JPH0285378A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法Info
- Publication number
- JPH0285378A JPH0285378A JP23644588A JP23644588A JPH0285378A JP H0285378 A JPH0285378 A JP H0285378A JP 23644588 A JP23644588 A JP 23644588A JP 23644588 A JP23644588 A JP 23644588A JP H0285378 A JPH0285378 A JP H0285378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- temperature
- plasma
- plasma etching
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマエツチング方法に係り、特に半導体
素子基板（以下、ウェハと略）等の試料をプラズマエヴ
チングするのに好適なプラズマエツチング方法に関する
ものである。
素子基板（以下、ウェハと略）等の試料をプラズマエヴ
チングするのに好適なプラズマエツチング方法に関する
ものである。
従来のプラズマ処理技術としては、例えば、特開昭５７
−６６６４２号公報に記載のようにプラズマ発生処理室
の試料台に温度制御！ｉ！を取り付け、エツチング中の
試料温度を所定温度に制御するようにしたものが、知ら
れている。
−６６６４２号公報に記載のようにプラズマ発生処理室
の試料台に温度制御！ｉ！を取り付け、エツチング中の
試料温度を所定温度に制御するようにしたものが、知ら
れている。
上記従来技術はプラズマ放電前の試料温度の点について
配慮がされておらず、 ｌ）レジスト中の水分が影響し、加工形状、腐食等のプ
ロセス不良を起す。
配慮がされておらず、 ｌ）レジスト中の水分が影響し、加工形状、腐食等のプ
ロセス不良を起す。
２）プラズマ放電中における試料濃度が初期と後期で極
端に異なるため、エツチング浅漬が発生する。
端に異なるため、エツチング浅漬が発生する。
等の問題があった。
本発明の主な目的は、特に上記２〉の問題を解決できる
プラズマエツチング方法を提供することにある。
プラズマエツチング方法を提供することにある。
上記目的は、エツチング浅漬こ予め試料温度を所定４度
に昇温することにより、達成される。
に昇温することにより、達成される。
試料加温手段により処理訂の試料を処理中と略等温度に
昇温させる、。それによって試料はプラズマ放電中と同
じ温度となるので、放電開始前後の試料温度経時変化が
なくなるので、エツチング残漬が発生しない。また、ニ
ーｌチング前に昇温する二とによりレジストの水分を無
くするため、レジストに含まれる水分の影響を受けるこ
とな畷エヅチシグすることができる。
昇温させる、。それによって試料はプラズマ放電中と同
じ温度となるので、放電開始前後の試料温度経時変化が
なくなるので、エツチング残漬が発生しない。また、ニ
ーｌチング前に昇温する二とによりレジストの水分を無
くするため、レジストに含まれる水分の影響を受けるこ
とな畷エヅチシグすることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、気密保持可能な処理室ｌの内部に、上部電極
３．下Ｓｔ極５が設けられ、下部電＆５に高周波電源７
が接続されている。下部電極５は試料台を兼ねており、
上面にエツチング試料のウェハ４が載置される。処理室
１には図示しないガス供給用の導入口が設けられ、底部
に設けられた排気口９は真空排気装置に連結されている
。処理室１の前後に、二の場合、予備室として処理室前
室２．処理室後室が設けられている。処理室前室２には
ウェハ４を載置することのできるウニ１１加熱機構６が
設けられている。
３．下Ｓｔ極５が設けられ、下部電＆５に高周波電源７
が接続されている。下部電極５は試料台を兼ねており、
上面にエツチング試料のウェハ４が載置される。処理室
１には図示しないガス供給用の導入口が設けられ、底部
に設けられた排気口９は真空排気装置に連結されている
。処理室１の前後に、二の場合、予備室として処理室前
室２．処理室後室が設けられている。処理室前室２には
ウェハ４を載置することのできるウニ１１加熱機構６が
設けられている。
第１図で、ウェハ４は処理室Ｈ宣２のウエノ１加熱板８
の上に載置され、所定の温度（例えば、エツチング中の
ウェハ温度）までウェハ加熱機構６により大気圧又は減
圧下で昇温される。その後下部電極５に載置され、ガス
導入と同時に排気口８から排気して内部ガス圧を一定に
保ちながら、下部電極５に高周波を印加してプラズマを
発生させる。発生後プラズマはつ、ハ４の表面に接触し
、該表面のＡｌｌ、 ｐｏｌｙ−８ｉ等がエツチングさ
れる。
の上に載置され、所定の温度（例えば、エツチング中の
ウェハ温度）までウェハ加熱機構６により大気圧又は減
圧下で昇温される。その後下部電極５に載置され、ガス
導入と同時に排気口８から排気して内部ガス圧を一定に
保ちながら、下部電極５に高周波を印加してプラズマを
発生させる。発生後プラズマはつ、ハ４の表面に接触し
、該表面のＡｌｌ、 ｐｏｌｙ−８ｉ等がエツチングさ
れる。
本実施例によればプラズマ放電初期と後期（放電停止直
！ｆｆ）のウェハ温度変化を無くすることができる。従
つて、エツチング残渣の発生を防止できる。また、ウェ
ハがし９ストを有する場合は、レジストの水分を無くす
ことができるため、レジストに含まれる水分の影響が無
くなり加工形状。
！ｆｆ）のウェハ温度変化を無くすることができる。従
つて、エツチング残渣の発生を防止できる。また、ウェ
ハがし９ストを有する場合は、レジストの水分を無くす
ことができるため、レジストに含まれる水分の影響が無
くなり加工形状。
腐食等のプロセス不良の発生を防止できる。
なお、上記した実施例において平行平板型のプラズマ発
生用電極を備えたもののみについて説明したが、この発
