JPS63204503A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS63204503A JPS63204503A JP3617487A JP3617487A JPS63204503A JP S63204503 A JPS63204503 A JP S63204503A JP 3617487 A JP3617487 A JP 3617487A JP 3617487 A JP3617487 A JP 3617487A JP S63204503 A JPS63204503 A JP S63204503A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ピノ 顔朶上の利用分野
本発明1VTl((ビデオテープレコーダ]等に用いら
nる磁気ヘッドに関し、時にメタルテープ等の高抗磁力
tイする磁気記録媒体に用いて好適な複合型の磁気ヘッ
ドの製造方法に関する。
nる磁気ヘッドに関し、時にメタルテープ等の高抗磁力
tイする磁気記録媒体に用いて好適な複合型の磁気ヘッ
ドの製造方法に関する。
(ロ)従来のfjL術
現在、ぼ施用V ’r I(に用いらnている一録媒捧
(磁気テープ)は磁性粉末の主成分として、CO−γF
ezesから成るものが主に使用されているが、8iリ
ビデオlC框抗磁力の高い(Hc=1400〜1.50
00+3 )メタルテープが用いられている。そして把
録再生表減金小型化するためにに把録田嵐を尚のる心安
注がゐり、そのたりにrrL佃号の配録波長を坦かくす
ることが出来るdd録媒体が心安でるる。
(磁気テープ)は磁性粉末の主成分として、CO−γF
ezesから成るものが主に使用されているが、8iリ
ビデオlC框抗磁力の高い(Hc=1400〜1.50
00+3 )メタルテープが用いられている。そして把
録再生表減金小型化するためにに把録田嵐を尚のる心安
注がゐり、そのたりにrrL佃号の配録波長を坦かくす
ることが出来るdd録媒体が心安でるる。
一刀、このメタルテープに配録する磁気ヘッドとして従
来の7エライトヘツドを用いた揚台iCは、フェライト
I/)飽和磁束耐酸が尚々5500ガウス程度でめるこ
とから磁気層、tll現象が発生するためメタルテープ
(D狂態C十分に生かアことが出来ない。七こで、例え
ば椅開I4858−175122号公報(IPC:G1
lB5/22)に開示されているよりに、磁気瑚和現象
の最も土じ易い作動ギイッグ近傍部分tフエライトエク
も2I2!昶磁化の大きな磁性材料(Vすえばパーマロ
イ、センダスト、アモルファス磁性庫)で侮成した複曾
型の磁気ヘッドが実用1じさtLでいる。
来の7エライトヘツドを用いた揚台iCは、フェライト
I/)飽和磁束耐酸が尚々5500ガウス程度でめるこ
とから磁気層、tll現象が発生するためメタルテープ
(D狂態C十分に生かアことが出来ない。七こで、例え
ば椅開I4858−175122号公報(IPC:G1
lB5/22)に開示されているよりに、磁気瑚和現象
の最も土じ易い作動ギイッグ近傍部分tフエライトエク
も2I2!昶磁化の大きな磁性材料(Vすえばパーマロ
イ、センダスト、アモルファス磁性庫)で侮成した複曾
型の磁気ヘッドが実用1じさtLでいる。
この:り々追Aヘッドの促米の製造方法では、フェライ
トの基板のギャップ形成面となる接合面を腕曲研磨し、
該接合面に溝加工を行い、その上にセンダスト等の強磁
性金属材料よりなる薄膜tスパッタリング等に工9杉成
していた。
トの基板のギャップ形成面となる接合面を腕曲研磨し、
該接合面に溝加工を行い、その上にセンダスト等の強磁
性金属材料よりなる薄膜tスパッタリング等に工9杉成
していた。
し刀為し乍ら、上記促米万1f(Q吻合、スパッタリン
グ後に扱禰が剥nたり、剥社か(アた9することがるる
。セして、このエラな基板を久の工程で一1珀JJD工
rへ丁と、被膜がざらに剥7したり、被膜と一緒に基板
V表面部分が収9去れ/CりTる。このfc ty)、
破膜若しくば基板のか(すらがラップ盤上でころがり、
接合面tj付(すてしより。また、基板のガラス接置に
Iける高温の熱処理に1りても破膜が剥nる。
グ後に扱禰が剥nたり、剥社か(アた9することがるる
。セして、このエラな基板を久の工程で一1珀JJD工
rへ丁と、被膜がざらに剥7したり、被膜と一緒に基板
V表面部分が収9去れ/CりTる。このfc ty)、
破膜若しくば基板のか(すらがラップ盤上でころがり、
接合面tj付(すてしより。また、基板のガラス接置に
Iける高温の熱処理に1りても破膜が剥nる。
尚、スパッタリング後に換剥れが生じるのは、破膜はス
パッタリング中に?j!J温に保たnるが、スパッタリ
ングを止めるとその温度が下がり、その時の熱Q□力等
によ?)被層゛部分に剥離力が作用するたので必る。で
して、被膜が厚いほど膜剥れが生じ易い。
パッタリング中に?j!J温に保たnるが、スパッタリ
ングを止めるとその温度が下がり、その時の熱Q□力等
によ?)被層゛部分に剥離力が作用するたので必る。で
して、被膜が厚いほど膜剥れが生じ易い。
(ハ)発明が解決しエラとする問題点
本発明はよ−C促米例の入点に鑑みなされたもので89
、基板に剥nにくい強d&注金属11膜τ形成すること
が出来る磁性ヘッドの製遺万云勿提供することτ目的と
するものである。
、基板に剥nにくい強d&注金属11膜τ形成すること
が出来る磁性ヘッドの製遺万云勿提供することτ目的と
するものである。
に)問題点’x: fts決するたのの手段強磁性酸化
物拐料工Vなる基板の接侍面にその表面が租くな0工う
に表面加工’kIML7?1.後、七QJ接は叩上にシ
虫磁性蛍属薄良を形成する。
物拐料工Vなる基板の接侍面にその表面が租くな0工う
に表面加工’kIML7?1.後、七QJ接は叩上にシ
虫磁性蛍属薄良を形成する。
(ホ)作 用
上aC方法に依nば、基板■接合聞の表面積が大さくな
るたりその表面エネルギーが増大し、前da基板と強に
性蛍ム薄族との結合力が大さくなり繭ge薄膜が剥nに
くくなる。
るたりその表面エネルギーが増大し、前da基板と強に
性蛍ム薄族との結合力が大さくなり繭ge薄膜が剥nに
くくなる。
(へ)夾厖例
以下、図面C#照しつつ本発明の磁気ヘッドのJA通方
法についてd四する。
法についてd四する。
先ず、Mn−Zn系フェライト等の強磁性金属材料L9
なる&仮+1)τ用意し、その上面(18)、埋ち磁気
コア半坏爾させわセ時の接曾面金平均粒子径6μのシリ
コ/カーバイトのは粒でラップ加工で行い、表面粗さR
Z’!(8500Aにする。そして、前dC上面(1a
)に第1図(aJに示すエラに回転砥石VC工つて深さ
100μmの傾斜溝(2)忙ピッ;Fj’jOμmでで
鴨に亘って複数本平行に形成する。次に、第11(tl
Jにホ丁エクに削tire基椴(17の上面Lla)に
センダスト等のプ璽&i性金属材料tスパッタリングV
cエク破庸する。次に、この基板山の上面(Ia)f半
面研削することに工9平面就艮く面出しt行い弔1図(
cJに示す工うに前把煩糾隣(2〕の;ji+而(2a
〕上に被層された強磁性金属4ノ模[31をA出ざセる
。仄に、第1図(C1lに示すエラに削−4板(IJの
上面(la)に府記傾斜溝+2Jと平行にトランク幅f
jL制溝t41t”加工してギャップ形成面(0)で形
成すると共VC前=d鵠糾4(2Jと証文するよプに巷
蔵溝(6)とガラス棒挿入溝(71t−形成する。そし
て択に、第1図(dJに示した基板(1]と、第1図(
dJに図示の如き基板であって111I記巻ig(bl
とカラス棒挿入音(71とが形成式t′していない基板
111とt2枚用意し、第1図(eJに示アLつに両者
のギャップ形成面(5功;5iO2(因示セず]を介し
て対問する工つvc備さ合わせる。その後、前記ガラス
5俸弾入+4(71にガラス棒を押入し加熱昇温するこ
とに−CDガラス(8)を創記基板山tlJ間に流し込
み、前記基板tlJ(IJ忙ポ盾しコアブロック(9)
を形成する。そして、第1図(2)Vこ示す工うに別記
コアブロック(9)のチーブづ6動面uti+r内浦研
削機によりR付は加ニレ、このコアブロック(9)’l
:)’XX周角度け頑けてスライスすることIC工t)
A41図(hJに示すエフに複数個のへッドtッグun
”形成する〇 一般l(、フェライトは面心立方結晶と体心立方結晶と
が混って2り、その平面部分の結晶面は(100)面で
るる。そして、フェライトの揚台、上述の製造方法の二
つにラング加工等VC、C9表面を粗くすると(110
)面がへき開して多くなる。
なる&仮+1)τ用意し、その上面(18)、埋ち磁気
コア半坏爾させわセ時の接曾面金平均粒子径6μのシリ
コ/カーバイトのは粒でラップ加工で行い、表面粗さR
Z’!(8500Aにする。そして、前dC上面(1a
)に第1図(aJに示すエラに回転砥石VC工つて深さ
100μmの傾斜溝(2)忙ピッ;Fj’jOμmでで
鴨に亘って複数本平行に形成する。次に、第11(tl
Jにホ丁エクに削tire基椴(17の上面Lla)に
センダスト等のプ璽&i性金属材料tスパッタリングV
cエク破庸する。次に、この基板山の上面(Ia)f半
面研削することに工9平面就艮く面出しt行い弔1図(
cJに示す工うに前把煩糾隣(2〕の;ji+而(2a
〕上に被層された強磁性金属4ノ模[31をA出ざセる
。仄に、第1図(C1lに示すエラに削−4板(IJの
上面(la)に府記傾斜溝+2Jと平行にトランク幅f
jL制溝t41t”加工してギャップ形成面(0)で形
成すると共VC前=d鵠糾4(2Jと証文するよプに巷
蔵溝(6)とガラス棒挿入溝(71t−形成する。そし
て択に、第1図(dJに示した基板(1]と、第1図(
dJに図示の如き基板であって111I記巻ig(bl
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111とt2枚用意し、第1図(eJに示アLつに両者
のギャップ形成面(5功;5iO2(因示セず]を介し
て対問する工つvc備さ合わせる。その後、前記ガラス
5俸弾入+4(71にガラス棒を押入し加熱昇温するこ
とに−CDガラス(8)を創記基板山tlJ間に流し込
み、前記基板tlJ(IJ忙ポ盾しコアブロック(9)
を形成する。そして、第1図(2)Vこ示す工うに別記
コアブロック(9)のチーブづ6動面uti+r内浦研
削機によりR付は加ニレ、このコアブロック(9)’l
:)’XX周角度け頑けてスライスすることIC工t)
A41図(hJに示すエフに複数個のへッドtッグun
”形成する〇 一般l(、フェライトは面心立方結晶と体心立方結晶と
が混って2り、その平面部分の結晶面は(100)面で
るる。そして、フェライトの揚台、上述の製造方法の二
つにラング加工等VC、C9表面を粗くすると(110
)面がへき開して多くなる。
易1表に面心立万紹晶1/C&ける結晶面と結合の指度
と表口二不ルキーとの関係を示し、第2表に体心立方結
晶に2ける結晶面と結合の′#i度との関係を示す◎
第 1 表 (共立出版(株2「表面の物理」纂119頁表5.2参
照」 第2表 面心立方結晶V場盆、第1表から判るように表面エネル
ギーは(it)O)面より(11O)而の刀が太さい。
と表口二不ルキーとの関係を示し、第2表に体心立方結
晶に2ける結晶面と結合の′#i度との関係を示す◎
第 1 表 (共立出版(株2「表面の物理」纂119頁表5.2参
照」 第2表 面心立方結晶V場盆、第1表から判るように表面エネル
ギーは(it)O)面より(11O)而の刀が太さい。
よた、体/b立方結晶の場合、iAz辰から刊る工′)
rc面心立方結晶と同様に紬甘り密就は(1007面よ
り(110)面の刀が大きく、表面エネルギーも(1(
JOJ圓より (110)面の万が大きいO このため、上述θ′!A造力法の工うにフェライトLり
なる基板山の上面(ll’にラップ加工にエフ祖(して
(110)面tへさ開させると前記上面(11の表面エ
ネルギーが太さくなり、 rqE1把上1111(1a
)と会憾性笠属碑涙(3)との付ノi力が増大する。尚
、フェライト以外強磁性酸化物の基板にνいても表[f
lk粗くして表面槓七大き(Tると、表面エネルギーが
大さくなり前記基板と換との付涜力は増大する。
rc面心立方結晶と同様に紬甘り密就は(1007面よ
り(110)面の刀が大きく、表面エネルギーも(1(
JOJ圓より (110)面の万が大きいO このため、上述θ′!A造力法の工うにフェライトLり
なる基板山の上面(ll’にラップ加工にエフ祖(して
(110)面tへさ開させると前記上面(11の表面エ
ネルギーが太さくなり、 rqE1把上1111(1a
)と会憾性笠属碑涙(3)との付ノi力が増大する。尚
、フェライト以外強磁性酸化物の基板にνいても表[f
lk粗くして表面槓七大き(Tると、表面エネルギーが
大さくなり前記基板と換との付涜力は増大する。
第2図に上述Q犬施例のエリにMn−Znn系フェライ
