JPS63175010A - 光学材料用樹脂 - Google Patents
光学材料用樹脂Info
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- JPS63175010A JPS63175010A JP729287A JP729287A JPS63175010A JP S63175010 A JPS63175010 A JP S63175010A JP 729287 A JP729287 A JP 729287A JP 729287 A JP729287 A JP 729287A JP S63175010 A JPS63175010 A JP S63175010A
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- Japan
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- resin
- mixture
- meth
- optical materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エチレン性不飽和単量体のラジカル重合体か
らなる光学材料用樹脂に関する。具体的には、重合させ
て樹脂とすべきエチレン性不飽和単慴体に主要な特徴を
有する光学用樹脂材料に関の一つとして光で読み出しを
行なう方式のディスク（ビデオディスク、メモリーディ
スク、デシタルオーディオディスク等）を使用するもの
がある。
らなる光学材料用樹脂に関する。具体的には、重合させ
て樹脂とすべきエチレン性不飽和単慴体に主要な特徴を
有する光学用樹脂材料に関の一つとして光で読み出しを
行なう方式のディスク（ビデオディスク、メモリーディ
スク、デシタルオーディオディスク等）を使用するもの
がある。
たとえば、光ディスクは、記録密度が著しく高く、また
再生される画質ないし音質が優れていることなどから、
画像や音声の記録・再生、多量の情報の記禄・再生等に
広く実用されつつある。
再生される画質ないし音質が優れていることなどから、
画像や音声の記録・再生、多量の情報の記禄・再生等に
広く実用されつつある。
ａ１曽珈ｉ釦〕
従来、このようなディスクに使用されている材料には一
長一短があって未だ十分に満足すべきものが提案されて
いるとはいえない。例えば、メモリーディスク材料とし
ては無機ガラスおよびポリメチルメタクリレート樹脂が
実用されているが、無機ガラスは、重量が重く、割れや
すいし、ガラスの精密加工が高価である等の欠点がある
。一方、ポリメチルメタクリレート樹脂の場合は、耐熱
性が低いこと及び吸湿性が高いことによりディスクがそ
りやすく、その七妙のために誤動作が起きるという光学
機器用材料として致命的欠陥がある。
長一短があって未だ十分に満足すべきものが提案されて
いるとはいえない。例えば、メモリーディスク材料とし
ては無機ガラスおよびポリメチルメタクリレート樹脂が
実用されているが、無機ガラスは、重量が重く、割れや
すいし、ガラスの精密加工が高価である等の欠点がある
。一方、ポリメチルメタクリレート樹脂の場合は、耐熱
性が低いこと及び吸湿性が高いことによりディスクがそ
りやすく、その七妙のために誤動作が起きるという光学
機器用材料として致命的欠陥がある。
解決策
ポリメチルメタクリレート樹脂に認められる上記のよう
な問題点を解決するものとして、本発明者らにより、例
えば、１，４−ビス（メタクロイルオキシメチル）シク
ロヘキサンのラジカル重合体（特開昭６１−１７６６１
８号公報） 、２４’−ビス（４−（β−メタクロイル
オキシ）シクロヘキシル〕プロパンのラジカル重合体（
特開昭６１−１９０５１２号公報）及びビス（オキシメ
チル）トリシクロ（５，２，１，０２・５〕デカンジメ
タクリレートのラジカル重合体（特開昭６１−１７４２
０８号公報）等が提案された。
な問題点を解決するものとして、本発明者らにより、例
えば、１，４−ビス（メタクロイルオキシメチル）シク
ロヘキサンのラジカル重合体（特開昭６１−１７６６１
８号公報） 、２４’−ビス（４−（β−メタクロイル
オキシ）シクロヘキシル〕プロパンのラジカル重合体（
特開昭６１−１９０５１２号公報）及びビス（オキシメ
チル）トリシクロ（５，２，１，０２・５〕デカンジメ
タクリレートのラジカル重合体（特開昭６１−１７４２
０８号公報）等が提案された。
しかしながら、更に技術の進歩に伴うディスク用樹脂材
料に対する要求性能の高度化に対応させるため、本発明
者らは、先に特定のジ（メタ）アクリレート化合物によ
り高度の耐熱性と熱安定性とを満足させ得ることを見い
出した（特願昭６１−７０３４７号）が、記録層等が積
層された光ディスクとしての実用上の耐久性、すなわち
、ＣＺＮ比の保持、記録保存等の立場から基板に対して
極めて高度の耐環境性（耐湿性等）が要求されてきてお
り、そのような観点から、ディスク用樹脂材料に要求さ
れるさらに偽度の性能を満足するジ（メタ）アクリレー
ト系光学材料用樹脂を提供せんとするものである。
料に対する要求性能の高度化に対応させるため、本発明
者らは、先に特定のジ（メタ）アクリレート化合物によ
り高度の耐熱性と熱安定性とを満足させ得ることを見い
出した（特願昭６１−７０３４７号）が、記録層等が積
層された光ディスクとしての実用上の耐久性、すなわち
、ＣＺＮ比の保持、記録保存等の立場から基板に対して
極めて高度の耐環境性（耐湿性等）が要求されてきてお
り、そのような観点から、ディスク用樹脂材料に要求さ
れるさらに偽度の性能を満足するジ（メタ）アクリレー
ト系光学材料用樹脂を提供せんとするものである。
すなわち、本発明による光学材料用樹脂は、エチレン性
不飽和単敗体のラジカル重合体からなる光学材料用樹脂
において、エチレン性不飽和単量体が特定の多脂環式ジ
オールのジ（メタ）アクリレート、即ち、ペンタシクロ
ペンタデカンジメタノール（以下ＰＣＰＤ−ＤＭと略す
）１モルをアクリル酸とメタクリル酸との混合物２モル
でエステル化してイ！↓られるジ（メタ）アクリレート
混合物を主成分とするものであることを特徴とするもの
である。
不飽和単敗体のラジカル重合体からなる光学材料用樹脂
において、エチレン性不飽和単量体が特定の多脂環式ジ
オールのジ（メタ）アクリレート、即ち、ペンタシクロ
ペンタデカンジメタノール（以下ＰＣＰＤ−ＤＭと略す
）１モルをアクリル酸とメタクリル酸との混合物２モル
でエステル化してイ！↓られるジ（メタ）アクリレート
混合物を主成分とするものであることを特徴とするもの
である。
本発明の、特定のジ（メタ）アクリレート混合物のラジ
カル重合体は、その良好な耐熱性、熱安定性および機械
時性に加えて、極めて浸れた耐湿性を有している。
カル重合体は、その良好な耐熱性、熱安定性および機械
時性に加えて、極めて浸れた耐湿性を有している。
多脂環式ジオールの合成
前記の多脂環構造は、シクロペンタジェントリマーより
構成される。このトリマーｔｉ 、’） ’／ ｐ 。
構成される。このトリマーｔｉ 、’） ’／ ｐ 。
ペンタジェンをオートクレーブ中で加熱することにより
容易に合成されることが知られている（特開昭４９−９
９７８２号、特開昭４９−１０００６７号公報等）。得
られるトリマーは、ペンタシクロ〔９・２・１・、１，
８．０２，７，０９・１３〕ペンタデカン−４゜１１−
ジエン（トリマー■）とペンタシクロ〔９゜２．１．１
”１０へ１０．０３，１！ｌ ）ペンタデカン−５，１
２−ジエン（トリマー■）の混合物である。
容易に合成されることが知られている（特開昭４９−９
９７８２号、特開昭４９−１０００６７号公報等）。得
られるトリマーは、ペンタシクロ〔９・２・１・、１，
８．０２，７，０９・１３〕ペンタデカン−４゜１１−
ジエン（トリマー■）とペンタシクロ〔９゜２．１．１
”１０へ１０．０３，１！ｌ ）ペンタデカン−５，１
２−ジエン（トリマー■）の混合物である。
上記のジエン化合物を原料としてオキシ合成により本発
明に用いるジメタツール体を型造することができる。即
ち、シクロペンタジェントリマー、−酸化炭素および水
素を用いてコバルト錯体等を触媒として、加熱／加圧下
で反応させ蒸留単離することによりＰＣＰＤ−ＤＭを容
易に得ることができる（特開昭５６−１４０９４０号公
報等）。
明に用いるジメタツール体を型造することができる。即
ち、シクロペンタジェントリマー、−酸化炭素および水
素を用いてコバルト錯体等を触媒として、加熱／加圧下
で反応させ蒸留単離することによりＰＣＰＤ−ＤＭを容
易に得ることができる（特開昭５６−１４０９４０号公
報等）。
単量体の合成
本発明の単量体は、上記ＰＣＰＤ−０Ｍ１モルをメタク
リル酸とアクリル酸との混合物２モルでエステル化して
得られる化合物である。
リル酸とアクリル酸との混合物２モルでエステル化して
得られる化合物である。
ここでＰＣＰＤ−０Ｍ１モルをメタクリルＩ俊とアクリ
ル酸との混合物２モルでエステル化するということは、
先ずエステル化反応の一方の反応体であるメタクリル酸
とアクリル酸との混合物の化学理論的な量が２モルであ
ることを意味するだけであって、化学反応の常法通し一
方の反応体（通常は安価または除去容易な方の単量体で
あって、本件ではメタクリル酸とアクリル酸との混合物
）を過剰に使用する場合、あるいは反応を二段階の反応
操作で行なう場合、たとえば先ずジメタツール化合物と
メタクリル酸とを反応させ、次いでアクリル酸を加えて
さらに反応させる等の操作を行なう場合、をも包含する
ものであり、そしてエステル比が必ずしも両反応体をア
ルコールおよびカルボン酸の形態として使用する脱水反
応に限定されることを意味するものではなくて、一方ま
たは両者をその機能的誘導体の形たとえば低級アルコ−
ルＸステルの形態で使用してエステル交換によつてエス
テルを生成させる場合をも包含するものである。
ル酸との混合物２モルでエステル化するということは、
先ずエステル化反応の一方の反応体であるメタクリル酸
とアクリル酸との混合物の化学理論的な量が２モルであ
ることを意味するだけであって、化学反応の常法通し一
方の反応体（通常は安価または除去容易な方の単量体で
あって、本件ではメタクリル酸とアクリル酸との混合物
）を過剰に使用する場合、あるいは反応を二段階の反応
操作で行なう場合、たとえば先ずジメタツール化合物と
メタクリル酸とを反応させ、次いでアクリル酸を加えて
さらに反応させる等の操作を行なう場合、をも包含する
ものであり、そしてエステル比が必ずしも両反応体をア
ルコールおよびカルボン酸の形態として使用する脱水反
応に限定されることを意味するものではなくて、一方ま
たは両者をその機能的誘導体の形たとえば低級アルコ−
ルＸステルの形態で使用してエステル交換によつてエス
テルを生成させる場合をも包含するものである。
エステル化は、反応体が特定されていることならびに反
応体および成績体がエチレン性不飽和結合を持つからそ
の重合防止に配慮することを除けば慣用の手法および条
件に従って実施することができる。
応体および成績体がエチレン性不飽和結合を持つからそ
の重合防止に配慮することを除けば慣用の手法および条
件に従って実施することができる。
従って、ジメタツール化合物１モルと（メタ）アクリル
酸混合物２．０〜２．６モル程度とをエステル叱反応に
付す。（メタ）アクリル酸混合物中のメタクリル酸／ア
クリル酸モル比は、０．２５〜４程度、好ましくは０．
５〜２．５程度、が適当であるウニステル化は、これら
の使用原料を反応容器内に同時に仕込み、脱水剤をかね
た反応溶媒及びエステル化触媒、必要に応じて重合禁止
剤を加えて、反応温度５０〜２００℃、好ましくは８０
〜１５０℃、で空気または不活性ガス中でエステル叱反
応を行う。
酸混合物２．０〜２．６モル程度とをエステル叱反応に
付す。（メタ）アクリル酸混合物中のメタクリル酸／ア
クリル酸モル比は、０．２５〜４程度、好ましくは０．
５〜２．５程度、が適当であるウニステル化は、これら
の使用原料を反応容器内に同時に仕込み、脱水剤をかね
た反応溶媒及びエステル化触媒、必要に応じて重合禁止
剤を加えて、反応温度５０〜２００℃、好ましくは８０
〜１５０℃、で空気または不活性ガス中でエステル叱反
応を行う。
このときの重合禁止剤としては、例えば、ラジカル重合
防止として用いられるハイドロキノン、ハイドロキノン
モノメチルエーテルなどフェノール類、ベンゾキノン、
ジフェニルベンゾキノンなどのキノン類、フェノチアジ
ン、銅塩などが挙げられる。これら重合禁止剤の史用縫
はメタクリル酸とアクリル酸との混合物ｔｏｏｚｌ′Ｉ
Ｃ部に対して０．００１〜１０重縫部、好ましくは０．
１〜５直量部、である。脱水共沸剤としてはｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキ
サン、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリクロルエチ
レン、テトラクロルエチレン、メチルクロロホルム、ジ
イソプロピルエーテルなどが好ましく用いられる。
防止として用いられるハイドロキノン、ハイドロキノン
モノメチルエーテルなどフェノール類、ベンゾキノン、
ジフェニルベンゾキノンなどのキノン類、フェノチアジ
ン、銅塩などが挙げられる。これら重合禁止剤の史用縫
はメタクリル酸とアクリル酸との混合物ｔｏｏｚｌ′Ｉ
Ｃ部に対して０．００１〜１０重縫部、好ましくは０．
１〜５直量部、である。脱水共沸剤としてはｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキ
サン、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリクロルエチ
レン、テトラクロルエチレン、メチルクロロホルム、ジ
イソプロピルエーテルなどが好ましく用いられる。
エステル化触媒としては、硫酸、塩酸、リン酸、フッ化
ホウＬｐ−）ルエンスルホン峻、ベンゼンスルホン酸、
カチオン型交換樹脂など通常のエステル化触媒が適宜用
いられる。
ホウＬｐ−）ルエンスルホン峻、ベンゼンスルホン酸、
カチオン型交換樹脂など通常のエステル化触媒が適宜用
いられる。
エステル化反応終了後、反応液はアルカリ水溶液及び水
で洗浄し、水層を分離し、有機層を減圧下で脱水共沸剤
を除去する。
で洗浄し、水層を分離し、有機層を減圧下で脱水共沸剤
を除去する。
学 科用樹脂およびその製造
重合
本発明による光学材料用樹脂材料は、前記のジエチレン
性不飽和単量体を主成分とする単量体をラジカル重合に
付すことによって得られたものである。
性不飽和単量体を主成分とする単量体をラジカル重合に
付すことによって得られたものである。
ここで、この特定の単α体を主成分とするということは
、重合に付すべき単量体が上記の特定の単量体のみから
なる場合の外に、これと共重合しうるエチレン性不飽和
単蔽体を少＠（たとえば、生成混合物電縫基準で６ｏ重
址％まで）併用してもよいことを意味するものである。
、重合に付すべき単量体が上記の特定の単量体のみから
なる場合の外に、これと共重合しうるエチレン性不飽和
単蔽体を少＠（たとえば、生成混合物電縫基準で６ｏ重
址％まで）併用してもよいことを意味するものである。
併用しうる単１体としては、透明な重合体を与える単量
体、たとえはスチレン、メタクリル酸低級アルキルエス
テル、式 ％式％（ Ｒ１はＨまたはＣＨｓ、Ｒ２は炭素数２〜３０の２価ア
ルコールより水酸基を除いた残基〕 で表わされる化合物（特開昭６１−２８７９１３号明細
書参照）、その他があり、具体例としてはメチルメタク
リレート、シクロヘキサン（メタ）アクリレート、ベン
ジル（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール（
メタ）アクリレート、ブタンジオール（メタ）アクリレ
