JPH07103227B2 - ポリチオナフテンの製造方法 - Google Patents
ポリチオナフテンの製造方法Info
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- JPH07103227B2 JPH07103227B2 JP62074271A JP7427187A JPH07103227B2 JP H07103227 B2 JPH07103227 B2 JP H07103227B2 JP 62074271 A JP62074271 A JP 62074271A JP 7427187 A JP7427187 A JP 7427187A JP H07103227 B2 JPH07103227 B2 JP H07103227B2
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明はポリチオナフテンの製造方法に関し、さらに詳
しくは、優れた導電性及び透明性を有するポリチオナフ
テンの製造方法に関する。
しくは、優れた導電性及び透明性を有するポリチオナフ
テンの製造方法に関する。
従来、導電性高分子物質としては種々のものが知られて
いる。例えば、ポリアセチレン、ポリパラフエニレン、
ポリピロール、ポリチオフエン等があるが、このうちポ
リピロール、ポリチオフエン等の複素５員環系ポリマー
は電解重合によつて製造され、空気中での安定性も良好
であることが知られている。しかし、従来提案されてい
る導電性ポリマーからつくられたフイルムは多くのもの
が不透明であり、その利用分野に制限がある。
いる。例えば、ポリアセチレン、ポリパラフエニレン、
ポリピロール、ポリチオフエン等があるが、このうちポ
リピロール、ポリチオフエン等の複素５員環系ポリマー
は電解重合によつて製造され、空気中での安定性も良好
であることが知られている。しかし、従来提案されてい
る導電性ポリマーからつくられたフイルムは多くのもの
が不透明であり、その利用分野に制限がある。
また、チオナフテンについても、Bu4NClO4を支持電解質
としアセトニトリル中に溶解した電解液中で電解重合す
ることによりポリマー化することは既に報告されている
［J.Phys.Chem.、1984、88、4344参照］が、生成するポ
リマーは脆い沈殿物状のものであり、実用的価値に乏し
いものである。
としアセトニトリル中に溶解した電解液中で電解重合す
ることによりポリマー化することは既に報告されている
［J.Phys.Chem.、1984、88、4344参照］が、生成するポ
リマーは脆い沈殿物状のものであり、実用的価値に乏し
いものである。
そこで、本発明者らは、導電性及び透明性に優れ且つフ
イルム状となしうるポリチオナフテンを得るべく、支持
電解質等の電解重合条件を種々検討した結果、支持電解
質としてホウフツ化リチウムを用いると導電性及び透明
性に優れたポリチオナフテンフイルムが得られることを
見い出し本発明を完成するに至つた。
イルム状となしうるポリチオナフテンを得るべく、支持
電解質等の電解重合条件を種々検討した結果、支持電解
質としてホウフツ化リチウムを用いると導電性及び透明
性に優れたポリチオナフテンフイルムが得られることを
見い出し本発明を完成するに至つた。
しかして、本発明によれば、ホウフツ化リチウムを支持
電解質として含有する電解液中でチオナフテンを電解重
合することを特徴とするポリチオナフテンの製造方法が
提供される。
電解質として含有する電解液中でチオナフテンを電解重
合することを特徴とするポリチオナフテンの製造方法が
提供される。
本発明に従うチオナフテンの電解重合は、ホウフツ化リ
チウムを支持電解質として含有する電解液中で行なわれ
る。該電解液はホウフツ化リチウム（LiBF4）を適当な
溶媒中に溶解することにより調製される。使用しうる溶
媒としてはアセトニトリル及びベンゾニトリルのような
ニトリル系溶媒が挙げられ、特にベンゾニトリルが好適
である。ベンゾニトリルを溶媒として用いる場合には、
アセトンとの混合溶媒の形で使用するのが望ましく、そ
の場合のベンゾニトリル／アセトンの混合割合は一般に
重量比で100/1〜10/1の範囲内とするのが有利である。
支持電解質としてのホウフツ化リチウムはかかる溶媒中
に通常0.01〜１モル/l、特に0.05〜0.5モル/lの濃度で
溶解するのが好都合である。
チウムを支持電解質として含有する電解液中で行なわれ
る。該電解液はホウフツ化リチウム（LiBF4）を適当な
溶媒中に溶解することにより調製される。使用しうる溶
媒としてはアセトニトリル及びベンゾニトリルのような
ニトリル系溶媒が挙げられ、特にベンゾニトリルが好適
である。ベンゾニトリルを溶媒として用いる場合には、
アセトンとの混合溶媒の形で使用するのが望ましく、そ
の場合のベンゾニトリル／アセトンの混合割合は一般に
重量比で100/1〜10/1の範囲内とするのが有利である。
支持電解質としてのホウフツ化リチウムはかかる溶媒中
に通常0.01〜１モル/l、特に0.05〜0.5モル/lの濃度で
溶解するのが好都合である。
本発明に従うチオナフテンの電解重合は、以上に述べた
如きホウフツ化リチウムを含有する電解液を用いる以
外、それ自体既知の電解重合法に準じて行なうことがで
きる。例えば、電極として、陽極には、ネサガラス、白
金、金、ニツケル板等を用いることができ、陰極には白
金、金、ニツケル板等を使用することができる。また、
電解重合は電解装置をドライボツクス中に設置し、例え
ば下記の条件下： 印加電圧 ３〜7V 電流密度 0.1〜10mA/cm 時 間 10分〜10時間 で操作することにより実施でき、その結果、陽極側にポ
リチオナフテンのフイルムが形成される。
如きホウフツ化リチウムを含有する電解液を用いる以
外、それ自体既知の電解重合法に準じて行なうことがで
きる。例えば、電極として、陽極には、ネサガラス、白
金、金、ニツケル板等を用いることができ、陰極には白
金、金、ニツケル板等を使用することができる。また、
電解重合は電解装置をドライボツクス中に設置し、例え
ば下記の条件下： 印加電圧 ３〜7V 電流密度 0.1〜10mA/cm 時 間 10分〜10時間 で操作することにより実施でき、その結果、陽極側にポ
リチオナフテンのフイルムが形成される。
生成するポリチオナフテンの電解重合時間に対する表面
抵抗値及び透過率の測定結果は添付の第１図及び第２図
に示すとおりであり、これらの図から、電解重合時間の
進行に伴なつて、生成するポリチオナフテンフイルムは
安定した表面抵抗値をとり、透明性も良好であることが
わかる。なお、フイルムの表面抵抗値は四端子法により
求めた（四端子はアルミニウムを真空蒸着した）。ま
た、透過率は平間理化研究所Ｋ−K MODEL6Bを用いて測
定した。
抵抗値及び透過率の測定結果は添付の第１図及び第２図
に示すとおりであり、これらの図から、電解重合時間の
進行に伴なつて、生成するポリチオナフテンフイルムは
安定した表面抵抗値をとり、透明性も良好であることが
わかる。なお、フイルムの表面抵抗値は四端子法により
求めた（四端子はアルミニウムを真空蒸着した）。ま
た、透過率は平間理化研究所Ｋ−K MODEL6Bを用いて測
定した。
また、支持電解質の濃度に対する生成ポリチオナフテン
の表面抵抗値及び透過率の関係を添付の第３図及び第４
図に示す。これらの図から、支持電解質の濃度に対し
て、ポリチオナフテンの表面抵抗値の変化は少なく安定
しており、透過率は濃度の増加と共に低下するが50％程
度で安定することがわかる。
の表面抵抗値及び透過率の関係を添付の第３図及び第４
図に示す。これらの図から、支持電解質の濃度に対し
て、ポリチオナフテンの表面抵抗値の変化は少なく安定
しており、透過率は濃度の増加と共に低下するが50％程
度で安定することがわかる。
以上述べたとおり、本発明によれば、電解重合により容
易に安定して、導電性及び透明性に優れたポリチオナフ
テンのフイルムを製造することができる。しかして、得
られるポリチオナフテンは例えば帯電防止材、電磁波シ
ール材、ポリマー二次電池、光スイツチング素子、半導
体、センサー等において広範に利用することができる。
易に安定して、導電性及び透明性に優れたポリチオナフ
テンのフイルムを製造することができる。しかして、得
られるポリチオナフテンは例えば帯電防止材、電磁波シ
ール材、ポリマー二次電池、光スイツチング素子、半導
体、センサー等において広範に利用することができる。
次に実施例により本発明を更に具体的に説明する。
実施例１ ベンゾニトリル70mlとアセトン5mlの混合溶媒に支持電
解質としてLiBF40.8gを溶解した電解液にチオナフテン
を0.5g加えた後、ドライエアー中で、陽極にネサガラス
板及び陰極に白金板を使用して印加電圧5V、電流密度0.
5mA/cmで２時間、電解重合を行つた。これにより得られ
たポリマーの導電率は150S/cmであり、透過率は70％で
あつた。
解質としてLiBF40.8gを溶解した電解液にチオナフテン
を0.5g加えた後、ドライエアー中で、陽極にネサガラス
板及び陰極に白金板を使用して印加電圧5V、電流密度0.
5mA/cmで２時間、電解重合を行つた。これにより得られ
たポリマーの導電率は150S/cmであり、透過率は70％で
あつた。
実施例２ アセトニトリル75mlに支持電解質としてLiBF40.8gを溶
解した電解液にチオナフテンを0.5g加えた後、ドライエ
アー中で、陽極にネサガラス及び陰極に白金板を使用し
て印加電圧5V、電流密度0.5mA/cmで30分、電解重合を行
つた。これにより得られたポリマーの導電率は30S/cmで
あり、透過率は50％であつた。得られたフイルムは均一
であつた。
解した電解液にチオナフテンを0.5g加えた後、ドライエ
アー中で、陽極にネサガラス及び陰極に白金板を使用し
て印加電圧5V、電流密度0.5mA/cmで30分、電解重合を行
つた。これにより得られたポリマーの導電率は30S/cmで
あり、透過率は50％であつた。得られたフイルムは均一
であつた。
比較例１ ベンゾニトリル75mlに支持電解質としてAgClO41.0gを溶
解した電解液にチオナフテンを0.5g加えた後、ドライエ
アー中で、陽極にネサガラス及び陰極に白金板を使用し
て印加電圧5V、電流密度3.0mA/cmで２時間、電解重合を
行つた。これにより得られたポリマーの導電率は30S/cm
であつたが、透明率は20〜30％であり、フイルムは不均
一で脆かつた。
解した電解液にチオナフテンを0.5g加えた後、ドライエ
アー中で、陽極にネサガラス及び陰極に白金板を使用し
て印加電圧5V、電流密度3.0mA/cmで２時間、電解重合を
行つた。これにより得られたポリマーの導電率は30S/cm
であつたが、透明率は20〜30％であり、フイルムは不均
一で脆かつた。
比較例２ 比較例１と同一条件下で、支持電解質としてKClO4を使
用して電解重合を行つたが、ポリマーの成長は極めて微
量で、フイルムは得られなかつた。
用して電解重合を行つたが、ポリマーの成長は極めて微
量で、フイルムは得られなかつた。
第１図はポリチオナフテンの電解重合時間と表面抵抗値
の関係を示すグラフであり、 第２図はポリチオナフテンの電解重合時間と透過率の関
係を示すグラフであり、 第３図は電解重合の支持電解質濃度とポリチオナフテン
の表面抵抗値の関係を示すグラフであり、 第４は電解重合の支持電解質濃度とポリチオナフテンの
透過率の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフであり、 第２図はポリチオナフテンの電解重合時間と透過率の関
係を示すグラフであり、 第３図は電解重合の支持電解質濃度とポリチオナフテン
の表面抵抗値の関係を示すグラフであり、 第４は電解重合の支持電解質濃度とポリチオナフテンの
透過率の関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．88 （1984）4344
Claims (1)
- 【請求項１】ホウフツ化リチウムを支持電解質として含
有する電解液中でチオナフテンを電解重合することを特
徴とするポリチオナフテンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62074271A JPH07103227B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | ポリチオナフテンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62074271A JPH07103227B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | ポリチオナフテンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243136A JPS63243136A (ja) | 1988-10-11 |
| JPH07103227B2 true JPH07103227B2 (ja) | 1995-11-08 |
Family
ID=13542288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62074271A Expired - Lifetime JPH07103227B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | ポリチオナフテンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07103227B2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62074271A patent/JPH07103227B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．８８（１９８４）４３４４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63243136A (ja) | 1988-10-11 |
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