JPS63215517A - ＳｃＧａＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＳｃＧａＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
- Publication number
- JPS63215517A JPS63215517A JP4567287A JP4567287A JPS63215517A JP S63215517 A JPS63215517 A JP S63215517A JP 4567287 A JP4567287 A JP 4567287A JP 4567287 A JP4567287 A JP 4567287A JP S63215517 A JPS63215517 A JP S63215517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- layered structure
- scgazn
- heated
- structure represented
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物である５ｃＧａＺｎｂＯｑで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物である５ｃＧａＺｎｂＯｑで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ” Ｆｅ”０ｘ）ｎＦｅ”Ｏ（ｎは整数を
示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｚＯａ、ＹｂＪｅ３０ｒ 、 ＹｂＪｅ４０＋
ｏ及びＹｂ、Ｆｅ、Ｏｌの六方晶系としての格子定数、
ＹｂＯ＋、ｓ層、 ＦｅＯ＋、ｓ層＋ ＦｅｔＯ，、ｓ
層の単位格子内における層数を示する層状構造を持つ化
合物である。
ｏ及びＹｂ、Ｆｅ、Ｏｌの六方晶系としての格子定数、
ＹｂＯ＋、ｓ層、 ＦｅＯ＋、ｓ層＋ ＦｅｔＯ，、ｓ
層の単位格子内における層数を示する層状構造を持つ化
合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯｓ） −ＦｅＯの化学式において
、ｎ＝１／６に相当し、ｙｂ″＋の代わりにＳｃ ３
′″を、Ｆｅ”の代わりにＧａ３＋を、Ｆｅ”の代わり
にｚ ｎ ２ ′″を置きかえて得られた新規な化合物
を提供するにある。
、ｎ＝１／６に相当し、ｙｂ″＋の代わりにＳｃ ３
′″を、Ｆｅ”の代わりにＧａ３＋を、Ｆｅ”の代わり
にｚ ｎ ２ ′″を置きかえて得られた新規な化合物
を提供するにある。
発明の構成
本発明のＳｃＧａＺｎａＯｗで示される化合物は、イオ
ン結晶モデルではＳｃ”（Ｇａ” 、 Ｚｎ”）Ｚｎ５
”Ｏｇ”−とじて記載され、その構造はＳｃＯ＋、ｓ層
（Ｇ ａ ３ ＋。
ン結晶モデルではＳｃ”（Ｇａ” 、 Ｚｎ”）Ｚｎ５
”Ｏｇ”−とじて記載され、その構造はＳｃＯ＋、ｓ層
（Ｇ ａ ３ ＋。
Ｚｎ”）Ｏｔ、 ｓ層およびＺｎＯＮ（Ｄ ａ ｉｉｉ
ニＪ： ッテ形成されており、著しい構造異方性を持
つことがその特徴の一つである。Ｚｎ”イオンの１７６
はＧａｌ＋と共に（Ｇａ” 、Ｚｎ”）Ｏｇ、ｓ層を作
り、残りの５７６はＺｎＯ層を作っている。六方晶系と
しての格子定数は次の通りである。
ニＪ： ッテ形成されており、著しい構造異方性を持
つことがその特徴の一つである。Ｚｎ”イオンの１７６
はＧａｌ＋と共に（Ｇａ” 、Ｚｎ”）Ｏｇ、ｓ層を作
り、残りの５７６はＺｎＯ層を作っている。六方晶系と
しての格子定数は次の通りである。
ａ ＝３．２５８ ±０．００１ （人）Ｃ＝４３．
２４ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈ
７り、面間隔（ｄ（入））。
２４ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈ
７り、面間隔（ｄ（入））。
（ｄ、は実測値、ｄｃは計算値を示す）およびＸ線に対
する相対反射強度（１％）を示すと、表−２の通りであ
る。
する相対反射強度（１％）を示すと、表−２の通りであ
る。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもしくは加
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｓｃ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対
６の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度で、
大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが各々
３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されな
い還元雰囲気中で加熱することによって製造し得られる
。
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｓｃ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対
６の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度で、
大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが各々
３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されな
い還元雰囲気中で加熱することによって製造し得られる
。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また光機能材料、半導体材料として用いる場合には不純
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｓｃ、 Ｇａ及びＺｎの割合が原子
比で１対１対６の割合であることが必要である。
比で１対１対６の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよ
びＧａが各々３価イオン状ＪＬ Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
びＧａが各々３価イオン状ＪＬ Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷す
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＳｃＧａＺｎｔｈＯｗ化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＳｃＯ，、、
層、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｘ、 ｓ Ｊｉｆ 、および
ＺｎＯ層の積み重ねによって形成されていることが分か
った。
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＳｃＯ，、、
層、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｘ、 ｓ Ｊｉｆ 、および
ＺｎＯ層の積み重ねによって形成されていることが分か
った。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化スカンジウム（ＳｃｚＯｓ
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｔ
ｅａ）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末
をモル比で１対、１対１２の割合に秤量し、めのう乳鉢
内でエタノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径
数μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封
入し、１４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に
入れ８日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温
まで急速に冷却した。得られた試料はＳｃＧａＺｎ６Ｏ
９単−相であった。粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈ
ｋＩｌ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）
を測定した。その結果は表−２の通りであった。
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｔ
ｅａ）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末
をモル比で１対、１対１２の割合に秤量し、めのう乳鉢
内でエタノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径
数μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封
入し、１４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に
入れ８日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温
まで急速に冷却した。得られた試料はＳｃＧａＺｎ６Ｏ
９単−相であった。粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈ
ｋＩｌ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）
を測定した。その結果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
ａ −３，２５８±０．００１ （人）ｃ ＝４３．
２４ ±０．０１ （人）であった。
２４ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ ｊ２）
より算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（
ｄｏ（人））と極めてよく一致した。
より算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（
ｄｏ（人））と極めてよく一致した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供 −する。
新規化合物を提供 −する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長潮 高
信 雄
信 雄
Claims (2)
- （１）ＳｃＧａＺｎ＿６Ｏ＿９で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもし
くは加熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物とを、Ｓｃ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対６の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする ＳｃＧａＺｎ＿６Ｏ＿９で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4567287A JPH0244253B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | Scgazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4567287A JPH0244253B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | Scgazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63215517A true JPS63215517A (ja) | 1988-09-08 |
| JPH0244253B2 JPH0244253B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12725880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4567287A Expired - Lifetime JPH0244253B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | Scgazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244253B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP4567287A patent/JPH0244253B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244253B2 (ja) | 1990-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63265818A (ja) | ＩｎＧａＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63215519A (ja) | ＩｎＧａＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63210022A (ja) | ＩｎＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0435407B2 (ja) | ||
| JPS63215516A (ja) | ＳｃＧａＺｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63215514A (ja) | ＳｃＡｌＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0435408B2 (ja) | ||
| JPS63260824A (ja) | ＹｂＦｅＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0435415B2 (ja) | ||
| JPH0314779B2 (ja) | ||
| JPS63256529A (ja) | ＬｕＦｅＺｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の属状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63215522A (ja) | ＳｃＦｅＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63260825A (ja) | ＳｃＦｅＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63277520A (ja) | ＬｕＦｅＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63295419A (ja) | ＹｂＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63256520A (ja) | ＳｃＡ１Ｚｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63256528A (ja) | ＹｂＦｅＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63210030A (ja) | ＳｃＦｅＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63260823A (ja) | ＬｕＦｅＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0246528B2 (ja) | Sca1zn609deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0338212B2 (ja) | ||
| JPH0348134B2 (ja) | ||
| JPH0348135B2 (ja) | ||
| JPH0359005B2 (ja) | ||
| JPH0246522B2 (ja) | Scalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |