレス打することにより形
成する。その幅は超音波振動を支えることのできる幅で
あれば任意であり、パワー半導体素子（２）の実装面積
を大きくとるためにその幅はできるだけ小さい方がよい
。例えばヒートシンクの大きさが１３ｍｍ角で厚さ５ｍ
ｍとすると、このときの突出部（３）幅は１ｍｍで十分
である。
周端部には突出部（３）が形成きれる。この突出部（３
）の高さはパワー半導体素子（２）よりも突出する様に
ヒートシンク（４）の上面をプレス打することにより形
成する。その幅は超音波振動を支えることのできる幅で
あれば任意であり、パワー半導体素子（２）の実装面積
を大きくとるためにその幅はできるだけ小さい方がよい
。例えばヒートシンクの大きさが１３ｍｍ角で厚さ５ｍ
ｍとすると、このときの突出部（３）幅は１ｍｍで十分
である。
超音波振動を加える振動子（５）の振動面は平坦状とし
且つヒートシンク（４）より大きく形成しておき、金属
基板（１〉上にヒートシンク（４）を固着する位置に半
田が設けられ、基板（１）を所定温度に加熱して半田を
解しその上面にパワー半導体素子（２）が固着されたヒ
ートシンク（４）を固着し、更に振動子（５）をヒート
シンク（４）の突出部（３）に当接させて超音波振動を
加えて金属基板（１）上にヒートシンク（４）を完全固
着させる。
且つヒートシンク（４）より大きく形成しておき、金属
基板（１〉上にヒートシンク（４）を固着する位置に半
田が設けられ、基板（１）を所定温度に加熱して半田を
解しその上面にパワー半導体素子（２）が固着されたヒ
ートシンク（４）を固着し、更に振動子（５）をヒート
シンク（４）の突出部（３）に当接させて超音波振動を
加えて金属基板（１）上にヒートシンク（４）を完全固
着させる。
斯る本発明に依ればヒートシンクの位置割出しの位置ズ
レが発生してもヒートシンクの突出部と平坦状の振動子
とが必らず正確に当接することができ、確実に超音波振
動がヒートシンク底面に伝わり、確実に基板上に固着す
ることができる。
レが発生してもヒートシンクの突出部と平坦状の振動子
とが必らず正確に当接することができ、確実に超音波振
動がヒートシンク底面に伝わり、確実に基板上に固着す
ることができる。
（ト）発明の効果
上述の如く、本発明に依れば、ヒートシンクの相対向す
る側辺周端部に突出部を設け、その突出部に平坦状の振
動子を当接させ超音波振動を加え固着することにより、
チップ実装面積が従来より大きく利用することができ、
従来と同一形状でより高出力な混成集積回路を提供する
ことができる。
る側辺周端部に突出部を設け、その突出部に平坦状の振
動子を当接させ超音波振動を加え固着することにより、
チップ実装面積が従来より大きく利用することができ、
従来と同一形状でより高出力な混成集積回路を提供する
ことができる。
また従来と同一のチップを実装する場合、従来より小さ
い形状のヒートシンクで済むために高密度実装の混成集
積回路を提供することができる。
い形状のヒートシンクで済むために高密度実装の混成集
積回路を提供することができる。
更に本発明では確実に超音波振動がヒートシンクに伝わ
り固着することができるので生産性及び信頼性が向上す
るものである。
り固着することができるので生産性及び信頼性が向上す
るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図は従来例
を示す断面図である。 （１）・・・金属基板、 （２）・・・パワー半導体素
子、（３）・・・突出部、 （４）・・・ヒートシンク
、 （５）・・・振動子。
を示す断面図である。 （１）・・・金属基板、 （２）・・・パワー半導体素
子、（３）・・・突出部、 （４）・・・ヒートシンク
、 （５）・・・振動子。
Claims (1)
- （１）金属基板上にパワー半導体素子が固着されたヒー
トシンクを固着するヒートシンクの固着方法において、
前記ヒートシンクの対向する側辺周端部に前記パワー半
導体素子よりも突出する突出部を設け、前記突出部に振
動面が平坦な振動子を当接させた後、前記振動子に超音
波振動を加え前記ヒートシンクを前記金属基板に固着す
ることを特徴とするヒートシンクの固着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61302317A JPS63155651A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | ヒ−トシンクの固着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61302317A JPS63155651A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | ヒ−トシンクの固着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155651A true JPS63155651A (ja) | 1988-06-28 |
Family
ID=17907491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61302317A Pending JPS63155651A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | ヒ−トシンクの固着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63155651A (ja) |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61302317A patent/JPS63155651A/ja active Pending
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