JPS63199728A - 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 - Google Patents

芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体

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JPS63199728A
JPS63199728A JP62031498A JP3149887A JPS63199728A JP S63199728 A JPS63199728 A JP S63199728A JP 62031498 A JP62031498 A JP 62031498A JP 3149887 A JP3149887 A JP 3149887A JP S63199728 A JPS63199728 A JP S63199728A
Authority
JP
Japan
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bis
hydroxyphenyl
propane
mol
photoelastic constant
Prior art date
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Pending
Application number
JP62031498A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Sasaki
佐々城 賢一
Ikuo Takahashi
郁夫 高橋
Tatsuya Sugano
菅野 龍也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daicel Corp
Original Assignee
Daicel Chemical Industries Ltd
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Publication date
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  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明はレーザー光線により信号を記録し、あるいは
レーザー光線の反射又は透過により記録された信号の読
み出しを行なう光学式情報記録用ディスクに用いられる
ポリカーボネート三元共重合体に関するものであり主と
して光学式ディスクに使用されるものに関する。
(従来の技術) レーザー光線のスポットビームをディスクにあて、ディ
スクに微細なピットで信号を記録あるいはこのようなピ
ットによって記録された信号をレーザー光線の反射又は
透過光量を検出することによって読み出すDRAW(ダ
イレクト・リード・アフター・ライト)、Era’5a
ble−DRAW(イレーザブル−ダイレクト・リード
・アフター・ライト)型光学式情報記録・再生方式は著
しく記録密度を上げることができ、特にErasabl
e−DRAW型では記録の消去・書き込みも可能であり
、且つそれらから再生される画像や音質が優れた特性を
有することから画像や音質の記録又は記録再生、多量の
情報記録再生等に広く実用されることが期待されている
。この記録再生方式に利用されるディスクにはディスク
本体をレーザー光線が透過するために透明であることは
勿論のこと、読み取り誤差を少なくするために光学的均
質性が強く求められる。ディスク本体形成時の樹脂の冷
却及び流動過程において生じた熱応力9分子配向、ガラ
ス転移点付近の容積変化による残留応力が主な原因とな
り、レーザー光線がディスク本体を通過する際に複屈折
が生ずる。この複屈折に起因する光学的不均一性が大き
いことは光学式ディスクとしては致命的欠陥である。
(発明が解決しようとする問題点) このようにディスク成形時の樹脂の冷却及び流動過程に
おいて生じた熱応力9分子配向、残留応力が主原因で生
ずる複屈折は形成条件を選ぶことによって、得られるデ
ィスクの複屈折はかなり小さくすることができるが、成
形樹脂自身□のもつ固有の複屈折、即ち光弾性定数に大
きく依存している。
(問題点を解決するための手段) 複屈折は光弾性定数と残留応力の積として下記(1)式
で表すことができる。
2’11−112:C((71−(72)      
 (1)nl−n2:複屈折 σ1−σ2:残留応力 C:光弾性定数 式(1)の光弾性定数を小さくすれば成形条件が同じで
も得られるディスクの複屈折が小さくなることは明らか
である。そこで発明者らは2,2−ビス−(4−ヒドロ
キシ−3−ターシャリーブチルフェニル)プロパンと2
,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパンと更
