JPS63190159A - ペ−スト状マスキング材 - Google Patents
ペ−スト状マスキング材Info
- Publication number
- JPS63190159A JPS63190159A JP2125187A JP2125187A JPS63190159A JP S63190159 A JPS63190159 A JP S63190159A JP 2125187 A JP2125187 A JP 2125187A JP 2125187 A JP2125187 A JP 2125187A JP S63190159 A JPS63190159 A JP S63190159A
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- JP
- Japan
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- powder
- weight
- masking material
- thickener
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、真空成膜法を用いて、基材表面に装飾等の目
的として薄膜を形成する際、パターン形成のために用い
るペースト状マスキング材に関する。
的として薄膜を形成する際、パターン形成のために用い
るペースト状マスキング材に関する。
(従来の技術とその問題点)
一般に、筆記具2時計等といった携帯用装飾品の装飾用
薄膜を形成する方法の1つとして真空蒸着、スパッタリ
ング等といった真空成膜法がある。
薄膜を形成する方法の1つとして真空蒸着、スパッタリ
ング等といった真空成膜法がある。
これらの薄膜を用いて、装飾効果の高いパターン形成を
行なうために、フォト・リソグラフィ、メタルマスク等
の方法が用いられているが。
行なうために、フォト・リソグラフィ、メタルマスク等
の方法が用いられているが。
筆記具9時計等といった携帯用装飾品に応用するには1
作業工程が複雑である。用いられる材料が高価格である
等といった点から問題が多いものである。
作業工程が複雑である。用いられる材料が高価格である
等といった点から問題が多いものである。
そのため、低コストで作業性に富んだパターン形成方法
として、転写法、あるいは、スクリーン印刷法等により
、ペースト状マスキング材のパター7を基材に印刷し、
このパターン上に。
として、転写法、あるいは、スクリーン印刷法等により
、ペースト状マスキング材のパター7を基材に印刷し、
このパターン上に。
直接、装飾用薄膜を真空成膜法により形成した後、マス
キング材を除去し、装飾用薄膜のパターンを形成する方
法がある。
キング材を除去し、装飾用薄膜のパターンを形成する方
法がある。
この方法において、必要とされるマスキング材の特性と
して、印刷性の良さ、真空中でガスを発生することがな
い、耐熱性に優れている。
して、印刷性の良さ、真空中でガスを発生することがな
い、耐熱性に優れている。
基材及び装飾用薄膜との密着性が良い、装飾用薄膜形成
後、容易に除去できることが挙げられる0 これらを目的とした装飾用薄膜バター/形成に用いられ
るマスキング材として、特開昭57−163590号(
特願昭56−30551号)及び特開昭60 ’−16
2767号(特願昭59−19264号)公報が挙げら
れる。
後、容易に除去できることが挙げられる0 これらを目的とした装飾用薄膜バター/形成に用いられ
るマスキング材として、特開昭57−163590号(
特願昭56−30551号)及び特開昭60 ’−16
2767号(特願昭59−19264号)公報が挙げら
れる。
特開昭57−163590号公報のマスキング材は、パ
ターンを形成する目的の基材が陶磁器、はうろう、ガラ
ス等といったガラス系基材であり、マスキング材による
パターン形成に低融点ガラスフリットの焼付けによる密
着性を利用したものであシ、除去する場合もマスキング
材とガラス系基材との特有の物理的性質9例えば、転移
温度、軟化温度等の差を利用しているため、金属2合金
、セラミック等の基材には不向きであり1作業性も悪い
ものである。
ターンを形成する目的の基材が陶磁器、はうろう、ガラ
ス等といったガラス系基材であり、マスキング材による
パターン形成に低融点ガラスフリットの焼付けによる密
着性を利用したものであシ、除去する場合もマスキング
材とガラス系基材との特有の物理的性質9例えば、転移
温度、軟化温度等の差を利用しているため、金属2合金
、セラミック等の基材には不向きであり1作業性も悪い
ものである。
特開昭60−162767号公報のマスキング材は、増
粘剤としてエチルセルロース、ニトロセルロース等を使
用しているため、耐熱性が悪(,200°C以上の温度
ではガスを発生し分解、炭化してしまう。特に窒化チタ
ン、炭化チタン等の金色装飾用薄膜のパターン形成に用
いるには薄膜形成中にガスが発生すると色が黒ずむため
所望の金色薄膜が得られないものである。
粘剤としてエチルセルロース、ニトロセルロース等を使
用しているため、耐熱性が悪(,200°C以上の温度
ではガスを発生し分解、炭化してしまう。特に窒化チタ
ン、炭化チタン等の金色装飾用薄膜のパターン形成に用
いるには薄膜形成中にガスが発生すると色が黒ずむため
所望の金色薄膜が得られないものである。
また、これらのマスキング材は、形成された薄膜との密
着性が不十分であるため、薄膜形成中、マスキング材の
上から薄膜が剥離することにより、得られる薄膜による
パターンが、著しく外観意匠の損なわれたものになる等
といった問題が生じてくるものである。
着性が不十分であるため、薄膜形成中、マスキング材の
上から薄膜が剥離することにより、得られる薄膜による
パターンが、著しく外観意匠の損なわれたものになる等
といった問題が生じてくるものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであシ、軟化
点が200℃以上のセルロース系の増粘剤cL1〜30
重量%と、上記セルロース系の増粘剤を溶解し得る溶剤
30〜90重量%と。
点が200℃以上のセルロース系の増粘剤cL1〜30
重量%と、上記セルロース系の増粘剤を溶解し得る溶剤
30〜90重量%と。
非吸着性の無機粉体からなる遮蔽材11〜70重量%と
、導電性の無機粉体からなる密着性向上剤α1〜55重
量%とから少なくともなるペースト状マスキング材を要
旨とするものである。
、導電性の無機粉体からなる密着性向上剤α1〜55重
量%とから少なくともなるペースト状マスキング材を要
旨とするものである。
以下2本発明の各成分について詳述する。
本発明において、増粘剤はマスキング材の粘度を上げ、
マスキング材と基材とを密着させるために用いるもので
あり、装飾用薄膜形成時に。
マスキング材と基材とを密着させるために用いるもので
あり、装飾用薄膜形成時に。
薄膜形成の条件、基材の種類等により基材表面の温度が
200℃以上になることもあり増粘剤の軟化点が200
℃より小さいとガスを発生し。
200℃以上になることもあり増粘剤の軟化点が200
℃より小さいとガスを発生し。
形成される薄膜の色に影響を及ぼし、装飾効果が低下し
てしまうことよシ、軟化点が200℃以上のセルロース
系の増粘剤を用いるものである。これらのセルロース系
の増粘剤としては。
てしまうことよシ、軟化点が200℃以上のセルロース
系の増粘剤を用いるものである。これらのセルロース系
の増粘剤としては。
アセチルセルロース(軟化点235〜230℃)。
アセチルブチルセルロース(軟化点215〜225℃)
、アセチルプロピオニルセルロース(軟化点200〜2
10℃)等が挙げられるものである。
、アセチルプロピオニルセルロース(軟化点200〜2
10℃)等が挙げられるものである。
中でも、アセチルセルロースは、特に、好ましいもので
ある。
ある。
また、上記増粘剤の添加量がα1〜30重量%であるの
は、01重量%未満では十分な粘性。
は、01重量%未満では十分な粘性。
密着性が得られず、30重量%より大きいと溶剤に溶解
しなくなるためである。
しなくなるためである。
溶剤は、増粘剤を溶解し、マスキング材のペースト化を
図るものであり9本発明における増粘剤が溶解可能であ
ればよく、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトン、メチル
エチルケトン、ニトロメタンとエタノールの混合物、ニ
トロプロパンとエタノールの混合物、乳酸エチル、ジア
セトンアルコール、メチレンクロライドとエタノールの
混合物、エチレングリコールモノメチルエーテル(メチ
ルセロソルフ)、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート(メチルセロンルプアセテート)、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート(セロソル
ブアセテート)、エチレングリコールモノフェニルエー
テル、メトキシメトキシエタノール、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、エチレングリコールモノアセテ
ート、エチレングリコールジアセテート、エチレンクロ
ルヒドリン。
図るものであり9本発明における増粘剤が溶解可能であ
ればよく、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトン、メチル
エチルケトン、ニトロメタンとエタノールの混合物、ニ
トロプロパンとエタノールの混合物、乳酸エチル、ジア
セトンアルコール、メチレンクロライドとエタノールの
混合物、エチレングリコールモノメチルエーテル(メチ
ルセロソルフ)、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート(メチルセロンルプアセテート)、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート(セロソル
ブアセテート)、エチレングリコールモノフェニルエー
テル、メトキシメトキシエタノール、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、エチレングリコールモノアセテ
ート、エチレングリコールジアセテート、エチレンクロ
ルヒドリン。
ジエチレングリコールアセテート、トリエチレングリコ
ール、トリグリコールジクロリドグリセリルジアセテー
ト、グリセリルトリアセテート、グリセリン・α・モノ
クロルヒト等が挙げられる。
ール、トリグリコールジクロリドグリセリルジアセテー
ト、グリセリルトリアセテート、グリセリン・α・モノ
クロルヒト等が挙げられる。
より好ましくは、印刷時の作業性及び乾燥時の揮発性等
より、沸点が130〜230℃程度の溶剤を用いるのが
よく、これらの溶剤としてハ、−+−5−レンクリコー
ルモノフェニルエーテル。
より、沸点が130〜230℃程度の溶剤を用いるのが
よく、これらの溶剤としてハ、−+−5−レンクリコー
ルモノフェニルエーテル。
エチレングリコールジアセテート等が挙げられる0
上記溶剤の添加量が、30〜90重量%であるのは、3
0重量%未満では粘度が高く、印刷時の作業性が悪く、
90重量%よシ大きいと粘度が低くなシュ印刷かにじん
でしまうためである0 遮蔽材は、基材を隠蔽し、マスキング材の除去を容易に
するために用いられるものであり。
0重量%未満では粘度が高く、印刷時の作業性が悪く、
90重量%よシ大きいと粘度が低くなシュ印刷かにじん
でしまうためである0 遮蔽材は、基材を隠蔽し、マスキング材の除去を容易に
するために用いられるものであり。
非吸着性である無機粉体、すなわち、真空成膜法を用い
て膜を形成する場合9発生するガスを吸着しないような
無機粉体が用いられるものであり、これらの無機粉体と
しては、平均粒径がほぼ10μm以下の粒状のものであ
ればよく。
て膜を形成する場合9発生するガスを吸着しないような
無機粉体が用いられるものであり、これらの無機粉体と
しては、平均粒径がほぼ10μm以下の粒状のものであ
ればよく。
金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物等の金属化合物、
ガラス、セラミック等の無機粉体を一種もしくは二種以
上混合して用いることができるものである。
ガラス、セラミック等の無機粉体を一種もしくは二種以
上混合して用いることができるものである。
更に、これらの無機粉体を用いることにより。
耐熱性を向上させる効果を持つ。
中でも、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素。
酸化チタン、セラミック等のほぼ不導体の無機粉体は、
とりわけ、隠蔽性、耐熱性等といった効果の向上におい
て、好ましいものである0上記粉体の添加量が01〜7
0重量%であるのは、α1重量%未満では十分な隠蔽効
果が得られず、70重量%より大きいと溶剤に分散しな
くなるためである。
とりわけ、隠蔽性、耐熱性等といった効果の向上におい
て、好ましいものである0上記粉体の添加量が01〜7
0重量%であるのは、α1重量%未満では十分な隠蔽効
果が得られず、70重量%より大きいと溶剤に分散しな
くなるためである。
密着性向上剤は、マスキング材と薄膜との密着性を向上
させることにより、薄膜形成中、薄膜が剥離するのを防
ぐために用いられるものであゃ、導電性を有する無機粉
体が用いられるものであり、これらの無機粉体としては
、スクリーン印刷用に用いられるスクリーンのメツシュ
を通るくらいの平均粒径を有する1粒状のものであれば
よく、アルミニウム、鉄、銅、ニッケル、チタン等の導
電性を有する金属、あるいは。
させることにより、薄膜形成中、薄膜が剥離するのを防
ぐために用いられるものであゃ、導電性を有する無機粉
体が用いられるものであり、これらの無機粉体としては
、スクリーン印刷用に用いられるスクリーンのメツシュ
を通るくらいの平均粒径を有する1粒状のものであれば
よく、アルミニウム、鉄、銅、ニッケル、チタン等の導
電性を有する金属、あるいは。
これらの合金、窒化物、炭化物、酸化物等の無機粉体を
一種もしくは二種以上混合して用いることができるもの
である。
一種もしくは二種以上混合して用いることができるもの
である。
これらの導電性を有する無機粉体は、11〜55重量%
添加されるものであり、α1重量%未満では薄膜との密
着性を向上させるといった効果が十分なものでなく、3
5重量%より大きいと溶剤に分散しなくなるためである
。
添加されるものであり、α1重量%未満では薄膜との密
着性を向上させるといった効果が十分なものでなく、3
5重量%より大きいと溶剤に分散しなくなるためである
。
これらのペースト状マスキング材は、各成分を一般に用
いられている方法で、十分に混合分散して得られるもの
である。
いられている方法で、十分に混合分散して得られるもの
である。
(実施例)
実施例1
アセチルセルロース(軟化点2ss〜230℃、増粘剤
) α5重量%。
) α5重量%。
エチレングリコールモノフェニル
エーテル(溶剤) 5α0重量%A t 20
s粉 (!!蔽材) 3ZO重量%アルミニウ
ム粉(密着性向上剤)12.5重量%上記各成分をにゆ
うばちにより、十分に混合分散し、ペースト状マスキン
グ材を得た。
s粉 (!!蔽材) 3ZO重量%アルミニウ
ム粉(密着性向上剤)12.5重量%上記各成分をにゆ
うばちにより、十分に混合分散し、ペースト状マスキン
グ材を得た。
実施例2
アセチルセルロース(軟化点2ss〜230℃、増粘剤
) 110重量%エチレングリコールモ
ノフェニル エーテル(溶剤) 6α0重量%AAIO3粉
(!!蔽材) 25.0重量%鉄粉(密着性
向上剤)5.0重量% 上記公金分を実施例1と同様にして、ペースト状マスキ
ング材を得た。
) 110重量%エチレングリコールモ
ノフェニル エーテル(溶剤) 6α0重量%AAIO3粉
(!!蔽材) 25.0重量%鉄粉(密着性
向上剤)5.0重量% 上記公金分を実施例1と同様にして、ペースト状マスキ
ング材を得た。
実施例5
アセチルブチルセルロース(軟化点215〜225℃、
増粘剤)1.0重量% エチレングリコールジ゛アセテート (溶剤) 55.0重量%5iOz
粉(遮蔽材) 26.0重量%InO粉(密
着性向上剤) 1aO重量%上記各成分を実施例1
と同様にして、ペースト状マスキング材を得た。
増粘剤)1.0重量% エチレングリコールジ゛アセテート (溶剤) 55.0重量%5iOz
粉(遮蔽材) 26.0重量%InO粉(密
着性向上剤) 1aO重量%上記各成分を実施例1
と同様にして、ペースト状マスキング材を得た。
実施例4
アセチルブチルセルロース(軟化点215〜225℃、
増粘剤) 15.0重量%エチレンクリコール
モノエチル エーテル(溶剤) 35.0重量%Sin、
粉(遮蔽材) 1(LO重量%TiN粉(