明はこれに限定されたものではなく、例えば、マイクロ
波放電等の装置にも適用できる。
生用電極を備えたもののみについて説明したが、この発
明はこれに限定されたものではなく、例えば、マイクロ
波放電等の装置にも適用できる。
本発明によれば、プラズマ放電初期と後期の試料温度差
を無曵することができるので、エツチング残渣の発生を
防止できる効果がある。
を無曵することができるので、エツチング残渣の発生を
防止できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のプラズマニーｖＰングｇＬ
ｌの要部縦断面図である。 １・・・・・・処理室、２・・・・・・処理室前室、３
・・・・・・上部電極、４・・・・・・ウェハ、５・・
・・・・下部電極、６・・・・・・ウェハ加熱機構、７
・・・・・・高周波電源、８・・・・・・クエ／）加熱
板、９・・・・・・排気口 オｌ圀
ｌの要部縦断面図である。 １・・・・・・処理室、２・・・・・・処理室前室、３
・・・・・・上部電極、４・・・・・・ウェハ、５・・
・・・・下部電極、６・・・・・・ウェハ加熱機構、７
・・・・・・高周波電源、８・・・・・・クエ／）加熱
板、９・・・・・・排気口 オｌ圀
Claims (1)
- １、プラズマエッチング中の試料の温度と略等温度に前
記試料をプラズマエツチング前に予め加温することを特
徴とするプラズマエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23644588A JPH0285378A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23644588A JPH0285378A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | プラズマエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0285378A true JPH0285378A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=17000856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23644588A Pending JPH0285378A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0285378A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5210579A (en) * | 1990-11-30 | 1993-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image fixing apparatus having a parting resin layer for reducing frictional resistance of the film through which the image is heated |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544571A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Nec Corp | Plasma treating apparatus |
| JPS5561026A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas plasma etching device |
| JPS61152019A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-10 | Anelva Corp | 表面処理装置 |
| JPS63141319A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング処理装置 |
| JPS63164431A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP23644588A patent/JPH0285378A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544571A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Nec Corp | Plasma treating apparatus |
| JPS5561026A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas plasma etching device |
| JPS61152019A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-10 | Anelva Corp | 表面処理装置 |
| JPS63141319A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング処理装置 |
| JPS63164431A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5210579A (en) * | 1990-11-30 | 1993-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image fixing apparatus having a parting resin layer for reducing frictional resistance of the film through which the image is heated |
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