JPS6183055A - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主としてファクシミリやプリンタに使用される
サーマルヘッドの製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

現像、定着の必要がなく、無騒音、メインテナン７リー
であり、信頼性の高いサーマルヘッドが、感熱記碌紙の
向上とともに普及している０感熱記録は、基板上に設け
た抵抗体に、記録電流を印加し、抵抗体に流れた電流に
より生ずるジュール熱を利用して、抵抗体上忙接する感
熱紙を発色させたり、熱転写紙のインク層を溶融させ、
被転写紙に記録信号情報を印字記録する技術である。

サーマルヘッドの一般構造図を第９図に示す。

サーマルヘッドは絶縁基板（１）上Ｋ　Ａ４Ａｕ、Ｃｕ
等の良電気導体材料にて成膜技術により構成したリード
部（２）とそれに両端を接続した膜状のエレメント抵抗
体（３）で全体で発熱素子を構成される。１絶縁基板（
１）の材料にはアルミナセラミック基板又はグレーズ層
付アルミナセラミック基板を使用する事が多い。エレメ
ント抵抗体（３）の材料として薄膜方式の場合はＴａ２
Ｎ　ｊＴａ−８ｉｎ□、　Ｔａ　−８ｉ　、　Ｎｉ−Ｃ
ｕＴ１□０３等の材料が用いられる。

又、厚膜方式の場合はＲｕ　２０　、　ＰｔＯ”　ノ貴
金属ノ酸化物をガラス材と混合して塗付して焼結する。

図示しないが、エレメント抵抗体（３）を形成した後こ
れを保護するためのガラス膜を焼成する。

このサーマルヘッドのリード部両端に一定の電圧を一定
時間印加した場合、ジュール熱により抵抗体部に熱が発
生する。この熱は第１０図の様に構成する記録装置のＡ
部分で感熱紙（５）に伝達され感熱紙（５）が発色して
その表面に印画される。なお、第１０図において、第９
図と同一符号は相当部分を示す。Ｐはロール（４）の押
圧力向を示す。

一般に、例えばファクシミリ用のサーマルヘッドは、発
熱抵抗体として、１ヘッド当シ約２０００個の抵抗体が
独立して並列に設けられている０これらの発熱抵抗体は
、そのジュール熱により表面温度が、２５０”Ｃ〜６０
０℃程度まで加熱され、この温度に到達させるに等しい
印加エネルギーは１、サーマルヘッド各々の解像度によ
り異なるが、約０．２ｍＪ　（ジュール）〜２ｍＪ必要
とされる０従来よりこのサーマルヘッドには、抵抗体の
製造プロセスおよびその材料の違いによシ、厚膜形と薄
膜形および半導体形があった。厚膜形はペースト状の抵
抗材料を用いて、あらかじめ所望とするパターンをスク
リーンやフォトレジスト膜に形成しておき、スクリーン
印刷技術により抵抗材料を印刷、又は埋込み、後工程と
して焼成することで発熱抵抗体が形成される。薄膜形は
主としてタンタル系材料を蒸着又はスパッタリングし、
あらかじめ抵抗体となりうる基本パターンを形成しその
後、フォトエツチングにより所望パターンの独立した抵
抗体に仕上げる。半導体形は、たとえばシリコン基材の
一部に抵抗拡散を行い、抵抗体を形成し、Ｐ−Ｎ接合面
の発熱を利用するもので半導体製造工程とほぼ同一手段
を用いる。

以上・３種の製造方法のうち実用化が実施されているの
は、厚膜形と薄膜形である。ところで薄膜形は、その製
造工程は多大であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばらつき
は少なく、微細ノくターンが形成できるという大きな利
点を持っている０反面厚膜形は、比較的短い製造工程に
よって安価に製造可能であるが、発熱抵抗体の抵抗値の
ばらつきが大きいという重大な欠点を持ち合わせていた
。感熱記録は、抵抗体の抵抗値により決定され、発生す
るジュール熱を利用するため、抵抗値のばらつきはｉ然
その上に印字される画質の濃度ムラの原因となる。１ 第１１図はサーマルヘッドを構成する各エレメント抵抗
体の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，−−−Ｒ，、の−例を示すり通
常薄膜形の抵抗値ばらつきは、土５％〜±１５チ以内に
均一化されているのに対し、厚膜形は土１５チ〜土３０
チにばらついており、薄膜形より劣っているのに一生流
を成しているのは、過負荷電力、耐摩耗性に代表される
信頼性の良さと低コストという大きな利点を持ち合わせ
ている故である。厚膜形でも最近は、微細パターンの形
成は薄膜形に劣らず作成することが可能となった。たと
えば導体パターンの形成においては、印刷膜厚は従来３
μｍ以上必要とされていたが、３０００Å以下の導体膜
厚でも構成できる０この利点は、フォトエツチング時の
エツチングファクターが従来２０μｍｌ−萎したのに比
べ、薄膜形と同程度、即ちほぼ零のエツチング７アクタ
となることによる。−刃厚膜形の抵抗値のばらつきの改
善に関しては、メツシュスクリーンやメタルマスクスク
リーンの改良など従来のスクリーン印刷技術の向上のほ
かに、たとえば特公昭５９−２２６７５号に記載されで
ある厚膜抵抗体のフォトエツチングや、特公昭５７−１
８５０６号に記載されである厚膜抵抗体をフォトレジス
トパターンに埋込む方法、特開昭５４−９９４４３号に
記載しである厚膜抵抗体の表面研磨処理をする方法等が
ある。さらには昭５５−４’Ｆ３９’／に記載しである
ように薄膜導体に厚膜抵抗を印刷したものがある。

これらは、発熱抵抗体の形状を均一化し、その効果によ
る抵抗値のばらつきを改善しようとしたものである。

また、厚膜抵抗材料の改良も進められてきた〇厚膜抵抗
材料としては、たとえば、特開昭５３−９５Ｑ号および
特開昭５３−９５４３号に記載の酸化ルテニウと、高融
点７リツトガラス、酸化ジルコニウム等が適当である。

しかしこれらは主として、厚膜形サーマルヘッドとして
の信頼性を保持するために改良されたものであり、発熱
抵抗値のバラツキの改善とはなっていない。ところで厚
膜抵抗体の形状が幾度学的に薄膜抵抗体と同等に整った
とした場合、本当に抵抗値のばらつきが薄膜抵抗体と同
等になるのかという疑問がある。理論的には抵抗体の抵
抗値は次式で示される。

Ｒ＝ｐ・□　（Ω） −ｔ ここで、ｐ：抵抗体の比抵抗（Ω−ａｍ）ｔ：抵抗体の
長さくａｍ） Ｗ：抵抗体の＠　　（ａｍ） ｔ：抵抗体の厚み（ａｍ） スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常その抵抗体の
長さくｔ）、抵抗体の幅（Ｗ）、抵抗体の厚み（１）共
に、わずかにばらつくが、終局的に問題となるのは厚膜
抵抗材料が基本的にある大きさの粒径を保持する酸化ル
テニウム、ガラスフリット。

酸化ジルコニウム等の焼成時に生ずる結合度の差異によ
り生ずる抵抗体の比抵抗そのもののばらつきであり、結
果生ずる抵抗値のはらつきである０これは厚膜製造工程
の厳密なスクリーン印刷、および焼成条件、さらにはそ
れら発熱抵抗体を製造の前工程抜工程度の改善によって
も解決されない。

これは、酸化ルテニウム等の粒径が特開昭５３−９５４
４号に記載にもあるように５μｍと無視できない大きさ
であるということ、また、厚膜抵抗体の抵抗値の決定に
は主として酸化ルテニウムガラス７リツトとの接触界面
のＭ、−Ｉ、−Ｍ、　（メタルーインシエレーターメタ
ル）の不均質結合状態による原因が終局的にあるからで
ある。基本的に厚膜抵抗材料がその焼成温度、雰囲気、
焼成スピードに同一材料にもかかわらず抵抗値が大幅に
変化するのは％　Ｍ＠””−””ａの結合状態が変化す
るためと推定できる。

そこで、酸化ルテニウム、ガラス７リツト等の粒径をさ
らに緻密化した厚膜抵抗材料が最近市販されるようにな
った。しかし、目標とする効果は得られなかった。

以上から、接触界面の不均一による厚膜抵抗の　　□ば
らつきを改善しないことＫは、結局抵抗値のばらつきが
改善されないことがわかる０ところで、抵抗体のばらつ
きの改善に関しては従来からレーザートリミング法など
を利用して、抵抗値の調整等を主として厚戻回路基板、
薄膜回路基板等で実施されている。また、特開昭５８−
７３６０号又は特開昭５８−７３６０号記載の液体噴射
記録ヘッドでは薄膜抵抗素子をレーザートリミングし、
電気−熱変換特性に合わせるように抵抗値を調整してい
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきを改善する従来の方法は
いづれも不十分なものであった。発熱抵抗体上部に位置
し感熱紙を圧接する回転ローラの躍動による機械的振動
があるため、衝撃に弱い化学的トリミング方法は使用で
きない。また、均一な温度分布を必要とするので発熱抵
抗体の形状も重要な要素となるため、レーザ、ダイヤモ
ンドカット、サンドブラスト等の機械的トリミング法で
は、形状の変化によりサーマルヘッドの性能を悪化させ
るため使用できなかった。

この発明は厚膜形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状を
変えることなく、その抵抗値を変化して製造する方法を
提供することを目的とする０〔問題点を解決するための
手段〕 この発明はサーマルヘッドの発熱抵抗体に電圧パルスを
印加することにより抵抗値を減少させ、抵抗のばらつき
を減少せしめる。

〔作用〕

この発明では電圧パルスの印加によって発熱抵抗体の抵
抗値が減少することを利用して、抵抗値のばらつきを著
しく減少させることができる０これにより、サーマルヘ
ッドの印字画質の濃度ムラを著しく減少させることがで
きる。

〔発明の実施例〕

この発明によるサーマルヘッドの生産方法は主要な生産
プロセスの後に、発熱抵抗体の抵抗値を減少させるプロ
セスｅ−４施する。即ち、基板上に発熱抵抗体、リード
線、保護ガラス膜を形成した後に、本発明による抵抗値
を減少させるプロセスを実施する。

第１図は本発明によるサーマルヘッドの生産方法の原理
を示す図である。

この発明は厚膜抵抗体に電圧を印加すると抵抗値が低下
するという現象を利用している。この現象はＭ　Ｉ　Ｓ
　（ｈｉｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−８ｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ）構造をもつ厚膜抵抗体の絶縁物（工ｎ
５ｕｌａｔｏｒ）が電圧によりブレークスルーするため
であるとも考えられている。ともかく、抵抗体の物理的
性質が電圧印加により変化していることは確実である。

第１図は当初の抵抗値がＲ１，Ｒ２，Ｒ３である発熱抵
抗体の抵抗値をＲｏに調整する場合を示しているＯ 先づ最初に各発熱抵抗体の抵抗値を測定し、目標とする
抵抗値Ｒ８と比較する。Ｒ４のようＫＲｏより低い抵抗
値をもつ発熱抵抗体に対しては電圧パルスは印加しない
。Ｒｏより大きい抵抗値Ｒ１，Ｒ２゜Ｒ３を持つ発熱抵
抗体に対し電圧パルスを印加するＯ 最初に波高値の初期設定がＶ。である電圧パルスを印加
して抵抗値を減少させる。減少後の抵抗値を測定し、そ
の値がＲ８以上であればＶ。＋ΔＶの波高値の電圧パル
スを印加する。その後抵抗値を測定し、その値がＲ８以
上であればＶ。＋２ΔＶの波高値を持つ電圧パルスを印
加する０このように抵抗値がＲ８以下になるまで次第に
印加電圧パルスの波高値を高くしながら次第に抵抗値を
減少させて行く。抵抗値がＲ８以下になればそこでｙＩ
整を終了する。このようにして発熱体の抵抗値をＲ８以
下の一定範囲内に揃える。抵抗値のばらつきを少なくす
るのがこの発明の目的であるから、抵抗値がＲ６以下に
なりさえすれば良いのでなく、Ｒｏ以下の一定範囲内に
あることを要する。そのため少しづつ抵抗値を減少させ
て行き、Ｒ，以下になった時点で止めるのである。

第２図および第３図は本発明の製造方法を実施しない場
合と実施した場合の発熱抵抗体の抵抗値の分布を示す図
である。何個かの発熱抵抗体を一グループとし、その中
の最大値を白丸印、平均値を黒丸印、最小値をＸ印で示
している。

実施しない場合は抵抗値のばらつきは非常に大きいが、
実施した場合はほとんどばらつきがなくなっていること
がわかる。

第４図はこの発明の生産方法に使用する装置の一例を示
す構成図である。第５図は第４図の主要な信号の波形図
である。

（６）は調整対象のサーマルヘッド（７）に探針（グロ
ーブ）を押し当てるプルービング装置、（８）は印加電
圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、（９）は
電圧印加と抵抗測定とを切り換えるスイッチ、叫は調整
電圧パルスを発生するパルス発生回路、（ロ）は抵抗計
、＠は計算部、（至）はその入出力部、α→は中央演算
処理装置ｃ以下ＣＰＵと称す）、（２）はメモリ、α・
はキーボード、Ｑ″りはプリンタである。

本発明により抵抗値を減少させる手順について説明する
。

計算部（２）から印加電圧の波高値ｖ８の設定信号、１
回の電圧印加に含まれるパルス数ｎの設定信号が与えら
れている。計算部＠からの電圧印加開始信＄　５ＴＡＲ
Ｔを受けるとパルス発生回路ａ０はＥＮＡ１３ＬＫ信号
を計算部に返送する０又、スイッチ（９）がパルス発生
回路ＯＱ側に切り換わる。ＥＮＡＢＬＥ信号が出力され
ている期間は波高値ＶＳの変更と５ＴＡＲＴ信号の発生
は禁止される。これは電圧パルス印加中にお、いては、
波高値ｖ８の変更をすべきではないし、また現在の電圧
パルスの印加が終了するまでは次の電圧パルス印加の開
始信号５ＴＡＲＴ　ｔ−発するべきではないからである
。５ＴＡＲＴ信号印加後一定時間Ｔ１が経過すると、パ
ルス発生回路ｑＯは波高値がＶＢのｎ個のパルスをスイ
ッチ（９）、リレー網（８）を経てサーマルヘッド（７
）の発熱抵抗体に印加する。パルス電圧の印加が終了し
た後で２時間経過後スイッチ（９）は抵抗計０℃側へ切
り換えられる。

そして更ＫＴ３時間後にはＥＮＡＢＬＥ信号が解除され
て次の電圧印加が可能になる。時間Ｔ３の間に抵抗値の
測定が行われ、その測定結果が計算部（６）へ送られる
。計算部（２）ではＣＰＵＱ４Ｊが測定値を前回の測定
値と比較する。そして、前回の測定値を基準として一定
の範囲内にない場合は接触不良であると判断する。一定
の範囲の設定方法は種々あるが、前回測定値に比してよ
り高い値であるか否か比較するようにするのが最も簡単
な方法である。以下−例としてこの方法の場合を述べる
。

もし、前回の測定値よシも高い値が得られたならば、ｃ
ｐＵ０４はこの測定値を採用せず、ブロービング装置（
６）に対し測定対象のサーマルヘッド（７）への探針の
接触を解き、再接触さるべくリプロープ信号を送出する
。そして抵抗値の再測定が行われる。第１図から理解で
きるように、電圧パルスの印加によって抵抗値が増加す
ることはあり得ないのであって、もし増加することがあ
ればそれは探針（プローブ）の接触不良によるものと考
えられるからである。

この場合の探針の再接触であるが、前と同じ箇所に再接
触したのでは再び接触不良になる可能性がある。そこで
、再接触は藺の箇所ではなく、少し離れた箇所に対して
行う。探針の接触はリード線の先に設けられるパッドと
呼ばれる箇所にされるが、再接触は同一パッド内の少し
離れた位置にする。

抵抗測定値が前回の測定値より低ければＣＰＵα◆はこ
の測定値を採用して調整目標値Ｒ８と比較する。Ｒｏ以
下に達していなければＣＰＵａ養はＥＲＡＢＬＥ信号が
解除された後に、印加する電圧パルスの波高値の設定値
Ｖｓ　ｆΔＶだけ高めてパルス発生回路（１０に与えた
後、次回の電圧パルスの印加のための開始信号５ＴＡＲ
Ｔ　ｔ−発生する。

このようにして、次第に印加電圧パルスの波高値を高め
ながら発熱抵抗体の抵抗値を減少させて行く。抵抗値が
調整目標値Ｒ８以下となれば、その発熱抵抗体の抵抗値
の調整は終了する。

時限Ｔ１．Ｔ２．Ｔ３を設けているのはスイッチ＜９Ｌ
Ｕレー網（８）のチャタリングによる影響を避けるため
である。スイッチ（９）、リレー網（３）が完全に切り
換、ｔらｈる前に、パルス発生回路αＱから電圧パルス
を発生させても、そのパルスはサーマルヘッド（７）に
は印加されない。また、スイッチ（９）　、　！Ｊレー
網（８）が完全に切り換えられる前に抵抗値の測定を行
っても正確な測定はできない。

印加する電圧パルスは、単一パルスで与えても良いが、
むしろ数個のパルスからなるパルス群で与える方が制御
が容易である。電圧パルスのエネルギーは波高値とパル
ス巾Δｔによって規定されるが、これがあまりに大きく
なると発熱抵抗体が破壊される。そこで、電圧パルスの
エネルギーがある程度であって発熱抵抗体を破壊する危
険があるときは電圧パルスの波高値に応じてパルス巾を
減少させるよう調整しなければならない。単一パルスの
パルス巾を調整するよりはむしろ、複数のパルスカラす
るパルス群の各パルスの巾Δｔは一定としておいて、パ
ルス周期Ｔとパルス巾へｔとの比Δｔ／Ｔを波高値の変
化に応じて発熱抵抗体を破壊しない値以下に調整する力
が容易である。あるいは、Δｔ／Ｔを一定としておき、
波高値の変化に応じてパルス群を構成するパルスｌ（ｎ
を変化させても良い。電圧パルスのエネルギーが十分小
さ゛　い場合は単一パルス又はパルス群のいづれで与え
ても良い。

印加する電圧パルスの波高値が低いと抵抗値が減少する
現象は見られなくなる。そこで、抵抗値の減少が期待で
きるような波高値から第１回の電圧パルスの印加は開始
される。第１図のＶ。は第１回の印加電圧パルスの波高
値を示す。

調整目標抵抗値Ｒ８，パルスの飲ｎの変更はキーボード
αＱを使って行われる。調整後の抵抗値及びＣＰＵＱ養
の計算結果はプリンタＱ７）に打ち出される。

第６図は第４図の装置による発熱抵抗体の抵抗値調整方
法のフローチャート図である。

ステップ（１）では波高値Ｖｓ　、パルス数ｎ等のパル
ス条件の初期設定を行う。次いで、ステップ（２）でブ
ロービング装置（６）によるサーマルヘッド（７）への
ブロービングと、リレー網（８）の切換えとを行う。

その後、ステップ（財）１ｇ！３では設定された波高値
をもつｎ個のパルス列を印加し、抵抗値の測定を行う。

今回の測定値と前回の測定値との比較をステップ（ハ）
で行い、前回の測定値より大であればステップ（至）で
再びブロービングを行う。前回測定値より小であれば調
整目標抵抗値Ｒ６との比較をステップ圀で行う。測定値
がＲ８以下であればその発熱抵抗体についての調整は終
了する。Ｒｏ以下になっていなければ、印加電圧パルス
の波高値をΔＶだけ増してパルスを印加する（ステップ
翰）。

このようにして調整は測定値がＲ６以下となるまで原則
として続けられる。ただし中にはパルス電圧をいくら印
加しても抵抗値が減少しない特異な素子もある。又パル
ス発生回路叫が発生しうるパルス電圧の波高値には制限
がある。そこで、抵抗値がＲ８以下とならなくてもパル
ス電圧の印加回数がある一定数に達するとそこで調整を
終了する。ステップ翰はそのために設けられている。

数個の発熱抵抗体を−グループとして抵抗値の測定が行
われることは既に第２図、第３図で述べた〇 一グループのｐｅ１！Ｍが終るとＣＰ　ｒ：Ｉ　Ｑ＜は
平均値。

標準偏差を求めるための演算ΣＲ１ΣＲ２を行う。

そしてプリンタ（１７）は−グループの最大値、平均値
。

最小値が第３図のようにプリントされる。サーマルヘッ
ドの全発熱抵抗について調整が終るとＣＰＵα荀は標準
偏差σを計算する。その結果はプリンタαηに打ち出さ
れる。

第７図は第４図のパルス発生回路αＱの詳細説明図であ
る。図において、■、（至）１輪はフリップフロップ回
路、ｏｎ　、　ｍ　、（６）はタイマ回路、（至）はパ
ルス発生器、（ト）は単安定マルチ回路、（至）はトラ
ンジスタ、（ロ）は電圧電源、（至）は計数器、（至）
は比較器である。

計算部＠から開始信号５ＴＡＲＴ信号を受けると、フリ
ップフロップ回路■、＠３はセットされる。フリップフ
ロップ回路（７）からは計算部へＥＮＡＢＬＥ信号が送
られる。ＥＮＡＢＬＥ信号が継続している間は波高値信
号ｖ８の変更と、５ＴＡＲＴ信号の発生は禁止すれる。

フリップフロップ回路（転）の出力によりスイッチ（９
）のコイル（９１）が通電し、接点（ｇ２）ｙ（９３ン
が図とは反対側に切替えられる。フリップフロップ回路
（１）がセットされてからＴ１時間後にタイマ回路（財
）は出力する。これによｆ）クリップフロップ回路（イ
）がセットされるとゲート（ロ）が開かれ、パルス発生
器（至）の発生したパルスが単安定マルチ回路（７）に
与えられる。単安定マルチ回路（７）はパルス発生器（
至）のパルス巾を所望のパルス巾Δｔをもつパルスに整
形する。Δｔは単安定マルチ回路缶中の抵抗とコンデン
サによって定められる。第８図にパルス哨生器（至）の
出力パルス波形とＪ４Ｌ安定マルチ回路（至）の出力波
形を示す。

単安定マルチ回路（至）のパルスにより、トランジスタ
（７）のゲートドライブ電流が供給されてトランジスタ
（至）はパルスが存在する期間ΔｔはＣ１Ｍ状態となる
。トランジスタ（至）がＯＮ状態の期間に電圧電源（２
）の出力電圧がスイッチ（９）の接点（９ｚ）、（９ｓ
）、リレー網（３）を経てサンプルに印加される。電圧
電源（ロ）の波高値は計算部＠からの波高値信号ｖ８に
よって決定されている。

ゲートｅ４を通過するパルスはカウンタ＠によって計数
される。カウンタ（至）の計数値は比較器（至）によっ
て計算部（２）から与えられる数ｎと比較される。

計数値がｎに達すると比較器（至）の出力によりフリッ
プフロップ回路に）をリセットする０これによりゲート
曽は閉じられ、サンプルへの１回のパルス電圧の印加が
終了する。

比較器■の出力はタイマ回［ｆ）にも与えられる。

時限Ｔ２後にタイマ回路（ト）は出力し、これによって
７リツプフロツプ（財）はリセットされ、スイッチ（旬
は抵抗計測に切換えられる。スイッチ（９）が切換えら
れると、接点（９ｚ）、（９３）は図示の位置に切換え
られ、抵抗計αηによってサンプルの発熱抵抗体の抵抗
値が測定される。

タイマ回路■が出力してから７３時間経過するとタイマ
回路（ロ）が出力し、それにより７リツプフロツプ回路
−がリセットされθ端子出力は１〃レベルとなり、　Ｅ
ＮＡＢＬＥ信号は消滅する。とれにより次の電圧パルス
の印加力；可能になる。

本発明による抵抗値の変化の実験結果の一例を示すと、
本発明を実施しない場合は絶対値で±２０チ、標準偏差
σが５．６％であるのに対し、本発明を実施すると絶対
値で土３チ、標準偏差がｏ、４％になる等大幅に抵抗値
のばらつきが改善された。これによってサーマルヘッド
の印字の濃度ムラをほとんどなくすることができた。

発明者等は抵抗値の調整のために印加する電圧パルスの
波高値の初期設定値（第１図Ｖ。〕を欽十ｖ１印加パル
ス電圧の１回毎の増加分ΔＶを１ｖないし敗Ｖ、１回の
電圧印加に含まれるパルス波ｎ１ｌｏ〜２０．　　ユ個
のパルス巾Δｔを１μないし数μ秒、パルス間隔を数十
−秒として発熱体の抵抗値の調整を行った。

時限Ｔ１．Ｔ３は１０ｍ秒前後に１時限Ｔ２は＆ｍ秒に
設定して、発明者等は抵抗値の調整を行った。

抵抗値の調整に用いるパラメータの具体的な数値は以上
て述べた一例に限られるものではなく、この発明の効果
を奏する範囲内で種々の数値をとりうることは言うまで
もない。

第６図のステップ（ハ）においては前回の抵抗測定値と
大小比較を行っているが、これに代えて前回の抵抗測定
値に比して一定の範囲内、例えば０．９〜１．０倍の範
囲内にあるか否かを確認し、この範囲内圧ないときは抵
抗値の再測定をするようにしても良い。

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置の一例を第４
図、第７図に示したが、この発明はこれらに限られない
。

パルス電圧の波高値７８とパルス数ｎを計算部＠からパ
ルス発生回路αＱに自動的に与えているが、これらを手
動操作にて設定するようにする事もできる。それは、パ
ルス発生回路に波高値ｖ８とパルス数ｎを設定するスイ
ッチを設ける仁とによって容易に実施できる。又計算部
（２）からの自動設定と手動操作の両者を併用しても良
い。

スイッチ（９）はａｇ７図の例ではコイル（９１）に通
電して接点（９２）、（９３）を駆動するリレーである
が、これに代えてサイリスタスイッチを用いることも可
能である。

〔発明の効果〕

この発明に係るサーマルヘッドの製造方法は、電圧パル
スを発熱抵抗体に印加して抵抗値を減少させるようにし
たので、サーマルヘッドの発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
きを少なくして、サーマルヘッドの印字濃度のむらを著
しく減少させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造方法の原
理説明図、第２図、第３図はこの発明に　　□係るサー
マルヘッドの製造方法を実施しない場合と、実施した場
合の抵抗値の分布を示す図、＃！４図はこの発明に係る
サーマルヘッドの製造方法を実施する装置の一実施例を
示す構成図、第５図は第４図の主要部の波形図、１ＩＸ
６図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造方法の一実
施手順を示す膜構成図、第１０図は感熱記録装置におけ
るサーマルヘッドの使用状態を説明する図、第１ユ図は
一般的なサーマルヘッドにおける抵抗値の分布の一例を
示す図である。 図において、（１）は絶縁基板、（２）はリード線、（
３）は発熱抵抗素子、（６）はブロービング装置、（７
）はサーマルヘッド、（３）ハリレー網、（９）ハスイ
ッチ、αＱはパルス発生回路、（ロ）は抵抗計、（２）
は計算部、（１４）はＣＰＵ１ｅ（１）、（６）、−は
タイマ回路、に）はパルス発生器、（至）は単安定マル
チ回路、□□□は電圧電源、■は計数器、翰は比較器で
ある。 なお、各図中の同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）サーマルヘッドの発熱抵抗体に電圧パルスを印加
   した後に前記発熱抵抗体の抵抗値を測定し、抵抗値が所
   定値以上であれば、再度電圧パルスを印加することを特
   徴とするサーマルヘッドの製造方法。
2. （２）電圧パルスが単一のパルスであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載のサーマルヘッドの製造方
   法。
3. （３）電圧パルスが複数のパルスからなるパルス群であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーマ
   ルヘッドの製造方法。