JPS63199728A - 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 - Google Patents
芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はレーザー光線により信号を記録し、あるいは
レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読
み出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられる
ポリカーボネート三元共重合体に関するものであり主と
して光学式ディスクに使用されるものに関する。
レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読
み出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられる
ポリカーボネート三元共重合体に関するものであり主と
して光学式ディスクに使用されるものに関する。
(従来の技術)
レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいはこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すDRAW(ダ
イレクト・リード・アフター・ライト)、Era’5a
ble−DRAW(イレーザブル−ダイレクト・リード
・アフター・ライト)型光学式情報記録・再生方式は著
しく記録密度を上げることができ、特にErasabl
e−DRAW型では記録の消去・書き込みも可能であり
、且つそれらから再生される画像や音質が優れた特性を
有することから画像や音質の記録又は記録再生、多量の
情報記録再生等に広く実用されることが期待されている
。この記録再生方式に利用されるディスクにはディスク
本体をレーザー光線が透過するために透明であることは
勿論のこと、読み取り誤差を少なくするために光学的均
質性が強く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷
却及び流動過程において生じた熱応力9分子配向、ガラ
ス転移点付近の容積変化による残留応力が主な原因とな
り、レーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折
が生ずる。この複屈折に起因する光学的不均一性が大き
いことは光学式ディスクとしては致命的欠陥である。
スクに微細なピットで信号を記録あるいはこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すDRAW(ダ
イレクト・リード・アフター・ライト)、Era’5a
ble−DRAW(イレーザブル−ダイレクト・リード
・アフター・ライト)型光学式情報記録・再生方式は著
しく記録密度を上げることができ、特にErasabl
e−DRAW型では記録の消去・書き込みも可能であり
、且つそれらから再生される画像や音質が優れた特性を
有することから画像や音質の記録又は記録再生、多量の
情報記録再生等に広く実用されることが期待されている
。この記録再生方式に利用されるディスクにはディスク
本体をレーザー光線が透過するために透明であることは
勿論のこと、読み取り誤差を少なくするために光学的均
質性が強く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷
却及び流動過程において生じた熱応力9分子配向、ガラ
ス転移点付近の容積変化による残留応力が主な原因とな
り、レーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折
が生ずる。この複屈折に起因する光学的不均一性が大き
いことは光学式ディスクとしては致命的欠陥である。
(発明が解決しようとする問題点)
このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力9分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身□のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大
きく依存している。
おいて生じた熱応力9分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身□のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大
きく依存している。
(問題点を解決するための手段)
複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記(1)式
で表すことができる。
で表すことができる。
2’11−112:C((71−(72)
(1)nl−n2:複屈折 σ1−σ2:残留応力 C:光弾性定数 式(1)の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じで
も得られるディスクの複屈折が小さくなることは明らか
である。そこで発明者らは2,2−ビス−(4−ヒドロ
キシ−3−ターシャリーブチルフェニル)プロパンと2
,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパンと更
に1,1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘ
キサンをカーボネート結合によって共重合させることに
よって、芳香族ポリカーボネートの機械的特性を損ねる
ことなく光弾性定数の小さな樹脂が得られる事実を見出
し、本発明に至ったものである。
(1)nl−n2:複屈折 σ1−σ2:残留応力 C:光弾性定数 式(1)の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じで
も得られるディスクの複屈折が小さくなることは明らか
である。そこで発明者らは2,2−ビス−(4−ヒドロ
キシ−3−ターシャリーブチルフェニル)プロパンと2
,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパンと更
に1,1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘ
キサンをカーボネート結合によって共重合させることに
よって、芳香族ポリカーボネートの機械的特性を損ねる
ことなく光弾性定数の小さな樹脂が得られる事実を見出
し、本発明に至ったものである。
(発明の構成)
本発明は、2,2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ター
シャリーブチルフェニル)プロパン(I)15〜85モ
ル%と、2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン(II )3〜80モル%と更に、1,1.ビス
−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン(III
)3〜85モル%を各々の合計が100モル%になるよ
うにカーボネート結合により結合して得られる芳香族ポ
リカーボネート共重合体であって、そのガラス転移温度
が125°C以上であり、且つ、光弾性定数がdoブリ
ュースターズ(Brewsters、10−12m2/
N)以下である芳香族ポリカーボネート共重合体から成
る光学式ディスクに関する。
シャリーブチルフェニル)プロパン(I)15〜85モ
ル%と、2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン(II )3〜80モル%と更に、1,1.ビス
−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン(III
)3〜85モル%を各々の合計が100モル%になるよ
うにカーボネート結合により結合して得られる芳香族ポ
リカーボネート共重合体であって、そのガラス転移温度
が125°C以上であり、且つ、光弾性定数がdoブリ
ュースターズ(Brewsters、10−12m2/
N)以下である芳香族ポリカーボネート共重合体から成
る光学式ディスクに関する。
この芳香族ポリカーボネート共重合体において式(I)
の構成単位は20〜70モル%の範囲が好ましい。この
構成単位が70モル%超えると得られる芳香族ポリカー
ボネート共重合体のガラス転移温度が125°C以下に
なり、また、20モル%より低いと共電体の光弾性定数
が60ブリユースターズ(Brewsters、10−
12m2/N)以上になり光学式ディスクとして好まし
くない。式(II)の構成単位は、3〜70モル%の範
囲が好ましい。式(II )の構成単位は、得られる芳
香族ポリカーボネートの長期熱安定性を向上させ熱によ
る変色を防止するが、70モル%を超えると光弾性定数
が60プリ二一スターズ(BreWSterSjlO−
12m2/N)以上になり、また、3モル%より少ない
と構成単位(II)の導入による長期熱安定性の向上が
全黙認められない。式(III )の構成単位は、3〜
70モル%の範囲が好ましい。構成単位(III )も
得られる芳香族ポリカーボネートの長期熱安定性、特に
熱により重量損失を防止するが70モル%を超えると共
重合体の機械的性質、特に耐衝撃性が低下し実質上下適
格となり、また、3モル%より低いと構成単位(III
)の効果が現れない。尚、本発明の共重合体のビスフェ
ノールA−ポリカーボネート換算の粘度平均分子量は1
3,000〜50,000が好ましい。13,000未
満では共重合体が脆くなり、50゜OOOを越えると溶
融流動性が悪くなり成形性が劣る。本発明のポリカーボ
ネート共重合体の製造法としては、次の二つの方法があ
る。
の構成単位は20〜70モル%の範囲が好ましい。この
構成単位が70モル%超えると得られる芳香族ポリカー
ボネート共重合体のガラス転移温度が125°C以下に
なり、また、20モル%より低いと共電体の光弾性定数
が60ブリユースターズ(Brewsters、10−
12m2/N)以上になり光学式ディスクとして好まし
くない。式(II)の構成単位は、3〜70モル%の範
囲が好ましい。式(II )の構成単位は、得られる芳
香族ポリカーボネートの長期熱安定性を向上させ熱によ
る変色を防止するが、70モル%を超えると光弾性定数
が60プリ二一スターズ(BreWSterSjlO−
12m2/N)以上になり、また、3モル%より少ない
と構成単位(II)の導入による長期熱安定性の向上が
全黙認められない。式(III )の構成単位は、3〜
70モル%の範囲が好ましい。構成単位(III )も
得られる芳香族ポリカーボネートの長期熱安定性、特に
熱により重量損失を防止するが70モル%を超えると共
重合体の機械的性質、特に耐衝撃性が低下し実質上下適
格となり、また、3モル%より低いと構成単位(III
)の効果が現れない。尚、本発明の共重合体のビスフェ
ノールA−ポリカーボネート換算の粘度平均分子量は1
3,000〜50,000が好ましい。13,000未
満では共重合体が脆くなり、50゜OOOを越えると溶
融流動性が悪くなり成形性が劣る。本発明のポリカーボ
ネート共重合体の製造法としては、次の二つの方法があ
る。
■エステル交換法
2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ターシャリーブ
チルフェニル)プロパン、2,2−ビス−(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、1,1−ビス−(4−ヒドロ
キシフェニル)シクロヘキサンの混合物に対し化学量論
的に当量よりやや過剰のジフェニルカーボネートに、通
常のカーボネート化触媒の存在下、約160〜180°
Cの温度下で常圧下、不活性ガスを導入した条件で約3
0分反応させ、2時間かけて徐々に減圧しながら約18
0〜220°Cの温度下で最終的に10Torr、22
0°Cで前縮合を終了する。その後、10Torr、2
70°Cで30分、5Torr、270°Cで20分反
応し、次いで0.5Torr以下、好ましくは0゜3T
orr〜0.ITorrの減圧下で270°Cで1.5
時間〜2゜0時間後締合を進める。尚、カーボネート結
合のためカーボネート化触媒としては、リチウム系触媒
、カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触
媒、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒
が適しており、例えば、水酸化リチウム、炭酸リチウム
、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化
ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウ
ム、ジブチル錫オキシド、酸化第1錫が挙げられる。こ
れらのうち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。
チルフェニル)プロパン、2,2−ビス−(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、1,1−ビス−(4−ヒドロ
キシフェニル)シクロヘキサンの混合物に対し化学量論
的に当量よりやや過剰のジフェニルカーボネートに、通
常のカーボネート化触媒の存在下、約160〜180°
Cの温度下で常圧下、不活性ガスを導入した条件で約3
0分反応させ、2時間かけて徐々に減圧しながら約18
0〜220°Cの温度下で最終的に10Torr、22
0°Cで前縮合を終了する。その後、10Torr、2
70°Cで30分、5Torr、270°Cで20分反
応し、次いで0.5Torr以下、好ましくは0゜3T
orr〜0.ITorrの減圧下で270°Cで1.5
時間〜2゜0時間後締合を進める。尚、カーボネート結
合のためカーボネート化触媒としては、リチウム系触媒
、カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触
媒、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒
が適しており、例えば、水酸化リチウム、炭酸リチウム
、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化
ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウ
ム、ジブチル錫オキシド、酸化第1錫が挙げられる。こ
れらのうち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。
■ホスゲン法
三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管を付けこれに、2,2−ビス−(4−ヒドロキシ−
3−ターシャリーブチルフェニル)プロパン、2゜2−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパンおよび1゜
1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン
の混合物のピリジン溶液を入れ、これを激しくかき混ぜ
ながらホスゲンガスを導入する。ホスゲンは猛毒である
から強力なドラフト中で操作する。また排気末端には水
酸化ナトリウム10%水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒
化するユニットをつける。ホスゲンはボンベ空の洗気び
ん、パラフィンを入れた洗気びん(池数を数える)。
気管を付けこれに、2,2−ビス−(4−ヒドロキシ−
3−ターシャリーブチルフェニル)プロパン、2゜2−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパンおよび1゜
1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン
の混合物のピリジン溶液を入れ、これを激しくかき混ぜ
ながらホスゲンガスを導入する。ホスゲンは猛毒である
から強力なドラフト中で操作する。また排気末端には水
酸化ナトリウム10%水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒
化するユニットをつける。ホスゲンはボンベ空の洗気び
ん、パラフィンを入れた洗気びん(池数を数える)。
空の洗気びんを通してフラスコに導入する。ガラス導入
管はかき混ぜ機の上に差し込むようにし、析出するピリ
ジン塩によって詰まらないようにするため先端を漏斗状
に広げておく。ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出
して内容は濁ってくる。反応温度は30’C以下になる
ように水冷する。縮合の進行と共に粘ちょうになってく
る。ホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまで
ホスゲンを通じる。反応終了後、メタノールを加えて重
合体を沈殿せしめ、ろ別乾燥する。生成するポリカーボ
ネートは塩化メチレン、とリジン、クロロホルム、テト
ラヒドロフランなどに溶けるから、これらの溶液からメ
タノールで再沈殿して精製する。このようにして得られ
るポリカーボネート共重合体は、レーザー光線により信
号を記録し、或いは、レーザー光線の反射又は透過によ
り記録された信号の読み出しをおこなうDRAW、Er
asabie−DRAW型光学式情報記録用ディスクに
有用である。以下に本発明を実施例について説明するが
、本発明は、これらの実施例によって限定されるもので
はない。尚、以下の実施例に示した粘度平均分子量とは
、ビスフェノールA・ポリカーボネートの20°Cにお
ける塩化メチレン溶液を用いて測定して固有粘度[rl
lと分子量Mの関係式として得られた [r11=1.llX10−4MO882[E、Mii
11er&O,Bayer;USP2,999,844
(1961)]の式を用い固有粘度から計算したビスフ
ェノールA・ポリカーボネート換算の分子量である。
管はかき混ぜ機の上に差し込むようにし、析出するピリ
ジン塩によって詰まらないようにするため先端を漏斗状
に広げておく。ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出
して内容は濁ってくる。反応温度は30’C以下になる
ように水冷する。縮合の進行と共に粘ちょうになってく
る。ホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまで
ホスゲンを通じる。反応終了後、メタノールを加えて重
合体を沈殿せしめ、ろ別乾燥する。生成するポリカーボ
ネートは塩化メチレン、とリジン、クロロホルム、テト
ラヒドロフランなどに溶けるから、これらの溶液からメ
タノールで再沈殿して精製する。このようにして得られ
るポリカーボネート共重合体は、レーザー光線により信
号を記録し、或いは、レーザー光線の反射又は透過によ
り記録された信号の読み出しをおこなうDRAW、Er
asabie−DRAW型光学式情報記録用ディスクに
有用である。以下に本発明を実施例について説明するが
、本発明は、これらの実施例によって限定されるもので
はない。尚、以下の実施例に示した粘度平均分子量とは
、ビスフェノールA・ポリカーボネートの20°Cにお
ける塩化メチレン溶液を用いて測定して固有粘度[rl
lと分子量Mの関係式として得られた [r11=1.llX10−4MO882[E、Mii
11er&O,Bayer;USP2,999,844
(1961)]の式を用い固有粘度から計算したビスフ
ェノールA・ポリカーボネート換算の分子量である。
(実施例)
実施例1
2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ターシャリーブ
チルフェニル)プロパン163重量部(40mo1%)
と2,2−ビスー(4,ヒドロキシフェニル)プロパン
82重量部(30mo1%)と1,1−ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)シクロヘキサン97重量部(30m
o1%)とジフェニルカーボネート264重量部を31
三つロフラスコに入れ、脱気、N2パージを5回繰り返
した後、シリコンバス160°Cで窒素を導入しながら
溶融させた。溶融したら、カーボネート化触媒である水
素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶かした溶液(
仕込んだビスフェノール全量に対して10−3mo1%
量)を加え、160℃,N2下、30分攪はん醸成した
。次に、同温度下IQQTorrに減圧にし、30分攪
はんした後、同温度下でさらに5QTorrに減圧し、
60分反応させた。次に徐々に温度を220°Cまで上
げ60分反応させ、ここまでの反応でフェノール留出理
論量の80%を留出させた。
チルフェニル)プロパン163重量部(40mo1%)
と2,2−ビスー(4,ヒドロキシフェニル)プロパン
82重量部(30mo1%)と1,1−ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)シクロヘキサン97重量部(30m
o1%)とジフェニルカーボネート264重量部を31
三つロフラスコに入れ、脱気、N2パージを5回繰り返
した後、シリコンバス160°Cで窒素を導入しながら
溶融させた。溶融したら、カーボネート化触媒である水
素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶かした溶液(
仕込んだビスフェノール全量に対して10−3mo1%
量)を加え、160℃,N2下、30分攪はん醸成した
。次に、同温度下IQQTorrに減圧にし、30分攪
はんした後、同温度下でさらに5QTorrに減圧し、
60分反応させた。次に徐々に温度を220°Cまで上
げ60分反応させ、ここまでの反応でフェノール留出理
論量の80%を留出させた。
しかる後、同温度下で1QTorrに減圧し30分反応
させ温度を徐々に270°Cに上げ、30分反応させた
。さらに同温度下で5Torrに減圧し30分反応させ
、フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を
終えた。次に同温度下で0.1〜0゜3Torrで2時
間径縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出
し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒に用いて20°C
にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均
分子量v=19,800であった。また、DSC(ディ
ファレンシャル・スキャニング・カロリメーター;Pe
rkin−Elmer 2C型)からガラス転移点はT
g=138°Cであることがわかった。更に光弾性定数
を測定するとC=47ブリユースターズ(Brewst
ers、10−12m2/N)であることがわかった。
させ温度を徐々に270°Cに上げ、30分反応させた
。さらに同温度下で5Torrに減圧し30分反応させ
、フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を
終えた。次に同温度下で0.1〜0゜3Torrで2時
間径縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出
し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒に用いて20°C
にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均
分子量v=19,800であった。また、DSC(ディ
ファレンシャル・スキャニング・カロリメーター;Pe
rkin−Elmer 2C型)からガラス転移点はT
g=138°Cであることがわかった。更に光弾性定数
を測定するとC=47ブリユースターズ(Brewst
ers、10−12m2/N)であることがわかった。
測定に使用した機器ハ、DSC;ディファレンシャル・
スキャンニング・カロリメーターPerkin−E1m
er 2C型、光弾性定数は自作のものを用いて測定し
たが、光弾性定数の算出方法は試験片(50mmX10
mmX1mm)に異なる大きさの引張応力を長さ方向に
追加し、前記式(1)に各々の値を代入してその傾きか
ら光弾性定数を求めた。因に2,2−ビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパンのポリカーボネートの光弾性
定数はC=82ブリュースターズ(Brewsters
、10−12m2/N)であった。
スキャンニング・カロリメーターPerkin−E1m
er 2C型、光弾性定数は自作のものを用いて測定し
たが、光弾性定数の算出方法は試験片(50mmX10
mmX1mm)に異なる大きさの引張応力を長さ方向に
追加し、前記式(1)に各々の値を代入してその傾きか
ら光弾性定数を求めた。因に2,2−ビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパンのポリカーボネートの光弾性
定数はC=82ブリュースターズ(Brewsters
、10−12m2/N)であった。
実施例2
三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。水酸化ナトリウム10重量%水溶液に2,
2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ターシャリーブチル
フェニル)プロパン163 t 11 部(40mo1
%)と2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン82重量部(30mo1%)と1,1−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン97重量部(3
0mo1%)を溶かし、ジクロルメタンを加え、これを
激しく攪はんしながらホスゲンガスを導入した。ホスゲ
ンはボンベから空の洗気びん、水を入れた洗気びん、空
の洗気びんを通してフラスコに導入した。ホスゲンガス
を導入中の反応温度は25°C以下になるように水冷し
た。縮合の進行と共に溶液は粘ちょうになってくる。さ
らにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなる迄ホ
スゲンを通じた。反応終了後、メタノールに反応溶液を
注ぎ込み、ろ別し、水洗を繰り返した。さらに生成した
ポリカーボネートはジクロルメタンの溶液からメタノー
ルで再沈して精製した。精製後よく乾燥したのち、ジク
ロルメタンを溶媒に用いて20°Cにて溶液粘度を測定
した。この値から算出した粘度平均分子量はMv=23
,000であった。さらに、実施例1と同様の測定を行
ったところ、実施例1と同じガラス転移点及び光弾性定
数であることが、わかった。
管をつける。水酸化ナトリウム10重量%水溶液に2,
2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ターシャリーブチル
フェニル)プロパン163 t 11 部(40mo1
%)と2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン82重量部(30mo1%)と1,1−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン97重量部(3
0mo1%)を溶かし、ジクロルメタンを加え、これを
激しく攪はんしながらホスゲンガスを導入した。ホスゲ
ンはボンベから空の洗気びん、水を入れた洗気びん、空
の洗気びんを通してフラスコに導入した。ホスゲンガス
を導入中の反応温度は25°C以下になるように水冷し
た。縮合の進行と共に溶液は粘ちょうになってくる。さ
らにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなる迄ホ
スゲンを通じた。反応終了後、メタノールに反応溶液を
注ぎ込み、ろ別し、水洗を繰り返した。さらに生成した
ポリカーボネートはジクロルメタンの溶液からメタノー
ルで再沈して精製した。精製後よく乾燥したのち、ジク
ロルメタンを溶媒に用いて20°Cにて溶液粘度を測定
した。この値から算出した粘度平均分子量はMv=23
,000であった。さらに、実施例1と同様の測定を行
ったところ、実施例1と同じガラス転移点及び光弾性定
数であることが、わかった。
(記録特性の評価)
上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例1
,2に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形機(
多機製作所製、グイナメルター)を用いて直径130m
m、厚さ1.2mmの円盤状基板に成形し、この基板上
にTb23.5Fe64゜2CO12,3(原子%)の
合金ターゲットを用いてスパッタリング装置(RFスパ
ッタリング装置、日本真空(株)製)中で光磁気記録膜
を1,000人形成した。この記録膜上に本出願人によ
る特開昭60−177449号に記載の無機ガラスの保
護膜1,000人を上記と同じスパッタリング装置を用
いて形成した。得られた光磁気ディスクの性能をCN比
、BERおよび600C90RH%の条件下でのCN比
変化率で評価した。結果は表1の通りであった。
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例1
,2に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形機(
多機製作所製、グイナメルター)を用いて直径130m
m、厚さ1.2mmの円盤状基板に成形し、この基板上
にTb23.5Fe64゜2CO12,3(原子%)の
合金ターゲットを用いてスパッタリング装置(RFスパ
ッタリング装置、日本真空(株)製)中で光磁気記録膜
を1,000人形成した。この記録膜上に本出願人によ
る特開昭60−177449号に記載の無機ガラスの保
護膜1,000人を上記と同じスパッタリング装置を用
いて形成した。得られた光磁気ディスクの性能をCN比
、BERおよび600C90RH%の条件下でのCN比
変化率で評価した。結果は表1の通りであった。
表1
(注1)CN比=書き込みパワー7mW(ミリワット)
。
。
読み取りパワー1mW、キャリア周波数IMHz、分解
能帯域中30KHzで測定 (注2)CN変化率(%)=初期CN比に対する60’
C。
能帯域中30KHzで測定 (注2)CN変化率(%)=初期CN比に対する60’
C。
90RH%条件下で30日経過後のCN比の低下度(注
3)比較例=従来公知のポリカーボネート(音大化成(
株)AD−5503)基板を用いて上記と同じ手順で光
磁気ディスクを作ったものである。
3)比較例=従来公知のポリカーボネート(音大化成(
株)AD−5503)基板を用いて上記と同じ手順で光
磁気ディスクを作ったものである。
表1の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりCN比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりCN比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 2、2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ターシャリーブ
チルフェニル)プロパン15〜85モル%、2、2−ビ
ス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン3〜80モル
%と1、1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン3〜85モル%を各々の合計が100モル%に
なるようにカーボネート結合により、結合して得られる
芳香族ポリカーボネート共重合体であって、そのガラス
転移温度が125℃以上であり、且つ、光弾性定数が6
0ブリュースターズ (Brewsters、10^−^1^2m^2/N)
以下である芳香族ポリカーボネート三元共重合体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62031498A JPS63199728A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62031498A JPS63199728A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63199728A true JPS63199728A (ja) | 1988-08-18 |
Family
ID=12332901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62031498A Pending JPS63199728A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63199728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5168112A (en) * | 1989-02-10 | 1992-12-01 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Process for the preparation of a polycarbonate with piperidinyl pyridine catalyst |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP62031498A patent/JPS63199728A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5168112A (en) * | 1989-02-10 | 1992-12-01 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Process for the preparation of a polycarbonate with piperidinyl pyridine catalyst |
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