JPS63243136A - ポリチオナフテンの製造方法 - Google Patents
ポリチオナフテンの製造方法Info
- Publication number
- JPS63243136A JPS63243136A JP62074271A JP7427187A JPS63243136A JP S63243136 A JPS63243136 A JP S63243136A JP 62074271 A JP62074271 A JP 62074271A JP 7427187 A JP7427187 A JP 7427187A JP S63243136 A JPS63243136 A JP S63243136A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polythionaphthene
- thionaphthene
- supporting electrolyte
- electrolytic polymerization
- electrolytic solution
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- Granted
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- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリチオナフテンの製造方法に関し、さらに詳
しくは、優れた導電性及び透明性を有するポリチオナフ
テンの製造方法に閃する。
しくは、優れた導電性及び透明性を有するポリチオナフ
テンの製造方法に閃する。
従来、導電性高分子物質としては種々のものが知られて
いる１例えば、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、
ポリピロール、ポリチオフェン等があるが、このうちポ
リピロール、ポリチオフェン等の複索５貝環系ポリマー
は電解重合によって製造され、空気中での安定性も良好
であることが知られている。しかし、従来提案されでい
る導電性ポリマーからつくられたフィルムは多くのもの
が不透明であり、その利用分野に制限がある。
いる１例えば、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、
ポリピロール、ポリチオフェン等があるが、このうちポ
リピロール、ポリチオフェン等の複索５貝環系ポリマー
は電解重合によって製造され、空気中での安定性も良好
であることが知られている。しかし、従来提案されでい
る導電性ポリマーからつくられたフィルムは多くのもの
が不透明であり、その利用分野に制限がある。
また、チオナフテンについても、Ｂｕ、ＮＣｌ０１を支
持電解質としアセトニトリル中に溶解した電解液中で電
解重合することによりポリマー化することは既に報告さ
れている［ Ｊ 、Ｐ ｈｙｓ、 Ｃｈｅｍ、、１９８
４．８８，４３４４参照］が、生成するポリマーは脆い
沈澱吻状のものであり、実用的価値に乏しいものである
。
持電解質としアセトニトリル中に溶解した電解液中で電
解重合することによりポリマー化することは既に報告さ
れている［ Ｊ 、Ｐ ｈｙｓ、 Ｃｈｅｍ、、１９８
４．８８，４３４４参照］が、生成するポリマーは脆い
沈澱吻状のものであり、実用的価値に乏しいものである
。
そこで、本発明者らは、導電性及び透明性に優れ且つフ
ィルム状となしうるポリチオナフテンを得るべく、支持
電解質等の電解重合条件を種々検討した結果、支持電解
質としてホウフッ化リチウムを用いると導電性及び透明
性に優れたポリチオナフテンフィルムが得られることを
見い出し本発明を完成するに至った。
ィルム状となしうるポリチオナフテンを得るべく、支持
電解質等の電解重合条件を種々検討した結果、支持電解
質としてホウフッ化リチウムを用いると導電性及び透明
性に優れたポリチオナフテンフィルムが得られることを
見い出し本発明を完成するに至った。
しかして、本発明によれば、ホウ７ツ化リチウムを支持
電解質として含有する電解液中でチオナフテンを電解重
合することを特徴とするポリチオナフテンの製造方法が
提供される。
電解質として含有する電解液中でチオナフテンを電解重
合することを特徴とするポリチオナフテンの製造方法が
提供される。
本発明に従うチオナフテンの電解、重合は、ホウ７ツ化
リチウムを支持電解質として含有する電解液中で行なわ
れる。該電解液はホウ７ツ化リチウム（ＬｉＢＦ＝）を
適当な溶媒中に溶解することにより！ｉｌ！！！される
。使用しうる溶媒としてはアセトニトリル及びベンゾニ
トリルのようなニトリル系溶媒が挙げられ、特にベンゾ
ニトリルが好適である。
リチウムを支持電解質として含有する電解液中で行なわ
れる。該電解液はホウ７ツ化リチウム（ＬｉＢＦ＝）を
適当な溶媒中に溶解することにより！ｉｌ！！！される
。使用しうる溶媒としてはアセトニトリル及びベンゾニ
トリルのようなニトリル系溶媒が挙げられ、特にベンゾ
ニトリルが好適である。
ベンゾニトリルを溶媒として用いる場合には、アセトン
との混合溶媒の形で使用するのが望ましく、その場合の
ベンゾニトリル／アセトンの混合割合は一般に重量化で
１００／１〜１０／１の範囲内とするのが有利である。
との混合溶媒の形で使用するのが望ましく、その場合の
ベンゾニトリル／アセトンの混合割合は一般に重量化で
１００／１〜１０／１の範囲内とするのが有利である。
支持電解質としてのホウ７ツ化リチウムはかかる溶媒中
に通常０．０１〜１モル／ｌ、特に０．０５〜０．５モ
ル／ｌの濃度で溶解するのが好都合である。
に通常０．０１〜１モル／ｌ、特に０．０５〜０．５モ
ル／ｌの濃度で溶解するのが好都合である。
本発明に従うチオナフテンの電解重合は、以上に述べた
如きホウ７ツ化リチウムを含有する電解液を用いる以外
、それ自体既知の電解重合法に準じで行なうことができ
る。例えば、電極として、陽極には、ネサガラス、白金
、金、ニッケル板等を用いることができ、陰極には白金
、金、ニッケル板等を使用することができる。また、電
解重合は電解装置をドライボックス中に設＋＋’７ Ｌ
、例えばド記の条件ド： 印加電圧 ３〜７■ 電流密度 ０．１−１０＋＋Ａ／ｃｍ時 間
１０分〜１０時間 で操作ｒることにより実施でき、その結果、陽極側にポ
リチオナフテンのフィルムが形成される。
如きホウ７ツ化リチウムを含有する電解液を用いる以外
、それ自体既知の電解重合法に準じで行なうことができ
る。例えば、電極として、陽極には、ネサガラス、白金
、金、ニッケル板等を用いることができ、陰極には白金
、金、ニッケル板等を使用することができる。また、電
解重合は電解装置をドライボックス中に設＋＋’７ Ｌ
、例えばド記の条件ド： 印加電圧 ３〜７■ 電流密度 ０．１−１０＋＋Ａ／ｃｍ時 間
１０分〜１０時間 で操作ｒることにより実施でき、その結果、陽極側にポ
リチオナフテンのフィルムが形成される。
生成するポリチオナフテンの電解重合時間に対する表面
抵抗値及び透過率の測定結果は添付の第１図及びＰＪｓ
２図に示すとおりであり、これらの図から、電解重合時
間の進行にイ゛ｒなって、生成するポリチオナフテンフ
ィルムは安定した表面抵抗値をとり、透明性も良好であ
ることがわかる。なお、フィルムの表面抵抗値は四端子
法により求めた（四端子・はアルミニウムを真空蒸着し
た）。また、透過率は手間理化研究所に−Ｋ ＭＯＤＥ
Ｌ６Ｂを用いて測定した。
抵抗値及び透過率の測定結果は添付の第１図及びＰＪｓ
２図に示すとおりであり、これらの図から、電解重合時
間の進行にイ゛ｒなって、生成するポリチオナフテンフ
ィルムは安定した表面抵抗値をとり、透明性も良好であ
ることがわかる。なお、フィルムの表面抵抗値は四端子
法により求めた（四端子・はアルミニウムを真空蒸着し
た）。また、透過率は手間理化研究所に−Ｋ ＭＯＤＥ
Ｌ６Ｂを用いて測定した。
また、支持電解質の濃度に対する生成ポリチオナフテン
の表面抵抗値及び透過率の関係を添付のｔｔｒＪ３図及
び第４図に示す、これらの図から、支持電解質の濃度に
対して、ポリチオナフテンの表面抵抗値の変化は少なく
安定しており、透過率は濃度の増加と共に低下するが５
０％程度で安定することがわかる。
の表面抵抗値及び透過率の関係を添付のｔｔｒＪ３図及
び第４図に示す、これらの図から、支持電解質の濃度に
対して、ポリチオナフテンの表面抵抗値の変化は少なく
安定しており、透過率は濃度の増加と共に低下するが５
０％程度で安定することがわかる。
以上述べたとおり、本発明によれば、電解重合により容
易に安定して、導電性及び透明性に優れたポリチオナフ
テンのフィルムを＊ａすることができる。しかして、得
られるポリチオナフテンは例えば帝電防１ヒ材、電磁波
シール材、ポリマー二次電池、光スイツチング素子、半
導体、センサー等において広範に利用することができる
。
易に安定して、導電性及び透明性に優れたポリチオナフ
テンのフィルムを＊ａすることができる。しかして、得
られるポリチオナフテンは例えば帝電防１ヒ材、電磁波
シール材、ポリマー二次電池、光スイツチング素子、半
導体、センサー等において広範に利用することができる
。
次に実施例により本発明を更に具体的に説明する。
実施例１
ベンゾニトリル７０１．１と７七トン５１１１の混合溶
媒に支持電解質としてＬ ＋ Ｂ Ｆ ４０．８ ｇを
溶解した電解液にチオナフテンを０．５ｇ加えた後、ド
ライエアー中で、陽極にネサガラス板及び陰極に白金板
を使用して印加電圧５Ｖ、電流密度０．５ｍＡ／ｅ１１
で２時間、電解重合を行った。これにより得られたポリ
マーの導電率は１５０Ｓ／ｃ＋ｏｒあり、透過率は７０
％であった。
媒に支持電解質としてＬ ＋ Ｂ Ｆ ４０．８ ｇを
溶解した電解液にチオナフテンを０．５ｇ加えた後、ド
ライエアー中で、陽極にネサガラス板及び陰極に白金板
を使用して印加電圧５Ｖ、電流密度０．５ｍＡ／ｅ１１
で２時間、電解重合を行った。これにより得られたポリ
マーの導電率は１５０Ｓ／ｃ＋ｏｒあり、透過率は７０
％であった。
実施例２
アセトニトリル７５１１１に支持′電解質とし−ＣＬ
ｉＢ Ｆ ４０ 、８ ｇを溶解した電解液にチオナフ
テンを０．５ｇ加えた後、ドライエアー中で、陽極にネ
サガラス及び陰極に白金板を使用して印加電圧５■、電
流密度０．５ｍＡ／ｅｓ＋で３０分、電解重合を行った
。これにより得られたポリマーの導電率は３０Ｓ／ａｍ
であり、透過率は５０％であった。得られたフィルムは
均一であった。
ｉＢ Ｆ ４０ 、８ ｇを溶解した電解液にチオナフ
テンを０．５ｇ加えた後、ドライエアー中で、陽極にネ
サガラス及び陰極に白金板を使用して印加電圧５■、電
流密度０．５ｍＡ／ｅｓ＋で３０分、電解重合を行った
。これにより得られたポリマーの導電率は３０Ｓ／ａｍ
であり、透過率は５０％であった。得られたフィルムは
均一であった。
比較例１
ベンゾニトリル７５ｉｊ！に支持電解質としてＡｇＣｌ
Ｏ４１，Ｏｇを溶解した電解液にチオナフテンを０．５
ｇ加えた後、ドライエアー中で、陽極にネサガラス及び
陰極に白金板を使用して印加電圧５■、電流密度３．０
ｍＡ／ｃ−で２時間、電解重合を行った。これにより得
られたポリマーの導電率は３０Ｓ／ｃ■であったが、透
明率は２０〜３０％であり、フィルムは不均一で脆かっ
た。
Ｏ４１，Ｏｇを溶解した電解液にチオナフテンを０．５
ｇ加えた後、ドライエアー中で、陽極にネサガラス及び
陰極に白金板を使用して印加電圧５■、電流密度３．０
ｍＡ／ｃ−で２時間、電解重合を行った。これにより得
られたポリマーの導電率は３０Ｓ／ｃ■であったが、透
明率は２０〜３０％であり、フィルムは不均一で脆かっ
た。
比較例２
比較例１と同一条件下で、支持電解質としてＫＣｌＯ４
を使用して電解重合を行ったが、ポリマーの成長は極め
て微量で、フィルムは得られなかった。
を使用して電解重合を行ったが、ポリマーの成長は極め
て微量で、フィルムは得られなかった。
第１図はポリチオナフテンの電解重合時間と表面抵抗値
の関係を示すグラフであり、 第２図はポリチオナフテンの電解重合時間と透過率の関
係を示すグラフであり、 ｆｉ３図は電解重合の支持電解質濃度とポリチオナフテ
ンの表面抵抗値の関係を示すグラフであり、第４図は電
解重合の支持電解質濃度とポリチオナフテンの透過率の
関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフであり、 第２図はポリチオナフテンの電解重合時間と透過率の関
係を示すグラフであり、 ｆｉ３図は電解重合の支持電解質濃度とポリチオナフテ
ンの表面抵抗値の関係を示すグラフであり、第４図は電
解重合の支持電解質濃度とポリチオナフテンの透過率の
関係を示すグラフである。
Claims (1)
- ホウフッ化リチウムを支持電解質として含有する電解液
中でチオナフテンを電解重合することを特徴とするポリ
チオナフテンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62074271A JPH07103227B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | ポリチオナフテンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62074271A JPH07103227B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | ポリチオナフテンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243136A true JPS63243136A (ja) | 1988-10-11 |
| JPH07103227B2 JPH07103227B2 (ja) | 1995-11-08 |
Family
ID=13542288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62074271A Expired - Lifetime JPH07103227B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | ポリチオナフテンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07103227B2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62074271A patent/JPH07103227B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07103227B2 (ja) | 1995-11-08 |
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