JPH02246357A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH02246357A JPH02246357A JP1068896A JP6889689A JPH02246357A JP H02246357 A JPH02246357 A JP H02246357A JP 1068896 A JP1068896 A JP 1068896A JP 6889689 A JP6889689 A JP 6889689A JP H02246357 A JPH02246357 A JP H02246357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead
- semiconductor device
- sealed
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特に半導体素子
の大型化に対して適した樹脂封止型半導体装置に関する
。
の大型化に対して適した樹脂封止型半導体装置に関する
。
（従来の技術）
半導体素子の高集積化に伴って素子寸法が大型化する傾
向にあり、これに対して半導体装置の外形寸法は、他の
製品との互換性や実装の高密度化への要求によって自由
に変更し得ないのが実情である。ところで、この種の半
導体素子は、通常信頼性など考慮して、キャップ封止や
樹脂封止（モールド）などによりパッケージングして実
用に供されており、特に樹脂封止の場合は構成が容易な
ことなどの点で関心が寄せられている。しかして、この
樹脂封止型半導体装置としては、たとえば特開昭５７−
８４９４２号公報に開示されている。すなわち第２図に
断面的に示すように、半導体索子１をタブ２上に固定す
るとともにその周囲にり一ド３を配設し、半導体素子１
上の端子４と前記リード３とを金属配線（ボンディング
ワイヤ）５１；より電気的に接続した構成として、これ
を封止用樹脂６でモールドした構造のものが知られてい
る。
向にあり、これに対して半導体装置の外形寸法は、他の
製品との互換性や実装の高密度化への要求によって自由
に変更し得ないのが実情である。ところで、この種の半
導体素子は、通常信頼性など考慮して、キャップ封止や
樹脂封止（モールド）などによりパッケージングして実
用に供されており、特に樹脂封止の場合は構成が容易な
ことなどの点で関心が寄せられている。しかして、この
樹脂封止型半導体装置としては、たとえば特開昭５７−
８４９４２号公報に開示されている。すなわち第２図に
断面的に示すように、半導体索子１をタブ２上に固定す
るとともにその周囲にり一ド３を配設し、半導体素子１
上の端子４と前記リード３とを金属配線（ボンディング
ワイヤ）５１；より電気的に接続した構成として、これ
を封止用樹脂６でモールドした構造のものが知られてい
る。
この構造において、半導体索子１を大型化すると、前記
封止用樹脂６で封止されるリード３の長さしが小型の半
導体素子１を封止した場合に比べ短かくなる。つまり、
樹脂封止型半導体装置の外形寸法を一定に保持しようと
すると、封止する半導体素子１の大型化に伴い前記リー
ド３が封止用樹脂６で封止される部分は必然的に短かく
なる。
封止用樹脂６で封止されるリード３の長さしが小型の半
導体素子１を封止した場合に比べ短かくなる。つまり、
樹脂封止型半導体装置の外形寸法を一定に保持しようと
すると、封止する半導体素子１の大型化に伴い前記リー
ド３が封止用樹脂６で封止される部分は必然的に短かく
なる。
（発明が解決しようとする課題）
上記のように第２図に示した構造の場合は、封止する半
導体素子１の大型化に伴い前記リード３が封止用樹脂６
で封止される部分は必然的に短かくなる。このため、た
とえば半導体装置をＩＣソケットに一定の回数挿抜を繰
り返し行った場合、外力に対するリード３の固定強度が
十分に得られないので、樹脂封止部においてリード３と
封止樹脂６との藺に隙間が生じてリード３が破損したり
、またこの隙間を介して外部から水分が侵入し半導体素
子１の端子４が腐食することにより、半導体装置の信頼
性を低下すると言う問題がある。
導体素子１の大型化に伴い前記リード３が封止用樹脂６
で封止される部分は必然的に短かくなる。このため、た
とえば半導体装置をＩＣソケットに一定の回数挿抜を繰
り返し行った場合、外力に対するリード３の固定強度が
十分に得られないので、樹脂封止部においてリード３と
封止樹脂６との藺に隙間が生じてリード３が破損したり
、またこの隙間を介して外部から水分が侵入し半導体素
子１の端子４が腐食することにより、半導体装置の信頼
性を低下すると言う問題がある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は上記事情に対処してなされたもので、樹脂で封
止された半導体素子と、前記半導体素子にリードワイヤ
を介して一端が電気的に接続し他端を封止樹脂領域から
導出させたリードとを有し、前記リードの一端が半導体
素子の能動領域面に設けられた保護膜上に接着固定され
てなることを特徴とする。つまりリードの一端を半導体
素子の能動領域面上の保護膜上に接着固定する構成とし
、前記リードの封止樹脂にてモールドされる部分（領域
）が長くなるようにしたことを骨子とする。
止された半導体素子と、前記半導体素子にリードワイヤ
を介して一端が電気的に接続し他端を封止樹脂領域から
導出させたリードとを有し、前記リードの一端が半導体
素子の能動領域面に設けられた保護膜上に接着固定され
てなることを特徴とする。つまりリードの一端を半導体
素子の能動領域面上の保護膜上に接着固定する構成とし
、前記リードの封止樹脂にてモールドされる部分（領域
）が長くなるようにしたことを骨子とする。
（作 用）
このように半導体素子の能動領域上に設けられた能動領
域保護膜の上にリードの一端が接着固定されているため
、構造が簡略化するとともにリードの封止樹脂にモール
ドされる部分も長くなる。
域保護膜の上にリードの一端が接着固定されているため
、構造が簡略化するとともにリードの封止樹脂にモール
ドされる部分も長くなる。
また封止樹脂にモールドされるリード部分が長くなった
ことに伴いリードの機械的な保持乃至固定強度も向上す
るため、たとえば半導体装置をＩＣソケットに一定の回
数挿抜を繰り返し行った場合も破損など生じることもな
くなるうえ、水分や塵なとが前記リード封止部を介して
侵入する恐れも全面的になくなる。
ことに伴いリードの機械的な保持乃至固定強度も向上す
るため、たとえば半導体装置をＩＣソケットに一定の回
数挿抜を繰り返し行った場合も破損など生じることもな
くなるうえ、水分や塵なとが前記リード封止部を介して
侵入する恐れも全面的になくなる。
（実施例）
以下第１図を参照して本発明の詳細な説明する。第１図
は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の構成例を断面的
に示したもので、１は能動領域面にＴ１／Ｎ１／Ａｕ系
から成る端子（ポンディングパッド）４および厚さ７０
００人のＰＳＧ膜−厚さ６０００人のＳＩＮ膜−厚さ
２μ−の感光性ポリイミド樹脂層から成る積層構造の表
面保護膜７が配設されている半導体素子たとえば集積回
路チップ、３は前記集積回路チップ１の表面保護膜７面
上にエポキシ樹脂系接着剤層８にて一端側が接着固定さ
れたＡｕめっきしたＣｕ合金製のリードである。また５
は前記集積口路チップ１の表面保護膜７面上に一端が延
設され接着固定されたリード３と集積回路チップ１の端
子４とを電気的に接続する直径２５μ−のＡｕ線、６は
リード３の一部を含め集積回路チップ１本体部を封止乃
至モールドするたとえばエポキシ樹脂からなる封止樹脂
層である。
は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の構成例を断面的
に示したもので、１は能動領域面にＴ１／Ｎ１／Ａｕ系
から成る端子（ポンディングパッド）４および厚さ７０
００人のＰＳＧ膜−厚さ６０００人のＳＩＮ膜−厚さ
２μ−の感光性ポリイミド樹脂層から成る積層構造の表
面保護膜７が配設されている半導体素子たとえば集積回
路チップ、３は前記集積回路チップ１の表面保護膜７面
上にエポキシ樹脂系接着剤層８にて一端側が接着固定さ
れたＡｕめっきしたＣｕ合金製のリードである。また５
は前記集積口路チップ１の表面保護膜７面上に一端が延
設され接着固定されたリード３と集積回路チップ１の端
子４とを電気的に接続する直径２５μ−のＡｕ線、６は
リード３の一部を含め集積回路チップ１本体部を封止乃
至モールドするたとえばエポキシ樹脂からなる封止樹脂
層である。
しかして上記構成の樹脂封止型半導体装置は、たとえば
次のようにして製造し得る。能動領域面にＴＩ／Ｎ１／
Ａｕ系から成る端子（ポンディングパッド）４および厚
さ７０００人のｐｓｃ膜−厚さ６０００人のＳＩＮ膜−
厚さ ２μ−の感光性ポリイミド樹脂層から成る積層構
造の表面保護膜７が配設されている集積回路チップ１の
表面保護膜７の所定面上およびリード（リードフレーム
）３の一端側にそれぞれ接着剤８を塗布し、集積回路チ
ップ１をフェースダウンの状態で位置合せし接着させて
から １５０℃で３時間加熱を施しリード３を表面保護
膜７面上に接着固定した。次いで集積回路チップ１の能
動領域面に設けられているＴＩ／旧ハＵ系から成る端子
（ポンディングパッド）４と前記表面保護膜７面上に接
着固定したリード３とを、たとえば加熱温度２００℃
、超音波出力３．９Ｌ加圧力１０ｇの条件設定で超音波
加熱ポールボンディング法により行う。
次のようにして製造し得る。能動領域面にＴＩ／Ｎ１／
Ａｕ系から成る端子（ポンディングパッド）４および厚
さ７０００人のｐｓｃ膜−厚さ６０００人のＳＩＮ膜−
厚さ ２μ−の感光性ポリイミド樹脂層から成る積層構
造の表面保護膜７が配設されている集積回路チップ１の
表面保護膜７の所定面上およびリード（リードフレーム
）３の一端側にそれぞれ接着剤８を塗布し、集積回路チ
ップ１をフェースダウンの状態で位置合せし接着させて
から １５０℃で３時間加熱を施しリード３を表面保護
膜７面上に接着固定した。次いで集積回路チップ１の能
動領域面に設けられているＴＩ／旧ハＵ系から成る端子
（ポンディングパッド）４と前記表面保護膜７面上に接
着固定したリード３とを、たとえば加熱温度２００℃
、超音波出力３．９Ｌ加圧力１０ｇの条件設定で超音波
加熱ポールボンディング法により行う。
このボンディングによるボンディング強度は５ｇ以上で
あり良好に接続していた。かくして集積回路チップ１お
よびリードフレーム３を組み合せた後、封止用樹脂とし
てエポキシ樹脂を用いトランスファーモールドを行うこ
とにより所望の樹脂封止型半導体装置が得られる。
あり良好に接続していた。かくして集積回路チップ１お
よびリードフレーム３を組み合せた後、封止用樹脂とし
てエポキシ樹脂を用いトランスファーモールドを行うこ
とにより所望の樹脂封止型半導体装置が得られる。
このようにして構成した樹脂封止型半導体装置５０個に
ついて評価したところ、いずれも正常動作し、ボンディ
ング時およびトランスファーモールド時に不良の発生が
認められず、またこれらの樹脂封止型半導体装置につい
てＩＣソケットにｔｏｏ。
ついて評価したところ、いずれも正常動作し、ボンディ
ング時およびトランスファーモールド時に不良の発生が
認められず、またこれらの樹脂封止型半導体装置につい
てＩＣソケットにｔｏｏ。
回挿抜試験を行った結果異常は認められなかった。
さらにこれら５０個の樹脂封止型半導体装置を８５℃、
９５％ＲＨ中にて２０００時間動作試験を行ったところ
不良の発生は全く認められず、封止した集積口路チップ
１の大きさの割に小型で、信頼性の高い機能を呈するこ
とが確認できた。
９５％ＲＨ中にて２０００時間動作試験を行ったところ
不良の発生は全く認められず、封止した集積口路チップ
１の大きさの割に小型で、信頼性の高い機能を呈するこ
とが確認できた。
なお、上記構成において、半導体素子の端子（ボンディ
ングバット）４はＡ１．Ａｕ、Ｎ１．Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ
。
ングバット）４はＡ１．Ａｕ、Ｎ１．Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ
。
ＴＩなどの１種もしくは２１！以上の複合系で形成して
もよく、表面保護膜７も上記例示の材料に限らずＰＳＧ
、ＳＩＮ、Ｓ１０２ 、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリブタジェン樹
脂などの単独もしくは複合系で形成してもよい。またリ
ード（リードフレーム）３はＣｕ ＋Ｎ１、ＳＵＳなど
を基体としこれに＾Ｕめっきもしくはｈｇめっきを施し
たものも同様に使用し得るし、さらにボンディングワイ
ヤ５としてはＡ１ワイヤ、 Ｃｕワイヤなども同様に使
用し得る。
もよく、表面保護膜７も上記例示の材料に限らずＰＳＧ
、ＳＩＮ、Ｓ１０２ 、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリブタジェン樹
脂などの単独もしくは複合系で形成してもよい。またリ
ード（リードフレーム）３はＣｕ ＋Ｎ１、ＳＵＳなど
を基体としこれに＾Ｕめっきもしくはｈｇめっきを施し
たものも同様に使用し得るし、さらにボンディングワイ
ヤ５としてはＡ１ワイヤ、 Ｃｕワイヤなども同様に使
用し得る。
［発明の効果］
本発明に係る樹脂封止型半導体装置の構成によれば、封
止乃至モールドさ、れた半導体素子のサイズが大きい場
合でも、所定の外形寸法を保持しながら信頼性の高い樹
脂封止型半導体装置として機能し得る。すなわち、リー
ドの一端部乃至インナーリード部が半導体素子の能動領
域を保護する保護Ｈ（バッジベージ町ンＨ）上に接着固
定するため、半導体素子をマウントするベツドが不要に
なるとともに、封止樹脂中に埋設されるリードの一端部
乃至インナーリード部の長さを十分長く設定できるので
、引き抜き強度が向上するうえ外部からの水分などの侵
入も防止され、長期間に互って所要の機能を維持９発揮
する。
止乃至モールドさ、れた半導体素子のサイズが大きい場
合でも、所定の外形寸法を保持しながら信頼性の高い樹
脂封止型半導体装置として機能し得る。すなわち、リー
ドの一端部乃至インナーリード部が半導体素子の能動領
域を保護する保護Ｈ（バッジベージ町ンＨ）上に接着固
定するため、半導体素子をマウントするベツドが不要に
なるとともに、封止樹脂中に埋設されるリードの一端部
乃至インナーリード部の長さを十分長く設定できるので
、引き抜き強度が向上するうえ外部からの水分などの侵
入も防止され、長期間に互って所要の機能を維持９発揮
する。
第１図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の構成例を
示す断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の構
成例を示す断面図である。 １・・・半導体素子 ３・・・リード ４・・・半導体素子の端子（ポンディングパッド）５・
・・ボンディングワイヤ ６・・・封止樹脂 ７・・・表面保護膜 ８・・・接着剤層 出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１ 図 第２図
示す断面図、第２図は従来の樹脂封止型半導体装置の構
成例を示す断面図である。 １・・・半導体素子 ３・・・リード ４・・・半導体素子の端子（ポンディングパッド）５・
・・ボンディングワイヤ ６・・・封止樹脂 ７・・・表面保護膜 ８・・・接着剤層 出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１ 図 第２図
Claims (1)
- 樹脂で封止された半導体素子と、前記半導体素子にボン
ディングワイヤを介して一端が電気的に接続し他端を封
止樹脂領域から導出させたリードとを有し、前記リード
の一端が半導体素子の能動領域面に設けられた保護膜上
に接着固定されてなることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068896A JP2809675B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068896A JP2809675B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246357A true JPH02246357A (ja) | 1990-10-02 |
| JP2809675B2 JP2809675B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=13386879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068896A Expired - Fee Related JP2809675B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809675B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61241959A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体モジユ−ル |
| JPS63202031A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1068896A patent/JP2809675B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61241959A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体モジユ−ル |
| JPS63202031A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2809675B2 (ja) | 1998-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |