JPH0334324A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0334324A JPH0334324A JP16949189A JP16949189A JPH0334324A JP H0334324 A JPH0334324 A JP H0334324A JP 16949189 A JP16949189 A JP 16949189A JP 16949189 A JP16949189 A JP 16949189A JP H0334324 A JPH0334324 A JP H0334324A
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に金配線の形
成方法に関する。
成方法に関する。
従来、金配線の形成に際し、密着用およびバリア用メタ
ルとしての金属、例えばＴｉとＰｔからなる２府膜をリ
フトオフプロセスで形成した後、フォトレジスト（ＰＲ
）工程を用いた選択メッキにより金配線を形成するとい
う方法が用いられている。
ルとしての金属、例えばＴｉとＰｔからなる２府膜をリ
フトオフプロセスで形成した後、フォトレジスト（ＰＲ
）工程を用いた選択メッキにより金配線を形成するとい
う方法が用いられている。
また、金メッキとドライエツチングを用いて金配線を形
成する方法もある。以下、図面を参照して説明する。
成する方法もある。以下、図面を参照して説明する。
まず、第３ｉ％（ａ）に示ずように、絶縁膜３１上に密
着用およびバリヤ用のチタン・タングステン膜３２をス
パッタにより被着した後、金メッキ液の保護膜用の金膜
３３をスパッタにより被着する。さらにＰＲ工程を用い
て選択メッキにより金３４を形成する。次に第３図（ｂ
）に示すように、メッキ金３４をマスクにして金膜３３
とチタン・タングステン膜３２をドライエツチングによ
りエツチングし、金配線の形成を完了する。
着用およびバリヤ用のチタン・タングステン膜３２をス
パッタにより被着した後、金メッキ液の保護膜用の金膜
３３をスパッタにより被着する。さらにＰＲ工程を用い
て選択メッキにより金３４を形成する。次に第３図（ｂ
）に示すように、メッキ金３４をマスクにして金膜３３
とチタン・タングステン膜３２をドライエツチングによ
りエツチングし、金配線の形成を完了する。
上述したリフトオフプロセスと金メッキによる方法は、
リフトオフ時Ｔｉ、ＰＬ膜にヒゲが発生することがある
ため、ショート不良をおこし微測金配線形成は困難であ
る。
リフトオフ時Ｔｉ、ＰＬ膜にヒゲが発生することがある
ため、ショート不良をおこし微測金配線形成は困難であ
る。
一方、金メッキとドライエツチングを用いた方法は、最
終的に配線となるメッキ金３４をマスクとしているので
、メッキ金３４とチタン・タングステン膜３２をドライ
エツチングする際同時にメッキ金３４もエツチングされ
、金配線の膜減りや配線幅縮少が問題となる。また、チ
タン・タングステン膜３２のエツチング時、および下地
の絶縁ｊ模３１をオーバーエツチング時に、メッキ金３
４よりエツチングされた飛沫金粒子がチタン・タングス
テン膜３２上や絶縁膜３１七に付着し、この金粒子がマ
スクとなり下地のあれ３５が発生することがある。
終的に配線となるメッキ金３４をマスクとしているので
、メッキ金３４とチタン・タングステン膜３２をドライ
エツチングする際同時にメッキ金３４もエツチングされ
、金配線の膜減りや配線幅縮少が問題となる。また、チ
タン・タングステン膜３２のエツチング時、および下地
の絶縁ｊ模３１をオーバーエツチング時に、メッキ金３
４よりエツチングされた飛沫金粒子がチタン・タングス
テン膜３２上や絶縁膜３１七に付着し、この金粒子がマ
スクとなり下地のあれ３５が発生することがある。
本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に金配線を
形成する半導体装置の製造方法において、絶縁膜上に第
１の高融点金属膜を被着し、次いて金膜をスパッタ法に
より被着し、さらにフォトレジスト工程を用いた選択メ
ッキ法により金をメッキした後、このメッキ金玉にのみ
に第２の高融点金属膜を形成し、次いで前記第１と第２
の高融点金属膜がエツチングされないガス系で金膜をエ
ツチング除去し、次に第１と第２の高融点金属膜をエツ
チングするものである。
形成する半導体装置の製造方法において、絶縁膜上に第
１の高融点金属膜を被着し、次いて金膜をスパッタ法に
より被着し、さらにフォトレジスト工程を用いた選択メ
ッキ法により金をメッキした後、このメッキ金玉にのみ
に第２の高融点金属膜を形成し、次いで前記第１と第２
の高融点金属膜がエツチングされないガス系で金膜をエ
ツチング除去し、次に第１と第２の高融点金属膜をエツ
チングするものである。
次に、本発明について図面を参照してＲＩ２明する。
第１目（ａ）乃至（ｅ）は本発明の第１σ）実施例を示
した半導体チップの断面図である。
した半導体チップの断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、シリコン窒化膜等か
らなる絶縁膜１１上に密着用およびバリヤ川のチタン・
タングステン膜１２をスパッタにより被着した後、金メ
ツー￥−液の保訴膜用の金膜１３をスパッタにより被着
する。さらに、ＰＲ工程を用いた選択メッキによりメッ
キ金１４を形成する。
らなる絶縁膜１１上に密着用およびバリヤ川のチタン・
タングステン膜１２をスパッタにより被着した後、金メ
ツー￥−液の保訴膜用の金膜１３をスパッタにより被着
する。さらに、ＰＲ工程を用いた選択メッキによりメッ
キ金１４を形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、再びチタン・タングス
テン膜１５をスパッタにより被着する。
テン膜１５をスパッタにより被着する。
この時チタン・タングステン膜１５の膜厚はチタン・タ
ングステン［１２より厚くする。さらに、メッキ金１４
の上にフォトレジスト１６をパターニングする。
ングステン［１２より厚くする。さらに、メッキ金１４
の上にフォトレジスト１６をパターニングする。
次に第１図（Ｃ）に示すように、Ｈ２Ｏ２を使用するウ
ェットエツチング法によりチタン・タングステン膜１５
をエツチングした後、フォトレジストを除去する。
ェットエツチング法によりチタン・タングステン膜１５
をエツチングした後、フォトレジストを除去する。
次に第１図（ｄ）に示すように、マグネトｌコン型のり
アクティブ・イオン・エツチング装置によって、金膜１
３とチタン・タングステンを２ステツプエツチによりエ
ツチングする。まず、金膜１３のみをＡｒ＋０２ガスに
よりエツチングする。このガス系の時、チタン・タング
ステン膜１２はほとんどエツチングされない。
アクティブ・イオン・エツチング装置によって、金膜１
３とチタン・タングステンを２ステツプエツチによりエ
ツチングする。まず、金膜１３のみをＡｒ＋０２ガスに
よりエツチングする。このガス系の時、チタン・タング
ステン膜１２はほとんどエツチングされない。
次に第１図（ｅ）に示すように、＾ｒ＋ＳＦ６等の反応
性の強いガス系によりチタン・タングステン膜１２と１
５をエツチングしていき、チタン・タングステン膜１５
がなくなったところでエツチングを終了させ金配線を完
成させる。この時、チタンタングステン膜１２はチタン
・タングステン膜１５より薄いので残渣が残ることはな
く、下地のあれも発生しない。
性の強いガス系によりチタン・タングステン膜１２と１
５をエツチングしていき、チタン・タングステン膜１５
がなくなったところでエツチングを終了させ金配線を完
成させる。この時、チタンタングステン膜１２はチタン
・タングステン膜１５より薄いので残渣が残ることはな
く、下地のあれも発生しない。
第２図（ａ）乃至（ｅ）ζ１本発明の第２の実施例を示
した半導体チップの断面図である。
した半導体チップの断面図である。
まず第２図（ａ）に示すように、第１の実施例と同様に
、絶縁膜２１士にチタン・タングステン膜２２．金膜２
３．メッキ金２４を形成する。
、絶縁膜２１士にチタン・タングステン膜２２．金膜２
３．メッキ金２４を形成する。
次に第２図（ｂ）に示すように、選択ＣＶＤ法によりメ
ッキ金２４上にタングステン膜２６を形成したのち、第
２図（ｃ）に示すように、フォトレジストを除去する。
ッキ金２４上にタングステン膜２６を形成したのち、第
２図（ｃ）に示すように、フォトレジストを除去する。
次に第２図（ｄ）に示すように、タングステン１１ｆｉ
２６をマスクに金［２３のみをドライエツチングする。
２６をマスクに金［２３のみをドライエツチングする。
さらに第２図（ｅ）に示すように、チタン・タングステ
ン膜２２の方が先にエツチング終了する様な条件でタン
グステン膜２６とチタン・タングステン膜２２をエツチ
ングしていき、タンゲステン膜２６がちょうど除去され
たところでエツチングを終了させ金配線を完了させる。
ン膜２２の方が先にエツチング終了する様な条件でタン
グステン膜２６とチタン・タングステン膜２２をエツチ
ングしていき、タンゲステン膜２６がちょうど除去され
たところでエツチングを終了させ金配線を完了させる。
以上説明したように本発明は、スパッタ金と第１の高融
点金属膜のエツチング中にメッキ金がエツチングされな
いように、メッキ金玉に第２の高融点金属膜を形成する
ことにより、金配線の膜減りや配線輻の縮少やド地のあ
れのない微細な金配線を形成できる効果がある。
点金属膜のエツチング中にメッキ金がエツチングされな
いように、メッキ金玉に第２の高融点金属膜を形成する
ことにより、金配線の膜減りや配線輻の縮少やド地のあ
れのない微細な金配線を形成できる効果がある。
第１図（ａ）乃至（ｅ）及び第２図（ａ）乃芋（ｅ）は
本発明の第１及び第２の実施例を説明するための半導体
チップの断面図、第３図（ａ）乃至（ｂ）は従来例を説
明するための半導体チップの断面図である。 １１．２１．３１・・・絶縁膜、１２．１５．２２゜３
２・・・チタン・タングステン膜、１３．２３゜３３・
・・金膜、１４，２４．３４・・・メッキ金、１６゜２
５・・・フォトレジスト、２６・・・タングステン膜、
５・・・下地のあれ。
本発明の第１及び第２の実施例を説明するための半導体
チップの断面図、第３図（ａ）乃至（ｂ）は従来例を説
明するための半導体チップの断面図である。 １１．２１．３１・・・絶縁膜、１２．１５．２２゜３
２・・・チタン・タングステン膜、１３．２３゜３３・
・・金膜、１４，２４．３４・・・メッキ金、１６゜２
５・・・フォトレジスト、２６・・・タングステン膜、
５・・・下地のあれ。
Claims (1)
- 絶縁膜上に金配線を形成する半導体装置の製造方法にお
いて、絶縁膜上に第１の高融点金属膜を被着し、次いで
金膜をスパッタ法により被着し、さらにフォトレジスト
工程を用いた選択メッキ法により金をメッキした後、こ
のメッキ金上にのみに第２の高融点金属膜を形成し、次
いで前記第１と第２の高融点金属膜がエッチングされな
いガス系で金膜をエッチング除去し、次に第１と第２の
高融点金属膜をエッチングすることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16949189A JPH0334324A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16949189A JPH0334324A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334324A true JPH0334324A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15887514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16949189A Pending JPH0334324A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334324A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0559182A3 (ja) * | 1992-03-03 | 1995-05-10 | Sumitomo Electric Industries |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014453A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | Fujitsu Ltd | 金属層パタ−ンの形成方法 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP16949189A patent/JPH0334324A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014453A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | Fujitsu Ltd | 金属層パタ−ンの形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0559182A3 (ja) * | 1992-03-03 | 1995-05-10 | Sumitomo Electric Industries |
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