JPS6350122U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6350122U JPS6350122U JP14482586U JP14482586U JPS6350122U JP S6350122 U JPS6350122 U JP S6350122U JP 14482586 U JP14482586 U JP 14482586U JP 14482586 U JP14482586 U JP 14482586U JP S6350122 U JPS6350122 U JP S6350122U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- vapor deposition
- deposition material
- thin film
- mounting mechanism
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図はこの考案の１実施例を示す薄膜形成装
置の構成図、第２図は従来の薄膜形成装置の構成
図である。 図中、１は真空容器、２はルツボ、８は加熱手
段、１７はイオン化手段、２０はシールドである
。図中同一符号は同一又は相等部分を示す。
置の構成図、第２図は従来の薄膜形成装置の構成
図である。 図中、１は真空容器、２はルツボ、８は加熱手
段、１７はイオン化手段、２０はシールドである
。図中同一符号は同一又は相等部分を示す。
Claims (1)
- 真空容器と、この真空容器内に位置し、蒸着物
質を収容するルツボと、このルツボの周囲に設け
られ、上記蒸着物質を上記ルツボから蒸発させる
加熱手段と、上記蒸着物質が蒸発する方向に設け
られた試料載置機構と、上記ルツボと上記試料載
置機構との間に配置され、蒸発した蒸着物質をイ
オン化した後加速するイオン化手段とを備え、上
記試料載置機構に設置される試料に上記イオン化
された蒸着物質を蒸着させ、薄膜を形成する薄膜
形成装置において、上記ルツボと離間して設置し
、上記加熱手段と上記イオン化手段とを仕切るシ
ールドを設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14482586U JPS6350122U (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14482586U JPS6350122U (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350122U true JPS6350122U (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=31055790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14482586U Pending JPS6350122U (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350122U (ja) |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP14482586U patent/JPS6350122U/ja active Pending
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