JPS63218947A - 電子線又はｘ線用ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
電子線又はｘ線用ポジ型レジスト組成物Info
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- JPS63218947A JPS63218947A JP5268687A JP5268687A JPS63218947A JP S63218947 A JPS63218947 A JP S63218947A JP 5268687 A JP5268687 A JP 5268687A JP 5268687 A JP5268687 A JP 5268687A JP S63218947 A JPS63218947 A JP S63218947A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は電子線又はＸ線に対し高い感度を示すポジ型レ
ジスト組成物に関し、特に著しく解像力に優れた電子線
又はＸ線用ポジ型レジスト組成物に関するものである。
ジスト組成物に関し、特に著しく解像力に優れた電子線
又はＸ線用ポジ型レジスト組成物に関するものである。
〈従来の技術〉
半導体集積回路は高密度化に伴なう微細化が進み、現在
ではサブミクロンレベルのパターン形成が要求されるに
到っている。これに伴ないリソグラフィー技術において
も微細パターンの形成に電子線又はＸ線を用いる時代を
迎えつつある。
ではサブミクロンレベルのパターン形成が要求されるに
到っている。これに伴ないリソグラフィー技術において
も微細パターンの形成に電子線又はＸ線を用いる時代を
迎えつつある。
このうち特に電子線リソグラフィーについては、高精度
のフォトマスクの製造に既に実用化されているが、さら
に半導体素子基板上に直接微細加工する直接描画システ
ムの開発も進められている。
のフォトマスクの製造に既に実用化されているが、さら
に半導体素子基板上に直接微細加工する直接描画システ
ムの開発も進められている。
一般にこのシステムにおいては光リソグラフィーの場合
に比べて描画速度が遅い（即ちスループットが低い）こ
とが最大の欠点である。
に比べて描画速度が遅い（即ちスループットが低い）こ
とが最大の欠点である。
実用的な点からみても電子線に対し高感度でかつ解像力
の高いレジストが開発されれば、このシステムの利用価
値はさらに高くなるであろう。
の高いレジストが開発されれば、このシステムの利用価
値はさらに高くなるであろう。
このような観点から現在開発されている電子線レジスト
を見ると、必ずしも上に述べた要求性能をすべて満たし
ているものとはいえない。例えば、感度の点では一般に
ネガ型電子線レジストはポジ型電子線レジストに比べ優
れているが解像力の点では、特に現像に有機溶剤を用い
るネガ型レジストの場合、現像時の膨潤などのため、ポ
ジ型レジストに比べ解像力が劣る傾向がある。一方ポジ
型電子線レジストでは一般に解像力は優れているが、感
度の面ではネガ型のものに劣る傾向にある。即ち高感度
でかつ解像力の高い電子線レジストについては満足なも
のがなく、優れた材料が強く求められているのが現状で
ある。
を見ると、必ずしも上に述べた要求性能をすべて満たし
ているものとはいえない。例えば、感度の点では一般に
ネガ型電子線レジストはポジ型電子線レジストに比べ優
れているが解像力の点では、特に現像に有機溶剤を用い
るネガ型レジストの場合、現像時の膨潤などのため、ポ
ジ型レジストに比べ解像力が劣る傾向がある。一方ポジ
型電子線レジストでは一般に解像力は優れているが、感
度の面ではネガ型のものに劣る傾向にある。即ち高感度
でかつ解像力の高い電子線レジストについては満足なも
のがなく、優れた材料が強く求められているのが現状で
ある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところで、解像力に対応する重要な指標としては、γ値
が挙げられる。γ値の定義として、ここでは露光量がＢ
１からＢ２に変化したとき、露光部の現像速度がＲ１か
らＲ２に変化したとすると、Ｔ＝（ｌｏｇ Ｒ２−１ｏ
ｇ Ｒ＋） ／ （ｌｏｇ Ｂ２−１ｏｇ Ｅｕで表わ
される。この値が大きい埋置光量の変化に対する現像速
度の変化が大きくなりパターンの切れがよくなることを
意味する。
が挙げられる。γ値の定義として、ここでは露光量がＢ
１からＢ２に変化したとき、露光部の現像速度がＲ１か
らＲ２に変化したとすると、Ｔ＝（ｌｏｇ Ｒ２−１ｏ
ｇ Ｒ＋） ／ （ｌｏｇ Ｂ２−１ｏｇ Ｅｕで表わ
される。この値が大きい埋置光量の変化に対する現像速
度の変化が大きくなりパターンの切れがよくなることを
意味する。
本発明の目的は、解像力に優れ（即ち、γ値が高く）か
つ感度、向上した電子線又はＸ線用ポジ型レジスト組成
物を得ることである。
つ感度、向上した電子線又はＸ線用ポジ型レジスト組成
