JPS63200521A - 半導体ウエ−ハ - Google Patents

半導体ウエ−ハ

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Publication number
JPS63200521A
JPS63200521A JP3395287A JP3395287A JPS63200521A JP S63200521 A JPS63200521 A JP S63200521A JP 3395287 A JP3395287 A JP 3395287A JP 3395287 A JP3395287 A JP 3395287A JP S63200521 A JPS63200521 A JP S63200521A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chips
semiconductor
area
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3395287A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Ikegami
池上 文雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3395287A priority Critical patent/JPS63200521A/ja
Publication of JPS63200521A publication Critical patent/JPS63200521A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は複数種類の寸法をもった半導体チップをその中
に有する半導体ウェーハに関する。
〔従来の技術〕
第3図は、従来技術における複数種類の寸法を持つ九半
導体チップをその中に有する半導体つ・エーハの一例を
示す平面図である。第3図において、半導体ウェーハ2
1は、縦横に引かれた多数の分割線によシ正方形の半導
体チップ2aと、チップ28t−2個並べた長方形のチ
ップ2bとの多数に区画されている。そして、これらチ
ップはウェーハ面一様に、交互の縦列に配置されている
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来技術における複数種類の寸法をもった半導
体チップをその中に有する半導体ウェーハにおいて、半
導体チップ寸法の増大に伴い、ウェーハ同辺部に未使用
部分の面積が大きくなる欠点がある。また、ウェーハピ
ンセットなどでウェーハ周辺部の半導体チップを傷付け
た場合、半導体チップ寸法の増大に伴い相対的に一つの
傷により損害を受けるウェーハの面積が大きくなる欠点
がある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点に対し本発明の半導体ウエーノ1は、縦横に
引かれた分割線に↓シ区画された複数種類寸法の多数の
半導体テ・ツブを含み、ウエノ・の中心部に寸法の大き
い半導体テップ、ウエノ・の周辺部に前記半導体チップ
よ、り寸法の小さい半導体チップを配置している。
〔実施例〕
以下図面を参照しで、本発明を説明する。
第1図は本発明の一実施例の平面図である。第1図にお
いて、1は半導体ウェーハ、2aは、縦横に引かれた多
数の分割線によ多区画された多数のチップのうち、正方
形の小面積のチップである。
チップ2bは長方形で、その面積が牛導体チ・ツブ2a
の面積の2倍のものである。ウェーハlの中心部に半導
体チップ2b、ウェーハ1の周辺部に半導体チップ2a
’kit<ことにより、ウエーノ1面積の有効利用をは
かっている。第3図の従来例と比較すると、同じ大きさ
のウェーハに、第3の場合、半導体チップ2aは64個
、2bは32個、第1図の場合、半導体チップ2aは5
6個、2bは44個含まれている。この2者の有効利用
面積を比較すると、小形のチップ2aに換算して、第1
図は144個、第3図は128個であるから、その差1
6個だけ多くのチップ2aが、本発明のウェーハから採
取できることになる。この効果は、半導体チップ2aと
2bの面積比が大きい程、顕著になる。また、友とえは
ウェーハピンセットなどでウェーハ周辺部に1箇所傷付
けた場合、第1図の場合だと、小形の半導体チップ2a
の面積が損害を受けるが、第3図の場合、第1図の場合
の2倍の面積が損害を受けるので、本発明により損害が
小さくなる。
第2図は本発明の他の実施例の平面図である。
第2図において、2eは正方形の大きな半導体チップで
、ウェーハ11の中央部を占めている。テップ2c 、
2dは半導体ウェーハ11の特性を測定するための小形
の半導体チップであって、ウェーハ21の周辺部に位置
している。従来技術の場合、半導体チップ2eのみしか
半導体ウェーハ上に置けないが、不発明では、半導体ク
エーノー11上の未使用部分に、半導体ウェーハの特性
を測定するための小形の半導体チップ装置いて、ウェー
ハ全面棟の有効利用をはかっている。
〔発明の効果〕
以上説明しtように、本発明は、複数種類の寸法を持っ
た半導体チップをその中に有する半導体ウェーハにおい
て、寸法が大きい半導体チップ全半導体ウェーハの中心
部に、小さい寸法の半導体チップを半導体ウェーハの周
辺部に置くことにょシ、ウェーハの未使用部分を減らす
ことができ、マタ、ウェーハピンセットなどでウェーハ
周辺部を傷付けた場合の損害を、小さくできる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は、本発明による複数種類の寸法を
持った半導体チップをその中に持つ半導体ウェーハの一
実施例および他の実施例を示す平面図、第3図は、従来
技術での複数種類の寸法を持っt半導体チップをその中
に持つ半導体ウェーハの平面図である。 1 、11 、21−・・・−・半導体ウエーノ・、2
b、2e・・・・・・大形の半導体チップ、2a、2c
、2d・・・・・・・・・・・・小形の半導体チップ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 形状の異なる複数種類寸法の半導体チップをその中に有
    する半導体ウェーハにおいて、このウェーハの中心部に
    位置する半導体チップの寸法が、ウェーハ周辺部に位置
    する半導体チップの寸法より大なることを特徴とする半
    導体ウェーハ。
JP3395287A 1987-02-16 1987-02-16 半導体ウエ−ハ Pending JPS63200521A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3395287A JPS63200521A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 半導体ウエ−ハ

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JP3395287A JPS63200521A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 半導体ウエ−ハ

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JPS63200521A true JPS63200521A (ja) 1988-08-18

Family

ID=12400833

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JP3395287A Pending JPS63200521A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 半導体ウエ−ハ

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JP (1) JPS63200521A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0709740A1 (en) * 1994-09-30 1996-05-01 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit and method of making the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0709740A1 (en) * 1994-09-30 1996-05-01 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit and method of making the same

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