JPS63246848A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63246848A JPS63246848A JP8152187A JP8152187A JPS63246848A JP S63246848 A JPS63246848 A JP S63246848A JP 8152187 A JP8152187 A JP 8152187A JP 8152187 A JP8152187 A JP 8152187A JP S63246848 A JPS63246848 A JP S63246848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- novolak resin
- resin
- psg
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 21
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 7
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 abstract 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の製造方法に係シ
、特に層間膜表面の段差平担化に関する。
、特に層間膜表面の段差平担化に関する。
単一半導体上基板上に多数の半導体素子を組み込んだモ
ノリシック型集積回路では、その中のすべての半導体素
子はプレーナー型構造になっている。このような半導体
装ａは、不純物の選択的拡散２表面酸化膜のコンタクト
用窓明け、半導体表面保護の九めの絶縁膜の形成、およ
び最後のＩＪ−ド線取フ出し用のポンディングパッド部
分のみ配線層の露出などの工程を経て形成される。従っ
て半導体素子の表面工程が進むに従い半４体素子を組み
込んだ装置表面は、種々の段差が形成されることになる
。
ノリシック型集積回路では、その中のすべての半導体素
子はプレーナー型構造になっている。このような半導体
装ａは、不純物の選択的拡散２表面酸化膜のコンタクト
用窓明け、半導体表面保護の九めの絶縁膜の形成、およ
び最後のＩＪ−ド線取フ出し用のポンディングパッド部
分のみ配線層の露出などの工程を経て形成される。従っ
て半導体素子の表面工程が進むに従い半４体素子を組み
込んだ装置表面は、種々の段差が形成されることになる
。
例えば、第２図（ａ）に示される様に、シリコン基板１
上に、厚さ約０．２μｍの酸化クリコン膜２が形成され
、その上に多結晶シリコンパターン３ａ。
上に、厚さ約０．２μｍの酸化クリコン膜２が形成され
、その上に多結晶シリコンパターン３ａ。
３ｂ、および３ｃが形成されている。ここで多結晶シリ
コン膜の厚さは約０．４μｍとし、かつ、パターン３ａ
と３ｂとの間隔ａｂは１．５μｍとし、同じく同３ｂと
３Ｃの間隔ｂｃは７５μｍとする。
コン膜の厚さは約０．４μｍとし、かつ、パターン３ａ
と３ｂとの間隔ａｂは１．５μｍとし、同じく同３ｂと
３Ｃの間隔ｂｃは７５μｍとする。
この時点での表面段差は０．４μｍということになるＯ
次に第２図（ｂ）に示される様に、常圧ＣＶＤ（化学的
気相成長）法により燐を６（重量）％添加した５ｉＵ２
膜、即ちＰＳＧ膜（Ｐｈｏｓｐｈｏ−８ｉ１ｉｃ−ａｔ
ｅ Ｇｌａｓｓ）４ａｆ厚さ０．６μｍの層間絶縁膜と
して堆積させる。堆積直後の段差部は図示の様に、角が
丸く盛り上った形状となシ、かつ段差は全く変らず０．
４μｍのままでるる。
気相成長）法により燐を６（重量）％添加した５ｉＵ２
膜、即ちＰＳＧ膜（Ｐｈｏｓｐｈｏ−８ｉ１ｉｃ−ａｔ
ｅ Ｇｌａｓｓ）４ａｆ厚さ０．６μｍの層間絶縁膜と
して堆積させる。堆積直後の段差部は図示の様に、角が
丸く盛り上った形状となシ、かつ段差は全く変らず０．
４μｍのままでるる。
次にＰＥＧ膜４ａを堆積後Ｎ、気体中で、１０００℃３
０分の加熱処理を行うと、ＰＳＧ膜４ａは若干軟化流動
し、第２図（Ｃ）に示す様に、段差部がかなシ平滑化し
て、傾斜をおびたＰＳＧ膜４ｂとなる。
０分の加熱処理を行うと、ＰＳＧ膜４ａは若干軟化流動
し、第２図（Ｃ）に示す様に、段差部がかなシ平滑化し
て、傾斜をおびたＰＳＧ膜４ｂとなる。
しかしながら段差部は平滑化するものの、表面段差は全
く減少せず、ＰＥＧ膜４ａと同じ＜０．４μｍの段差は
依然として残っている。
く減少せず、ＰＥＧ膜４ａと同じ＜０．４μｍの段差は
依然として残っている。
前述の層間絶縁膜４ｂ上の段差の存在は、その後の工程
である、同ＰＳＧ膜４ｂの所定の部分を開孔するいわゆ
るコンタクト開孔工程において極めて深刻な悪影響を与
えることになる。即ち段差の上下においてコオトレジス
ト膜の厚さが異って来るため、段の上下部に同一の開口
サイズのコンタクトパターン金形成するのが困難となる
。しかも近年パターンの微細化が進むにつれこの問題は
よシ深刻となることは自明である。
である、同ＰＳＧ膜４ｂの所定の部分を開孔するいわゆ
るコンタクト開孔工程において極めて深刻な悪影響を与
えることになる。即ち段差の上下においてコオトレジス
ト膜の厚さが異って来るため、段の上下部に同一の開口
サイズのコンタクトパターン金形成するのが困難となる
。しかも近年パターンの微細化が進むにつれこの問題は
よシ深刻となることは自明である。
従来、層間膜として用いられているＰＳＧ膜は、下地の
多結晶ノリコンパターンによる段差部そのまま反映して
０．４〜１．０μの段差が発生し、デバイス機能を損わ
ない程度の熱処理では、段差付近がかなシ平滑化するも
のの、段の上下での高低差はほとんど緩和せず、平担化
に対してはほとんど効果がない現状であシ、このため、
その後の微細パターン形成に大きな困難が生じていた。
多結晶ノリコンパターンによる段差部そのまま反映して
０．４〜１．０μの段差が発生し、デバイス機能を損わ
ない程度の熱処理では、段差付近がかなシ平滑化するも
のの、段の上下での高低差はほとんど緩和せず、平担化
に対してはほとんど効果がない現状であシ、このため、
その後の微細パターン形成に大きな困難が生じていた。
上述し念従来の方法に対し、本発明は、ＰＳＧ膜上に低
分子量のノボラック樹脂全塗布し、その後の熱処理によ
シ軟化流動させて、樹脂膜の表面を完全に平担化し九後
、その後のエツチングに耐える様に遠紫外光の照射処理
を加えて、樹脂ポリマーの重合反応を起させて、樹脂の
耐熱性と耐プラズマ性を向上させた後、プラズマエッチ
によジノボラック樹脂と下地のＰＳＧ膜を同等の速度で
ノボラック樹脂を完全に除去するまでエツチングして、
完全に平担な表面を有するＰＳＧ層間膜を実現するとい
う内容を有する。
分子量のノボラック樹脂全塗布し、その後の熱処理によ
シ軟化流動させて、樹脂膜の表面を完全に平担化し九後
、その後のエツチングに耐える様に遠紫外光の照射処理
を加えて、樹脂ポリマーの重合反応を起させて、樹脂の
耐熱性と耐プラズマ性を向上させた後、プラズマエッチ
によジノボラック樹脂と下地のＰＳＧ膜を同等の速度で
ノボラック樹脂を完全に除去するまでエツチングして、
完全に平担な表面を有するＰＳＧ層間膜を実現するとい
う内容を有する。
本発明はこの段差の存在によるその後の微細パターン形
成の困難を解決するために成され念ものでめシ、層間絶
縁膜上の段差を全く解消し、極めて平担なＰＥＧ膜表面
を実現する新規な方法を提唱するものである。
成の困難を解決するために成され念ものでめシ、層間絶
縁膜上の段差を全く解消し、極めて平担なＰＥＧ膜表面
を実現する新規な方法を提唱するものである。
本発明では、低分子量の有機樹脂膜をＰＥＧ膜表面に塗
布し、その後の加熱処理により、この樹脂膜を完全に平
担な平面になるまで、軟化流動させ、その後、所定の処
理により樹脂成分を１合させて、高分子化させて、適度
な耐熱性および耐プラズマ性を付与した後、下地のＰＥ
Ｇ膜とほぼ同一のエツチング速度となるプラズマエツチ
ング条件で、樹脂膜と下地のＰＳＧ膜を同時にエツチン
グ処理し、ＰＥＧ膜の凸部を完全に除去することによシ
、極めて広い範囲でほぼ完全に平担なＰＳＧ膜表面を実
現することを特徴とするものである。
布し、その後の加熱処理により、この樹脂膜を完全に平
担な平面になるまで、軟化流動させ、その後、所定の処
理により樹脂成分を１合させて、高分子化させて、適度
な耐熱性および耐プラズマ性を付与した後、下地のＰＥ
Ｇ膜とほぼ同一のエツチング速度となるプラズマエツチ
ング条件で、樹脂膜と下地のＰＳＧ膜を同時にエツチン
グ処理し、ＰＥＧ膜の凸部を完全に除去することによシ
、極めて広い範囲でほぼ完全に平担なＰＳＧ膜表面を実
現することを特徴とするものである。
以下図面を参照しながら詳細に説明する。
まず第２図（Ｃ）に示されるＰＳＧ膜上に、フェノール
ノボラック樹脂の薄層５ａｉ付着させる（第１図（ａ）
）。
ノボラック樹脂の薄層５ａｉ付着させる（第１図（ａ）
）。
この場合、使用するノボラック樹脂は、通常のポジレジ
ストに使用されているものより、かなシ低分子量の材料
を用いる。即ち、重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜
５０００程度と、通常のポジレジストに用いられている
樹脂に比べて約１／２〜１／３程匿となっている。この
ノボラック樹脂をエチルセロソルブアセテート溶剤中に
１０．０〜１ＺＯＩＬ量）％溶解させて、粘度が２〜３
ｃｐ（センチボイズ）程度になる塗布液ｔ−調製し、こ
の塗布液をスピンコード法によシ、ＰＳＧ膜４ｂ上に約
０．２μｍ の厚さに塗布して、樹脂膜ＩＪ５ａを形成
する。
ストに使用されているものより、かなシ低分子量の材料
を用いる。即ち、重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜
５０００程度と、通常のポジレジストに用いられている
樹脂に比べて約１／２〜１／３程匿となっている。この
ノボラック樹脂をエチルセロソルブアセテート溶剤中に
１０．０〜１ＺＯＩＬ量）％溶解させて、粘度が２〜３
ｃｐ（センチボイズ）程度になる塗布液ｔ−調製し、こ
の塗布液をスピンコード法によシ、ＰＳＧ膜４ｂ上に約
０．２μｍ の厚さに塗布して、樹脂膜ＩＪ５ａを形成
する。
段差のあるＰ８Ｇ膜４ｂ上に塗布された樹脂膜５ａは下
地の段差に応じてやはり凹凸のめる表面形状を呈する。
地の段差に応じてやはり凹凸のめる表面形状を呈する。
この凹凸の状態は下地の段差形状、間隔に依存するが、
例えば多結晶シリコンパターン３ａと３ｂの間の谷間で
は、０．２μｍ程度へこむのに対し、よシ間隔の広い同
パターン３ｂと３０の４間では０．４μｍというほぼＰ
ＳＧ膜の段差と等しい表面段差が生じていることが観察
され友。
例えば多結晶シリコンパターン３ａと３ｂの間の谷間で
は、０．２μｍ程度へこむのに対し、よシ間隔の広い同
パターン３ｂと３０の４間では０．４μｍというほぼＰ
ＳＧ膜の段差と等しい表面段差が生じていることが観察
され友。
次に、Ｓｉ基板１ｉクリーンオープン（Ｎ鵞）中で、１
５０−１６０°０３０分の加熱処理全行うと、樹脂膜５
ａは比較的低分子量のため極めて答易に軟化流動し、は
ぼ完全に平担な表面を有するノボラック樹脂層５ｂとな
る（第１図（ｂ）〕。
５０−１６０°０３０分の加熱処理全行うと、樹脂膜５
ａは比較的低分子量のため極めて答易に軟化流動し、は
ぼ完全に平担な表面を有するノボラック樹脂層５ｂとな
る（第１図（ｂ）〕。
続いて、遠紫外光照射装置（例えばコユージョｙ （Ｆ
ｕｓｉｏｎ）社製のＭｉｃｒｏｌｉｔｅ Ｐｈｏｔｏ
ｓｔ −ａｂｉｌｉｚｅｒ １２６ＰＡ） ｆ用いて、
遠紫外光１０を照射すると、同時にホットプレートによ
り加熱処理を行う（第１図（Ｃ））。
ｕｓｉｏｎ）社製のＭｉｃｒｏｌｉｔｅ Ｐｈｏｔｏ
ｓｔ −ａｂｉｌｉｚｅｒ １２６ＰＡ） ｆ用いて、
遠紫外光１０を照射すると、同時にホットプレートによ
り加熱処理を行う（第１図（Ｃ））。
ここで照射条件として波長域２００〜３ＱＱｎｍの遠紫
外光を照度０．７５ Ｗ／ ｃ ｍ ２で６０秒間照射
する。
外光を照度０．７５ Ｗ／ ｃ ｍ ２で６０秒間照射
する。
また加熱条件として、照射開始時に１００℃にホットプ
レート温度を設定し、その後ＬＯ℃／秒の割合でホット
プレート温度を上昇させ、６０秒ｇ過してホットプレー
ト温度が１６０ ’（：！に達しで照射終了し、照射終
了した時点から水冷方式により６０秒以内にホットプレ
ート桶度を上湯（２２〜２３℃）まで冷却する。この遠
紫外光の照射処理＝す、ノボラック樹脂層５ｂは重合反
応奮起し耐熱性および耐プラズマ性が着しく向上した樹
脂層５Ｃとなる０ 次いで、平行平板型反Ｌｂ性イオンエツチング装置を用
いてＣＦ４とＯ２の混合ガスのプラズマでＳｉ基基板上
処理する。このときのエツチング条件として、消費電力
８００Ｗ、／Ｈ、ＣＩ−Ｔ４１０鵞の混合比を７５／２
５とし、気体圧力を５０ｍ、’ｌ’ｏｒｒとすると、ノ
ボラック・償脂膜５Ｃと下地のｆ’ Ｓ Ｇ Ｊｐ ４
ｂのエラチングレー）がどちらも２５０Ａ／分とほぼ
同一になった。
レート温度を設定し、その後ＬＯ℃／秒の割合でホット
プレート温度を上昇させ、６０秒ｇ過してホットプレー
ト温度が１６０ ’（：！に達しで照射終了し、照射終
了した時点から水冷方式により６０秒以内にホットプレ
ート桶度を上湯（２２〜２３℃）まで冷却する。この遠
紫外光の照射処理＝す、ノボラック樹脂層５ｂは重合反
応奮起し耐熱性および耐プラズマ性が着しく向上した樹
脂層５Ｃとなる０ 次いで、平行平板型反Ｌｂ性イオンエツチング装置を用
いてＣＦ４とＯ２の混合ガスのプラズマでＳｉ基基板上
処理する。このときのエツチング条件として、消費電力
８００Ｗ、／Ｈ、ＣＩ−Ｔ４１０鵞の混合比を７５／２
５とし、気体圧力を５０ｍ、’ｌ’ｏｒｒとすると、ノ
ボラック・償脂膜５Ｃと下地のｆ’ Ｓ Ｇ Ｊｐ ４
ｂのエラチングレー）がどちらも２５０Ａ／分とほぼ
同一になった。
この条件でエツチングすると、第１図（ｄ）で示す様に
樹脂層５Ｃが次第にエツチングで扛で、ＰＳＧ膜４ｂの
凸部が露出すると、上記の両刀の材質のエツチングレー
トが等しいため、両刀の暎が同時に同一平面を保ったま
ま食刻さｎることになる（第１図（ｄ））。
樹脂層５Ｃが次第にエツチングで扛で、ＰＳＧ膜４ｂの
凸部が露出すると、上記の両刀の材質のエツチングレー
トが等しいため、両刀の暎が同時に同一平面を保ったま
ま食刻さｎることになる（第１図（ｄ））。
最後にＰＳＧ膜４ｂの凹部に残るノボラック樹脂５Ｃが
完全に除去されるまでエツチングを進めると、第１図（
ｅ）に示す様な完全に平担な表面形状のＰＳＧ膜４ｂが
得らｎる。
完全に除去されるまでエツチングを進めると、第１図（
ｅ）に示す様な完全に平担な表面形状のＰＳＧ膜４ｂが
得らｎる。
この発明の方法により、当初層間膜であるＰＳＧ膜４ｂ
上に存在した約０．４μの段差が完全に解消し、はぼ完
全に平担な表面形状を有する層間膜が得られるので、そ
の後の工程のコンタクトパターン形成において従来よシ
微細なコンタクトパターンを開孔可能となシ、半導体装
置の歩留シおよび性能に関し、極めて好ましい影響を与
えることができる。
上に存在した約０．４μの段差が完全に解消し、はぼ完
全に平担な表面形状を有する層間膜が得られるので、そ
の後の工程のコンタクトパターン形成において従来よシ
微細なコンタクトパターンを開孔可能となシ、半導体装
置の歩留シおよび性能に関し、極めて好ましい影響を与
えることができる。
第１図（ａ）ないしくｅ）は本発明の一実施例を説明す
るための工程断面図、第２図（ａ）ないしくＣ）は従来
の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図で
ある。 １−−−−−−８ ｉ基板、２−−−−−−８１０２膜
、３ａ、３ｂ。 ３Ｃ・・−・・多結晶ブリコンパターン、４ａ、４ｂ・
・・・・・ＰＳＧ膜、５ａ、５ｂ、５ｃ・・・・・・フ
ェノールノボラック樹脂膜、１０・・・・・・遠紫外光
、ａｂ・・・・・・多結晶シリコンパターン３ａと３ｂ
の間隔、ｂ Ｃ・・・・・・多結晶シリコンパターン３
ｂと３０の間隔。 羊 Ｉ 聞 第 １ 閏
るための工程断面図、第２図（ａ）ないしくＣ）は従来
の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図で
ある。 １−−−−−−８ ｉ基板、２−−−−−−８１０２膜
、３ａ、３ｂ。 ３Ｃ・・−・・多結晶ブリコンパターン、４ａ、４ｂ・
・・・・・ＰＳＧ膜、５ａ、５ｂ、５ｃ・・・・・・フ
ェノールノボラック樹脂膜、１０・・・・・・遠紫外光
、ａｂ・・・・・・多結晶シリコンパターン３ａと３ｂ
の間隔、ｂ Ｃ・・・・・・多結晶シリコンパターン３
ｂと３０の間隔。 羊 Ｉ 聞 第 １ 閏
Claims (1)
- 半導体基板上の段差を有する絶縁膜上に、重量平均分子
量＠ＢＳ＠ｗ６０００以下のフェノールノボラック重合
体を主成分とする有機物の薄層を付着する工程と、該基
板を加熱処理して、該薄層の表面を平担化する工程と、
該薄層に１８０〜３５０ｎｍの波長の遠紫外光を照射す
る工程と、プラズマエッチング法により該有機薄層、次
いで絶縁膜をエッチングする工程とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8152187A JPS63246848A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8152187A JPS63246848A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63246848A true JPS63246848A (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13748641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8152187A Pending JPS63246848A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63246848A (ja) |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP8152187A patent/JPS63246848A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2951504B2 (ja) | シリル化平坦化レジスト及び平坦化方法並びに集積回路デバイスの製造方法 | |
| JPS62272535A (ja) | 微細分解能ホトリソグラフイ用のトライレベルレジスト方法 | |
| JPS63246848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0536689A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60161621A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61287245A (ja) | 多層配線法 | |
| JPS6117135B2 (ja) | ||
| JPS6236827A (ja) | 選択エツチング方法 | |
| JPS63301521A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JP3544358B2 (ja) | 下地段差平坦化方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH05182904A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS63115337A (ja) | フオトレジストの処理方法 | |
| JPH042183B2 (ja) | ||
| JPH02159724A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN115453821A (zh) | 一种聚酰亚胺在多台面高阶差的平坦化光刻方法 | |
| JPS58223346A (ja) | 素子分離領域の形成方法 | |
| JPS62247523A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6148922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63164342A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
| JPS6347263B2 (ja) | ||
| JPH0244728A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH04320322A (ja) | レジストパターンの作製方法 | |
| KR950034424A (ko) | 글로벌평탄화방법 | |
| JPH04282831A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58168263A (ja) | 半導体装置の製造方法 |