物を得ることである。
〈問題点を解決するための具体的手段〉本発明者らは、
鋭意検討を進めた結果、キノンジアジド化合物と特定の
クレゾール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂を特定の
割合で含む組成物を用いたところ、驚くべきことに解像
力、感度の双方とも著しく改良されることを見出し、本
発明を完成させるに到った。
鋭意検討を進めた結果、キノンジアジド化合物と特定の
クレゾール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂を特定の
割合で含む組成物を用いたところ、驚くべきことに解像
力、感度の双方とも著しく改良されることを見出し、本
発明を完成させるに到った。
すなわち、本発明は、キノンジアジド化合物とクレゾー
ル−ホルムアルデヒドノボラック樹脂を含むポジ型レジ
スト組成物において、 （１）該樹脂がメタクレゾール／パラクレゾール＝２０
／８０〜６０／４０ （重量比）の割合のメタ、パラ混
合クレゾールとホルムアルデヒドを付加縮合させて得ら
れた重量平均分子量２．０００〜１５．０００を有する
クレゾール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂であり （２）キノンジアジド化合物と該樹脂の割合が１：２〜
ｌ；５ （重量比）の範囲にあることを特徴とする電子
線又はＸ線用ポジ型レジスト組成物である。
ル−ホルムアルデヒドノボラック樹脂を含むポジ型レジ
スト組成物において、 （１）該樹脂がメタクレゾール／パラクレゾール＝２０
／８０〜６０／４０ （重量比）の割合のメタ、パラ混
合クレゾールとホルムアルデヒドを付加縮合させて得ら
れた重量平均分子量２．０００〜１５．０００を有する
クレゾール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂であり （２）キノンジアジド化合物と該樹脂の割合が１：２〜
ｌ；５ （重量比）の範囲にあることを特徴とする電子
線又はＸ線用ポジ型レジスト組成物である。
以下に本発明をさらに詳しく述べる。
本発明に用いられるキノンジアジド化合物とはナフトキ
ノンジアジド基や、ベンゾキノンジアジド基を含む化合
物であり、これらは例えばナフトキノンジアジドスルホ
ン酸クロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリ
ドとヒドロキシル基を有する化合物を弱いアルカリの存
在下に縮合させることにより得られる。ヒドロキシル基
を有する化合物の例としては、ハイドロキノン、レゾル
シン、フロログルシン、２．４−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，３．４−）ジヒドロキシベンゾフェノン、
没食子酸アルキルエステル、２．２’、４．４’ −テ
トラヒドロキシベンゾフェノン。
ノンジアジド基や、ベンゾキノンジアジド基を含む化合
物であり、これらは例えばナフトキノンジアジドスルホ
ン酸クロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリ
ドとヒドロキシル基を有する化合物を弱いアルカリの存
在下に縮合させることにより得られる。ヒドロキシル基
を有する化合物の例としては、ハイドロキノン、レゾル
シン、フロログルシン、２．４−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，３．４−）ジヒドロキシベンゾフェノン、
没食子酸アルキルエステル、２．２’、４．４’ −テ
トラヒドロキシベンゾフェノン。
２．３，４．４’ テトラヒドロキンベンゾフェノンな
どのテトラヒドロキシベンゾフェノン類、ペンタヒドロ
キシベンゾフェノン類などがあげられる。
どのテトラヒドロキシベンゾフェノン類、ペンタヒドロ
キシベンゾフェノン類などがあげられる。
次に樹脂成分について述べる。
本発明に用いるノボラック樹脂の原料としては、メタク
レゾール／パラクレゾール＝２０／８０〜６０／４０（
重量比）の割合のメタ、パラ混合クレゾールを使用する
。メタクレゾールとパラクレゾールの割合はレジストの
感度および解像力に大きく影響する。すなわちパラクレ
ゾールの割合をふやすと解像力は向上するが、感度が低
下する。メタクレゾール／パラクレゾールの比が２０
／８０以下ではポリマーの分子量が上がりにくく、実用
的でない。
レゾール／パラクレゾール＝２０／８０〜６０／４０（
重量比）の割合のメタ、パラ混合クレゾールを使用する
。メタクレゾールとパラクレゾールの割合はレジストの
感度および解像力に大きく影響する。すなわちパラクレ
ゾールの割合をふやすと解像力は向上するが、感度が低
下する。メタクレゾール／パラクレゾールの比が２０
／８０以下ではポリマーの分子量が上がりにくく、実用
的でない。
逆にメタクレゾールの割合をふやすと感度は向上するが
解像力は低下する。
解像力は低下する。
本発明者らはこのような相反する感度と解像力をパラン
スさせるべく鋭意検討した結果、メタクレゾール／パラ
クレゾール＝２０／８０〜６０ ／４０の範囲の混合ク
レゾールを原料として用いることにより、感度および解
像力のパランスのとれたレジスト組成物が得られること
を見出した。本発明の混合クレゾールはメタクレゾール
とパラクレゾールを上記割合に混合して用いてもよいし
、または市販品として人手できるメタ、パラ混合クレゾ
ールを用いてもよい。
スさせるべく鋭意検討した結果、メタクレゾール／パラ
クレゾール＝２０／８０〜６０ ／４０の範囲の混合ク
レゾールを原料として用いることにより、感度および解
像力のパランスのとれたレジスト組成物が得られること
を見出した。本発明の混合クレゾールはメタクレゾール
とパラクレゾールを上記割合に混合して用いてもよいし
、または市販品として人手できるメタ、パラ混合クレゾ
ールを用いてもよい。
またこのメタ、パラ混合クレゾールと付加縮合反応させ
るホルムアルデヒドとしてはホルムアルデヒド水溶液（
ホルマリン）やホルムアルデヒドのオリゴマーであるパ
ラホルムアルデヒドが用いられる。特に３７％のホルマ
リンは工業的に量産されており好都合である。
るホルムアルデヒドとしてはホルムアルデヒド水溶液（
ホルマリン）やホルムアルデヒドのオリゴマーであるパ
ラホルムアルデヒドが用いられる。特に３７％のホルマ
リンは工業的に量産されており好都合である。
これらのフェノール類とホルムアルデヒドを、通常用い
られている酸あるいは二価金属の有機酸塩などを触媒と
して重合せしめ、ノボラック樹脂が得られる。
られている酸あるいは二価金属の有機酸塩などを触媒と
して重合せしめ、ノボラック樹脂が得られる。
触媒として用いる酸は無機酸、有機酸のいずれでもよい
。具体的には塩酸、硫酸、リン酸、ｐ−トルエンスルホ
ン酸、蓚酸、トリクロル酢酸などがあげられる。
。具体的には塩酸、硫酸、リン酸、ｐ−トルエンスルホ
ン酸、蓚酸、トリクロル酢酸などがあげられる。
また二価金属の有機酸塩としては、マグネシウム、マン
ガン、亜鉛、カドミウム、コバルト、鉛などの金属のそ
れぞれ酢酸塩、蟻酸塩、乳酸塩、安息香酸塩などがあげ
られる。あるいは上に述べた酸類と二価金属の有機酸塩
との組み合わせであってもよい。また反応はバルクで行
なうことも適当な溶剤を用いて行なうこともいずれも可
能である。反応は通常６０〜１２０℃、２時Ｍ〜２０時
間行なう。
ガン、亜鉛、カドミウム、コバルト、鉛などの金属のそ
れぞれ酢酸塩、蟻酸塩、乳酸塩、安息香酸塩などがあげ
られる。あるいは上に述べた酸類と二価金属の有機酸塩
との組み合わせであってもよい。また反応はバルクで行
なうことも適当な溶剤を用いて行なうこともいずれも可
能である。反応は通常６０〜１２０℃、２時Ｍ〜２０時
間行なう。
次にノボラック樹脂の分子量についてであるがメタクレ
ゾール、パラクレゾールの混合割合、触媒の種類、反応
条件の違いにより最適範囲が異なるが、おおむねＧＰＣ
より求めた重量平均分子量（Ｍｗ）が２．０００ 〜１
５．０００、より好ましくは３，０００〜１２．０００
が適当である。
ゾール、パラクレゾールの混合割合、触媒の種類、反応
条件の違いにより最適範囲が異なるが、おおむねＧＰＣ
より求めた重量平均分子量（Ｍｗ）が２．０００ 〜１
５．０００、より好ましくは３，０００〜１２．０００
が適当である。
ここに示したＭＷはＧＰＣクロマトグラムより単分散ポ
リスチレンを用いて得られる検量線を用いて計算した値
であり、ＧＰＣクロマトグラムの測定は日立製作所■製
の６３５型液体クロマトグラフ装置にカラムとして、島
原製作所■製のＦ（ＳＧ−１５、Ｈ２Ｃ−４０、ＨＷＧ
−６０各々１本づつ直列に連結したものを用い、又、キ
ャリア溶媒としてテトラヒドロフランを使用し、流速約
１゜Ｑｍｌ／ｍｉｎで行なった。
リスチレンを用いて得られる検量線を用いて計算した値
であり、ＧＰＣクロマトグラムの測定は日立製作所■製
の６３５型液体クロマトグラフ装置にカラムとして、島
原製作所■製のＦ（ＳＧ−１５、Ｈ２Ｃ−４０、ＨＷＧ
−６０各々１本づつ直列に連結したものを用い、又、キ
ャリア溶媒としてテトラヒドロフランを使用し、流速約
１゜Ｑｍｌ／ｍｉｎで行なった。
また、キノンジアジド化合物とノボラック樹脂の配合比
は１：２〜ｌ：５ （重量比）の範囲で用いるのが好ま
しい。この範囲をはずれるとポジ型レジストとしての感
度あるいは解像力のいずれかあるいは両方の性能が損な
われ、好ましくない。
は１：２〜ｌ：５ （重量比）の範囲で用いるのが好ま
しい。この範囲をはずれるとポジ型レジストとしての感
度あるいは解像力のいずれかあるいは両方の性能が損な
われ、好ましくない。
レジスト液の調製は、キノンジアジド化合物とノボラッ
ク樹脂を溶剤に混合溶解することによって行う。ここで
用いる溶剤は、適当な乾燥速度で溶剤が蒸発した後、均
一で平滑な塗膜を与えるものがよい。そのようなものと
しては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソル
ブアセート、エチルセロソルブ、メチルセロソルフ、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、メチ
ルイソブチルケトン、キシレン等があげられる。
ク樹脂を溶剤に混合溶解することによって行う。ここで
用いる溶剤は、適当な乾燥速度で溶剤が蒸発した後、均
一で平滑な塗膜を与えるものがよい。そのようなものと
しては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソル
ブアセート、エチルセロソルブ、メチルセロソルフ、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、メチ
ルイソブチルケトン、キシレン等があげられる。
以上のポジ型レジスト組成物は、さらに付加的な添加と
して少量の樹脂、可塑剤、染料などが添加されていても
よい。
して少量の樹脂、可塑剤、染料などが添加されていても
よい。
〈発明の効果〉
本発明に従えば著しく解像力に優れ、かつ感度の向上し
たポジ型レジスト組成物を得ることができる。
たポジ型レジスト組成物を得ることができる。
〈実施例〉
次に実施例をあげて、本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるも
のではない。
が、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるも
のではない。
参考例１
内容積１０００ｍ１の三ツロフラスコにメタクレゾール
１０８ ｇ 、パラクレゾール１６２ｇ（メタクレゾー
ル／パラクレゾール＝４０ ／６０重量比）を仕込んだ
のち、５％シ二つ酸水３０ ｇ 、３７％ホルマリン１
３０ｇを添加した。撹拌しながらフラスコを油浴に浸し
て反応温度を９５〜１００℃にコントロールし、９時間
反応させることによりノボラック樹脂を合成した。
１０８ ｇ 、パラクレゾール１６２ｇ（メタクレゾー
ル／パラクレゾール＝４０ ／６０重量比）を仕込んだ
のち、５％シ二つ酸水３０ ｇ 、３７％ホルマリン１
３０ｇを添加した。撹拌しながらフラスコを油浴に浸し
て反応温度を９５〜１００℃にコントロールし、９時間
反応させることによりノボラック樹脂を合成した。
反応後、アルカリで中和し、エチルセロソルブアセテー
ト２００ｇを加え、水洗、脱水してノボラック樹脂のエ
チルセロソルブアセテート溶液を得た。
ト２００ｇを加え、水洗、脱水してノボラック樹脂のエ
チルセロソルブアセテート溶液を得た。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は５．４００であ
った。
った。
参考例２
参考例１と同様な装置に、メタクレゾール８１ｇ１パラ
クレゾール１８９ｇ（メタクレゾール／パラクレゾール
＝３０／７０重量比）を仕込んだのち、５％シ二つ酸５
０％、３７％ホルマリン１４０ｇを添加した。
クレゾール１８９ｇ（メタクレゾール／パラクレゾール
＝３０／７０重量比）を仕込んだのち、５％シ二つ酸５
０％、３７％ホルマリン１４０ｇを添加した。
撹拌しながらフラスコを油浴に浸して反応温度を９５〜
１００℃にコントロールし、２００時間反応せることに
よりノボラック樹脂を合成した。
１００℃にコントロールし、２００時間反応せることに
よりノボラック樹脂を合成した。
反応後、アルカリで中和し、エチルセロソルブアセテー
ト２００ｇを加え、水洗、脱水してノボラック樹脂のエ
チルセロソルブアセテート溶液を得た。
ト２００ｇを加え、水洗、脱水してノボラック樹脂のエ
チルセロソルブアセテート溶液を得た。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は３．３００であ
った。
った。
参考例３
参考例１と同様な装置に、メタクレゾール１３５ｇパラ
クレゾール１３５ｇ（メタクレゾール／パラクレゾール
＝５０１５０ｆｉｆｆｉ比）を仕込んだのぢ、５％シニ
ウ酸氷水５０ｇ 、 ３７％ホルマリン１４０ ｇを添
加した。撹拌しながらフラスコを油浴に浸して反応温度
を９５〜１００ ℃にコントロールし、９時間反応させ
ることによりノボラック樹脂を合成した。
クレゾール１３５ｇ（メタクレゾール／パラクレゾール
＝５０１５０ｆｉｆｆｉ比）を仕込んだのぢ、５％シニ
ウ酸氷水５０ｇ 、 ３７％ホルマリン１４０ ｇを添
加した。撹拌しながらフラスコを油浴に浸して反応温度
を９５〜１００ ℃にコントロールし、９時間反応させ
ることによりノボラック樹脂を合成した。
反応後、アルカリで中和し、エチルセロソルブアセテー
ト２００ｇを加え水洗、脱水してノボラック樹脂のエチ
ルセロソルブアセテート溶液を得た。
ト２００ｇを加え水洗、脱水してノボラック樹脂のエチ
ルセロソルブアセテート溶液を得た。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は、６．５００で
あった。
あった。
参考例４
参考例１と同様な装置に、メタルクレゾール１８９ｇ、
ｉ＜ラフレゾール８１ｇ（メタクレゾール／パラクレゾ
ールＴＯ／３０重量比）を仕込んだのち、５％シニウ酸
５０ ｇ 、 ３７％ホルマリン１４２ｇを添加した。
ｉ＜ラフレゾール８１ｇ（メタクレゾール／パラクレゾ
ールＴＯ／３０重量比）を仕込んだのち、５％シニウ酸
５０ ｇ 、 ３７％ホルマリン１４２ｇを添加した。
撹拌しながらフラスコを油浴に浸して反応温度を９５〜
１００℃にコントロールし、７時間反応させることによ
りノボラック樹脂を合成した。
１００℃にコントロールし、７時間反応させることによ
りノボラック樹脂を合成した。
反応後、アルカリで中和し、エチルセロソルブアセテ−
）２００ｇを加え、水洗、脱水して、ノボラック樹脂の
エチルセロソルブアセテート溶液を得た。
）２００ｇを加え、水洗、脱水して、ノボラック樹脂の
エチルセロソルブアセテート溶液を得た。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は５．５００であ
った。
った。
参考例５
参考例１と同様な装置に、メタクレゾール２１６ｇ 、
ハラクレゾール５４ｇ （メタクレゾール／パラクレ
ゾール８０ ／２０重量比）を仕込んだのち、５％シュ
ウ酸３０ ｇ 、 ３７％ホルマリン１８２ｇを添加し
た。
ハラクレゾール５４ｇ （メタクレゾール／パラクレ
ゾール８０ ／２０重量比）を仕込んだのち、５％シュ
ウ酸３０ ｇ 、 ３７％ホルマリン１８２ｇを添加し
た。
撹拌しながらフラスコを油浴に浸して反応温度を９５〜
１００℃にコントロールし、６時間反応させることによ
りノボラック樹脂を合成した。
１００℃にコントロールし、６時間反応させることによ
りノボラック樹脂を合成した。
反応後、アルカリで中和し、エチルセロソルブアセテ−
）２００ｇを加え、水洗、脱水して、ノボラック樹脂の
エチルセロソルブアセテート溶液を得た。
）２００ｇを加え、水洗、脱水して、ノボラック樹脂の
エチルセロソルブアセテート溶液を得た。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は７．１００であ
った。
った。
実施例及び比較例
参考例１〜５で得られたノボラック樹脂を各々キノンジ
アジド化合物とともに、表−１に示す組成でエチルセロ
ソルブアセテートに溶かし、レジスト液を調合した。な
おエチルセロソルブアセテートの量は、以下に示す塗布
条件でレジスト膜厚が４．０００人になるように調整し
た。またキノンジアジド化合物としてここではナフトキ
ノン−（１゜２）−ジアジド（２）−５−スルホン酸ク
ロリドと２．３．４−トリヒドロキシベンゾフェノンを
１．２：１（モル比）の割合で縮合反応させたものを用
いた。
アジド化合物とともに、表−１に示す組成でエチルセロ
ソルブアセテートに溶かし、レジスト液を調合した。な
おエチルセロソルブアセテートの量は、以下に示す塗布
条件でレジスト膜厚が４．０００人になるように調整し
た。またキノンジアジド化合物としてここではナフトキ
ノン−（１゜２）−ジアジド（２）−５−スルホン酸ク
ロリドと２．３．４−トリヒドロキシベンゾフェノンを
１．２：１（モル比）の割合で縮合反応させたものを用
いた。
これら各組成物を０．２μｍのテフロン製フィルターで
濾過し、レジスト液を調整した。これを常法によって洗
浄したシリコンウェハーに回転塗布機を用いて４． ｏ
ｏｏｒ、 ｐ、 ｍ、 で塗布した。ついでこのシリ
コンウェハーを、あらかじめ内温８０℃に保ったクリー
ンオーブンに３０分間入れ乾燥させた。
濾過し、レジスト液を調整した。これを常法によって洗
浄したシリコンウェハーに回転塗布機を用いて４． ｏ
ｏｏｒ、 ｐ、 ｍ、 で塗布した。ついでこのシリ
コンウェハーを、あらかじめ内温８０℃に保ったクリー
ンオーブンに３０分間入れ乾燥させた。
ついでこのウェハーに、電子線照射製蓋を用いて、加速
電圧２０ｋｖで、０．１〜３０ μｃ ／ ｃｕｔの入
射線量で段階的に露光した。
電圧２０ｋｖで、０．１〜３０ μｃ ／ ｃｕｔの入
射線量で段階的に露光した。
これを２．５％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶
液で１分間現像することによりポジ型パターンを得た。
液で１分間現像することによりポジ型パターンを得た。
露光量に対するレジストの膜べり量（あるいは現像速度
）をプロットすることにより、レジスト感度およびγ値
を求めた。
）をプロットすることにより、レジスト感度およびγ値
を求めた。
これらの結果を表−１にまとめる。表−１から明らかな
ように実施例１〜３のγ値は比較例１〜４に比べ優れて
いる。
ように実施例１〜３のγ値は比較例１〜４に比べ優れて
いる。
なお、電子線照射装置に替え、Ｘ線照射装置を用い、同
様に実施しても、殆ど同様の結果が得られた。
様に実施しても、殆ど同様の結果が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 キノンジアジド化合物とクレゾール−ホルムアルデヒド
ノボラック樹脂を含むポジ型レジスト組成物において、 （１）該樹脂がメタクレゾール／パラクレゾール＝２０
／８０〜６０／４０（重量比）の割合のメタ、パラ混合
クレゾールとホルムアルデヒドを付加縮合させて得られ
た重量平均分子量２，０００〜１５，０００を有するク
レゾール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂であり、 （２）キノンジアジド化合物と該樹脂の割合が１：２〜
１：５（重量比）の範囲にあることを特徴とする電子線
又はＸ線用ポジ型レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62052686A JPH0654391B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 電子線又はｘ線用ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62052686A JPH0654391B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 電子線又はｘ線用ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63218947A true JPS63218947A (ja) | 1988-09-12 |
| JPH0654391B2 JPH0654391B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=12921773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62052686A Expired - Fee Related JPH0654391B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 電子線又はｘ線用ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654391B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2616992A1 (de) * | 1976-04-17 | 1977-11-03 | Agfa Gevaert Ag | Lichtempfindliches material zur herstellung von druckformen und aetzresistagen |
| JPS6042753A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型クレゾ−ルノボラツクフオトレジスト組成物 |
| JPS6227732A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型放射線感応性組成物 |
| JPS6235347A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JPS6235349A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62052686A patent/JPH0654391B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2616992A1 (de) * | 1976-04-17 | 1977-11-03 | Agfa Gevaert Ag | Lichtempfindliches material zur herstellung von druckformen und aetzresistagen |
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| JPS6235347A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JPS6235349A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0654391B2 (ja) | 1994-07-20 |
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Legal Events
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |