JPS63216364A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS63216364A JPS63216364A JP62050847A JP5084787A JPS63216364A JP S63216364 A JPS63216364 A JP S63216364A JP 62050847 A JP62050847 A JP 62050847A JP 5084787 A JP5084787 A JP 5084787A JP S63216364 A JPS63216364 A JP S63216364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- bump electrode
- bump
- contact
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素体上の電極バント部に絶縁保護膜の
開口部で接触するバンプ電極がめっきにより形成される
半導体集積回路に関する。
開口部で接触するバンプ電極がめっきにより形成される
半導体集積回路に関する。
半導体集積回路の実装のための端子として役立つバンプ
を極は、例えばシリコンチップ上にシリコン酸化膜を介
して形成され、酸化膜の開口部でチップ表面と接触する
アルミニウム電極のバット部に、その配線を被覆するシ
リコン窒化膜の開口部において、チタン、パラジウムな
どの下地金属層を介して接触するように、金めつきによ
り設けられる。
を極は、例えばシリコンチップ上にシリコン酸化膜を介
して形成され、酸化膜の開口部でチップ表面と接触する
アルミニウム電極のバット部に、その配線を被覆するシ
リコン窒化膜の開口部において、チタン、パラジウムな
どの下地金属層を介して接触するように、金めつきによ
り設けられる。
第２図は、上記のような電極バンプ部を断面で示すもの
で、シリコンチップｌの上をシリコン酸化膜２が存在し
、他の部分でチップと接触するアルミニウム電極のバッ
ト部３および酸化膜２をシリコン窒化膜４が覆っている
。電極バント部３の上には窒化膜４の矩形の開口部が設
けられ、そこで配線３に接触するように下地金属の蒸着
層５が形成される。この蒸着層５の周辺部は図示のよう
に窒化膜４の上を覆っているため中央部より高くなって
いる。このため、その上に被着するレジスト膜の開口部
で下地金属層５に接触するようにめっきされるバンプ電
極６も周辺部が中央部より高くなる。このように電極バ
ンプ６の外周全体が中央部より高くなると、チップを配
線基板に実装するためフェースダウンで基板上に載せた
場合、バンプ電極の外周全体が接触することはなく、一
部のみが接触するにすぎない、従って、バンプ電極と基
板上の金属配線との結合部はバンプ電極の周辺部１個所
のみとなり、確実な接続ができないという問題があった
・ 本発明の目的は、上述の問題を解決し、配線基板に実装
する場合にバンプ電極と基板上の金属配線との結合面積
が大きく、確実な接続ができる半導体集積回路を提供す
ることにある。
で、シリコンチップｌの上をシリコン酸化膜２が存在し
、他の部分でチップと接触するアルミニウム電極のバッ
ト部３および酸化膜２をシリコン窒化膜４が覆っている
。電極バント部３の上には窒化膜４の矩形の開口部が設
けられ、そこで配線３に接触するように下地金属の蒸着
層５が形成される。この蒸着層５の周辺部は図示のよう
に窒化膜４の上を覆っているため中央部より高くなって
いる。このため、その上に被着するレジスト膜の開口部
で下地金属層５に接触するようにめっきされるバンプ電
極６も周辺部が中央部より高くなる。このように電極バ
ンプ６の外周全体が中央部より高くなると、チップを配
線基板に実装するためフェースダウンで基板上に載せた
場合、バンプ電極の外周全体が接触することはなく、一
部のみが接触するにすぎない、従って、バンプ電極と基
板上の金属配線との結合部はバンプ電極の周辺部１個所
のみとなり、確実な接続ができないという問題があった
・ 本発明の目的は、上述の問題を解決し、配線基板に実装
する場合にバンプ電極と基板上の金属配線との結合面積
が大きく、確実な接続ができる半導体集積回路を提供す
ることにある。
上記の目的を達成するために本発明は、めっきにより形
成されるバンプ電極が、半導体素体上の電極のバット部
とその電極を覆う絶縁保護膜の十字状の開口部において
接触するものとする。
成されるバンプ電極が、半導体素体上の電極のバット部
とその電極を覆う絶縁保護膜の十字状の開口部において
接触するものとする。
絶縁保護膜の開口部が十字状であるため、その上にめっ
きにより形成されるバンプ電極は、外周部の４個所で中
央部より高くなり、配線基板上の配線とはこの４個所で
接触し、結合されるため確実な接続ができる。
きにより形成されるバンプ電極は、外周部の４個所で中
央部より高くなり、配線基板上の配線とはこの４個所で
接触し、結合されるため確実な接続ができる。
第１図（５）〜（Ｃ１は本発明の一実施例のバンプ電極
部を示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付され
ている。第１図ｆａｔは平面透視図、ｆｂｌはｌａｌの
Ａ−Ａ線断面図、（Ｃ１は（ａｌのＢ−Ｂ線断面図であ
る。
部を示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付され
ている。第１図ｆａｔは平面透視図、ｆｂｌはｌａｌの
Ａ−Ａ線断面図、（Ｃ１は（ａｌのＢ−Ｂ線断面図であ
る。
この場合、アルミニウム電極パット部３および酸化膜２
を覆うシリコン窒化膜などの絶縁保護膜４の開口部７は
、第１図（ａｌから分かるように十字状である。その上
に蒸着によって形成される下地金属層５およびめっきに
より形成されるバンプ電極６は周辺部の四隅が高くなる
。その結果、このＩＣチップをフェースダウンで配線基
板に実装する場合、バンプ電極６の四隅の高くなった表
面６１で基板上の金属配線と接触する。従って、配線と
のボンディング部が４個所に生ずる。
を覆うシリコン窒化膜などの絶縁保護膜４の開口部７は
、第１図（ａｌから分かるように十字状である。その上
に蒸着によって形成される下地金属層５およびめっきに
より形成されるバンプ電極６は周辺部の四隅が高くなる
。その結果、このＩＣチップをフェースダウンで配線基
板に実装する場合、バンプ電極６の四隅の高くなった表
面６１で基板上の金属配線と接触する。従って、配線と
のボンディング部が４個所に生ずる。
Ｃ発明の効果〕
本発明によれば、バンプ電極が保護膜の十字状の開口部
で電極パット部に接触することにより、めっきにより形
成されるバンプは表面の四隅が高（なる形状となり、配
線基板の実装時に配線との結合面積が確保され、確実な
接続が得られる。
で電極パット部に接触することにより、めっきにより形
成されるバンプは表面の四隅が高（なる形状となり、配
線基板の実装時に配線との結合面積が確保され、確実な
接続が得られる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例のバンプ電極
部を示し、（ａｌは平面透視図、 （ｂｌはｉａｌのＡ
−Ａ＆１１断面図、（Ｃ）はｆａｔのＢ−Ｂ線断面図、
第２図は従来のバンプ電極部の断面図である。 ｌ：シリコンチップ、２：酸化膜、３：電極パット部、
４；保ｆｌｌＩ！膜、５：下地金属層、６：バンプ電極
、７：保護膜開口部。 第１図
部を示し、（ａｌは平面透視図、 （ｂｌはｉａｌのＡ
−Ａ＆１１断面図、（Ｃ）はｆａｔのＢ−Ｂ線断面図、
第２図は従来のバンプ電極部の断面図である。 ｌ：シリコンチップ、２：酸化膜、３：電極パット部、
４；保ｆｌｌＩ！膜、５：下地金属層、６：バンプ電極
、７：保護膜開口部。 第１図
Claims (1)
- １）めつきにより形成されるバンプ電極が半導体素体上
の電極のパット部と該電極を覆う絶縁保護膜の十字状の
開口部において接触することを特徴とする半導体集積回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050847A JPS63216364A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050847A JPS63216364A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216364A true JPS63216364A (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=12870113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62050847A Pending JPS63216364A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63216364A (ja) |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP62050847A patent/JPS63216364A/ja active Pending
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