に1,1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘ
キサンをカーボネート結合によって共重合させることに
よって、芳香族ポリカーボネートの機械的特性を損ねる
ことなく光弾性定数の小さな樹脂が得られる事実を見出
し、本発明に至ったものである。
(発明の構成) 本発明は、2,2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ター
シャリーブチルフェニル)プロパン(I)15〜85モ
ル%と、2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プ
ロパン(II )3〜80モル%と更に、1,1.ビス
−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン(III
)3〜85モル%を各々の合計が100モル%になるよ
うにカーボネート結合により結合して得られる芳香族ポ
リカーボネート共重合体であって、そのガラス転移温度
が125°C以上であり、且つ、光弾性定数がdoブリ
ュースターズ(Brewsters、10−12m2/
N)以下である芳香族ポリカーボネート共重合体から成
る光学式ディスクに関する。
この芳香族ポリカーボネート共重合体において式(I)
の構成単位は20〜70モル%の範囲が好ましい。この
構成単位が70モル%超えると得られる芳香族ポリカー
ボネート共重合体のガラス転移温度が125°C以下に
なり、また、20モル%より低いと共電体の光弾性定数
が60ブリユースターズ(Brewsters、10−
12m2/N)以上になり光学式ディスクとして好まし
くない。式(II)の構成単位は、3〜70モル%の範
囲が好ましい。式(II )の構成単位は、得られる芳
香族ポリカーボネートの長期熱安定性を向上させ熱によ
る変色を防止するが、70モル%を超えると光弾性定数
が60プリ二一スターズ(BreWSterSjlO−
12m2/N)以上になり、また、3モル%より少ない
と構成単位(II)の導入による長期熱安定性の向上が
全黙認められない。式(III )の構成単位は、3〜
70モル%の範囲が好ましい。構成単位(III )も
得られる芳香族ポリカーボネートの長期熱安定性、特に
熱により重量損失を防止するが70モル%を超えると共
重合体の機械的性質、特に耐衝撃性が低下し実質上下適
格となり、また、3モル%より低いと構成単位(III
)の効果が現れない。尚、本発明の共重合体のビスフェ
ノールA−ポリカーボネート換算の粘度平均分子量は1
3,000〜50,000が好ましい。13,000未
満では共重合体が脆くなり、50゜OOOを越えると溶
融流動性が悪くなり成形性が劣る。本発明のポリカーボ
ネート共重合体の製造法としては、次の二つの方法があ
る。
■エステル交換法 2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ターシャリーブ
チルフェニル)プロパン、2,2−ビス−(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、1,1−ビス−(4−ヒドロ
キシフェニル)シクロヘキサンの混合物に対し化学量論
的に当量よりやや過剰のジフェニルカーボネートに、通
常のカーボネート化触媒の存在下、約160〜180°
Cの温度下で常圧下、不活性ガスを導入した条件で約3
0分反応させ、2時間かけて徐々に減圧しながら約18
0〜220°Cの温度下で最終的に10Torr、22
0°Cで前縮合を終了する。その後、10Torr、2
70°Cで30分、5Torr、270°Cで20分反
応し、次いで0.5Torr以下、好ましくは0゜3T
orr〜0.ITorrの減圧下で270°Cで1.5
時間〜2゜0時間後締合を進める。尚、カーボネート結
合のためカーボネート化触媒としては、リチウム系触媒
、カリウム系触媒、ナトリウム系触媒、カルシウム系触
媒、錫系触媒等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒
が適しており、例えば、水酸化リチウム、炭酸リチウム
、水素化ホウ素カリウム、リン酸水素カリウム、水酸化
ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウ
ム、ジブチル錫オキシド、酸化第1錫が挙げられる。こ
れらのうち、カリウム系触媒を用いることが好ましい。
■ホスゲン法 三つロフラスコにかき混ぜ機、温度計、ガス導入管、排
気管を付けこれに、2,2−ビス−(4−ヒドロキシ−
3−ターシャリーブチルフェニル)プロパン、2゜2−
ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパンおよび1゜
1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン
の混合物のピリジン溶液を入れ、これを激しくかき混ぜ
ながらホスゲンガスを導入する。ホスゲンは猛毒である
から強力なドラフト中で操作する。また排気末端には水
酸化ナトリウム10%水溶液で余剰ホスゲンを分解無毒
化するユニットをつける。ホスゲンはボンベ空の洗気び
ん、パラフィンを入れた洗気びん(池数を数える)。
空の洗気びんを通してフラスコに導入する。ガラス導入
管はかき混ぜ機の上に差し込むようにし、析出するピリ
ジン塩によって詰まらないようにするため先端を漏斗状
に広げておく。ガス導入に伴いピリジンの塩酸塩が析出
して内容は濁ってくる。反応温度は30’C以下になる
ように水冷する。縮合の進行と共に粘ちょうになってく
る。ホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなるまで
ホスゲンを通じる。反応終了後、メタノールを加えて重
合体を沈殿せしめ、ろ別乾燥する。生成するポリカーボ
ネートは塩化メチレン、とリジン、クロロホルム、テト
ラヒドロフランなどに溶けるから、これらの溶液からメ
タノールで再沈殿して精製する。このようにして得られ
るポリカーボネート共重合体は、レーザー光線により信
号を記録し、或いは、レーザー光線の反射又は透過によ
り記録された信号の読み出しをおこなうDRAW、Er
asabie−DRAW型光学式情報記録用ディスクに
有用である。以下に本発明を実施例について説明するが
、本発明は、これらの実施例によって限定されるもので
はない。尚、以下の実施例に示した粘度平均分子量とは
、ビスフェノールA・ポリカーボネートの20°Cにお
ける塩化メチレン溶液を用いて測定して固有粘度[rl
lと分子量Mの関係式として得られた [r11=1.llX10−4MO882[E、Mii
11er&O,Bayer;USP2,999,844
(1961)]の式を用い固有粘度から計算したビスフ
ェノールA・ポリカーボネート換算の分子量である。
(実施例) 実施例1 2.2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ターシャリーブ
チルフェニル)プロパン163重量部(40mo1%)
と2,2−ビスー(4,ヒドロキシフェニル)プロパン
82重量部(30mo1%)と1,1−ビス−(4−ヒ
ドロキシフェニル)シクロヘキサン97重量部(30m
o1%)とジフェニルカーボネート264重量部を31
三つロフラスコに入れ、脱気、N2パージを5回繰り返
した後、シリコンバス160°Cで窒素を導入しながら
溶融させた。溶融したら、カーボネート化触媒である水
素化ホウ素カリウムを予めフェノールに溶かした溶液(
仕込んだビスフェノール全量に対して10−3mo1%
量)を加え、160℃,N2下、30分攪はん醸成した
。次に、同温度下IQQTorrに減圧にし、30分攪
はんした後、同温度下でさらに5QTorrに減圧し、
60分反応させた。次に徐々に温度を220°Cまで上
げ60分反応させ、ここまでの反応でフェノール留出理
論量の80%を留出させた。
しかる後、同温度下で1QTorrに減圧し30分反応
させ温度を徐々に270°Cに上げ、30分反応させた
。さらに同温度下で5Torrに減圧し30分反応させ
、フェノール留出理論量のほぼ全量を留出させ前縮合を
終えた。次に同温度下で0.1〜0゜3Torrで2時
間径縮合させた。窒素下にて生成物のポリマーを取り出
し冷却した後、ジクロルメタンを溶媒に用いて20°C
にて溶液粘度を測定した。この値から算出した粘度平均
分子量v=19,800であった。また、DSC(ディ
ファレンシャル・スキャニング・カロリメーター;Pe
rkin−Elmer 2C型)からガラス転移点はT
g=138°Cであることがわかった。更に光弾性定数
を測定するとC=47ブリユースターズ(Brewst
ers、10−12m2/N)であることがわかった。
測定に使用した機器ハ、DSC;ディファレンシャル・
スキャンニング・カロリメーターPerkin−E1m
er 2C型、光弾性定数は自作のものを用いて測定し
たが、光弾性定数の算出方法は試験片(50mmX10
mmX1mm)に異なる大きさの引張応力を長さ方向に
追加し、前記式(1)に各々の値を代入してその傾きか
ら光弾性定数を求めた。因に2,2−ビス−(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパンのポリカーボネートの光弾性
定数はC=82ブリュースターズ(Brewsters
、10−12m2/N)であった。
実施例2 三つロフラスコに攪はん機、温度計、ガス導入管、排気
管をつける。水酸化ナトリウム10重量%水溶液に2,
2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ターシャリーブチル
