JPS6324720A - 半導体論理回路 - Google Patents
半導体論理回路Info
- Publication number
- JPS6324720A JPS6324720A JP16861586A JP16861586A JPS6324720A JP S6324720 A JPS6324720 A JP S6324720A JP 16861586 A JP16861586 A JP 16861586A JP 16861586 A JP16861586 A JP 16861586A JP S6324720 A JPS6324720 A JP S6324720A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- temperature
- base
- emitter
- Prior art date
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体論理回路に関し、特にＥＣＬ型半導体論
理回路に関する。
理回路に関する。
従来、エミッタ結合型論理回路は、第２図に水弟１のト
ランジスタＱ２□と、基準電圧ｖＩｔ に対して高レ
ベル、または低レベルの論理入力信号Ｖ。
ランジスタＱ２□と、基準電圧ｖＩｔ に対して高レ
ベル、または低レベルの論理入力信号Ｖ。
を入力とする第２のトランジス、ＰＱｎがあり、第１、
第２のそれぞれのトランジスタの出力からは論理入力信
号Ｖ、と同相出力、反転出力が、抵抗Ｒ２！、Ｒ，の値
と定電流値から決まる振幅をもって得られる。
第２のそれぞれのトランジスタの出力からは論理入力信
号Ｖ、と同相出力、反転出力が、抵抗Ｒ２！、Ｒ，の値
と定電流値から決まる振幅をもって得られる。
上述した従来の半導体論理回路は、出力電圧を最高電位
を基準にしてトランジスタあるいはダイオードの順方向
電圧Ｖｆで発生している。順方向電圧ｖｆは、温度によ
シかなり大きく変動する。
を基準にしてトランジスタあるいはダイオードの順方向
電圧Ｖｆで発生している。順方向電圧ｖｆは、温度によ
シかなり大きく変動する。
従って、出力電圧Ｖ。ｕｔ の温度特性は、大きな変動
する特性を示し回路設計において、マージンを狭ばめる
という欠点がある。
する特性を示し回路設計において、マージンを狭ばめる
という欠点がある。
従来の回路においては、出力電圧Ｖｏｕｔの振幅を温度
にかかわらず一定にするよう設計する。よって、節点２
の電位は温度によらず一定となる。
にかかわらず一定にするよう設計する。よって、節点２
の電位は温度によらず一定となる。
ところが、ダイオード、トランジスタの順方向電圧Ｖｆ
は大きな温度変化を示す。例えば、ダイオード、トラン
ジスタのｐｎ接合の接合面温度ＴｊがＴｊ＝θＣとＴｊ
＝８５Ｃとでは順方向電圧Ｖｆの変化ΔＶｆはΔＶｆ主
９０ｍＶ程度あり、高温になるとＶｆは小さくなる。よ
って、出力電圧は、出力電圧ケ決めるトランジスタ、ダ
イオードの個数倍のΔＶｆとい９う非常に大きく変化す
る。 例えば、第２図の回路で言えば、トランジスタと
ダイオードが合計３個あるからＴｊ＝ＯＣ〜８５Ｃの範
囲において、３×ΔＶ（言３Ｘ９０ｍＶ＝ ２７０ｍＶ
という大きい変化を示す。
は大きな温度変化を示す。例えば、ダイオード、トラン
ジスタのｐｎ接合の接合面温度ＴｊがＴｊ＝θＣとＴｊ
＝８５Ｃとでは順方向電圧Ｖｆの変化ΔＶｆはΔＶｆ主
９０ｍＶ程度あり、高温になるとＶｆは小さくなる。よ
って、出力電圧は、出力電圧ケ決めるトランジスタ、ダ
イオードの個数倍のΔＶｆとい９う非常に大きく変化す
る。 例えば、第２図の回路で言えば、トランジスタと
ダイオードが合計３個あるからＴｊ＝ＯＣ〜８５Ｃの範
囲において、３×ΔＶ（言３Ｘ９０ｍＶ＝ ２７０ｍＶ
という大きい変化を示す。
これに対し、ダイオード、トランジスタの電流密度に温
度特性をもたせ、高温において電流密度を大きくしてや
υ、順方向電圧Ｖｆが大きくなるようにしても、電流密
度変化によるＶｆの変化量では、広い温度変化による大
きなＶｆの変化を補償することはできず、効果が少ない
。
度特性をもたせ、高温において電流密度を大きくしてや
υ、順方向電圧Ｖｆが大きくなるようにしても、電流密
度変化によるＶｆの変化量では、広い温度変化による大
