JPS63218672A - １，３−ジチオラン−２−チオン誘導体及び１，３−オキサチオラン−２−チオン誘導体の製造方法 - Google Patents
１，３−ジチオラン−２−チオン誘導体及び１，３−オキサチオラン−２−チオン誘導体の製造方法Info
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- JPS63218672A JPS63218672A JP62052748A JP5274887A JPS63218672A JP S63218672 A JPS63218672 A JP S63218672A JP 62052748 A JP62052748 A JP 62052748A JP 5274887 A JP5274887 A JP 5274887A JP S63218672 A JPS63218672 A JP S63218672A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１，３−ジチオラン−２−チオン誘導体及び１
，３−オキサチオラン−２−チオン誘導体の製造方法に
関するもので、より詳細にはこれらの化合物を、エポキ
シド類と二硫化炭素とを塩基の存在下に高圧で反応させ
ることにより簡単にかつ収率よく製造する方法に関する
ものである。
，３−オキサチオラン−２−チオン誘導体の製造方法に
関するもので、より詳細にはこれらの化合物を、エポキ
シド類と二硫化炭素とを塩基の存在下に高圧で反応させ
ることにより簡単にかつ収率よく製造する方法に関する
ものである。
（産業上の利用分野）
従来、１，３−ジチオラン−２−チオンの誘導体には、
電荷移動錯体であるＴＴＦ （テトラチアフルバレン）
の合成中間体としての利用が多数知られており、また近
年では生理活性物質の中間材料としての利用も多数報告
されている。Ｕ、Ｓ。
電荷移動錯体であるＴＴＦ （テトラチアフルバレン）
の合成中間体としての利用が多数知られており、また近
年では生理活性物質の中間材料としての利用も多数報告
されている。Ｕ、Ｓ。
４＊ １３１＋ ６８３ｙ Ｂｅ ｒｇ−８７６ｔ
２０２ Ｕ、Ｓ、４，１７２，９４１． Ｕ、Ｓ、
４゜２０６．１１９）、１．３−オキサチオラン−２−
チオンの誘導体は、１，３−ジチオラン−２−チオンの
誘導体の１個の硫黄を酸素におきかえた類似化合物であ
り、同様の利用が期待される。
２０２ Ｕ、Ｓ、４，１７２，９４１． Ｕ、Ｓ、
４゜２０６．１１９）、１．３−オキサチオラン−２−
チオンの誘導体は、１，３−ジチオラン−２−チオンの
誘導体の１個の硫黄を酸素におきかえた類似化合物であ
り、同様の利用が期待される。
（発明が解決しようとする問題点）
このように１，３−ジチオラン−２−チオンの誘導体は
有用な化合物であるが、現在の合成法は操作が複雑であ
り、精製が困難な場合もある。このため発明者らは高圧
下においてチイランと二値しかしチイランは一般的にエ
ポキシドから合成されるためエポキシドと二硫化炭素か
ら直接１，３−ジチオラン−２−チオンの誘導体を合成
できればより効率的である。
有用な化合物であるが、現在の合成法は操作が複雑であ
り、精製が困難な場合もある。このため発明者らは高圧
下においてチイランと二値しかしチイランは一般的にエ
ポキシドから合成されるためエポキシドと二硫化炭素か
ら直接１，３−ジチオラン−２−チオンの誘導体を合成
できればより効率的である。
１．３−オキサチオラン−２−チオンの誘導体の合成法
としてはすでにエポキシドと二硫化炭素からの合成法が
報告されているが、常圧においてはかさ高い置換基を有
するエポキシドを用いた場合１反応速度が遅く収率が低
いという欠点があった。
としてはすでにエポキシドと二硫化炭素からの合成法が
報告されているが、常圧においてはかさ高い置換基を有
するエポキシドを用いた場合１反応速度が遅く収率が低
いという欠点があった。
したがって本発明の目的は１，３−ジチオラン−２−チ
オンの誘導体、あるいは１，３−ジチオラン−２−チオ
ンの誘導体と１，３−オキサチオラン−２−チオンの誘
導体の両者の効率的な製造方法を開発することである。
オンの誘導体、あるいは１，３−ジチオラン−２−チオ
ンの誘導体と１，３−オキサチオラン−２−チオンの誘
導体の両者の効率的な製造方法を開発することである。
（問題点を解決するための手段）
触媒１反応時間、溶媒などを選択することにより１．３
−ジチオラン−２−チオンの誘導体（２）及び１，３−
オキサチオラン−２−チオンの誘導体（３）の両者を同
時に収率よく製造できることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
−ジチオラン−２−チオンの誘導体（２）及び１，３−
オキサチオラン−２−チオンの誘導体（３）の両者を同
時に収率よく製造できることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
すなわち本発明は
一般式
（式中Ｒ１はアルキル基またはアリール基、Ｒ２Ｒ１は
アルキル基又は水素原子を表わす、）で示されるエポキ
シドと二硫化炭素とを塩基の存在下、高圧をかけて反応
させることを特徴とする一般式 （式中Ｒ１，Ｒ２，及びＲ３は前記と同じ意味をもつ）
で示される１、３−ジチオラン−２−チオンの誘導体（
２）及び１，３−オキサチオラン−２−チオンの誘導体
（３）の製造方法を提供するものである。
アルキル基又は水素原子を表わす、）で示されるエポキ
シドと二硫化炭素とを塩基の存在下、高圧をかけて反応
させることを特徴とする一般式 （式中Ｒ１，Ｒ２，及びＲ３は前記と同じ意味をもつ）
で示される１、３−ジチオラン−２−チオンの誘導体（
２）及び１，３−オキサチオラン−２−チオンの誘導体
（３）の製造方法を提供するものである。
本発明の出発原料であるエポキシド化合物（１）は多種
のものが市販されており、二硫化炭素も安価に市販され
ている。したがって、化合物（１）を適宜に選択するこ
とによりＲ１、Ｒ２、及びＲ３について所望の置換基を
導入した任意の１，３−ジチオラン−２−チオンの誘導
体及び１．３−オキサチオラン−２−チオンの誘導体を
製造することができる。なお本発明においてＲ１−Ｒ３
は反応１、：ｉに不活性な置換基でさらに置換されてい
る場合も包含する。
のものが市販されており、二硫化炭素も安価に市販され
ている。したがって、化合物（１）を適宜に選択するこ
とによりＲ１、Ｒ２、及びＲ３について所望の置換基を
導入した任意の１，３−ジチオラン−２−チオンの誘導
体及び１．３−オキサチオラン−２−チオンの誘導体を
製造することができる。なお本発明においてＲ１−Ｒ３
は反応１、：ｉに不活性な置換基でさらに置換されてい
る場合も包含する。
１ 次に本発明における目的化合物（２）及び（３）の
生成経路を塩基としてトリエチルアミンを用いた１−オ
クテンオキシドと二硫化炭素との反応を例にとれば下記
の式（４）のように表現できる。
生成経路を塩基としてトリエチルアミンを用いた１−オ
クテンオキシドと二硫化炭素との反応を例にとれば下記
の式（４）のように表現できる。
本発明の反応は通常、第三級アミン触媒の存在下にて高
圧条件下で行われる。例えばトリエチルアミン、ピリジ
ン等が触媒として用いられた。圧力は高圧はど好ましい
が、一般には５００〜９０００ｋｇ／ａｄの範囲で選択
される。反応温度は特に制約されないが副反応の進行を
抑制する意味では室温〜１２０℃の温度の採用が好まし
い０反応時間は圧力、温度等に左右されるが、通常５〜
５０時間で十分である。
圧条件下で行われる。例えばトリエチルアミン、ピリジ
ン等が触媒として用いられた。圧力は高圧はど好ましい
が、一般には５００〜９０００ｋｇ／ａｄの範囲で選択
される。反応温度は特に制約されないが副反応の進行を
抑制する意味では室温〜１２０℃の温度の採用が好まし
い０反応時間は圧力、温度等に左右されるが、通常５〜
５０時間で十分である。
反応混合物から過剰の二硫化炭素及び溶媒を留去したの
ち減圧蒸留もしくは再結晶することにより本発明の目的
化合物が収率よく得られる。かくして得られた目的化合
物は必要に応じてカラムクロマトグラフィーにより分離
し、各純粋物のＩＲ。
ち減圧蒸留もしくは再結晶することにより本発明の目的
化合物が収率よく得られる。かくして得られた目的化合
物は必要に応じてカラムクロマトグラフィーにより分離
し、各純粋物のＩＲ。
ＮＭＲ，ＧＣを分析することによりその構造を確認でき
る。
る。
（発明の効果）
本発明によれば、従来法では合成操作が複雑である。あ
るいは反応速度が遅く収率が低いなどの問題点がある１
、３−ジチオラン−２−チオンの誘導体及び１，３−オ
キサチオラン−２−千オンの誘導体類を種々の置換体が
容易に入手できるエポキシドと二硫化炭素を用いて一段
階で高収率かつ効率的に製造することができる。
るいは反応速度が遅く収率が低いなどの問題点がある１
、３−ジチオラン−２−チオンの誘導体及び１，３−オ
キサチオラン−２−千オンの誘導体類を種々の置換体が
容易に入手できるエポキシドと二硫化炭素を用いて一段
階で高収率かつ効率的に製造することができる。
（実施例）
次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明する。
実施例１
テフロンチューブに１−オクテンオキシド０゜６４ ｇ
ｙ トリエチルアミン０．０５ｇ及び二硫化炭素３．
８０ｇを封入し、高圧反応装置に入れて２０００ｋｇ／
ａ＆に加圧し１００℃で２０時間反応した。圧を常圧に
戻したのち反応物をとり出し。
ｙ トリエチルアミン０．０５ｇ及び二硫化炭素３．
８０ｇを封入し、高圧反応装置に入れて２０００ｋｇ／
ａ＆に加圧し１００℃で２０時間反応した。圧を常圧に
戻したのち反応物をとり出し。
過剰の二硫化炭素を留去した。残留物を減圧蒸留するこ
とにより５−へキシル−１，３−オキサチオラン−２−
チオンを５６．９％、４−へキシル−１，３−ジチオラ
ン−２−チオンを２７．３％の収率で得た。これらの化
合物はシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（
ヘキサン：クロロホルム １：１）によりそれぞれを単
離し、構造を確認した。
とにより５−へキシル−１，３−オキサチオラン−２−
チオンを５６．９％、４−へキシル−１，３−ジチオラ
ン−２−チオンを２７．３％の収率で得た。これらの化
合物はシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（
ヘキサン：クロロホルム １：１）によりそれぞれを単
離し、構造を確認した。
５−へキシル−１，３−オキサチオラン−２−チオンＩ
Ｒ； １１８９ｃｘ−１，１０１０４８３−１ＣＩ
−によるＱＭ” ： ２０５ＮＭＲ； ０．８９（
ｔ＝３Ｈ，ＣＨｉ）−１，３２（Ｓ、８Ｈ（ＣＨｚ）４
）−３，３５−３，８０（＋ｍ、２Ｈ，ＣＨ，）、 ４
．９５−５．３５（＋ｗ、ＩＨ，ＣＨ）４−ヘキシル−
１，３−ジチオラン−２−チオンＩ Ｒ； １０１０
６５Ｃ１１ −１ＣＩ−によるＱＭ” ； ２２１ＮＭＲ；
０．８８（ｔ、３Ｈ，ＯＨ□Ｌ １．３２（Ｓ、８Ｈ（
ＣＨ２）、）。
Ｒ； １１８９ｃｘ−１，１０１０４８３−１ＣＩ
−によるＱＭ” ： ２０５ＮＭＲ； ０．８９（
ｔ＝３Ｈ，ＣＨｉ）−１，３２（Ｓ、８Ｈ（ＣＨｚ）４
）−３，３５−３，８０（＋ｍ、２Ｈ，ＣＨ，）、 ４
．９５−５．３５（＋ｗ、ＩＨ，ＣＨ）４−ヘキシル−
１，３−ジチオラン−２−チオンＩ Ｒ； １０１０
６５Ｃ１１ −１ＣＩ−によるＱＭ” ； ２２１ＮＭＲ；
０．８８（ｔ、３Ｈ，ＯＨ□Ｌ １．３２（Ｓ、８Ｈ（
ＣＨ２）、）。
１．６６−２．１５（ｍ、２Ｈ，ＣＨ，）、 ３．５５
−４．１５（ｍ、２Ｈ，Ｃ）Ｉ、）、 ４゜２３−４．
６０（＋ａ、ＬＨ，ＣＨ） 同様の反応をオートクレーブ中、常圧で行うと５−へキ
シル−１，３−オキサチオラン−２−チオンは１６．７
％、４−へキシル−１，３−ジチオラン−２−チオンの
収率は０．９％のみであった。
−４．１５（ｍ、２Ｈ，Ｃ）Ｉ、）、 ４゜２３−４．
６０（＋ａ、ＬＨ，ＣＨ） 同様の反応をオートクレーブ中、常圧で行うと５−へキ
シル−１，３−オキサチオラン−２−チオンは１６．７
％、４−へキシル−１，３−ジチオラン−２−チオンの
収率は０．９％のみであった。
実施例２
前記と同様にして１−オクテンオキシド０．６４ｇ、ト
リエチルアミン０．０５ｇ、及び二硫化炭素１．９０ｇ
を８０００ｋｇ／ｃｄ、１００℃で２０時間反応させた
。前記と同様の処理により５−ヘキシル−１，３−オキ
サチオラン−２−チオンは４．９％、４−へキシル−１
，３−ジチオラン−２−チオンを７０．６％の収率で得
た。
リエチルアミン０．０５ｇ、及び二硫化炭素１．９０ｇ
を８０００ｋｇ／ｃｄ、１００℃で２０時間反応させた
。前記と同様の処理により５−ヘキシル−１，３−オキ
サチオラン−２−チオンは４．９％、４−へキシル−１
，３−ジチオラン−２−チオンを７０．６％の収率で得
た。
実施例３
前記と同様にして１−オクテンオキシド０．６４ｇ、Ｎ
−メチルモルホリン０．０５ｇ、及び二Ｍ化／ｕｉ１．
９０ ｇ ヲ８０００ｋｇ／ａ１．１００”Ｃで２０時
間反応させた。前記と同様の処理により５−へキシル−
１，３−オキサチオラン−２−チオンは３０．４％、４
−へキシル−１，３−ジチオラン−２−チオンを４５．
５％の収率で得た。
−メチルモルホリン０．０５ｇ、及び二Ｍ化／ｕｉ１．
９０ ｇ ヲ８０００ｋｇ／ａ１．１００”Ｃで２０時
間反応させた。前記と同様の処理により５−へキシル−
１，３−オキサチオラン−２−チオンは３０．４％、４
−へキシル−１，３−ジチオラン−２−チオンを４５．
５％の収率で得た。
実施例４
前記と同様にしてプロピレンオキシド０．２９ｇ、トリ
エチルアミン０．０５ｇ、及び二硫化炭素１．９０ｇを
８０００ｋｇ／ａＪ、１００℃で２０時間反応させた。
エチルアミン０．０５ｇ、及び二硫化炭素１．９０ｇを
８０００ｋｇ／ａＪ、１００℃で２０時間反応させた。
前記と同様の処理により４−メチル−１，３−ジチオラ
ン−２−チオンを８２゜７％の収率で得た。
ン−２−チオンを８２゜７％の収率で得た。
４−メチル−１，３−ジチオラン−２−チオンＩ Ｒ；
１０７６ａａ−’、１０５０ａ＋＋−’、 １０３
３ＣＩＩ−１ＣＩ−ＭＳによるＱＭ“ ；１５１ ＮＭＲ； １．６４（ｄ、３）！、ＣＨ，）、 ３．
５５−３．８５（ｄｄ、１１１．ＣＨ２の１プロトンＬ
３．９５−４．２０（ｄｄ、１Ｎ、ＣＨ，のＩプロト
ン）ｔ ４．３５−４．７５（ｍ、ＬＨ，ＣＨ）実施例
５ 前記と同様にしてブチレンオキシド０．３６ｇ、Ｎ−メ
チルモルホリン０．０５ｇ、及び二硫化炭素１．９０ｇ
を８０００）ｃｇ／ａｄ、７０℃で２０時間反応させた
。前記と同様の処理により５−エチル−１，３−オキサ
チオラン−２−チオン２０゜３％、４−エチル−１，３
−ジチオラン−２−チオンを３６．６％の収率で得た。
１０７６ａａ−’、１０５０ａ＋＋−’、 １０３
３ＣＩＩ−１ＣＩ−ＭＳによるＱＭ“ ；１５１ ＮＭＲ； １．６４（ｄ、３）！、ＣＨ，）、 ３．
５５−３．８５（ｄｄ、１１１．ＣＨ２の１プロトンＬ
３．９５−４．２０（ｄｄ、１Ｎ、ＣＨ，のＩプロト
ン）ｔ ４．３５−４．７５（ｍ、ＬＨ，ＣＨ）実施例
５ 前記と同様にしてブチレンオキシド０．３６ｇ、Ｎ−メ
チルモルホリン０．０５ｇ、及び二硫化炭素１．９０ｇ
を８０００）ｃｇ／ａｄ、７０℃で２０時間反応させた
。前記と同様の処理により５−エチル−１，３−オキサ
チオラン−２−チオン２０゜３％、４−エチル−１，３
−ジチオラン−２−チオンを３６．６％の収率で得た。
５−エチル−１，３−オキサチオラン−２−チオンＩ
Ｒ； １１８８ａｍ−１ ＣＩ−ＭＳによるＱＭ” ； １４９ＮＭＲ；
１．０９（ｔ、３Ｈ，Ｃ）１．）、 １．５３−２．２
０（■、２Ｈ，ＣＨ，）、 ３．５０−３．７４（ｍ
、２Ｈ，Ｃ）Ｉｓ）、 ４．９０−５．２８（ｍ、Ｉ
Ｈ，ＣＩ）４−エチル−１，３−ジチオラン−２−チオ
ンＩ Ｒ； １０４９３−１．１０８３（！ＩＩ−’
ＣＩ−ＭＳによるＱＭ” ； １６５ＮＭＲ； １
．０７（ｔ、３Ｂ、ＣＨ，）、１．６０−２．２０（ｍ
、２Ｈ，ＣＨ，）、３．４０−４．２０（ｍ、２Ｈ，Ｃ
Ｈ２）、４．２０−４．５５（（ｍ、１８．ＣＨ）実施
例６ 前記と同様にしてイソブチレンオキシド０．７２ｇ、Ｎ
、Ｎ−ジメチルエチルアミン０．０７ｇを８０００ ｋ
ｇ／ａ＃、１００℃で２０時間反応サセた。前記と同様
の処理により、５，５−ジメチル−１，３−オキサチオ
ラン−２−チオンは６６゜９％、４，４−ジメチル−１
，３−ジチオラン−２−チオンを１７．７％の収率で得
た。
Ｒ； １１８８ａｍ−１ ＣＩ−ＭＳによるＱＭ” ； １４９ＮＭＲ；
１．０９（ｔ、３Ｈ，Ｃ）１．）、 １．５３−２．２
０（■、２Ｈ，ＣＨ，）、 ３．５０−３．７４（ｍ
、２Ｈ，Ｃ）Ｉｓ）、 ４．９０−５．２８（ｍ、Ｉ
Ｈ，ＣＩ）４−エチル−１，３−ジチオラン−２−チオ
ンＩ Ｒ； １０４９３−１．１０８３（！ＩＩ−’
ＣＩ−ＭＳによるＱＭ” ； １６５ＮＭＲ； １
．０７（ｔ、３Ｂ、ＣＨ，）、１．６０−２．２０（ｍ
、２Ｈ，ＣＨ，）、３．４０−４．２０（ｍ、２Ｈ，Ｃ
Ｈ２）、４．２０−４．５５（（ｍ、１８．ＣＨ）実施
例６ 前記と同様にしてイソブチレンオキシド０．７２ｇ、Ｎ
、Ｎ−ジメチルエチルアミン０．０７ｇを８０００ ｋ
ｇ／ａ＃、１００℃で２０時間反応サセた。前記と同様
の処理により、５，５−ジメチル−１，３−オキサチオ
ラン−２−チオンは６６゜９％、４，４−ジメチル−１
，３−ジチオラン−２−チオンを１７．７％の収率で得
た。
５．５−ジメチル−１，３−オキサチオラン−２−チオ
ンＩ Ｒ； １２５２ａｓ−１ｗ １１２７Ｇｍ−１
Ｃｒ−ＭＳによるＱＭ” ： １４９ＮＭＲ； １
．６７（ｓ、６）１．２ＣＨａ）、 ３．４８（ｓ、２
１（、ＣＨ，）４．４−ジメチル−１，３−ジチオラン
−２−チオンＩ Ｒ： １０５６ｃｘ−１，１０８６
ａｍ−１１０８６ａによるＱＭ” ； １６５ＮＭＲ
； １．７３（ｓ、６Ｈ，２ＣＨａ）、 ３．７４（
ｓ、２Ｈ，ＣＨ，）実施例７ 前記と同様にしてスチレンオキシド１．２０ｇ。
ンＩ Ｒ； １２５２ａｓ−１ｗ １１２７Ｇｍ−１
Ｃｒ−ＭＳによるＱＭ” ： １４９ＮＭＲ； １
．６７（ｓ、６）１．２ＣＨａ）、 ３．４８（ｓ、２
１（、ＣＨ，）４．４−ジメチル−１，３−ジチオラン
−２−チオンＩ Ｒ： １０５６ｃｘ−１，１０８６
ａｍ−１１０８６ａによるＱＭ” ； １６５ＮＭＲ
； １．７３（ｓ、６Ｈ，２ＣＨａ）、 ３．７４（
ｓ、２Ｈ，ＣＨ，）実施例７ 前記と同様にしてスチレンオキシド１．２０ｇ。
ピリジンｏ、０８ｇ、及び二硫化炭素３．８０ｇを８０
００ ｋｇ／ｄ、１００℃で２０時間反応させた。過剰
の二硫化炭素を留去したのちエタノールを再結晶するこ
とにより９２．９％、の収率で４−フェニル−１，３−
ジチオラン−２−チオンを得た。
００ ｋｇ／ｄ、１００℃で２０時間反応させた。過剰
の二硫化炭素を留去したのちエタノールを再結晶するこ
とにより９２．９％、の収率で４−フェニル−１，３−
ジチオラン−２−チオンを得た。
４−フェニル−１，３−ジチオラン−２−チオンＩ Ｒ
； １０４７Ｃ！１−１ ＣＩ −ＭＳによるＱＭ” ： ２１３ＮＭＲ；
３−９０−４−４０３−９Ｏ−４−４０（，５，５５
−５，８０（ｄｄ−ＬＨ，ＣＨ）、 ７．２５−７．
７０（鵬、５ｏ＝ｃｓｕｉ）実施例８ 前記と同様にしてシクロヘキセンオキシド０゜４９ｇ、
Ｎ−メチルモルホリン０．０５ｇ、及び二硫化炭素１．
９０ｇを８０００ｋｇ／ｃｄ、７０℃で２０時間反応さ
せた。過剰の二硫化炭素を留去したのちシルカゲルを用
いたカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：クロロホル
ム １：１）により４．５−テトラメチレン−１，３−
オキサチオラン−２−チオンを５４．０％、４，５−テ
トラメチレン−１，３−ジチオラン−２−チオンを３５
．８％の収率で得た。
； １０４７Ｃ！１−１ ＣＩ −ＭＳによるＱＭ” ： ２１３ＮＭＲ；
３−９０−４−４０３−９Ｏ−４−４０（，５，５５
−５，８０（ｄｄ−ＬＨ，ＣＨ）、 ７．２５−７．
７０（鵬、５ｏ＝ｃｓｕｉ）実施例８ 前記と同様にしてシクロヘキセンオキシド０゜４９ｇ、
Ｎ−メチルモルホリン０．０５ｇ、及び二硫化炭素１．
９０ｇを８０００ｋｇ／ｃｄ、７０℃で２０時間反応さ
せた。過剰の二硫化炭素を留去したのちシルカゲルを用
いたカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：クロロホル
ム １：１）により４．５−テトラメチレン−１，３−
オキサチオラン−２−チオンを５４．０％、４，５−テ
トラメチレン−１，３−ジチオラン−２−チオンを３５
．８％の収率で得た。
４．５−テトラメチレン−１，３−オキサチオラン−２
−チオン ＣＩ−ＭＳによるＱＭ” ； １７５ＮＭＲ；
１．００２．６５（＠、８Ｈ２−（ＣＨ−）−４）−３
，５４−４，００（ｍ、ＩＩ、Ｃ１１）、 ４．１３−
４．６５（＋、Ｉｆ（、ＣＨ）４．５−テトラメチレン
−１，３−ジチオラン−２−チオンＩ Ｒ； １０１
０３３（１’ ＣＩ−ＭＳによるＱＭ” ： １９１ＮＭＲ； １
．００−２．４０（＋ａ、８１（、−（ＣＨ，）−、）
、 ３．９０−４．３５（ｍ、２Ｈ，２Ｃｔ（）
−チオン ＣＩ−ＭＳによるＱＭ” ； １７５ＮＭＲ；
１．００２．６５（＠、８Ｈ２−（ＣＨ−）−４）−３
，５４−４，００（ｍ、ＩＩ、Ｃ１１）、 ４．１３−
４．６５（＋、Ｉｆ（、ＣＨ）４．５−テトラメチレン
−１，３−ジチオラン−２−チオンＩ Ｒ； １０１
０３３（１’ ＣＩ−ＭＳによるＱＭ” ： １９１ＮＭＲ； １
．００−２．４０（＋ａ、８１（、−（ＣＨ，）−、）
、 ３．９０−４．３５（ｍ、２Ｈ，２Ｃｔ（）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （式中Ｒ＾１はアルキル基又はアリール基、Ｒ＾２、Ｒ
＾３はアルキル基又は水素原子を表わす。）で示される
エポキシドと二硫化炭素とを塩基の存在下、高圧をかけ
て反応させることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式
、表等があります▼ （式中Ｒ＾１、Ｒ＾２、及びＲ＾３は前記と同じ意味を
もつ）で示される１，３−ジチオラン−２−チオン誘導
体及び１，３−オキサチオラン−２−チオン誘導体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62052748A JPS63218672A (ja) | 1987-03-07 | 1987-03-07 | １，３−ジチオラン−２−チオン誘導体及び１，３−オキサチオラン−２−チオン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62052748A JPS63218672A (ja) | 1987-03-07 | 1987-03-07 | １，３−ジチオラン−２−チオン誘導体及び１，３−オキサチオラン−２−チオン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63218672A true JPS63218672A (ja) | 1988-09-12 |
| JPH0376313B2 JPH0376313B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=12923530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62052748A Granted JPS63218672A (ja) | 1987-03-07 | 1987-03-07 | １，３−ジチオラン−２−チオン誘導体及び１，３−オキサチオラン−２−チオン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63218672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006047011A3 (en) * | 2004-10-26 | 2006-06-22 | Chemtura Corp | 1,3-dithiolane-2-thione additives for lubricants and fuels |
| JP2012214386A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 環状トリチオカーボネートの製造方法 |
-
1987
- 1987-03-07 JP JP62052748A patent/JPS63218672A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006047011A3 (en) * | 2004-10-26 | 2006-06-22 | Chemtura Corp | 1,3-dithiolane-2-thione additives for lubricants and fuels |
| JP2008518081A (ja) * | 2004-10-26 | 2008-05-29 | ケムチュア コーポレイション | 潤滑剤及び燃料用の１，３−ジチオラン−２−チオン添加剤 |
| US7541319B2 (en) | 2004-10-26 | 2009-06-02 | Chemtura Corporation | 1,3-dithiolane-2-thione additives for lubricants and fuels |
| JP2012214386A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 環状トリチオカーボネートの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376313B2 (ja) | 1991-12-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |