JPS62169401A - 厚膜抵抗体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、厚膜抵抗体の製造方法に係り、特に抵抗値の
安定化方法に関する。

（従来技術およびその問題点〕 厚膜は、製造が容易で安価であり、ｎ械的強度も大きい
ことから、いろいろなデバイスに広く利用されている。

例えば、Ｗ−模型サーマルヘッドは、厚膜抵抗体からな
る発熱抵抗素子に対して選択的に画情報に応じた一定の
大きさく電力値）の電気パルスを印加し、所望の温度に
発熱させるようにしたものである。この厚膜抵抗体は、
一般に印加電力が大きいと、次第に抵抗値が変化する性
質を持っている。

従って、使用している間に抵抗値が変化してしまい、発
熱堡が変わることにより印加濃度が変化し、画情報に忠
実な記録を行なうことができなくなるという不都合が生
じていた。

そこで、使用に先立ち、厚膜抵抗体に対して一定時間の
パルスを印加し、抵抗値の安定化をはかる方法等も提案
されている。

しかしながら、これらの方法では基板当りの作業時間が
長い上、充分な信頼性を得ることはできなかった。

このことは、厚膜型サーマルヘッドのみならず厚膜抵抗
体を用いた他のデバイスについても同保てあった。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、長時間に
わたる通電あるいは、比較的大電力で使用する場合にも
抵抗値が安定で経時的変化の少ない厚膜抵抗体を提供す
ることを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ そこで本発明は、印刷焼成によって厚膜抵抗体を形成し
た後、高温下に所定時間放置する高温放置工程を導入す
るようにしている。

〔作　用］ 本発明者らは、種々の実験を重ねた結果、厚膜抵抗体を
焼成後、高温下に所定時間放置することにより、抵抗値
の経時的変化が小さくなることを見いだした。

本発明は、このことに着目してなされたもので、厚膜抵
抗体の焼成後に、２００〜４００’Ｃで３０分〜６０分
放置する高温放置工程を付加することにより、抵抗値の
安定化をはかるようにしたものである。

（実施例） 以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。

第１図は、本光明実施例の方法によって形成される厚膜
型サーマルヘッドの概要を示す図であり、第２図は、第
１図のＡ−Ａ断面図である。この厚膜型サーマルヘッド
はセラミック基板１１上に千鳥状に配列された金電極パ
ターン１２と、この上層に形成された酸化ルテニウムと
ガラスを主成分とする抵抗体パターン１３とを配設する
と共に、駆動用ＩＣ（図示せず）を搭載してなるもので
ある。

以下に、その製造方法について述べる。

まず、ブレース加工されたセラミック基板上にスクリー
ン印刷および焼成によって電極間距離ｄ＝０．３ｘ金電
極パターン２および配線パターン（図示せず）を形成し
た後、該金電極パターン２上に、更に、酸化ルテニウム
とガラスを主成分とする抵抗ペーストを用いてスクリー
ン印刷および焼成を行ない幅Ｗ＝０．２ａ＋の抵抗体パ
ターン３を形成し、更に耐摩耗層（図示せず）をＶ４層
することにより、厚膜抵抗回路を形成する。なお、この
ときの金電極パターンおよび抵抗体パターンの焼成温度
は夫々、９００”Ｃ，８７０℃くいずれもピーク温度）
、焼成時間はいずれも６０分とする。

このときの隣接する２電極間の厚膜抵抗体の抵抗値は２
．３にΩであった。

続いて、３００　’Ｃに維持された赤外炉中に上述のご
・とくして厚膜抵抗回路の形成されたセラミック基板を
１時間放置した後、とり出し、駆動用ＩＣ（図示せず）
等を該セラミック基板上の所定位置に実装する。

このようにして抵抗値の経時的変化が小さく、安定な厚
膜型サーマルヘッドを得ることができる。

この厚膜型サーマルヘッドに５０１１ｚ、１ｍ５ｅｃの
矩形波を１分毎に０．ＩＷずつパワーアップしながら加
速テストを行なったときの抵抗変化率の測定結果を第３
図に示す。第３図中、たて軸は抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ＞
、横軸は印加電ツノを示す。

ちなみに第４図に、前述の３００　’０１時間の高温放
置工程を行なわないで形成した従来の厚膜型サーマルヘ
ッドについて、同様のテストを行なった結果を示す。

これらの比較からも、本発明の方法によれば、抵抗値変
化が大幅に低減され、耐パルス特性に優れ、抵抗値の経
時的変化が小さく、信頼性の高いものとなっている。

また、高温放置工程における放置温度と、耐パルス特性
との関係を抵抗変化率としてとらえたちのを第５図に示
す。第５図中、たて軸は抵抗変化率、横軸は印加電力を
示し、曲線ａ−ｇは夫々、次表の条件下での高温放置工
程を径た厚膜型サーマルヘッドについての測定曲線であ
る。

表 この図から、へ温放置工程における！２！１３！Ｉ！湿
度は２００〜４００℃がのぞましいことがわかる。

また、抵抗体パターンの材質については、実施例に限定
されるものではなく、本発明の方法はすべての厚膜抵抗
体パターンに対して有効であることはいうまでもない。

更に、この方法は、厚膜型サーマルヘッド、ハイブリッ
ドＩＣ等、厚膜抵抗体を用いたすべてのデバイスに対し
て有効である。

〔効　果） 以上説明してきたように、本発明の方法によれば、厚膜
抵抗体の印＠および焼成を行なった後、所定時間の高温
放置工程を経ることにより該厚膜抵抗体は長時間にわた
って極めて安定な抵抗値を維持することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明実施例の方法によって形成された厚膜
型サーマルヘッドの概要図、第２図は、第１図のＡ−Ａ
断面図、第３図は本発明実施例の方法によって形成され
た厚膜型サーマルヘッドに電圧を印加したときの、抵抗
変化率と印加電力との関係を示す図、第４図は、従来の
方法によって形成した厚膜型サーマルヘッドに電圧を印
加したときの抵抗変化率と印加電力との関係を示す図、
第５図は、高温放置工程における処理温度と抵抗変化率
との関係を示す図である。 １・・・セラミック基板、２・・・金電極パターン、３
・・・抵抗体パターン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　印刷および焼成によつて形成される厚膜抵抗体の製造
   方法において、 印刷および焼成後、高温下に所定時間放置する高温処理
   工程を含むことを特徴とする厚膜抵抗体の製造方法。