JPS63190715A - ＳｃＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＳｃＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63190715A JPS63190715A JP2156087A JP2156087A JPS63190715A JP S63190715 A JPS63190715 A JP S63190715A JP 2156087 A JP2156087 A JP 2156087A JP 2156087 A JP2156087 A JP 2156087A JP S63190715 A JPS63190715 A JP S63190715A
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- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物である５ｃＧａＺｎｚＯｓで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物である５ｃＧａＺｎｚＯｓで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”０．） 、Ｆｅ”Ｏ（ｎは整数を
示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｔ０４ ｔＹｂｔＦ１３ｚｏｔ、ＹｂＪｅ４０
＋ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ｓの六方晶系としての格子定
数、ＹｂＱ、、、層、ＦｅＯ，，５層、 ＦｅｔＯｔ、
ｓ ＩＮの単位格子内における層数を示する層状構造を
持つ化合物である。
＋ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ｓの六方晶系としての格子定
数、ＹｂＱ、、、層、ＦｅＯ，，５層、 ＦｅｔＯｔ、
ｓ ＩＮの単位格子内における層数を示する層状構造を
持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯａ） １ｌＦｅＯの化学式におい
て、ｎ＝２に相当し、Ｙｂ３＋の代わりにＳｃ”を、ｐ
ｅ ３ ＊の代わりにＧａ”を、Ｆｅｚ′″の代わり
にＺｎ”を置きかえて得られた新規な化合物を提供する
にある。
て、ｎ＝２に相当し、Ｙｂ３＋の代わりにＳｃ”を、ｐ
ｅ ３ ＊の代わりにＧａ”を、Ｆｅｚ′″の代わり
にＺｎ”を置きかえて得られた新規な化合物を提供する
にある。
発明の構成
本発明の５ｃＧａＺｎｚＯｓで示される化合物は、イオ
ン結晶モデルではＳｃ ３ ゛（Ｇａ１ ＋ 、 ｚ
ｎ ２ ”″）Ｚｎ”Ｏｓ”−とじて記載され、その構
造はＳｃＯ＋、ｓ層、（Ｇａ”“。
ン結晶モデルではＳｃ ３ ゛（Ｇａ１ ＋ 、 ｚ
ｎ ２ ”″）Ｚｎ”Ｏｓ”−とじて記載され、その構
造はＳｃＯ＋、ｓ層、（Ｇａ”“。
Ｚｎ”″）（ｈ、ｓ層およびＺｎＯ層の積層によって形
成されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴
の一つである。Ｚｎ”＋イオンの半数はＧａ”と共に（
Ｇａ” 、 Ｚｎ” ＞０１．Ｓ層を作り、残りの半数
はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定数は
次の通りである。
成されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴
の一つである。Ｚｎ”＋イオンの半数はＧａ”と共に（
Ｇａ” 、 Ｚｎ” ＞０１．Ｓ層を作り、残りの半数
はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定数は
次の通りである。
ａ ＝３．２６２ ± ０．００１ （人）ｃ ＝
２２．５０ ± ０．０１ （人）この化合物の
面指数（ｈｋＡ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値
、ｄｃは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強
度（１％）を示すと、表−２の通りである。
２２．５０ ± ０．０１ （人）この化合物の
面指数（ｈｋＡ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値
、ｄｃは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強
度（１％）を示すと、表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもしくは加
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｓｃ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対
２０割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度で、
大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが各々
３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されな
い還元雰囲気中で加熱することによって製造し得られる
。
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｓｃ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対
２０割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度で、
大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが各々
３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されな
い還元雰囲気中で加熱することによって製造し得られる
。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｓｃ、 Ｇａ、及びＺｎの割合が原
子比で１対１対２の割合であることが必要である。
子比で１対１対２の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよ
びＧａが各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態か
ら還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない、加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
びＧａが各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態か
ら還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない、加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られた５ｃＧａＺｎｚＯｓ化合物の粉末は無色であり
、粉末ＸｖＡ回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＳｃＯ＋、ｓ
層、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の
積み重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末ＸｖＡ回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＳｃＯ＋、ｓ
層、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の
積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化スカンジウム（Ｓｃｉ（ｈ
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ＊
Ｏ：＋）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉
末をモル比でｌ対１対４の割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数
μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入
し、１３００℃に設定された管状シリコニット炉内に入
れ３日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温ま
で急速に冷却した。得られた試料は５ｃＧａＺｎｔＯｓ
単−相であり、粉末ｘ′４１Ａ回折法によって面指数（
ｈｋｌ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）
を測定した。その結果は表−２の通りであった。
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ＊
Ｏ：＋）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉
末をモル比でｌ対１対４の割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数
μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入
し、１３００℃に設定された管状シリコニット炉内に入
れ３日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温ま
で急速に冷却した。得られた試料は５ｃＧａＺｎｔＯｓ
単−相であり、粉末ｘ′４１Ａ回折法によって面指数（
ｈｋｌ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）
を測定した。その結果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
ａ −３，２６２±０．００１ （人）ｃ ＝２２．５
０ ±ｏ、ｏｉ ＜人）であった。
０ ±ｏ、ｏｉ ＜人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｌｔｋｆｆｉ）
より算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（
ｄ。
より算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（
ｄ。
（人））と極めてよく一致した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長潮 高
信 雄 手続補正書 ｌ 事件の表示 昭和６２年特許願第０２１５６０号 化合物およびその１造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発矯正 ５ 補正の対象 ←）明細書第１０頁４行から５行「て有用な・・・・効
果を有する。」を「て有用な新規化合物を提供する。」
と訂正する。
信 雄 手続補正書 ｌ 事件の表示 昭和６２年特許願第０２１５６０号 化合物およびその１造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発矯正 ５ 補正の対象 ←）明細書第１０頁４行から５行「て有用な・・・・効
果を有する。」を「て有用な新規化合物を提供する。」
と訂正する。
Claims (2)
- （１）ＳｃＧａＺｎ＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもし
くは加熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物とを、Ｓｃ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対２の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することを特徴とするＳｃＧ
ａＺｎ＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層状構造を有す
る化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156087A JPH0244247B2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | Scgazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156087A JPH0244247B2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | Scgazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190715A true JPS63190715A (ja) | 1988-08-08 |
| JPH0244247B2 JPH0244247B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12058397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2156087A Expired - Lifetime JPH0244247B2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | Scgazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244247B2 (ja) |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP2156087A patent/JPH0244247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244247B2 (ja) | 1990-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |