JPS63157404A - 厚膜抵抗アレ−のトリミング方法 - Google Patents

厚膜抵抗アレ−のトリミング方法

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JPS63157404A
JPS63157404A JP30468486A JP30468486A JPS63157404A JP S63157404 A JPS63157404 A JP S63157404A JP 30468486 A JP30468486 A JP 30468486A JP 30468486 A JP30468486 A JP 30468486A JP S63157404 A JPS63157404 A JP S63157404A
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JP
Japan
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resistance value
resistance
thick film
trimming
value
Prior art date
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Pending
Application number
JP30468486A
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English (en)
Inventor
高橋 喜代司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu General Ltd
Original Assignee
Fujitsu General Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu General Ltd filed Critical Fujitsu General Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、厚膜抵抗アレーの各抵抗をその形状を変え
ることなく所定の抵抗値に設定するためのトリミング方
法に関し、特に詳しく言うと、トリミングすべき抵抗素
子の再加熱温度に対する抵抗値変化率に基づいて熱線を
照射してトリミングを行なう厚膜抵抗アレーのトリミン
グ方法に関する。
〔発明の技術的背景〕
例えば、サーマルプリンタにおいて、厚膜抵抗アレーに
よりヘッドを構成する場合、抵抗アレーの各抵抗の形状
を変えないでそれらの抵抗値を所定の値に設定するよう
にトリミングを行なってぃる。しかしながら、サーマル
プリンタヘッドに用いる抵抗アレーは、最大温度および
発熱面積等が問題になるため、アルミナ微粉末を高圧空
気で吹付けて抵抗体の切削を行ない抵抗値を上げるサン
ドブラスト方法や、レーザー光線を抵抗体に照射し、抵
抗体を高温で蒸発させることにより切削を行ない、抵抗
値を上げるレーザートリミング方法、等抵抗形状を変4
えるようなトリミングは好ましくない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
そこで一般には、高電圧パルスを抵抗体に印加し、絶縁
体の一部を破壊して抵抗値を下げる高圧パルストリミン
グ方法が採用されている。この方法は、使用する厚膜抵
抗ペースト、導電ペーストおよび焼成条件等によって、
そのトリミング特性および以降の抵抗安定度が異なるた
め、一様に規定することは困難であるばかりでなく、不
安定な導電路を持つため通電寿命に問題がある。
そこでこの発明は、上述した従来のトリミング方法を改
良し、効率良くかつ適確にトリミングすることかできる
厚膜抵抗アレーのトリミング方法を提供することである
すなわち、厚膜抵抗体がホウケイ酸鉛ガラス等の絶縁物
とルテニウム等の金属を例えば850℃の高温でアルミ
ナ上に焼結したものであり、この焼結体を再加熱すると
材料特有の抵抗値の熱変化特性を持っていることに着目
し、この熱変化特性を利用した新規な厚膜抵抗アレーの
トリミング方法を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明の厚膜抵抗アレーのトリミング方法は。
トリミングすべき抵抗素子の再加熱温度に対する抵抗値
変化率を予め演算処理装置に記憶し、1つの抵抗素子の
抵抗値を抵抗測定装置で測定し、演算処理装置でその測
定値と予め設定された所定の抵抗値とを比較し、所定の
抵抗値と異なる時は抵抗素子に対して所定の熱量を有す
る熱線を熱源から照射し、その時の抵抗素子の抵抗値を
抵抗測定装置で測定し、再度演算処理装置でその測定値
と所定の抵抗値とを比較し、異なる場合は再び熱線を熱
源から照射して所定の抵抗値に近付けるようにしてトリ
ミングすることを特徴とするものである。
〔作  用  〕
1つの抵抗素子の抵抗値を抵抗測定装置で測定し、演算
処理装置でその測定値と予め設定された所定の抵抗値と
を比較し、所定の抵抗値と異なる時はその抵抗素子の再
加熱温度に対する抵抗値変化率にしたがい、例えば更に
10%抵抗値を上げる必要がある場合は何百度の再加熱
を施せばよいかが判明するので、その温度近くに再加熱
するようにレーザー光線や赤外線等の熱線を熱源から照
射する。再加熱した抵抗素子の抵抗値を再び抵抗測定装
置で測定し、演算処理装置でその測定値と予め設定され
た所定の抵抗値とを比較し、その結果により再び所望の
抵抗値に近付くように再加熱していく。このように再加
熱によって所望の抵抗値になるようにトリミングするの
で、抵抗素子の形状が変化することはない。
〔実 施 例〕
以下、この発明を図面に示す実施例について説明する。
上述したように、厚膜抵抗体はホウケイ酸鉛ガラス等の
絶縁物とルテニウム等の金属を850℃の高温でアルミ
ナ上に焼結したものであり。
この焼結物を再加熱してみると、第2図に示すような抵
抗値の熱変化特性を持っていることが判った。すなわち
、550℃以上700℃まで再加熱するとその抵抗値は
増加していく。700℃以上800℃までは最大値から
減少していくが、依然として抵抗値は増加の方向にあり
、800℃以上加熱すると再び減少する傾向があること
が判った。そこで、この発明においては、この再加熱温
度に対する抵抗値変化率特性を利用してトリミングを行
なうものである。
次に第2図によりこの発明のトリミング方法を説明する
と、サーマルプリンタヘッドの抵抗アレー1の各抵抗素
子2は、基板3上に設けられた共通電極4とドライブ回
路等に接続される電極5との間に設けられており、電極
5に当てられてプローブ6と、共通電極4に当てられた
プローブ7とにより1つの抵抗素子2の両端の初期抵抗
値を抵抗測定機8により測定する。その測定値は演算処
理装置9に送られ、予め設定された抵抗値との比較を行
なう。この演算処理装置9はマイクロコンピュータ等で
構成され、上記抵抗値の比較演算を行なうとともに、上
述した再加熱温度に対する抵抗値変化率のデータを予め
記憶させておく。演算処理装置9は比較演算の結果、抵
抗値をあと何%上げる必要があるかを判別し、そのため
には何度の温度で再加熱する必要があるかを決定する。
その決定にしたがって、レーザー光線あるいは赤外線等
の熱線を発生する光源袋!!!10を駆動し、レーザー
光線あるいは赤外線をその抵抗素子2に照射して再加熱
する。演算処理装置9により設定された時間熱線を照射
したら、再びその抵抗値を抵抗測定機8により測定し、
演算処理装置9で比較し、所望の抵抗値に達成されたか
をチェックし、所望の抵抗値になっていない場合は、再
びその測定値に基づいて加熱温度を設定し、その温度で
光源装置10により再加熱する。
このように、抵抗素子2の抵抗測定の結果は直ちに演算
処理袋!i!9に送られるので、所望の抵抗値に達しな
い限り、自動的に再加熱、抵抗値測定のサイクルが繰返
されるので、1サイクル毎に手を煩わす必要はない。
再加熱は、レーザー光線や赤外線等の熱線により行なっ
ているので、熱線を細くすることができるので局部加熱
が可能であり、 0.5mm角以下の微少抵抗体に適用
することができ、かつ形状変化がないのでサーマルプリ
ンタヘッドのような外形変化を嫌うものに好適である。
なお、上述実施例においてはサーマルプリンタヘッドを
例にとっているが、厚膜ハイブリッド集積回路、厚膜チ
ップ抵抗等の分野にも応用できることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明の厚膜抵抗アレーのトリミング方
法は、厚膜抵抗体を構成する焼結体は再加熱すると材料
特有の抵抗値の熱変化特性を持っていることに着目し、
この熱変化特性を利用して再加熱により所望の抵抗値に
トリミングするものであり、再加熱温度の上下により厚
膜抵抗体の抵抗値を上昇させるものである。この再加熱
によって厚膜抵抗体の外形は変化することがなく、かつ
安定した導電路の長寿命の厚膜抵抗体を提供でき、サー
マルプリンタヘッドのような外形変化を嫌うものには特
に好適である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を概略的に説明する説明図
、第2図は焼結物を再加熱したときの抵抗値の熱変化特
性を示すグラフである。 図面において、1は抵抗アレー、2は抵抗素子、6.7
はプローブ、8は抵抗測定機、9は演算処理装置、 1
0は光源装置である。 特許出願人 株式会社富士通ゼネラル 代理人弁理士 大 原  拓 也 第1図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に複数の抵抗素子が厚膜印刷により設けら
    れた厚膜抵抗アレーの前記各抵抗素子を所定の抵抗値に
    設定するためのトリミング方法において、トリミングす
    べき前記抵抗素子の再加熱温度に対する抵抗値変化率を
    予め演算処理装置に記憶し、1つの前記抵抗素子の抵抗
    値を抵抗測定装置で測定し、前記演算処理装置でその測
    定値と予め設定された所定の抵抗値とを比較し、前記所
    定の抵抗値と異なる時は前記抵抗素子に対して所定の熱
    量を有する熱線を熱源から照射し、その時の前記抵抗素
    子の抵抗値を前記抵抗測定装置で測定し、再度前記演算
    処理装置でその測定値と前記所定の抵抗値とを比較し、
    異なる場合は再び前記熱線を前記熱源から照射して前記
    所定の抵抗値に近付けるようにしてトリミングすること
    を特徴とする厚膜抵抗アレーのトリミング方法。
  2. (2)特許請求の範囲第1項において、前記集源はレー
    ザー光線であることを特徴とする厚膜抵抗アレーのトリ
    ミング方法。
  3. (3)特許請求の範囲第1項において、前記熱源は赤外
    線であることを特徴とする厚膜抵抗アレーのトリミング
    方法。
JP30468486A 1986-12-20 1986-12-20 厚膜抵抗アレ−のトリミング方法 Pending JPS63157404A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51113148A (en) * 1975-03-31 1976-10-06 Hitachi Ltd Laser trimming method
JPS582002A (ja) * 1981-06-26 1983-01-07 株式会社日立製作所 サ−メツト抵抗体の抵抗値調整法
JPS6183055A (ja) * 1984-09-28 1986-04-26 Mitsubishi Electric Corp サ−マルヘツドの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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