密着性向上剤) 110重量%上記各成公金実施例
1と同様にして、ペースト状マスキング材を得た。
増粘剤) 15.0重量%エチレンクリコール
モノエチル エーテル(溶剤) 35.0重量%Sin、
粉(遮蔽材) 1(LO重量%TiN粉(
密着性向上剤) 110重量%上記各成公金実施例
1と同様にして、ペースト状マスキング材を得た。
比較例1
エチルセルロース(軟化点140−190℃。
増粘剤)5.0重量%
α−テルピネオール(溶剤) 6α0重量%A L *
Os粉(遮蔽材) 15.0重量%鉄粉(
密着性向上剤) 2α0重量%上記各成分を実施
例1と同様にして、ペースト状マスキング材を得た。
Os粉(遮蔽材) 15.0重量%鉄粉(
密着性向上剤) 2α0重量%上記各成分を実施
例1と同様にして、ペースト状マスキング材を得た。
比較例2
エチルセルロース(軟化点140〜190℃。
増粘剤)2.0重量%
α−テルピネオール(溶剤) 6α0重量%5ill粉
(遮蔽材) 5aO重量%上記各成分を実施例
1と同様にして、ペースト状マスキング材を得た。
(遮蔽材) 5aO重量%上記各成分を実施例
1と同様にして、ペースト状マスキング材を得た。
上記実施例1〜4.比較例1,2によシ得られたマスキ
ング材を用いて、以下の方法によりパターンを形成した
。
ング材を用いて、以下の方法によりパターンを形成した
。
しんちゅうの板にニッケルめっきを施した基板1をトリ
クロルエチレン、アセト/、イングロビルアルコールに
より順に超音波洗浄を行なった後、乾燥させ、基板表面
を第1− (a)図の様に完全に浄化する。この基板上
に、シルクスクリーン印刷により真空成膜用ペースト状
マスキング材を用いてネガパターンを第1−(b)図の
様に形成する。ネガパターンを形成した基板を真空槽内
に入れ、lX10″″’Pa以下の真空にして、基板バ
イアス電圧−100V、Arガス圧力1.55 P a
、直流電力2AX400Vの条件にて、金属Tiを3
分間スパッタリングした後。
クロルエチレン、アセト/、イングロビルアルコールに
より順に超音波洗浄を行なった後、乾燥させ、基板表面
を第1− (a)図の様に完全に浄化する。この基板上
に、シルクスクリーン印刷により真空成膜用ペースト状
マスキング材を用いてネガパターンを第1−(b)図の
様に形成する。ネガパターンを形成した基板を真空槽内
に入れ、lX10″″’Pa以下の真空にして、基板バ
イアス電圧−100V、Arガス圧力1.55 P a
、直流電力2AX400Vの条件にて、金属Tiを3
分間スパッタリングした後。
基板バイアス電圧−100V r A r / N z
混合ガス(混合比8;2)圧力6.35xlO−’Pa
。
混合ガス(混合比8;2)圧力6.35xlO−’Pa
。
直流電力1. I A X 460 Vの条件にて10
分間スパッタリングを行ない、第1−(c)図の様に。
分間スパッタリングを行ない、第1−(c)図の様に。
上記したネガパターンの上に、窒化チタン層3を形成し
た。この基板より、アセトンを使って。
た。この基板より、アセトンを使って。
窒化チタン層5を接着したまま
マスキング層2を除去して、第1−(d)図の様に。
窒化チタン層によるパターンを形成した。
(効果)
実施例1〜4.比較例1.2により得られたペースト状
マスキング材と、バイアススバッタリングによシ得られ
た窒化チタン層との密着性。
マスキング材と、バイアススバッタリングによシ得られ
た窒化チタン層との密着性。
実施例1〜4.比較例1,2を用いて形成した窒化チタ
ン層によるパターンの装飾効果を以下に示す。
ン層によるパターンの装飾効果を以下に示す。
尚、実施例1〜4.比較例1,2により得られたペース
ト状マスキング材の基材への印刷−能、耐熱性、除去性
能について検討を行なった※1印刷性能・・・ニッケル
めっき基板の上にシルクスクリーン印刷法によりマス キング材を用いて印刷されたパ ターンを目視判定した。
ト状マスキング材の基材への印刷−能、耐熱性、除去性
能について検討を行なった※1印刷性能・・・ニッケル
めっき基板の上にシルクスクリーン印刷法によりマス キング材を用いて印刷されたパ ターンを目視判定した。
O・・・鮮明に印刷されている
Δ・・・多少にじみがある
×・・・にじんでパターン印刷テ!
ない
※2耐熱性・・・マスキング材を用いてパターンを印刷
したニッケルめっき基板 を、真空乾燥機にて、120’C。
したニッケルめっき基板 を、真空乾燥機にて、120’C。
30分間乾燥して、スパッタリ
ングを施したことによシ得られ
た窒化チタン薄膜の色を目視判 □
定した。
○・・・薄膜の黒ずみは見られなか
った
×・・・薄膜の黒ずみが見られた
※5除去性能・・・マスキング材を用いてバター7を印
刷したニッケルめっき基板 の上に、窒化チタン薄膜を設け。
刷したニッケルめっき基板 の上に、窒化チタン薄膜を設け。
アセトンをしみ込ませたキムワ
イブ(ワイパーS−200,十
条キンバリー■製)を用いて。
上記した基板の上より、マスキ
ング材をふきとった。
○・・・容易に除去できた
X・・・力を入れることにより、除
去した
以上の様に9本発明におけるペースト状マスキング材は
、金属2合金等の基材への利用に好適である上、陶磁器
、はうろう、ガラス等といったガラス系基材にも十分適
応が可能であり。
、金属2合金等の基材への利用に好適である上、陶磁器
、はうろう、ガラス等といったガラス系基材にも十分適
応が可能であり。
形成される薄膜との密着性の効果が高く、優れた装飾効
果を有するパターンを形成し得るものである。
果を有するパターンを形成し得るものである。
ヰ裳排参六 ・
ζ 。
第1−(a)〜(d)図は9本発明における4−スト状
マスキング材を用いて、ノくターンを形成する過程を示
したものである。 1・・・・・・基板、 2・・・・・・マスキング層
。 3・・・・・・窒化チタン層。
マスキング材を用いて、ノくターンを形成する過程を示
したものである。 1・・・・・・基板、 2・・・・・・マスキング層
。 3・・・・・・窒化チタン層。
Claims (1)
- 軟化点が200℃以上のセルロース系の増粘剤0.1〜
30重量%と、上記セルロース系の増粘剤を溶解し得る
溶剤30〜90重量%と、非吸着性の無機粉体からなる
遮蔽材0.1〜70重量%と、導電性の無機粉体からな
る密着性向上剤0.1〜35重量%とから少なくともな
るペースト状マスキング材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125187A JPS63190159A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | ペ−スト状マスキング材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125187A JPS63190159A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | ペ−スト状マスキング材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190159A true JPS63190159A (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=12049852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2125187A Pending JPS63190159A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | ペ−スト状マスキング材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63190159A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012140644A (ja) * | 2009-12-04 | 2012-07-26 | Siemens Ag | マスキング材料、マスキング層、基板のマスキング方法および基板の被覆方法 |
-
1987
- 1987-01-31 JP JP2125187A patent/JPS63190159A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012140644A (ja) * | 2009-12-04 | 2012-07-26 | Siemens Ag | マスキング材料、マスキング層、基板のマスキング方法および基板の被覆方法 |
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