ート、４１４’−ビス〔β−（メタ）アクリロイルエト
キシ〕ジフェニルプロパン、ジエチレングリコールビス
アリルカーボネート、ジアリルフタレート、等がある。
体、たとえはスチレン、メタクリル酸低級アルキルエス
テル、式 ％式％（ Ｒ１はＨまたはＣＨｓ、Ｒ２は炭素数２〜３０の２価ア
ルコールより水酸基を除いた残基〕 で表わされる化合物（特開昭６１−２８７９１３号明細
書参照）、その他があり、具体例としてはメチルメタク
リレート、シクロヘキサン（メタ）アクリレート、ベン
ジル（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール（
メタ）アクリレート、ブタンジオール（メタ）アクリレ
ート、４１４’−ビス〔β−（メタ）アクリロイルエト
キシ〕ジフェニルプロパン、ジエチレングリコールビス
アリルカーボネート、ジアリルフタレート、等がある。
なお、上記諸例中の「（メタ）アクリレート」は、メタ
クリレートおよびアクリレートの両方を意味するもので
ある。
クリレートおよびアクリレートの両方を意味するもので
ある。
ラジカル重合の手法は周知であって、例えば重合性組成
物に有機過酸化物、アゾ化合物等のラジカル開始剤を配
合し、加熱する方法及び光増感剤を配合して、紫外線、
電子線、放射線等を照射する方法等によりラジカル共重
合することができる、その際に使用されるラジカル開始
剤としては、例えば過酸化ベンゾイル、ジイソプロピル
パーオキサイド、ターシャリ−ブチルパーオキシピバレ
ート、ラウロイルパーオキサイド等の有機過酸化物、ア
ゾイソブチロニトリル等のアゾ化合物、ベンゾフェノン
、ペンダインエチルエーテル、ベンジル、アセトフェノ
ン、アントラキノン等の光増感剤、ジフェニルスルフイ
ツト、チオカーバメート等流黄（ヒ合物などのラジカル
開始剤が使用できる。ラジカル開始剤の使用計は、前記
一般式で表わされるアクリル系化合物１００部に対して
０．０１〜２０部、更に好ましくは帆０１〜１０部、の
範囲である。
物に有機過酸化物、アゾ化合物等のラジカル開始剤を配
合し、加熱する方法及び光増感剤を配合して、紫外線、
電子線、放射線等を照射する方法等によりラジカル共重
合することができる、その際に使用されるラジカル開始
剤としては、例えば過酸化ベンゾイル、ジイソプロピル
パーオキサイド、ターシャリ−ブチルパーオキシピバレ
ート、ラウロイルパーオキサイド等の有機過酸化物、ア
ゾイソブチロニトリル等のアゾ化合物、ベンゾフェノン
、ペンダインエチルエーテル、ベンジル、アセトフェノ
ン、アントラキノン等の光増感剤、ジフェニルスルフイ
ツト、チオカーバメート等流黄（ヒ合物などのラジカル
開始剤が使用できる。ラジカル開始剤の使用計は、前記
一般式で表わされるアクリル系化合物１００部に対して
０．０１〜２０部、更に好ましくは帆０１〜１０部、の
範囲である。
本発明の重合性組成物のラジカル共重合方法は、犬２べ
中もしくは不活性ガス中で、１０〜１５０℃の温度で行
うのが好ましい。
中もしくは不活性ガス中で、１０〜１５０℃の温度で行
うのが好ましい。
本発明の特色をなす単ｒｋ体はジエチレン性不飽和単に
体であるから、生成重合体は架橋していて、鵬解を伴う
手段によって成形することはできない。
体であるから、生成重合体は架橋していて、鵬解を伴う
手段によって成形することはできない。
従って、重合は所謂「注型重合」によって行なって、生
成重合体を板状あるいは塊状で得ることが好ましいとい
える。
成重合体を板状あるいは塊状で得ることが好ましいとい
える。
このようにして得た樹脂は、光透過率が８５％以上で、
複屈折率がＩ Ｘ １０−５以下、２００℃以上の耐熱
性、２５０℃以上の熱安定性、弾性率３００ｋｇ／−以
上のものである。
複屈折率がＩ Ｘ １０−５以下、２００℃以上の耐熱
性、２５０℃以上の熱安定性、弾性率３００ｋｇ／−以
上のものである。
実検例
以下の実・験例中の部は重は部、％は電縫基準である。
また、実検例において得られる諸物性は、下記の試、遺
失により測定したものである。
失により測定したものである。
（１１光ｒＡ過率二分光光度計にて５００℃ｍの光透過
率を測定 （２） 複屈折率：偏光顕微鏡にて測定（３）耐熱性
： ＡＳＴＭ−Ｄ−６４８に従って、熱変形試験装置！
′ｔにて測定 （４） 熱安定性：熱重量分析装置にて、空気中、１
０℃／ｍｉｎで測定 （５） 曲げ特性： Ｊ Ｉ Ｓ−Ｋ −６９１ｔＫ
従）テ曲げ強度及び弾性率測定 （６）吸水率： ＪＩＳ−に−６９１ｔに従って測定 （７）飽和吸水率：６０℃で水中に浸漬した時のだ！和
吸水率 参考例 多脂環式ジオールの合成例 内容積５００ Ｒ１のステンレス製オートクレーブニジ
シクロペンタジェン２１６ Ｆ （１，６３モル）およ
びメ′昆合キシレン７０１１７を仕込み、反応器を封じ
た後攪拌しながら２００℃に昇温し、この温度を・堝ち
つつ２時間撹拌を続行した。反応終了後反応器を水冷し
、白色スラリー状の反応液を回収し、未反応のシンクロ
ペンタジェンおよびキシレンを１去した後目的生成物を
減圧下に蒸留採取した（、フル点１１３℃／ ２．５
ｍ Ｆｉｇ ）。収ｆ１８５．３ Ｆ （原料ジシクロ
ペンタジェンに対する収′４４０％）。
率を測定 （２） 複屈折率：偏光顕微鏡にて測定（３）耐熱性
： ＡＳＴＭ−Ｄ−６４８に従って、熱変形試験装置！
′ｔにて測定 （４） 熱安定性：熱重量分析装置にて、空気中、１
０℃／ｍｉｎで測定 （５） 曲げ特性： Ｊ Ｉ Ｓ−Ｋ −６９１ｔＫ
従）テ曲げ強度及び弾性率測定 （６）吸水率： ＪＩＳ−に−６９１ｔに従って測定 （７）飽和吸水率：６０℃で水中に浸漬した時のだ！和
吸水率 参考例 多脂環式ジオールの合成例 内容積５００ Ｒ１のステンレス製オートクレーブニジ
シクロペンタジェン２１６ Ｆ （１，６３モル）およ
びメ′昆合キシレン７０１１７を仕込み、反応器を封じ
た後攪拌しながら２００℃に昇温し、この温度を・堝ち
つつ２時間撹拌を続行した。反応終了後反応器を水冷し
、白色スラリー状の反応液を回収し、未反応のシンクロ
ペンタジェンおよびキシレンを１去した後目的生成物を
減圧下に蒸留採取した（、フル点１１３℃／ ２．５
ｍ Ｆｉｇ ）。収ｆ１８５．３ Ｆ （原料ジシクロ
ペンタジェンに対する収′４４０％）。
ＮＭＲ分析よりトリマーＩと■の比は８６対１４であっ
た。
た。
内ｇ、ｆＡｓｏｏ＊のステンレス製オートクレーブに上
記で得られたシクロペンタジェントリマー１６０ ｙ
（ｏ、ｓ Ｏ７ミリモル）、ジコバルトオクタカルボニ
ル２．８９ （８，２ミリモル）、９−エイコシル−９
−ホスファビシクロ（３，３，１）ノナンと９−二イコ
シルー９−ホスファビシクロ（４，２゜１〕ノナンの１
＝１混合物６．９９ （１６，３ミリモル）、およびｌ
昆合キシレン７０＊ｊを仕込んだ。反応器を封じた後、
−酸化炭素と水素の等モル混合ガスで器内を数回パージ
した後、同混合ガスを室温で８０ ｂａｖまで圧入した
。この反応器を攪拌しつつ２００℃まで昇温した。昇温
中（１８０℃付近）から急激なガス吸収があり、圧力が
１２０ｂａｙｙとなるように、混合ガスを供給しつつ反
応器― を２００℃に保持したところ１９時間後にほぼ理論駄の
ガス吸収が終了した。反応器を水冷した後未反応ガスを
パージし、内容物をメタノールで希釈し、採取した。キ
シレンおよびメタノールを留去した後目的物を減圧下に
蒸留採取した（那点１８６〜２０４℃１０．７〜０．３
ｗａ Ｉ（ｇ ）。収量１２４．５９ （原料シクロ
ペンタジェントリマーに対する収率５９％）。
記で得られたシクロペンタジェントリマー１６０ ｙ
（ｏ、ｓ Ｏ７ミリモル）、ジコバルトオクタカルボニ
ル２．８９ （８，２ミリモル）、９−エイコシル−９
−ホスファビシクロ（３，３，１）ノナンと９−二イコ
シルー９−ホスファビシクロ（４，２゜１〕ノナンの１
＝１混合物６．９９ （１６，３ミリモル）、およびｌ
昆合キシレン７０＊ｊを仕込んだ。反応器を封じた後、
−酸化炭素と水素の等モル混合ガスで器内を数回パージ
した後、同混合ガスを室温で８０ ｂａｖまで圧入した
。この反応器を攪拌しつつ２００℃まで昇温した。昇温
中（１８０℃付近）から急激なガス吸収があり、圧力が
１２０ｂａｙｙとなるように、混合ガスを供給しつつ反
応器― を２００℃に保持したところ１９時間後にほぼ理論駄の
ガス吸収が終了した。反応器を水冷した後未反応ガスを
パージし、内容物をメタノールで希釈し、採取した。キ
シレンおよびメタノールを留去した後目的物を減圧下に
蒸留採取した（那点１８６〜２０４℃１０．７〜０．３
ｗａ Ｉ（ｇ ）。収量１２４．５９ （原料シクロ
ペンタジェントリマーに対する収率５９％）。
実施例１
攪拌装置、温度計、窒素導入管、水分離器を取り付けた
１リツトル四つロフラスコ内に、前記の合成例で得られ
たＰＣＰＤ−ＤＭ１Ｍ７Ｃ３６５部）に対してメタアク
リル酸とアクリル酸との混合物２．４モル（メタアクリ
ル酸とアクリル酸のモル比が１．５；以下Ｍ／Ａ比＝１
．５と称す）１９３部トトルエン２００部、ｐ−トルエ
ンスルホン隈５０部、銅粉０．３部を同時に仕込み、窒
素ガスをオーバーフローさせながら反応１温度９０〜１
２０℃で３時間反応させた。反応終了後、冷却し、過剰
の酸を炭幌ソーダ水で中和し、さらに有機層を純水で３
回洗浄し、トルエンをエバポレータを用いて留去して、
目的物であるＭ／Ａ比＝１．５の重合性組成物３８０部
を得た。
１リツトル四つロフラスコ内に、前記の合成例で得られ
たＰＣＰＤ−ＤＭ１Ｍ７Ｃ３６５部）に対してメタアク
リル酸とアクリル酸との混合物２．４モル（メタアクリ
ル酸とアクリル酸のモル比が１．５；以下Ｍ／Ａ比＝１
．５と称す）１９３部トトルエン２００部、ｐ−トルエ
ンスルホン隈５０部、銅粉０．３部を同時に仕込み、窒
素ガスをオーバーフローさせながら反応１温度９０〜１
２０℃で３時間反応させた。反応終了後、冷却し、過剰
の酸を炭幌ソーダ水で中和し、さらに有機層を純水で３
回洗浄し、トルエンをエバポレータを用いて留去して、
目的物であるＭ／Ａ比＝１．５の重合性組成物３８０部
を得た。
上記重合組成物１００部に対してペンゾイルパーオギサ
イド０．５部を加え、６０℃に加熱し、均一に攪拌（Ｔ
１．合した後、脱泡し、この液を直径１２０哩のガラス
イ反とシリコーンゴムのスペーサーで構成された盟の中
に注入して、６０℃で２４時間、８０℃で２時間、１０
０℃で２時間保持して重合を行なった。
イド０．５部を加え、６０℃に加熱し、均一に攪拌（Ｔ
１．合した後、脱泡し、この液を直径１２０哩のガラス
イ反とシリコーンゴムのスペーサーで構成された盟の中
に注入して、６０℃で２４時間、８０℃で２時間、１０
０℃で２時間保持して重合を行なった。
型より硬化物を取り出して、ｒｌｔｆ−ｔ１２０ｆｌの
ディスク基板を得た。
ディスク基板を得た。
比較例１
１．４−ビス（メタクロイルオキシメチル）シクロヘキ
サン１００部に討して、ペンゾイルパーオキンド０．５
部加え、６０℃に加熱し、均一に攪拌混合した後、脱泡
し、この夜を直径１２０間のガラス板とシリコーンゴム
のスペーサーで引、育成された型の中へ注入し、６０℃
で２４時間、８０℃で２時間、１００℃で２時間保持し
て重合を行なった。型より硬化物を取り出して直径１２
０ｍのディスク基板を得だ。
サン１００部に討して、ペンゾイルパーオキンド０．５
部加え、６０℃に加熱し、均一に攪拌混合した後、脱泡
し、この夜を直径１２０間のガラス板とシリコーンゴム
のスペーサーで引、育成された型の中へ注入し、６０℃
で２４時間、８０℃で２時間、１００℃で２時間保持し
て重合を行なった。型より硬化物を取り出して直径１２
０ｍのディスク基板を得だ。
１七申交例 ２
比較例１の１，４−ビス（メタクロイルオキシメチル）
７クロヘキサンの代りに２，２′−ビス（４，４’−（
β−メタクロイルオキシ）シクロヘキシル〕プロパンを
使用する以外は同様にしてディスク塞板を得た。
７クロヘキサンの代りに２，２′−ビス（４，４’−（
