JPS63228793A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS63228793A JPS63228793A JP6300587A JP6300587A JPS63228793A JP S63228793 A JPS63228793 A JP S63228793A JP 6300587 A JP6300587 A JP 6300587A JP 6300587 A JP6300587 A JP 6300587A JP S63228793 A JPS63228793 A JP S63228793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- films
- passivation
- semiconductor laser
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔Ｒ要〕
本発明は半導体レーザ装置において、パッシベーション
膜を構成する非金属膜に重ねで極薄の金属膜を形成する
ことにより、金属膜自体に生ずる応力が非金属膜に生ず
る応力を緩和させ、パッシベーション膜が割れないよう
にしたものである。
膜を構成する非金属膜に重ねで極薄の金属膜を形成する
ことにより、金属膜自体に生ずる応力が非金属膜に生ず
る応力を緩和させ、パッシベーション膜が割れないよう
にしたものである。
本発明は半導体レーザ装置、特に端面側の構造に関する
。
。
第２図は従来のＶＳＢレーザ装置１を示す。２は半導体
レーザ本体、３はＰ電極、４はＮ電極である。
レーザ本体、３はＰ電極、４はＮ電極である。
このレーザ装置１はＡＲ−）−ＩＲココ−ィング構造を
有し、半導体レーザ本体２の両方の端面のうち、先取り
出し側であるフロント而２ａにはＳｉＯ２膜５よりなる
パッシベーションＩｔ！１６、リア面２ｂには５ｉＯｚ
ｓ１７、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ ）１１１８
、Ｓ！０ｚＩＩ！Ｊ９、ａ−３ｉ１９１０の４層構造の
パッシベーション膜１１が形成しである。各１１５．７
へ１０の厚さはλ／４であり、リア側のパッシベーショ
ン膜１１により理論１ｆ１９６％の反射率が得られ、フ
ロント側のバッジベージ３ン膜６は理論値５％の反射率
となり、フロント而 ２ａ側よりレーザ光がより多く取
り出され、１出力レーザが得られる。
有し、半導体レーザ本体２の両方の端面のうち、先取り
出し側であるフロント而２ａにはＳｉＯ２膜５よりなる
パッシベーションＩｔ！１６、リア面２ｂには５ｉＯｚ
ｓ１７、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ ）１１１８
、Ｓ！０ｚＩＩ！Ｊ９、ａ−３ｉ１９１０の４層構造の
パッシベーション膜１１が形成しである。各１１５．７
へ１０の厚さはλ／４であり、リア側のパッシベーショ
ン膜１１により理論１ｆ１９６％の反射率が得られ、フ
ロント側のバッジベージ３ン膜６は理論値５％の反射率
となり、フロント而 ２ａ側よりレーザ光がより多く取
り出され、１出力レーザが得られる。
Ｓ！０ｚｌｌＩには矢印及びａ−３ｉ膜には矢印Ｂで示
すように共に縮む方向に歪もうとする力が発生する。し
かしレーザ本体２により歪が制限されるため、パッシベ
ーション膜６，１１には縮む方向の応力が生じている。
すように共に縮む方向に歪もうとする力が発生する。し
かしレーザ本体２により歪が制限されるため、パッシベ
ーション膜６，１１には縮む方向の応力が生じている。
特にリア側のパッシベーション膜１１には、各膜７〜１
０の応力が加算された比較的大なる内部応力が生じてい
る。
０の応力が加算された比較的大なる内部応力が生じてい
る。
レーザ装置１は、加熱されて電極をボンディングされ実
装される。レーザ本体２とパッシベーション膜６，１１
とは熱膨張係数が異なり、上記加熱時にパッシベーショ
ン膜６．１１には熱応力が作用する。
装される。レーザ本体２とパッシベーション膜６，１１
とは熱膨張係数が異なり、上記加熱時にパッシベーショ
ン膜６．１１には熱応力が作用する。
この熱応力が前記の内部応力に加算され、特にリア側の
パッシベーション膜１１が泡のように割れてしまい、保
７ｊＩｉｎ能が低下すると共にレーザ装置４１の発光特
性も悪ｍＷを受けてしまうという問題点があった。
パッシベーション膜１１が泡のように割れてしまい、保
７ｊＩｉｎ能が低下すると共にレーザ装置４１の発光特
性も悪ｍＷを受けてしまうという問題点があった。
本発明は半導体レーザ本体の端面に設けたパッシベーシ
ョン膜を、非金属膜に極薄の金属膜を積重してなる構造
としたものである。
ョン膜を、非金属膜に極薄の金属膜を積重してなる構造
としたものである。
極薄の金属膜は拡がる方向に歪もうとし、これは非金属
膜に生ずる応力を打消す方向に作用し、パッシベーショ
ン膜に生ずる応力を緩和させる。
膜に生ずる応力を打消す方向に作用し、パッシベーショ
ン膜に生ずる応力を緩和させる。
第１図は本発明の一実施例にょるＶＳＢレーザ装置２０
を示す。同図中、第２図に示す構成部分と同一構成部分
には同一符号を付し、その説明は省略する。
を示す。同図中、第２図に示す構成部分と同一構成部分
には同一符号を付し、その説明は省略する。
２１〜２４は夫々厚さが１０Ａ程度の極薄のＣ１４膜で
ある。
ある。
フロント側のパッシベーション膜２５は、レーザ本体２
のフロント而２ａ上のＣｕｇ１２１とこれに重なったＳ
！Ｏｚ膜５とよりなる構造である。
のフロント而２ａ上のＣｕｇ１２１とこれに重なったＳ
！Ｏｚ膜５とよりなる構造である。
リア側のパッシベーション膜２６は、Ｓ！Ｏ２膜７、Ｃ
ｕｇ１２２、ａ−８ｉｇｆ８、Ｃｕｇ！２３、Ｓ ｉ
０２ ！！９、ＣＬＪ膜２４及びａ−８ｉｌＪ１０が積
重した構造、換言すれば隣り合う５ＩＯ２膜とａ−３ｉ
膜との間にＣｕ膜が介挿された構造である。
ｕｇ１２２、ａ−８ｉｇｆ８、Ｃｕｇ！２３、Ｓ ｉ
０２ ！！９、ＣＬＪ膜２４及びａ−８ｉｌＪ１０が積
重した構造、換言すれば隣り合う５ＩＯ２膜とａ−３ｉ
膜との間にＣｕ膜が介挿された構造である。
上記Ｃｕ膜２１〜２４は例えば蒸着により形成される。
こ）で、Ｃｕ膜２１〜２４には矢印Ｃで示すように拡が
る方向に歪もうとする力、即ちＳ！０２膜及びａ−３ｉ
膜に生ずる内部応力を打消す方向の力が発生する。
る方向に歪もうとする力、即ちＳ！０２膜及びａ−３ｉ
膜に生ずる内部応力を打消す方向の力が発生する。
特にリア側のパッシベーション膜２６についてみると、
Ｃｕ膜とＳ！０ｚｌｌ！！又はａ−３ｉＩｌ！Ｊとが交
互に積重されているため、Ｓ ！ ０２ Ｇ７．９及び
ａ−３ｉ膜８，１０の縮まる方向の力はＣｕ膜２２．２
３．２４の拡がる方向のカにより一部打消され、パッシ
ベーション膜２６内の応力は従来のパッジベージジンｇ
！１１内の応力に比べて相当緩和された状態となる。
Ｃｕ膜とＳ！０ｚｌｌ！！又はａ−３ｉＩｌ！Ｊとが交
互に積重されているため、Ｓ ！ ０２ Ｇ７．９及び
ａ−３ｉ膜８，１０の縮まる方向の力はＣｕ膜２２．２
３．２４の拡がる方向のカにより一部打消され、パッシ
ベーション膜２６内の応力は従来のパッジベージジンｇ
！１１内の応力に比べて相当緩和された状態となる。
レーザ装ご２０を実装するときの加熱時に、パッジベー
ジコン膜２６に熱応力が作用する。しかし、パッシベー
ション膜２６の元々の内部応ツノは緩和されているため
、熱応力が加わっても、パッシベーション膜２６内の応
力は割れを生じさせるまでには到らず、パッシベーショ
ン膜２６は割れない。
ジコン膜２６に熱応力が作用する。しかし、パッシベー
ション膜２６の元々の内部応ツノは緩和されているため
、熱応力が加わっても、パッシベーション膜２６内の応
力は割れを生じさせるまでには到らず、パッシベーショ
ン膜２６は割れない。
フロント側のパッシベーション膜２５についても上記と
同様に内部応力が緩和されており、熱応力が作用しても
割れることはない。
同様に内部応力が緩和されており、熱応力が作用しても
割れることはない。
このためパッシベーションｊｍ２５．２６は所定の保護
効果を維持し、レーデ装置２０は所望の発光特性を有す
る。
効果を維持し、レーデ装置２０は所望の発光特性を有す
る。
また上記Ｃｕ膜の代りにＡｌ４膜としてもよく、同様な
効果が得られる。
効果が得られる。
また上記Ｃｕ！３はＡＲココ−ィング構造のものに適用
しても同様な効果が得られる。
しても同様な効果が得られる。
なお、薄いＳ！Ｏｚ膜、ａ−３ｉ膜等の非金属膜は縮む
方向に歪むこと及び数１０人程度の極薄のＣｕ膜、Ａｕ
膜等の金属膜は拡がる方向に歪むことは、例えば以下の
文献に開示されている。
方向に歪むこと及び数１０人程度の極薄のＣｕ膜、Ａｕ
膜等の金属膜は拡がる方向に歪むことは、例えば以下の
文献に開示されている。
■ Ｋ、Ｋ１ｎ０３ｉｔａｅｔａｌ Ｊ、Ｐｈｙｓ、
Ｓｏｃ。
Ｓｏｃ。
Ｊ ａｔ）ａｎ １５ （１９６０） ９４２■
Ｊａｐａｎ Ｊ、 ａｐｏｌ、 Ｐｈｙｓ 、
６ （１９６７） ４２■ Ｊａｐａｎ Ｊ、
ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ 、 １３（１９７４）ｓｕ
ｐｐｌ 、 ２ｔ）ｔ、 １ ５７５■ Ｊ、
Ｓ、 Ｈａｌｌｉｄａｙ 、 Ｔ、 Ｂ、
Ｒｙｍｅｒ ａｎｄＫ、 Ｈ，Ｒ，Ｗｒｉａｈｔ
、 Ｐｒｏｃ 、 Ｒｏｂ、 Ｓｏｃ、
Ａ〔発明の効果〕 本発明によれば、パッシベーション膜の内部応力を緩和
することが出来、然してボンディングのための加熱時に
従来生じていた割れを確実に防止出来、信頼性の向上及
び長寿命化を図ることが出来る。
Ｊａｐａｎ Ｊ、 ａｐｏｌ、 Ｐｈｙｓ 、
６ （１９６７） ４２■ Ｊａｐａｎ Ｊ、
ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ 、 １３（１９７４）ｓｕ
ｐｐｌ 、 ２ｔ）ｔ、 １ ５７５■ Ｊ、
Ｓ、 Ｈａｌｌｉｄａｙ 、 Ｔ、 Ｂ、
Ｒｙｍｅｒ ａｎｄＫ、 Ｈ，Ｒ，Ｗｒｉａｈｔ
、 Ｐｒｏｃ 、 Ｒｏｂ、 Ｓｏｃ、
Ａ〔発明の効果〕 本発明によれば、パッシベーション膜の内部応力を緩和
することが出来、然してボンディングのための加熱時に
従来生じていた割れを確実に防止出来、信頼性の向上及
び長寿命化を図ることが出来る。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す図
、 第２図は従来の半導体レーザ装置の１例を示す図である
。 図において、 ２は半導体レーザ本体、 ２ａはフロント面、 ２ｂはリア面、 ５．７．９はＳ！Ｏｚ膜、 ８．１０はａ−８ｉ膜、 ２０はｖＳＢレーザ装謬、 ２１〜２４はＣＵ膜、 ２５．２６はパッシベーション膜である。 ＼−・°゛、゛− へ −′。
、 第２図は従来の半導体レーザ装置の１例を示す図である
。 図において、 ２は半導体レーザ本体、 ２ａはフロント面、 ２ｂはリア面、 ５．７．９はＳ！Ｏｚ膜、 ８．１０はａ−８ｉ膜、 ２０はｖＳＢレーザ装謬、 ２１〜２４はＣＵ膜、 ２５．２６はパッシベーション膜である。 ＼−・°゛、゛− へ −′。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザ本体（２）の端面（２ａ、２ｂ）に設けた
パッシベーション膜（２５、２６）を、非金属膜（５、
７〜１０）に極薄の金属膜 （２１〜２４）を積重してなる構造としたことを特徴と
する半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6300587A JPS63228793A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6300587A JPS63228793A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228793A true JPS63228793A (ja) | 1988-09-22 |
Family
ID=13216770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6300587A Pending JPS63228793A (ja) | 1987-03-18 | 1987-03-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63228793A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5943356A (en) * | 1996-06-06 | 1999-08-24 | Nec Corporation | Semiconductor laser with front face covered with laminated dielectric layers which produce oppositely acting stresses |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51107782A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-24 | Hitachi Ltd | Handotaireeza |
| JPS59211292A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61116891A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Nec Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1987
- 1987-03-18 JP JP6300587A patent/JPS63228793A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51107782A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-24 | Hitachi Ltd | Handotaireeza |
| JPS59211292A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS61116891A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Nec Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5943356A (en) * | 1996-06-06 | 1999-08-24 | Nec Corporation | Semiconductor laser with front face covered with laminated dielectric layers which produce oppositely acting stresses |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103718457B (zh) | 压电器件及压电器件的制造方法 | |
| CN106256087B (zh) | 弹性波装置 | |
| JPH09223943A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JPS63228793A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US12126323B2 (en) | Elastic wave device | |
| US20250113738A1 (en) | Semiconductor structure and manufacturing method thereof | |
| JP2937688B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01207932A (ja) | 半導体装置 | |
| CN111341743B (zh) | 电子部件 | |
| JPS60193362A (ja) | 半導体装置 | |
| KR102026647B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
| JPH08228398A (ja) | 横波トランスデューサ | |
| JP3256953B2 (ja) | モノリシック圧電フィルタ | |
| US20250226808A1 (en) | Method of manufacturing piezoelectric substrate for saw resonator with improved characteristic and piezoelectric substrate manufactured using the same | |
| JP2000269771A (ja) | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
| JPS5859616A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPS63117429A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6278904A (ja) | 圧電装置 | |
| JPS604248A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013012932A (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JPH01248682A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0918280A (ja) | 振動子とその製造方法 | |
| JPH08288781A (ja) | Ｓａｗデバイス | |
| JPH03190409A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH0557938A (ja) | サーマルヘツドの製造方法 |