JPS6236842A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6236842A JPS6236842A JP17498285A JP17498285A JPS6236842A JP S6236842 A JPS6236842 A JP S6236842A JP 17498285 A JP17498285 A JP 17498285A JP 17498285 A JP17498285 A JP 17498285A JP S6236842 A JPS6236842 A JP S6236842A
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- JP
- Japan
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- aluminum
- film
- layer
- alumina
- resist
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、完成された
半導体装置の平坦性を向上させるようにしたものである
。
半導体装置の平坦性を向上させるようにしたものである
。
従来、この種の半導体装置の製造方法によって製造され
た半導体装置として第５図に示すものが知られている。
た半導体装置として第５図に示すものが知られている。
第５図に示す半導体装置は通常の多層配線構造のもので
あり、符号１はシリコン基板、２は該基板上に形成され
たシリコン酸化膜を示すものである。このシリコン酸化
膜２上には、１層目の配線として、アルミ合金膜３より
なるアルミ配線が形成され、層間絶縁膜６として、プラ
ズマ窒化膜（ＳｔｓＮ４）が被着され、さらに２層目の
配線として、アルミ合金膜７よりなるアルミ配線が形成
されている。
あり、符号１はシリコン基板、２は該基板上に形成され
たシリコン酸化膜を示すものである。このシリコン酸化
膜２上には、１層目の配線として、アルミ合金膜３より
なるアルミ配線が形成され、層間絶縁膜６として、プラ
ズマ窒化膜（ＳｔｓＮ４）が被着され、さらに２層目の
配線として、アルミ合金膜７よりなるアルミ配線が形成
されている。
従来の製造方法によって製造された半導体装置の多層配
線構造は第５図に示すように、上方はど段差が激しくな
り、それが原因となって、アルミ合金膜７よりなる２層
目のアルミ配線に断線を生ずることがあった。
線構造は第５図に示すように、上方はど段差が激しくな
り、それが原因となって、アルミ合金膜７よりなる２層
目のアルミ配線に断線を生ずることがあった。
この発明は上記の問題点を解消するためになされたもの
で、半導体装置のアルミ配線とその近傍における段差を
少なくし、この段差によって生ずる、アルミ配線上に施
された２層目のアルミ配線の断線等をなくするようにし
た半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
で、半導体装置のアルミ配線とその近傍における段差を
少なくし、この段差によって生ずる、アルミ配線上に施
された２層目のアルミ配線の断線等をなくするようにし
た半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、アルミ配線を
形成するためのエツチング時に、該アルミ配線部分以外
のアルミ部をわずかに残し、この残されたアルミ部分を
水との化学反応で水和性のアルミナにするものである。
形成するためのエツチング時に、該アルミ配線部分以外
のアルミ部をわずかに残し、この残されたアルミ部分を
水との化学反応で水和性のアルミナにするものである。
この発明においては、アルミ配線を形成するためのエツ
チング時に、該アルミ配線部分以外のアルミ部をわずか
に残し、この残されたアルミ部分を水との化学反応で水
和性のアルミナにするので、この水和性のアルミナによ
り、アルミ配線のある部分とない部分との段差が少なく
なる。
チング時に、該アルミ配線部分以外のアルミ部をわずか
に残し、この残されたアルミ部分を水との化学反応で水
和性のアルミナにするので、この水和性のアルミナによ
り、アルミ配線のある部分とない部分との段差が少なく
なる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図乃至第４図はこの発明の半導体装置の製造方法におけ
る各工程を示すものである。まず、第２図に示すように
、シリコン基板１上に形成したシリコン酸化膜２の上に
アルミ合金膜３を形成し、レジスト４を塗布してバター
ニングを施す。
図乃至第４図はこの発明の半導体装置の製造方法におけ
る各工程を示すものである。まず、第２図に示すように
、シリコン基板１上に形成したシリコン酸化膜２の上に
アルミ合金膜３を形成し、レジスト４を塗布してバター
ニングを施す。
次に、レジスト４で覆われていないアルミ合金膜３をエ
ツチングする。このエツチングのときに第３図にも示す
ように、アルミ合金膜３の一部を残すようにする。この
ように処理されたシリコン基板１を４０℃以上の温水に
浸す。これにより、上記レジスト４で覆われていない部
分、即ちエツチング時に残したアルミ合金膜３が水と反
応し、第４図に示すアルミナ層５が形成される。前述の
エツチング時に残したアルミ合金膜３の膜厚は、上記の
工程により全てがアルミナ（アルミナ層５）となり、ア
ルミ（アルミ合金膜３）が最終的に残らないような厚さ
とする。
ツチングする。このエツチングのときに第３図にも示す
ように、アルミ合金膜３の一部を残すようにする。この
ように処理されたシリコン基板１を４０℃以上の温水に
浸す。これにより、上記レジスト４で覆われていない部
分、即ちエツチング時に残したアルミ合金膜３が水と反
応し、第４図に示すアルミナ層５が形成される。前述の
エツチング時に残したアルミ合金膜３の膜厚は、上記の
工程により全てがアルミナ（アルミナ層５）となり、ア
ルミ（アルミ合金膜３）が最終的に残らないような厚さ
とする。
上記のようにして、アルミナ層５が形成された後、レジ
スト４を除失すると、上記アルミ合金膜３により形成さ
れたアルミ配線の部分と上記アルミナ層５の部分とは略
々平坦になり、これらのアルミ配線及びアルミナ層５の
上に層間絶縁膜（Ｓｉ、Ｎ４） ６を被着させた場合に
は、該眉間絶縁膜の段差が減少し、第１図にも示すよう
に眉間絶縁膜６上に形成されたアルミ合金膜７よりなる
２層目のアルミ配線の段差も軽減され、平坦度が高くな
る。
スト４を除失すると、上記アルミ合金膜３により形成さ
れたアルミ配線の部分と上記アルミナ層５の部分とは略
々平坦になり、これらのアルミ配線及びアルミナ層５の
上に層間絶縁膜（Ｓｉ、Ｎ４） ６を被着させた場合に
は、該眉間絶縁膜の段差が減少し、第１図にも示すよう
に眉間絶縁膜６上に形成されたアルミ合金膜７よりなる
２層目のアルミ配線の段差も軽減され、平坦度が高くな
る。
なお、上記実施例では、この発明を平坦化の効果が顕著
に現れる多層配線構造の半導体装置の製造方法に適用し
た場合について説明したが、この発明が１層配線構造の
通常のシリコン半導体素子全般に適用できることは勿論
である。
に現れる多層配線構造の半導体装置の製造方法に適用し
た場合について説明したが、この発明が１層配線構造の
通常のシリコン半導体素子全般に適用できることは勿論
である。
この発明は以上ｔ２明したとおり、アルミ配線を形成す
るためのエツチング時に、該アルミ配線部分以外のアル
ミ部をわずかに残し、この残されたアルミ部分を水との
化学反応により水和性のアルミナ（アルミナ層）に変化
するので、このアルミナ層の形成により、該アルミナ層
の上に形成される２層目のアルミ配線となるアルミ合金
膜の段差が軽減され、その結果２層目のアルミ配線の断
線を少なくすることができ、信頼性を向上させることが
できるという効果がある。
るためのエツチング時に、該アルミ配線部分以外のアル
ミ部をわずかに残し、この残されたアルミ部分を水との
化学反応により水和性のアルミナ（アルミナ層）に変化
するので、このアルミナ層の形成により、該アルミナ層
の上に形成される２層目のアルミ配線となるアルミ合金
膜の段差が軽減され、その結果２層目のアルミ配線の断
線を少なくすることができ、信頼性を向上させることが
できるという効果がある。
第１図乃至第４図はこの発明の一実施例を説明するため
の半導体装置の製造工程における半導体装置の断面図、
第５図は従来の製造方法によって製造された半導体装置
の断面図である。 １：シリコン基板、２：シリコン酸化膜、３ニアルミ合
金膜、４ニレジスト、５：アルミナ層、６；層間絶縁膜
、７：アルミ合金膜Ｏ なお、図中同一符号は同−又は相当部を示すものとする
。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 −へ ｎぐ００ト
の半導体装置の製造工程における半導体装置の断面図、
第５図は従来の製造方法によって製造された半導体装置
の断面図である。 １：シリコン基板、２：シリコン酸化膜、３ニアルミ合
金膜、４ニレジスト、５：アルミナ層、６；層間絶縁膜
、７：アルミ合金膜Ｏ なお、図中同一符号は同−又は相当部を示すものとする
。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 −へ ｎぐ００ト
Claims (1)
- アルミ配線を形成するためのエッチング時に、該アルミ
配線部分以外のアルミ部をわずかに残し、この残された
アルミ部分を水との化学反応により水和性のアルミナに
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17498285A JPS6236842A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17498285A JPS6236842A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236842A true JPS6236842A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=15988148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17498285A Pending JPS6236842A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236842A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63207152A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558550A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS58216442A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-16 | Fujitsu Ltd | アルミニウム配線の形成方法 |
-
1985
- 1985-08-10 JP JP17498285A patent/JPS6236842A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558550A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS58216442A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-16 | Fujitsu Ltd | アルミニウム配線の形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63207152A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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