JPS6320708A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6320708A JPS6320708A JP61165057A JP16505786A JPS6320708A JP S6320708 A JPS6320708 A JP S6320708A JP 61165057 A JP61165057 A JP 61165057A JP 16505786 A JP16505786 A JP 16505786A JP S6320708 A JPS6320708 A JP S6320708A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明けＶＴＲなどの磁気記録再生装＋ｈに用いられる
磁気ヘッドの製造方法に関するものであり、特にメタル
テープなどの高抗磁力を有する記録媒体に好適准磁気ヘ
ッドの製造方法に関するものである。
磁気ヘッドの製造方法に関するものであり、特にメタル
テープなどの高抗磁力を有する記録媒体に好適准磁気ヘ
ッドの製造方法に関するものである。
（ロ）従来の技術
現在家庭用ＶＴＲに用いられている磁気テープけＣｏ−
ｒＦｅ ２Ｑ８から成るものが主に使用されているが、
８ミリビデオと称する小型のＶＴＲでけ抗磁力の高い（
Ｈｃ ＝ １４００〜１５００エルステツド）メタルテ
ープが用いられる。その理由￥′ｉ記録再生装置を小型
化するためＫけ記録密度を高める必要性のあることから
信号の記録波長を短かくすることのできる記録媒体が要
求されてきたためである。
ｒＦｅ ２Ｑ８から成るものが主に使用されているが、
８ミリビデオと称する小型のＶＴＲでけ抗磁力の高い（
Ｈｃ ＝ １４００〜１５００エルステツド）メタルテ
ープが用いられる。その理由￥′ｉ記録再生装置を小型
化するためＫけ記録密度を高める必要性のあることから
信号の記録波長を短かくすることのできる記録媒体が要
求されてきたためである。
一方、このメタルテープに記録する従来のフェライトの
みからなる磁気ヘッドではフェライトの飽和磁束密１！
が高々５５００ガウス程度であることから磁気飽和現象
が発生する之めメタルテープの性能を十分にいかすこと
ができないっそこで磁気飽和現象の最も生じ易い作４ノ
キャンプ近鏝部分分フェライトよりも飽和磁化の大きな
金属磁性材Ｎｌ’ｌＬｔハ、パーマロイ、センダ３ト、
アモ、νファス）で構成した磁気ヘッドが提案されてい
る。
みからなる磁気ヘッドではフェライトの飽和磁束密１！
が高々５５００ガウス程度であることから磁気飽和現象
が発生する之めメタルテープの性能を十分にいかすこと
ができないっそこで磁気飽和現象の最も生じ易い作４ノ
キャンプ近鏝部分分フェライトよりも飽和磁化の大きな
金属磁性材Ｎｌ’ｌＬｔハ、パーマロイ、センダ３ト、
アモ、νファス）で構成した磁気ヘッドが提案されてい
る。
例、ｔｌ−ｊ待聞昭６０−１０３５１１号公報はその１
つである。
つである。
第４図は、このようｉ磁気ヘッドを示しており、（ｌａ
）（ｌｂ）Ｈフェライトコア半休、＋２１ＨＳｉ０２漠
よりなるギャップスペーサ、（３）は前記金属磁性材料
よりなる金、萬磁性薄、嘆、（４）はガラス、）５）は
巻線孔である。
）（ｌｂ）Ｈフェライトコア半休、＋２１ＨＳｉ０２漠
よりなるギャップスペーサ、（３）は前記金属磁性材料
よりなる金、萬磁性薄、嘆、（４）はガラス、）５）は
巻線孔である。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
祈る磁気ヘッドの場合、フェライト基板（１）上に１１
ｒＩ記金属磁性薄膜を成膜するのにスパッタリング失を
用いることが多いが、フェライト基板にけＵ加工として
第５図に示すようにトップタ幅規制溝（６）、巻線溝（
７）、ガラス溶着用溝（８）などの各種溝加工が施され
ており、その前加工の際に使用した接着剤および加工に
よって生じる研削粉等の不純物が付着している。！念、
このフェライト基板表面には加工変ｙｔ層が存在してい
る。このような不純物の付着した基板や加工変質層の存
在する基板ンてセンダスト等の金属磁性材料全スパッタ
すると１、咳金属磁性層が剥れ易くなり、磁４人ヘッド
きしての性能ｆｔ損なうことになる。
ｒＩ記金属磁性薄膜を成膜するのにスパッタリング失を
用いることが多いが、フェライト基板にけＵ加工として
第５図に示すようにトップタ幅規制溝（６）、巻線溝（
７）、ガラス溶着用溝（８）などの各種溝加工が施され
ており、その前加工の際に使用した接着剤および加工に
よって生じる研削粉等の不純物が付着している。！念、
このフェライト基板表面には加工変ｙｔ層が存在してい
る。このような不純物の付着した基板や加工変質層の存
在する基板ンてセンダスト等の金属磁性材料全スパッタ
すると１、咳金属磁性層が剥れ易くなり、磁４人ヘッド
きしての性能ｆｔ損なうことになる。
Ｉｆｆｆｆエフエライト基板面処理として接骨剤ｉどの
不純物は有機溶剤（アセトン等）で除去されるが、砥粒
加工により付着したフェライトの切削粉は何機溶剤を用
いた洗浄や機械的Ｖこ、余去する方法でも完全に余去す
ることべできないっその上、各穐加工で生じた加工変質
台はフェライト表１扇内部に存在しており、このような
加工ＸＲ脅の除去ｌ−を前記した全表方法では不可能で
あるう（ニ）問題点を解決するための手段 そこで、本発明ではフェライト基板を加工後、前記金属
磁性薄嘆全楕こす前にケミカルエツチングを瘤こし、そ
の１祭生じるフェライト七エツチング液との反応物を含
むエツチング液を純水中で空気に露らすことなく拡散さ
せて前記基板から除去するようにした。
不純物は有機溶剤（アセトン等）で除去されるが、砥粒
加工により付着したフェライトの切削粉は何機溶剤を用
いた洗浄や機械的Ｖこ、余去する方法でも完全に余去す
ることべできないっその上、各穐加工で生じた加工変質
台はフェライト表１扇内部に存在しており、このような
加工ＸＲ脅の除去ｌ−を前記した全表方法では不可能で
あるう（ニ）問題点を解決するための手段 そこで、本発明ではフェライト基板を加工後、前記金属
磁性薄嘆全楕こす前にケミカルエツチングを瘤こし、そ
の１祭生じるフェライト七エツチング液との反応物を含
むエツチング液を純水中で空気に露らすことなく拡散さ
せて前記基板から除去するようにした。
（ホ）作用
例えばン聾リン酸を用いたエツチングをフェライト基板
に行なうと、フェライト基板表面の加工変質７＠は除去
きれるか、そのエツチング液上フェライトとの反応物が
析出する。祈る析出物がフェライト基板上に伐存した炊
合で磁性膜のスパッタリングを行なうと磁性膜の剥れが
生じる。この析出物はエンチングｌｆｔ。余去するｔｉ
Ｑにフェライト基板を空気中に警らした場合ｌてのみ生
じることが干渉色として尼ｌ察され、ｈ、、即ち、この
析出現家は残存するリンへ菊とフェライトとの反応物が
空気中の酸素により酸化して析出するものと考えられる
。
に行なうと、フェライト基板表面の加工変質７＠は除去
きれるか、そのエツチング液上フェライトとの反応物が
析出する。祈る析出物がフェライト基板上に伐存した炊
合で磁性膜のスパッタリングを行なうと磁性膜の剥れが
生じる。この析出物はエンチングｌｆｔ。余去するｔｉ
Ｑにフェライト基板を空気中に警らした場合ｌてのみ生
じることが干渉色として尼ｌ察され、ｈ、、即ち、この
析出現家は残存するリンへ菊とフェライトとの反応物が
空気中の酸素により酸化して析出するものと考えられる
。
従って、上記本発引力法の如く、フェライト裁板と空気
（酸素）に露らすことなく常に水面下でエツチング？Ｖ
の拡散・除去を行なうとＨｉｔ記析出物が発生すること
なしに接ｎ剤等の不うａ物？加工変質層がｔ余去される
。
（酸素）に露らすことなく常に水面下でエツチング？Ｖ
の拡散・除去を行なうとＨｉｔ記析出物が発生すること
なしに接ｎ剤等の不うａ物？加工変質層がｔ余去される
。
（へ）来 ・）曳 例
第１図シ１トランク１ン＋＋４見１ｌｌ１者１６）、巻
線ｉＭ＋７）、力゛ラス溶着、１’４！６）フよどが１
川加工で形１況され、従って治ｌに仮：ＩＩ定する之め
の接１逢剤が伐存し且つメハ１工変貢匈が生じ℃いるフ
ェライト基板中を、農リン酸ＨａＰＯ４でエツチングす
ることを示している。尚、濃リン酸溶液は８０′Ｃ程度
の温度である。この濃リン酸で接骨剤や切削粉等を除去
すると共に、加工変ｘ、ｖ（＋−エツチングするのであ
るが、ダイヤモンド粒度◆５０００の砥石？使用し加工
速度０．６ｍ ｍ ／ Ｓて所定のトラック溝を設けた
フェライト基板に対しては後述の工程を踏むこと全前提
（て２μｍ（トラック幅変化量で）エツチングすれば磁
性膜の剥れは生じなかった。この場合、トラック幅は予
め２μｍ広く加工しておくものとする。尚、エツチング
ｌ／ −トは１分１５秒である（第３図参照）。第２図
は上述のエッチング工程全経たフェライト基板（１１を
純水Ｈ２０につけるこ（！：全示している。このときフ
ェライト基板ｍけ治具（図示せず）によって水中に保持
される。この状喬で絡３０秒の間、エツチングＭ（ａリ
ン酸）とフェライトの反応物金λむ粘ｊＥの高いエツチ
ング液は純水中に拡散し、−七の多くは；９）の如く帯
状又１−ｉ線群状になってフェライト基板から離脱して
いくり（ンユリーレン現象）、これはリン酸の比重が純
水より大きいためであるが、このようにエツチング液を
水中で下方に落下させる状態に置くことによりエツチン
グ液の拡散・除去が速くなる。更に、エツチング・夜の
拡散を促進させるた−ｄ＞？こ一１′、２図の状態で、
Ｆ／（行７Ｉ！、を加えてもよいっこのようにすると、
約５号回で工７チング液をフェライト基板から拡散・除
去するこさができ、空気中へ早く収り出すこさが町セ七
々るウ エツチング液の拡散・除去の済んだフェライト基板は、
後工程でセンダストの金属薄膜（３）が３．５μｍ、５
ｉ０２よりなるギャップスペーサ摸（２）が２．５μｍ
それぞれスパンタリングで彼看され、続いてガラス溶着
、ブロック切断、Ｒ付加上、チップスライスを施こすこ
おによって第４図の形に形成されるっ （ト）発明の効果 本発明によればケミカルエツチングによりｉ石加工時に
封管した研削扮七共に加工変質ｈ４をフェライト基板か
ら１余去するこ七ができ、またエツチング、夜とフェラ
イトとの反応物の析出と防止できるので後工程で付Ｍす
る金属薄膜の剥れが生じないという効果があり、磁気ヘ
ッドの信頼性か向上する。
線ｉＭ＋７）、力゛ラス溶着、１’４！６）フよどが１
川加工で形１況され、従って治ｌに仮：ＩＩ定する之め
の接１逢剤が伐存し且つメハ１工変貢匈が生じ℃いるフ
ェライト基板中を、農リン酸ＨａＰＯ４でエツチングす
ることを示している。尚、濃リン酸溶液は８０′Ｃ程度
の温度である。この濃リン酸で接骨剤や切削粉等を除去
すると共に、加工変ｘ、ｖ（＋−エツチングするのであ
るが、ダイヤモンド粒度◆５０００の砥石？使用し加工
速度０．６ｍ ｍ ／ Ｓて所定のトラック溝を設けた
フェライト基板に対しては後述の工程を踏むこと全前提
（て２μｍ（トラック幅変化量で）エツチングすれば磁
性膜の剥れは生じなかった。この場合、トラック幅は予
め２μｍ広く加工しておくものとする。尚、エツチング
ｌ／ −トは１分１５秒である（第３図参照）。第２図
は上述のエッチング工程全経たフェライト基板（１１を
純水Ｈ２０につけるこ（！：全示している。このときフ
ェライト基板ｍけ治具（図示せず）によって水中に保持
される。この状喬で絡３０秒の間、エツチングＭ（ａリ
ン酸）とフェライトの反応物金λむ粘ｊＥの高いエツチ
ング液は純水中に拡散し、−七の多くは；９）の如く帯
状又１−ｉ線群状になってフェライト基板から離脱して
いくり（ンユリーレン現象）、これはリン酸の比重が純
水より大きいためであるが、このようにエツチング液を
水中で下方に落下させる状態に置くことによりエツチン
グ液の拡散・除去が速くなる。更に、エツチング・夜の
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約５号回で工７チング液をフェライト基板から拡散・除
去するこさができ、空気中へ早く収り出すこさが町セ七
々るウ エツチング液の拡散・除去の済んだフェライト基板は、
後工程でセンダストの金属薄膜（３）が３．５μｍ、５
ｉ０２よりなるギャップスペーサ摸（２）が２．５μｍ
それぞれスパンタリングで彼看され、続いてガラス溶着
、ブロック切断、Ｒ付加上、チップスライスを施こすこ
おによって第４図の形に形成されるっ （ト）発明の効果 本発明によればケミカルエツチングによりｉ石加工時に
封管した研削扮七共に加工変質ｈ４をフェライト基板か
ら１余去するこ七ができ、またエツチング、夜とフェラ
イトとの反応物の析出と防止できるので後工程で付Ｍす
る金属薄膜の剥れが生じないという効果があり、磁気ヘ
ッドの信頼性か向上する。
第１図、第２図は本発明方法の工程を示′を図であり、
第３図はその説明図である。第４図は本発明の製造対象
例を示す磁気ヘッドの斜視図である。 第５図は従来例の説明図である。
第３図はその説明図である。第４図は本発明の製造対象
例を示す磁気ヘッドの斜視図である。 第５図は従来例の説明図である。
Claims (2)
- （１）フロントギャップを挾んで少くとも一方に金属磁
性材料よりなる金属磁性薄膜をスパッタ法で付設したフ
ェライトを対向接合してなる磁気ヘッドを製造する方法
であって、フェライト基板を加工後、前記金属磁性薄膜
を施こす前にケミカルエッチングを施こし、その際生じ
るフェライトとエッチング液との反応物を含むエッチン
グ液を純水中で空気に露らすことなく拡散させて前記基
板から除去することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法
。 - （２）前記エッチング液は濃リン酸液であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16505786A JPH061527B2 (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16505786A JPH061527B2 (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320708A true JPS6320708A (ja) | 1988-01-28 |
| JPH061527B2 JPH061527B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=15805026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16505786A Expired - Fee Related JPH061527B2 (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061527B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639042U (ja) * | 1979-09-05 | 1981-04-13 | ||
| JPS56130161A (en) * | 1980-02-21 | 1981-10-12 | Abbott Lab | Improved vein injector |
| JPS6060858A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-04-08 | アボツト ラボラトリーズ | フラツシユバツク指示システム |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP16505786A patent/JPH061527B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639042U (ja) * | 1979-09-05 | 1981-04-13 | ||
| JPS56130161A (en) * | 1980-02-21 | 1981-10-12 | Abbott Lab | Improved vein injector |
| JPS6060858A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-04-08 | アボツト ラボラトリーズ | フラツシユバツク指示システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061527B2 (ja) | 1994-01-05 |
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