β−メタクロイルオキシ）シクロヘキシル〕プロパンを
使用する以外は同様にしてディスク塞板を得た。
比較例３
比較例１の１，４−ビス（メタクロイルオキシメチル）
シクロヘキサンの代りにビス（オキシメチル）トリシク
ロ（５，２，１，０）アカンジメタクリレートを使用す
る以外は同様にしてディスク基板を得た。
シクロヘキサンの代りにビス（オキシメチル）トリシク
ロ（５，２，１，０）アカンジメタクリレートを使用す
る以外は同様にしてディスク基板を得た。
実施例及び比較例１〜３で得た基板の諸物性の評価結果
を畏−１に示す。
を畏−１に示す。
（μ下余白）
Claims (1)
- エチレン性不飽和単量体のラジカル重合体からなる光学
材料用樹脂において、エチレン性不飽和単量体がペンタ
シクロペンタデカンジメタノール１モルをアクリル酸と
メタアクリル酸との混合物２モルでエステル化して得ら
れるジ（メタ）アクリレート混合物を主成分とするもの
であることを特徴とする光学材料用樹脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP729287A JPS63175010A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 光学材料用樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP729287A JPS63175010A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 光学材料用樹脂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63175010A true JPS63175010A (ja) | 1988-07-19 |
Family
ID=11661958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP729287A Pending JPS63175010A (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | 光学材料用樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63175010A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011030792A1 (ja) | 2009-09-08 | 2011-03-17 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | ビニルエーテル化合物、ビニルエーテル重合体及びビニルエーテル化合物の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-14 JP JP729287A patent/JPS63175010A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011030792A1 (ja) | 2009-09-08 | 2011-03-17 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | ビニルエーテル化合物、ビニルエーテル重合体及びビニルエーテル化合物の製造方法 |
| US8410234B2 (en) | 2009-09-08 | 2013-04-02 | Jx Nippon Oil & Energy Corporation | Vinyl ether compound, vinyl ether polymer, and method for producing vinyl ether compound |
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