きなＶｆの変化を補償することはできず、効果が少ない
。
上述したように、従来の回路では、ダイオードトランジ
スタの順方向電圧Ｖｆが、温度によυ大きな変化を持つ
ため、出力電圧は温度変化により、非常に大きな変化を
示し、回路設計において、マージンをせばめる欠点があ
った。
スタの順方向電圧Ｖｆが、温度によυ大きな変化を持つ
ため、出力電圧は温度変化により、非常に大きな変化を
示し、回路設計において、マージンをせばめる欠点があ
った。
本発明の半導体論理回路は、ベースに入力信号を入力し
てスイッチングを行う第１のトランジスタと、ベースに
基準電位を入力しエミッタが前記第１のトランジスタの
エミッタに接続してスイッチングを行う第２のトランジ
スタと、前記第１及び第２のトランジスタのエミッタに
共通に接続する定電流回路と、前記第１または第２のト
ランジスタのコレクタにベースが接続し前記第１または
第２のトランジスタの出力を入力とするエミッタホロワ
接続の第３のトランジスタと、前記第３のトランジスタ
のベースが接続する前記第１またはＭ２のトランジスタ
のコレクタに一端が接続する第１の抵抗と、該第１の抵
抗の他端にエミッタが接続しコレクタが最高電位電源に
接続する第４のトランジスタと、該第４のトランジスタ
のベースと前記最高電位電源との間に接続される第２の
抵抗と、ベースに定電位が供給されコレクタが前記第４
のトランジスタのベースに接続しエミッタが第３の抵抗
を介して最低電位電源に接続して定電流を流す第５のト
ランジスタとを含んで構成される。
てスイッチングを行う第１のトランジスタと、ベースに
基準電位を入力しエミッタが前記第１のトランジスタの
エミッタに接続してスイッチングを行う第２のトランジ
スタと、前記第１及び第２のトランジスタのエミッタに
共通に接続する定電流回路と、前記第１または第２のト
ランジスタのコレクタにベースが接続し前記第１または
第２のトランジスタの出力を入力とするエミッタホロワ
接続の第３のトランジスタと、前記第３のトランジスタ
のベースが接続する前記第１またはＭ２のトランジスタ
のコレクタに一端が接続する第１の抵抗と、該第１の抵
抗の他端にエミッタが接続しコレクタが最高電位電源に
接続する第４のトランジスタと、該第４のトランジスタ
のベースと前記最高電位電源との間に接続される第２の
抵抗と、ベースに定電位が供給されコレクタが前記第４
のトランジスタのベースに接続しエミッタが第３の抵抗
を介して最低電位電源に接続して定電流を流す第５のト
ランジスタとを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面ｆｔ参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。
この実施例は、ベースに入力信号Ｖ、を入力してスイッ
チングを行う第１のトランジスタＱｔｓ と、ベースに
基準電位ｖＲを入力しエミッタが第１のトランジスタＱ
ａのエミッタに接続してスイッチングを行う第２のトラ
ンジスタＱｔｔと、第１及び第２のトランジスタのエミ
ッタに共通に接続する定電流回路５と、第１のトランジ
スタＱｎのコレクタにベースが接続して第１のトランジ
スタＱｔｔの出力を入力とするエミッタホロワ接続の第
３のトランジスタＱｓｓと、第３のトランジスタＱｓ＋
のベースが接続する第１のトランジスタＣ＋ｈｓのコレ
クタに一端が接続する第１の抵抗Ｒ１、と、この第１の
抵抗Ｒ１ｍの他端にエミッタが接続しコレクタが最高電
位電源Ｖｃｃに接続する第・１のトランジスタＱ４□と
、この第４のトランジスタＱ４□のベースと最高電位電
源Ｖｃｃとの間に接続される第２の抵抗几、２と、ベー
スに定電位が供給されコレクタが第４のトランジスタＱ
４１のベースに接続しエミッタが第３の抵抗Ｒ１，を介
して最低電位電源■ＥＥに接続して定電流を流す第５の
トランジスタＱ、１とを含んで構成される。
チングを行う第１のトランジスタＱｔｓ と、ベースに
基準電位ｖＲを入力しエミッタが第１のトランジスタＱ
ａのエミッタに接続してスイッチングを行う第２のトラ
ンジスタＱｔｔと、第１及び第２のトランジスタのエミ
ッタに共通に接続する定電流回路５と、第１のトランジ
スタＱｎのコレクタにベースが接続して第１のトランジ
スタＱｔｔの出力を入力とするエミッタホロワ接続の第
３のトランジスタＱｓｓと、第３のトランジスタＱｓ＋
のベースが接続する第１のトランジスタＣ＋ｈｓのコレ
クタに一端が接続する第１の抵抗Ｒ１、と、この第１の
抵抗Ｒ１ｍの他端にエミッタが接続しコレクタが最高電
位電源Ｖｃｃに接続する第・１のトランジスタＱ４□と
、この第４のトランジスタＱ４□のベースと最高電位電
源Ｖｃｃとの間に接続される第２の抵抗几、２と、ベー
スに定電位が供給されコレクタが第４のトランジスタＱ
４１のベースに接続しエミッタが第３の抵抗Ｒ１，を介
して最低電位電源■ＥＥに接続して定電流を流す第５の
トランジスタＱ、１とを含んで構成される。
上記実施例においては、第３の］・ランジスタも。
のベースを第１のトランジスタＱ２１のベースに接続し
たが、第２のトランジスタＱ１□のベースに接続しても
良い。
たが、第２のトランジスタＱ１□のベースに接続しても
良い。
抵抗Ｒ８１にかかる電圧は、出力電圧Ｖｏｕｔの振幅と
なるから一定にする必要があシ、それは従来と同じに設
計できる。温度が上ると、順方向電圧ｖｆは小さくなシ
、Ｖｆの温度変化Δｖｆ と電圧源ＶＲ′の温度変化分
（第３の抵抗Ｒ０の電圧降下を増加させるため、電圧源
ＶＲ′は、最低電位’１’ＥＥを基準にしたとき、温度
が上るにつれて大きくなるような温度特性をもたせる）
が第３の抵抗Ｒ＋ｓＫかかる電圧の温度変化分となシ、
第３の抵抗Ｒ１゜Ｋかかる電圧は増加する。第２．第３
の抵抗１モ、□。
なるから一定にする必要があシ、それは従来と同じに設
計できる。温度が上ると、順方向電圧ｖｆは小さくなシ
、Ｖｆの温度変化Δｖｆ と電圧源ＶＲ′の温度変化分
（第３の抵抗Ｒ０の電圧降下を増加させるため、電圧源
ＶＲ′は、最低電位’１’ＥＥを基準にしたとき、温度
が上るにつれて大きくなるような温度特性をもたせる）
が第３の抵抗Ｒ＋ｓＫかかる電圧の温度変化分となシ、
第３の抵抗Ｒ１゜Ｋかかる電圧は増加する。第２．第３
の抵抗１モ、□。
Ｒｌｓ ｋある適当な比をとるように選ぶと、第３の抵
抗Ｒ１，にかかる電圧の増加分は、抵抗の比シて比例し
て第２の抵抗Ｒｔ２にかかる電圧の垢・加分となる。従
って、節点４の電位ｌ／ｉ温度が上るにつれて下がる。
抗Ｒ１，にかかる電圧の増加分は、抵抗の比シて比例し
て第２の抵抗Ｒｔ２にかかる電圧の垢・加分となる。従
って、節点４の電位ｌ／ｉ温度が上るにつれて下がる。
トランジスタ、ダイオードの順方向電圧Ｖｆハ、温度が
上るにつれて小さくなる。つまり最高電位と節点４との
間の電圧降下と、トランジスタ、ダイオードの順方向電
圧ｖｆは具なる符号の温度係数である。よって、最高電
位と節点４との間の電圧降下の変化分とトランジスタ、
ダイオードの順方向電圧ｖｆの変化分とを相殺するよう
に、抵抗Ｒ１１とＲ１，の比を選ぶことによシ出力電圧
を温度にかかわらず一定にできる。
上るにつれて小さくなる。つまり最高電位と節点４との
間の電圧降下と、トランジスタ、ダイオードの順方向電
圧ｖｆは具なる符号の温度係数である。よって、最高電
位と節点４との間の電圧降下の変化分とトランジスタ、
ダイオードの順方向電圧ｖｆの変化分とを相殺するよう
に、抵抗Ｒ１１とＲ１，の比を選ぶことによシ出力電圧
を温度にかかわらず一定にできる。
以上説明したように本発明は第１図に示す回路構成にす
ることにより、出力電圧を温度にかかわらず一定にする
ことができ、回路設計マージンを拡大できる効果がある
。
ることにより、出力電圧を温度にかかわらず一定にする
ことができ、回路設計マージンを拡大できる効果がある
。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は従来のエ
ミッタ結合型論理回路の一例の回路図である。 １．２，３．４・・・・・・節点、５，６・・・・・・
定電流源、Ｑｌｌ ＋ Ｑ、ｎ ＋ Ｑ２２＋ Ｑｓ□
１Ｑ４１ｊＱ□・・・・・・トランジスタ、Ｒ・・・Ｒ
・・′・Ｒ・・・Ｒ・３・Ｔ（、、、、Ｒ，、、Ｒ，、
・・・・・・・抵抗。 メー゛・ 代理人 弁理士 内 原 ４．（）、ノ ＶＥＥ
ＶＦ、Ｅめ／図
ミッタ結合型論理回路の一例の回路図である。 １．２，３．４・・・・・・節点、５，６・・・・・・
定電流源、Ｑｌｌ ＋ Ｑ、ｎ ＋ Ｑ２２＋ Ｑｓ□
１Ｑ４１ｊＱ□・・・・・・トランジスタ、Ｒ・・・Ｒ
・・′・Ｒ・・・Ｒ・３・Ｔ（、、、、Ｒ，、、Ｒ，、
・・・・・・・抵抗。 メー゛・ 代理人 弁理士 内 原 ４．（）、ノ ＶＥＥ
ＶＦ、Ｅめ／図
Claims (1)
- ベースに入力信号を入力してスイッチングを行う第１の
トランジスタと、ベースに基準電位を入力しエミッタが
前記第１のトランジスタのエミッタに接続してスイッチ
ングを行う第２のトランジスタと、前記第１及び第２の
トランジスタのエミッタに共通に接続する定電流回路と
、前記第１または第２のトランジスタのコレクタにベー
スが接続し前記第１または第２のトランジスタの出力を
入力とするエミッタホロワ接続の第３のトランジスタと
、前記第３のトランジスタのベースが接続する前記第１
または第２のトランジスタのコレクタに一端が接続する
第１の抵抗と、該第１の抵抗の他端にエミッタが接続し
コレクタが最高電位電源に接続する第４のトランジスタ
と、該第４のトランジスタのベースと前記最高電位電源
との間に接続される第２の抵抗と、ベースに定電位が供
給されコレクタが前記第４のトランジスタのベースに接
続しエミッタが第３の抵抗を介して最低電位電源に接続
して定電流を流す第５のトランジスタとを含むことを特
徴とする半導体論理回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16861586A JPS6324720A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体論理回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16861586A JPS6324720A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体論理回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324720A true JPS6324720A (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=15871341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16861586A Pending JPS6324720A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体論理回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6324720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02189185A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 洗濯機 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56169285A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pulsed electric power circuit |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP16861586A patent/JPS6324720A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56169285A (en) * | 1980-06-02 | 1981-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pulsed electric power circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02189185A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 洗濯機 |
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