JPS63164211A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に配線層の
形成方法に関する。

（従来の技術） 従来は第２図に示す如くシリコン基板１に基板と反対導
電型の拡散領域２．及び能動素子を形成したあとにそれ
らを被覆する５ｉ０１膜３を形成する。そのあと、拡散
領域２と配線層を接続するコンタクト孔４を作る。（第
２図ａ） 次に、全面に配線層となるアルミニウムあるいはアルミ
ニウム合金を被着しく第２図ｂ）、配線層をＰＥＰ工程
によりパターン形成、保護用Ｓｉｎ。

膜を被着したあとシンターあるいは加熱処理を行う。こ
のような従来技術は広く公知となっている。

このような従来一般の方法で形成された配線にあっては
配線層と拡散層の接続部分において配線層内のアルミニ
ウムと拡散領域内のシリコンの共晶化が進み、拡散層か
ら配線層中へシリコンが。

配線層から拡散層中へアルミニウムが拡散移動する。こ
の共晶反応が進むと接続部分が細り、信頼性の低下をき
たしついには接続不良が起る。

（発明が解決しようとする問題点） 配線層内のアルミニウムと拡散領域内のシリコンの共晶
化を抑えその結果として起る接続部分の細りを防いで信
頼性の低下を防止すること。

〔発明の構成〕

Ｃ問題点を解決するための手段） コンタクト孔を形成したあと被着すべき配線層のアルミ
ニウムあるいはアルミニウム合金を全量被着することな
く一部分、例えば５割を被着しその直後にシンターを行
う。更にそのあと残りのアルミニウムあるいはアルミニ
ウム合金を被着し。

つづいて配線層のパターン形成、保護用５ｆＯ１膜被着
を行う。

（作用） シンタあるいは加熱処理を行う時点で配線層は一部分し
か被着されていず薄い状態である。拡散層のシリコンと
配線層のアルミニウムとの共晶反応は配線層が薄いがた
めに接続部分に不良を起すほどには進まない。またシン
ターあるいは加熱処理の目的である電気的接続を良くす
る作用は配線層の厚さに影響゛をうけない。

（実施例） 第１図ａのシリコン基板１に拡散領域２．ｓｉｏ。

被覆膜３の開孔部分４の形成が終ったあとに第１図すに
示すようにアルミニウム配線層を一部分（６）全厚さ８
０００Ａのうち４０００Ａを被着しそのあとシンター処
理としてフォーミングガス中４５０℃で３０分の熱処理
を行う。

それに続いて配線層の残り（７）　４０００　Ａを被着
する。なお以上の工程において熱処理におけるヒロック
成長防止のために最初に一部分被着された配線層上にチ
タンその他のメタル層を形成することもある。またに２
回目の配線層被着の前に第１゜第２配線層の電気的接続
を良くするためにスパッタその他により第１配線層の清
浄化を図ることもある。

第２の配線層の被着のあとＰＥＰ工程により第１層及び
第２層の配線層をまとめて同一のパターン形成を行う。

（第１図Ｃ） 以下のＬＳＩ工程は配線パターン、シンターの終了した
後の通常工程と同じである。

以上の実施例では配線層＋６１　（７１としてアルミニ
ウム膜を用いたが、Ａ−を合金、例えばＳｉ、Ｃｕを微
量に含んだ紅膜でもよい。

〔発明の効果〕

本発明によれば以上説明した様に共晶反応を押え、配線
の信頼性向上を図ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の製造方法の工程図、第２図は従来例を
説明する図である。 図中、１・・・シリコン基板、２・・・拡散領域、３・
・・ＳｔＯ，被覆膜、４・・・接続孔、５・・・通常工
程での配線層、６，７・・・配線層。 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 同　　　　竹　花　喜久男

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に配線層をアルミニウムあるいはアルミニ
   ウム合金で形成する半導体装置において、該アルミニウ
   ムあるいはアルミニウム合金を半導体基板に被着する際
   に、全被着量の一部分を被着した後シンターを行い後に
   残りのアルミニウムあるいはアルミニウム合金を付着す
   ることを特徴とする半導体装置の製造方法。