JPS63179355A - レチクル保護ケ−ス - Google Patents
レチクル保護ケ−スInfo
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- JPS63179355A JPS63179355A JP62011612A JP1161287A JPS63179355A JP S63179355 A JPS63179355 A JP S63179355A JP 62011612 A JP62011612 A JP 62011612A JP 1161287 A JP1161287 A JP 1161287A JP S63179355 A JPS63179355 A JP S63179355A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- reticle
- synthetic resin
- protective case
- microparticles
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造における縮少投影露光工程の回路パ
ターンを半導体基板上へ縮少投影転写する際に用いられ
るレチクルの保護ケースに関するものである。
ターンを半導体基板上へ縮少投影転写する際に用いられ
るレチクルの保護ケースに関するものである。
従来、このような縮少投影露光工程において必要な回路
パターンをウェーハ上に転写するなめレチクルが用いら
れるが、レチクルの保管、運搬。
パターンをウェーハ上に転写するなめレチクルが用いら
れるが、レチクルの保管、運搬。
装置装着時には清浄な合成樹脂製保護ケースを用いてい
た。
た。
第６図は従来のレチクル保護ケースの部分破砕斜視図で
ある１、この保護ケースは、金属底板１２上にレチクル
１３を搭載して、合成樹脂製外装ケース２１と合成樹脂
製前ブタ２２をかぶせたものであった。
ある１、この保護ケースは、金属底板１２上にレチクル
１３を搭載して、合成樹脂製外装ケース２１と合成樹脂
製前ブタ２２をかぶせたものであった。
一般に、半導体の製造工程においては、露光工程が何回
かあり、回路パターンの一部を形どったマスクはレチク
ルを使用して半導体基板上に必要な回路パターンを転写
するが、特に縮少投影露光法では一枚のレチクル上のパ
ターンを繰り返しウェーハ上に転写して用いている。そ
のためレチクル上に微小ゴミが付着した場合、微小ゴミ
の形状がそのままウェーハ上に繰り返し転写されてしま
うと、これらウェーハが全て不良となってしまうので、
微小ゴミの付着には十分に注意を払う必要があった。
かあり、回路パターンの一部を形どったマスクはレチク
ルを使用して半導体基板上に必要な回路パターンを転写
するが、特に縮少投影露光法では一枚のレチクル上のパ
ターンを繰り返しウェーハ上に転写して用いている。そ
のためレチクル上に微小ゴミが付着した場合、微小ゴミ
の形状がそのままウェーハ上に繰り返し転写されてしま
うと、これらウェーハが全て不良となってしまうので、
微小ゴミの付着には十分に注意を払う必要があった。
例えば、最も一般的な例では、２２５ＩＩＩ１１２の領
域に１０００分の１１の大きさのゴミ１個あってはいけ
ないほどである。
域に１０００分の１１の大きさのゴミ１個あってはいけ
ないほどである。
そのためレチクル表面にペリクルという保護膜をはりつ
けたり、レチクル保護ケースを繰り返し洗浄した後、レ
チクルを非常に静かに装着して使用していた。
けたり、レチクル保護ケースを繰り返し洗浄した後、レ
チクルを非常に静かに装着して使用していた。
しかし、ペリクルは高価であり、使用可能寿命が短かい
欠点があり、またレチクル保護ケースは合成樹脂製であ
るため、超純水で洗浄すると、静電気を生じて微小粒子
を表面に吸着してしまい、その微小粒子がレチクル装着
時にレチクル上に再落下して逆に回路パターン欠陥をつ
くる原因となるという欠点があった。
欠点があり、またレチクル保護ケースは合成樹脂製であ
るため、超純水で洗浄すると、静電気を生じて微小粒子
を表面に吸着してしまい、その微小粒子がレチクル装着
時にレチクル上に再落下して逆に回路パターン欠陥をつ
くる原因となるという欠点があった。
本発明の目的は、このような欠点を除き、ケースの表面
の導電性を良くし、抵抗を抑えて表面に静電気を生じさ
せないようにし、微小粒子を吸着せずに使用出来るレチ
クル保護ケースを提供することにある。
の導電性を良くし、抵抗を抑えて表面に静電気を生じさ
せないようにし、微小粒子を吸着せずに使用出来るレチ
クル保護ケースを提供することにある。
本発明の構成は、半導体装置の縮少投影露光工程に用い
られるレチクルを、金属底板上に搭載しこの金属底板に
外装ケースをかぶせるレチクル保護ケースにおいて、前
記外装ケースとして合成樹脂に炭素繊維を含有させ、そ
の表面抵抗を下げた材料を用いたことを特徴とする。
られるレチクルを、金属底板上に搭載しこの金属底板に
外装ケースをかぶせるレチクル保護ケースにおいて、前
記外装ケースとして合成樹脂に炭素繊維を含有させ、そ
の表面抵抗を下げた材料を用いたことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
図において、１１は炭素繊維含有合成樹脂製外装ケース
、１２は金属製底板、１３はレチクルである０本実施例
では外装ケース１１が炭素繊維含有の合成樹脂からなる
ので、導電性があり、表面電位が低くでき、従って静電
気を生ぜず、粒子の吸着をすることもなくなり、従来の
保護ケースに比べ非常に利用価値が高まった。
、１２は金属製底板、１３はレチクルである０本実施例
では外装ケース１１が炭素繊維含有の合成樹脂からなる
ので、導電性があり、表面電位が低くでき、従って静電
気を生ぜず、粒子の吸着をすることもなくなり、従来の
保護ケースに比べ非常に利用価値が高まった。
第２図は本実施例に用いた炭素繊維含有合成樹脂の炭素
繊維含有率とその表面抵抗の関係を示すグラフである。
繊維含有率とその表面抵抗の関係を示すグラフである。
この場合、含有率０が従来品で、この場合には表面抵抗
が約１０１４Ωと非常に高いが、含有率５％を超えると
１０８Ω以下に急激に抵抗値が下がる。本実施例の外装
ケースに用いる場合、樹脂硬度の点から５％〜２０％の
範囲が適当である。また、炭素繊維を含有させる元の樹
脂としては、ポリアセタール、塩化ビニール、ＡＢＳ樹
脂等で良いが、本実施例ではポリアセタールを使用した
。また、導電性を出すには、炭素粒子を含有させること
もできるが、強度が低下すること、微小粒子の原因とな
ることから不適当である。
が約１０１４Ωと非常に高いが、含有率５％を超えると
１０８Ω以下に急激に抵抗値が下がる。本実施例の外装
ケースに用いる場合、樹脂硬度の点から５％〜２０％の
範囲が適当である。また、炭素繊維を含有させる元の樹
脂としては、ポリアセタール、塩化ビニール、ＡＢＳ樹
脂等で良いが、本実施例ではポリアセタールを使用した
。また、導電性を出すには、炭素粒子を含有させること
もできるが、強度が低下すること、微小粒子の原因とな
ることから不適当である。
第３図は表面抵抗率と帯電静電気の関係を示すグラフで
あり、表面抵抗率を下げれば帯電を防ぐことが出来るこ
とがわかる。
あり、表面抵抗率を下げれば帯電を防ぐことが出来るこ
とがわかる。
第４図は本実施例の実験結果から得た帯電静電気と付着
微小粒子数との関係を示すグラフであり、帯電気電圧が
高いと付着粒子が多いことが判明する。すなわち外装ケ
ースの表面に付着する微小粒子数を減らすためには、炭
素繊維を含有させて表面抵抗を下げれば良いことがわが
る。
微小粒子数との関係を示すグラフであり、帯電気電圧が
高いと付着粒子が多いことが判明する。すなわち外装ケ
ースの表面に付着する微小粒子数を減らすためには、炭
素繊維を含有させて表面抵抗を下げれば良いことがわが
る。
第５図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。こ
の実施例は、平板状の炭素繊維含有導電性合成樹脂製ケ
ース１１’と、金属製の底板及び黒板１２′とを用いて
レチクル１３を収納した場合を示している。
の実施例は、平板状の炭素繊維含有導電性合成樹脂製ケ
ース１１’と、金属製の底板及び黒板１２′とを用いて
レチクル１３を収納した場合を示している。
以上説明したように、本発明は、表面抵抗率を１０１０
から１０２Ωとした炭素繊維含有合成樹脂を外装ケース
に用いたことにより、保護ケースの表面に帯電する靜°
電気を抑え、その結果ケースに微小な粒子が吸着するの
を抑え、かつ微小粒子を除去しやすくし、レチクル表面
に微小粒子が再落下したり、付着することを防ぐことが
出るという効果がある。
から１０２Ωとした炭素繊維含有合成樹脂を外装ケース
に用いたことにより、保護ケースの表面に帯電する靜°
電気を抑え、その結果ケースに微小な粒子が吸着するの
を抑え、かつ微小粒子を除去しやすくし、レチクル表面
に微小粒子が再落下したり、付着することを防ぐことが
出るという効果がある。
第１図は本発明の一実施例のレチクル保護ケースの縦断
面図、第２Ｉ２１は本実施例のレチクル保護ケースに用
いた合成樹脂の炭素繊維含有率と表面抵抗を示す特性図
、第３図は表面抵抗と静電気量を示す特性図、第４図は
静電気量と表面付着粒子数を示す特性図、第５図は本発
明の第２の実施例の断面図、第６図は従来のレチクル保
護ケースの一例の部分破砕斜視図である。 １１・・・炭′素繊維含有導電性合成樹脂製外装ケース
。１２．１２’・・・金属製底板、１３・・・レチクル
、２１・・・合成樹脂ケース、２２・・・合成樹脂製前
ブタ。
面図、第２Ｉ２１は本実施例のレチクル保護ケースに用
いた合成樹脂の炭素繊維含有率と表面抵抗を示す特性図
、第３図は表面抵抗と静電気量を示す特性図、第４図は
静電気量と表面付着粒子数を示す特性図、第５図は本発
明の第２の実施例の断面図、第６図は従来のレチクル保
護ケースの一例の部分破砕斜視図である。 １１・・・炭′素繊維含有導電性合成樹脂製外装ケース
。１２．１２’・・・金属製底板、１３・・・レチクル
、２１・・・合成樹脂ケース、２２・・・合成樹脂製前
ブタ。
Claims (1)
- 半導体装置の縮少投影露光工程に用いられるレチクルを
、金属底板上に搭載しこの金属底板に外装ケースをかぶ
せるレチクル保護ケースにおいて、前記外装ケースとし
て合成樹脂に炭素繊維を含有させ、その表面抵抗を下げ
た材料を用いたことを特徴とするレチクル保護ケース。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62011612A JPS63179355A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | レチクル保護ケ−ス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62011612A JPS63179355A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | レチクル保護ケ−ス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63179355A true JPS63179355A (ja) | 1988-07-23 |
Family
ID=11782733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62011612A Pending JPS63179355A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | レチクル保護ケ−ス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63179355A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330053A (en) * | 1991-02-07 | 1994-07-19 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Case for photomask |
| KR20010061334A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 윤종용 | 포토리소그래피 공정에서 사용되는 레티클 |
| JP2007025183A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | ペリクル用収納容器 |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP62011612A patent/JPS63179355A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330053A (en) * | 1991-02-07 | 1994-07-19 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Case for photomask |
| KR20010061334A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 윤종용 | 포토리소그래피 공정에서 사용되는 레티클 |
| JP2007025183A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | ペリクル用収納容器 |
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