JPS63202944A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS63202944A JPS63202944A JP62036265A JP3626587A JPS63202944A JP S63202944 A JPS63202944 A JP S63202944A JP 62036265 A JP62036265 A JP 62036265A JP 3626587 A JP3626587 A JP 3626587A JP S63202944 A JPS63202944 A JP S63202944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating film
- semiconductor device
- iron
- alloy
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、銅系の合金材料を素材とするリードフレーム
に関する。
に関する。
一般に、リードフレームには、半導体素子との接合、信
号取り出しのための配線を確実に行い、かつ組立後の半
導体装置を基板等に実装する際の半田付けを良好に行う
必要上めっき処理が施されている。
号取り出しのための配線を確実に行い、かつ組立後の半
導体装置を基板等に実装する際の半田付けを良好に行う
必要上めっき処理が施されている。
従来、この種のリードフレームは第３図に示すように構
成されている。これを同図および第４図に基づいて説明
すると、同図において、符号１で示すものは銅系の合金
材料（Ｃｕ−３ｎ−Ｎｉ）を素材とする金属片で、上面
に半導体チップ２を接合するダイパッド３と、このダイ
パッド３上のチップ電極４にＡｕ等のワイヤ５によって
接続されたインナリード６とからなり、その全周囲には
ニッケル（Ｓ成分を含有する）あるいはスルファミン酸
ニッケルによってめっき膜７が形成されている。そして
、この金属片１のめっき膜７上には銅フラッシュのめっ
き膜８を介して銀等のめっき膜９が形成されている。こ
のめっき膜９は前記半導体チップ２を接合する領域およ
び前記ワイヤ５を接続する領域に施されている。また、
１０は前記半導体チップ２を樹脂封止するパッケージで
ある。なお、前記めっき膜９は半導体チップ２の接合お
よびワイヤ５の接続を良好に行うためのちのであり、ま
た前記めっき膜７は金属片１の銅成分とめっき膜９ （
銀）との金属拡散防止膜として機能し、かつパッケージ
１０との密着力を良好にするためのものである。
成されている。これを同図および第４図に基づいて説明
すると、同図において、符号１で示すものは銅系の合金
材料（Ｃｕ−３ｎ−Ｎｉ）を素材とする金属片で、上面
に半導体チップ２を接合するダイパッド３と、このダイ
パッド３上のチップ電極４にＡｕ等のワイヤ５によって
接続されたインナリード６とからなり、その全周囲には
ニッケル（Ｓ成分を含有する）あるいはスルファミン酸
ニッケルによってめっき膜７が形成されている。そして
、この金属片１のめっき膜７上には銅フラッシュのめっ
き膜８を介して銀等のめっき膜９が形成されている。こ
のめっき膜９は前記半導体チップ２を接合する領域およ
び前記ワイヤ５を接続する領域に施されている。また、
１０は前記半導体チップ２を樹脂封止するパッケージで
ある。なお、前記めっき膜９は半導体チップ２の接合お
よびワイヤ５の接続を良好に行うためのちのであり、ま
た前記めっき膜７は金属片１の銅成分とめっき膜９ （
銀）との金属拡散防止膜として機能し、かつパッケージ
１０との密着力を良好にするためのものである。
ところで、このように構成されたリードフレームにおい
ては、パッケージ１０によって金属片１上の半導体チッ
プ２を樹脂封止して半導体装置Ａが組み立てられている
。そして、この半導体装置Ａを半田付けによって例えば
プリント基板（図示せず）に実装するに際し、めっき膜
７上の非樹脂封止部分にその半田付は性を良好にする錫
−鉛合金からなるめっき膜１１が施される。これは、半
導体装ｉＡの組立工程中に生じる熱（樹脂封止時。
ては、パッケージ１０によって金属片１上の半導体チッ
プ２を樹脂封止して半導体装置Ａが組み立てられている
。そして、この半導体装置Ａを半田付けによって例えば
プリント基板（図示せず）に実装するに際し、めっき膜
７上の非樹脂封止部分にその半田付は性を良好にする錫
−鉛合金からなるめっき膜１１が施される。これは、半
導体装ｉＡの組立工程中に生じる熱（樹脂封止時。
グイホンディング時およびワイヤボンディング時の発生
熱）によってめっき膜７上に酸化膜が形成され易いから
である。
熱）によってめっき膜７上に酸化膜が形成され易いから
である。
ところが、従来のリードフレームにおいては、めっき膜
７のニッケル成分とめっき膜１１の錫成分との拡散性が
高いことから両めっき膜７．１１の密着度が低下してお
り、このため実際にはめっき膜７を除去して金属片１上
にめっき膜１１が直接族されていた。この結果、半導体
装置組立時の処理工程数が嵩み、組立コストが高くなる
という問題があった。
７のニッケル成分とめっき膜１１の錫成分との拡散性が
高いことから両めっき膜７．１１の密着度が低下してお
り、このため実際にはめっき膜７を除去して金属片１上
にめっき膜１１が直接族されていた。この結果、半導体
装置組立時の処理工程数が嵩み、組立コストが高くなる
という問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
装置組立時の処理工程数を削減することができ、もって
組立コストの低廉化を図ることができるリードフレーム
を提供するものである。
装置組立時の処理工程数を削減することができ、もって
組立コストの低廉化を図ることができるリードフレーム
を提供するものである。
本発明に係るリードフレームは、銅系の合金材料を素材
とする金属片からなり、この金属片に鉄−ニソケル合金
からなるめっき膜を形成し、このめっき膜は５６〜６０
％の鉄および４０〜４４％のニッケルによって組成され
、かつ膜厚が０． ５〜１．５μの寸法に設定されてい
るものである。
とする金属片からなり、この金属片に鉄−ニソケル合金
からなるめっき膜を形成し、このめっき膜は５６〜６０
％の鉄および４０〜４４％のニッケルによって組成され
、かつ膜厚が０． ５〜１．５μの寸法に設定されてい
るものである。
本発明においては、金属片の非樹脂封止部分に錫−鉛合
金からなるめっき膜を形成するに際し、鉄−ニソケル合
金からなるめっき膜を除去する必要がなくなる。
金からなるめっき膜を形成するに際し、鉄−ニソケル合
金からなるめっき膜を除去する必要がなくなる。
第１図は本発明に係るリードフレームを示す断面図、第
２図は同じくリードフレームから組み立てる半導体装置
を示す断面図で、同図において第３図および第４図と同
一品部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省
略する。同図において、符号２１で示すものは合金製の
めっき膜で、前記金属片１に全体に亘り形成されている
。このめっき膜２１は、５６〜６０％の鉄および４０〜
４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が０．５
〜１．５μの寸法に設定されている。
２図は同じくリードフレームから組み立てる半導体装置
を示す断面図で、同図において第３図および第４図と同
一品部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省
略する。同図において、符号２１で示すものは合金製の
めっき膜で、前記金属片１に全体に亘り形成されている
。このめっき膜２１は、５６〜６０％の鉄および４０〜
４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が０．５
〜１．５μの寸法に設定されている。
このように構成されたリードフレームにおいては、金属
片１の非樹脂封止部分に錫−鉛合金からなるめっき膜１
１を形成するに際して、めっき膜２１を除去する必要が
なくなり、半導体装置組立時の処理数を削減することが
できるだけでなく、処理液の液量を少なくすることがで
きる。
片１の非樹脂封止部分に錫−鉛合金からなるめっき膜１
１を形成するに際して、めっき膜２１を除去する必要が
なくなり、半導体装置組立時の処理数を削減することが
できるだけでなく、処理液の液量を少なくすることがで
きる。
この場合、めっき膜２１の鉄イオンの拡散抑制効果によ
って錫−ニッケル成分が抑制することができるため、両
めっき膜１１．２１の密着度を高めることができ、リー
ドフレームとしての品質を向上させることができる。
って錫−ニッケル成分が抑制することができるため、両
めっき膜１１．２１の密着度を高めることができ、リー
ドフレームとしての品質を向上させることができる。
因に、本発明のリードフレームを約１７５°Ｃに加熱し
たオーブン中に約２４０時間収容した後、３６０°のね
じりを加えた結果、密着不良によるめっき膜１１の剥離
は観察されず、一方従来のリードフレームを９６時間収
容しただけでめっき膜７とめっき膜１１との剥離が観察
されたことが実験によって知られている。
たオーブン中に約２４０時間収容した後、３６０°のね
じりを加えた結果、密着不良によるめっき膜１１の剥離
は観察されず、一方従来のリードフレームを９６時間収
容しただけでめっき膜７とめっき膜１１との剥離が観察
されたことが実験によって知られている。
また、本発明においては、組立工程中に発生する熱く例
えば樹脂封止時やボンディング時の発生熱）によって形
成された表面酸化膜を化学エツチング液によって簡単に
除去することができると共に、その膜表面を清浄面に確
実に形成することができる。
えば樹脂封止時やボンディング時の発生熱）によって形
成された表面酸化膜を化学エツチング液によって簡単に
除去することができると共に、その膜表面を清浄面に確
実に形成することができる。
さらに、本発明におけるめっき膜２１によって金属片１
の銅とめっき膜９の銀との拡散を防止することができる
。
の銅とめっき膜９の銀との拡散を防止することができる
。
次に、本発明のリードフレームによる半導体装置の組立
方法について説明する。
方法について説明する。
先ず、予め脱脂処理および活性化処理が施された金属片
１にめっき膜２１を形成する。次いで、このめっき膜２
１上の所定箇所（ダイパッド３゜インナリード６）にめ
っき膜８．めっき膜９を順次形成する。しかる後、ダイ
パッド３上のめっき膜９に半導体チップ２を接合し、こ
れとインナリード６とをワイヤ５によって接続した後、
パッケージ１０によって半導体チップ２等を樹脂封止す
る。そして、非樹脂封止部分のめっき膜２１に錫−鉛合
金からなるめっき膜１１を形成する。この場合、めっき
処理は、めっき膜２１を硝酸−硫酸一塩酸系の化学エツ
チング液によるエツチング処理後に施される。
１にめっき膜２１を形成する。次いで、このめっき膜２
１上の所定箇所（ダイパッド３゜インナリード６）にめ
っき膜８．めっき膜９を順次形成する。しかる後、ダイ
パッド３上のめっき膜９に半導体チップ２を接合し、こ
れとインナリード６とをワイヤ５によって接続した後、
パッケージ１０によって半導体チップ２等を樹脂封止す
る。そして、非樹脂封止部分のめっき膜２１に錫−鉛合
金からなるめっき膜１１を形成する。この場合、めっき
処理は、めっき膜２１を硝酸−硫酸一塩酸系の化学エツ
チング液によるエツチング処理後に施される。
このようにして、半導体装置Ｂを組み立てることができ
る。
る。
以上説明したように本発明によれば、銅系の合金材料を
素材とする金属片に鉄−ニッケル合金からなるめっき膜
を形成し、このめっき膜は５６〜６０％の鉄および４０
〜４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が０．
５〜１．５μの寸法に設定されているので、金属片の非
樹脂封止部分に錫−鉛合金からなるめっき膜を形成する
に際して、鉄−ニッケル合金からなるめっき膜を除去す
る必要がなくなる。したがって、半導体装置組立時の処
理工程数を削減できるから、その組立コストの低廉化を
図ることができる。また、鉄−ニッケル合金からなるめ
っき膜の鉄イオンの拡散抑制効果によって錫−ニッケル
合金を抑制することができるから、鉄−ニッケル合金か
らなるめっき膜と錫−鉛合金からなるめっき膜との密着
度を高めることができ、リードフレームとしての品質を
確実に向上させることもできる。
素材とする金属片に鉄−ニッケル合金からなるめっき膜
を形成し、このめっき膜は５６〜６０％の鉄および４０
〜４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が０．
５〜１．５μの寸法に設定されているので、金属片の非
樹脂封止部分に錫−鉛合金からなるめっき膜を形成する
に際して、鉄−ニッケル合金からなるめっき膜を除去す
る必要がなくなる。したがって、半導体装置組立時の処
理工程数を削減できるから、その組立コストの低廉化を
図ることができる。また、鉄−ニッケル合金からなるめ
っき膜の鉄イオンの拡散抑制効果によって錫−ニッケル
合金を抑制することができるから、鉄−ニッケル合金か
らなるめっき膜と錫−鉛合金からなるめっき膜との密着
度を高めることができ、リードフレームとしての品質を
確実に向上させることもできる。
第１図は本発明に係るリードフレームを示す断面図、第
２図は同じくリードフレームから組み立てる半導体装置
を示す断面図、第３図は従来のリードフレームを示す断
面図、第４図はそのリードフレームから組み立てる半導
体装置を示す断面図である。 １・・・・金属片、２１・・・・めっき膜。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 １＝金属片 ２１： めっ！嘩 第２図 第３図 第４図 手続補正書（、＜、、、Ｈご、） 昭和 １２１ｉ２６ＥＩ ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対象 （１） 明細書の特許請求の範囲の欄（２） 明細
書の発明の詳細な説明の欄６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正す
る。 （２）明細書中、下記の箇所の「パッケージ」を「封止
樹脂」と補正する。 ２頁１８行、３頁３行、同頁７行、７頁８行〜９行。 以 上 −２、 特許請求の範囲 封止樹脂によって樹脂封止する半導体素子を接合するグ
イパッドを有し銅系の合金材料を素材とする金属片から
なり、この金属片に鉄−ニッケル合金からなるめっき膜
を形成し、このめっき膜は５６〜６０％の鉄および４０
〜４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が０．
５〜１．５μの寸法に設定されていることを特徴とする
リードフレーム。
２図は同じくリードフレームから組み立てる半導体装置
を示す断面図、第３図は従来のリードフレームを示す断
面図、第４図はそのリードフレームから組み立てる半導
体装置を示す断面図である。 １・・・・金属片、２１・・・・めっき膜。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 １＝金属片 ２１： めっ！嘩 第２図 第３図 第４図 手続補正書（、＜、、、Ｈご、） 昭和 １２１ｉ２６ＥＩ ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対象 （１） 明細書の特許請求の範囲の欄（２） 明細
書の発明の詳細な説明の欄６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正す
る。 （２）明細書中、下記の箇所の「パッケージ」を「封止
樹脂」と補正する。 ２頁１８行、３頁３行、同頁７行、７頁８行〜９行。 以 上 −２、 特許請求の範囲 封止樹脂によって樹脂封止する半導体素子を接合するグ
イパッドを有し銅系の合金材料を素材とする金属片から
なり、この金属片に鉄−ニッケル合金からなるめっき膜
を形成し、このめっき膜は５６〜６０％の鉄および４０
〜４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が０．
５〜１．５μの寸法に設定されていることを特徴とする
リードフレーム。
Claims (1)
- パッケージによって樹脂封止する半導体素子を接合す
るダイパッドを有し銅系の合金材料を素材とする金属片
からなり、この金属片に鉄−ニッケル合金からなるめっ
き膜を形成し、このめっき膜は５６〜６０％の鉄および
４０〜４４％のニッケルによって組成され、かつ膜厚が
０．５〜１．５μの寸法に設定されていることを特徴と
するリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036265A JPS63202944A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036265A JPS63202944A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202944A true JPS63202944A (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=12464937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62036265A Pending JPS63202944A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63202944A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099871A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62036265A patent/JPS63202944A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099871A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
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