フェニル)プロパン163 t 11 部(40mo1
%)と2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン82重量部(30mo1%)と1,1−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン97重量部(3
0mo1%)を溶かし、ジクロルメタンを加え、これを
激しく攪はんしながらホスゲンガスを導入した。ホスゲ
ンはボンベから空の洗気びん、水を入れた洗気びん、空
の洗気びんを通してフラスコに導入した。ホスゲンガス
を導入中の反応温度は25°C以下になるように水冷し
た。縮合の進行と共に溶液は粘ちょうになってくる。さ
らにホスゲン−塩化水素錯体の黄色が消えなくなる迄ホ
スゲンを通じた。反応終了後、メタノールに反応溶液を
注ぎ込み、ろ別し、水洗を繰り返した。さらに生成した
ポリカーボネートはジクロルメタンの溶液からメタノー
ルで再沈して精製した。精製後よく乾燥したのち、ジク
ロルメタンを溶媒に用いて20°Cにて溶液粘度を測定
した。この値から算出した粘度平均分子量はMv=23
,000であった。さらに、実施例1と同様の測定を行
ったところ、実施例1と同じガラス転移点及び光弾性定
数であることが、わかった。
(記録特性の評価) 上記のようにして製造したポリカーボネート共重合体に
記録膜を付けて、光記録特性評価した。即ち、実施例1
,2に記載のポリカーボネート共重合体を射出成形機(
多機製作所製、グイナメルター)を用いて直径130m
m、厚さ1.2mmの円盤状基板に成形し、この基板上
にTb23.5Fe64゜2CO12,3(原子%)の
合金ターゲットを用いてスパッタリング装置(RFスパ
ッタリング装置、日本真空(株)製)中で光磁気記録膜
を1,000人形成した。この記録膜上に本出願人によ
る特開昭60−177449号に記載の無機ガラスの保
護膜1,000人を上記と同じスパッタリング装置を用
いて形成した。得られた光磁気ディスクの性能をCN比
、BERおよび600C90RH%の条件下でのCN比
変化率で評価した。結果は表1の通りであった。
表1 (注1)CN比=書き込みパワー7mW(ミリワット)
読み取りパワー1mW、キャリア周波数IMHz、分解
能帯域中30KHzで測定 (注2)CN変化率(%)=初期CN比に対する60’
C。
90RH%条件下で30日経過後のCN比の低下度(注
3)比較例=従来公知のポリカーボネート(音大化成(
株)AD−5503)基板を用いて上記と同じ手順で光
磁気ディスクを作ったものである。
表1の結果から明らかなように、本発明によるポリカー
ボネート共重合体は複屈折値の低下によりCN比が大幅
に向上しており、耐久性にも優れていることがわかる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 2、2−ビス−(4−ヒドロキシ−3−ターシャリーブ
    チルフェニル)プロパン15〜85モル%、2、2−ビ
    ス−(4−ヒドロキシフェニル)プロパン3〜80モル
    %と1、1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
    ヘキサン3〜85モル%を各々の合計が100モル%に
    なるようにカーボネート結合により、結合して得られる
    芳香族ポリカーボネート共重合体であって、そのガラス
    転移温度が125℃以上であり、且つ、光弾性定数が6
    0ブリュースターズ (Brewsters、10^−^1^2m^2/N)
    以下である芳香族ポリカーボネート三元共重合体。
JP62031498A 1987-02-16 1987-02-16 芳香族ポリカ−ボネ−ト三元共重合体 Pending JPS63199728A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5168112A (en) * 1989-02-10 1992-12-01 Daicel Chemical Industries, Ltd. Process for the preparation of a polycarbonate with piperidinyl pyridine catalyst

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5168112A (en) * 1989-02-10 1992-12-01 Daicel Chemical Industries, Ltd. Process for the preparation of a polycarbonate with piperidinyl pyridine catalyst

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