トエフる基板の表面にその棋さRzが5sooXになる
ようにラップ加工を施した後、七の基板表面上lζセン
ダストの膜を被層し、真空中で700℃の熱処理を行り
た時の換の状態を示す200倍の顯徴鏡写真で6る。第
3図は比較例としてMn−Znn系フェライトエフる基
板の表面にその粗さRzがIIQOAになるように平均
粒子径3μへのダイヤモンドの砥粒にエフラップ加工r
鬼した後、その基板表面上にセンダストの膜を被層し、
JK空中で300℃の熱処理を行りた時の換の状態勿示
す400陪の顕微林写真でるる。
トエフる基板の表面にその棋さRzが5sooXになる
ようにラップ加工を施した後、七の基板表面上lζセン
ダストの膜を被層し、真空中で700℃の熱処理を行り
た時の換の状態を示す200倍の顯徴鏡写真で6る。第
3図は比較例としてMn−Znn系フェライトエフる基
板の表面にその粗さRzがIIQOAになるように平均
粒子径3μへのダイヤモンドの砥粒にエフラップ加工r
鬼した後、その基板表面上にセンダストの膜を被層し、
JK空中で300℃の熱処理を行りた時の換の状態勿示
す400陪の顕微林写真でるる。
この両方の4具から判るLつに、基板の表面の粗さRz
が850OAの場合、7000の高温の熱処理を行って
も換に剥れないが、表面の祖さRzがl100Aの葡合
、300℃の低温の熱処理でも表面のν4に市りて膜が
、Ji−1!れる。尚、基板表面の粗さは表面粗さ計で
測足し、m4図は表面粗δHzが85001の時、第5
図は表面粗さRzが110OAの時の表面粗さ計の測定
結果である。
が850OAの場合、7000の高温の熱処理を行って
も換に剥れないが、表面の祖さRzがl100Aの葡合
、300℃の低温の熱処理でも表面のν4に市りて膜が
、Ji−1!れる。尚、基板表面の粗さは表面粗さ計で
測足し、m4図は表面粗δHzが85001の時、第5
図は表面粗さRzが110OAの時の表面粗さ計の測定
結果である。
また、他の別として、ロn−Zn糸フェライトL ’)
・′li:6 基鈑の表面の徂5< Hz k 23
00 Aにしてセンタストのf+’t 祖治し、真空中
で500℃の熱処理を行った一合、膜は剥れた。f、た
晶叛の表面の祖さR:1k3100λにしてセンダスト
の腹を被層し、真空中で700℃の熱処理全行った場合
、M;&剥れは生じなかつ友。
・′li:6 基鈑の表面の徂5< Hz k 23
00 Aにしてセンタストのf+’t 祖治し、真空中
で500℃の熱処理を行った一合、膜は剥れた。f、た
晶叛の表面の祖さR:1k3100λにしてセンダスト
の腹を被層し、真空中で700℃の熱処理全行った場合
、M;&剥れは生じなかつ友。
褐6凶はMn−Zn系フェライトよりなる基板の表面の
各粗さRzVCeいて真空熱処理7行った場合の熱几理
温式に2(する膜の状態を示す図で、上述の実験より得
たものでめる。この図から判るエリvC基孜表面の粗さ
Rzが31QOA以上の時は熱処理温度が700℃と高
温であってもセンダストの良は剥nなかった。
各粗さRzVCeいて真空熱処理7行った場合の熱几理
温式に2(する膜の状態を示す図で、上述の実験より得
たものでめる。この図から判るエリvC基孜表面の粗さ
Rzが31QOA以上の時は熱処理温度が700℃と高
温であってもセンダストの良は剥nなかった。
以上のエリに、上述のよりなjB気ヘッドの製造方法で
に、基板(IJの上面C1a)kその表面粗さR3が8
50OAとなるようにラップ/il工を施した後、前6
C上面C1&)に強磁性金属薄膜(31七被層するので
、前記上面(1aJにその表面エネルギーが大きくなり
強磁性金属薄膜(3)との結合力は増大する。このため
、第1図(fJにおける基板(lバIJのガラス接合の
工程に2いて前記基板(1)(13を加熱弁ムしても前
把強磁性蛍属薄膜(3)に膜剥れが生じることはない。
に、基板(IJの上面C1a)kその表面粗さR3が8
50OAとなるようにラップ/il工を施した後、前6
C上面C1&)に強磁性金属薄膜(31七被層するので
、前記上面(1aJにその表面エネルギーが大きくなり
強磁性金属薄膜(3)との結合力は増大する。このため
、第1図(fJにおける基板(lバIJのガラス接合の
工程に2いて前記基板(1)(13を加熱弁ムしても前
把強磁性蛍属薄膜(3)に膜剥れが生じることはない。
また、第1図CC)に2ける鏡面加工f第1図(d、I
に一゛す”るトラック幅規制荷(4)υロエによりτも
内σ配備磁性釡属M腺(3)は剥れに<<、前記基板(
1)紮傷付けること耐防止出来る。
に一゛す”るトラック幅規制荷(4)υロエによりτも
内σ配備磁性釡属M腺(3)は剥れに<<、前記基板(
1)紮傷付けること耐防止出来る。
(トJ 発 りり の ヌカ 来
不発明に依)1−は、基板と強磁f’lE金M#M/二
〇結合力が11人するので、磁気ヘッドの製造工程に2
(′j′る回配強磁性金属洩候の剥れ?防止し、特に1
槌仇磁ツノのメタルチーブに通した磁気ヘッドの製造方
法r提供し優る。
〇結合力が11人するので、磁気ヘッドの製造工程に2
(′j′る回配強磁性金属洩候の剥れ?防止し、特に1
槌仇磁ツノのメタルチーブに通した磁気ヘッドの製造方
法r提供し優る。
第1図は本帖例の4f1気−・ラドの製造万人?示す図
、第2図及び43凶は夫々基板に仮着さnた強磁性金桐
博腺の顧債鏡4戎、44図及び第5図り二夫々表面粗さ
計り側足結!11.を小丁図、第6図は基似の容置面相
9さ&t9ける熱処理温度に対する膜の状態C示ア図で
るる。 (11・・・基板、(1’)・・・上面(接合面)、(
淘・・・強磁性佐属薄a。
、第2図及び43凶は夫々基板に仮着さnた強磁性金桐
博腺の顧債鏡4戎、44図及び第5図り二夫々表面粗さ
計り側足結!11.を小丁図、第6図は基似の容置面相
9さ&t9ける熱処理温度に対する膜の状態C示ア図で
るる。 (11・・・基板、(1’)・・・上面(接合面)、(
淘・・・強磁性佐属薄a。
Claims (3)
- (1)強磁性酸化物材料よりなる一対の磁気コア半体の
接合面に強磁性金属薄膜を形成した磁気ヘッドの製造方
法において、強磁性酸化物基板の接合面にその表面が粗
くなるように表面加工を施した後、前記接合面上に強磁
性金属薄膜を形成することを特徴とする磁気ヘッドの製
造方法。 - (2)前記強磁性酸化物をフェライトとしたことを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の磁気ヘッドの製造方
法。 - (3)前記フェライト基板の接合面をその表面粗さが3
100Å以上になるように表面加工を施したことを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3617487A JPS63204503A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3617487A JPS63204503A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204503A true JPS63204503A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12462379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3617487A Pending JPS63204503A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204503A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175122A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPS6159610A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-02-19 JP JP3617487A patent/JPS63204503A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175122A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPS6159610A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
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