JPS63253264A - 電流検出器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする問題点 問題点を解決するための手段 作用 実施例 第１実施例 第２実施例 第３実施例〜第１０実施例 発明の効果 ［概要］ 本発明は交流・直流の何れにも適用できる小型電流検出
器を得るため、対をなす磁電変換素子に近接した導線に
電流を流し、該磁電変換素子出力を互いに差動合成して
簡易に電流値を検出する電流検出器である。

［産業上の利用分野］ 本発明は電流が流れたとき発生する磁界の強さの変化に
より電流値を検出する検出器に関する。

従来の電流検出器としては直流用・交流用とそれぞれ専
用のものを必要とすることが多く、また比較的大型であ
った。特に直流用のものは絶縁型で小型の電流検出器を
開発することが要望された。

［従来の技術］ 交流電流測定のため電流路と測定系を絶縁するための最
も簡便な手段としては変成器を使用することである。こ
のとき商用周波数用の装置は小さくても子供の拳くらい
の大きさとなっており、変成器動作に周波数特性が大き
く影響する。

また漏電センサでは差動型の電流変成器が用いられてい
る。第２１図はその場合の概略構成を示す図で、゛リン
グ状のヨークの中央に流れる電流■１゜■２によりμの
高いヨーク中に５磁束が生じ、その時間変化をヨークに
巻いた線輪から取り出している。電流Ｌ＋、Ｉｚが互い
に逆方向であるから、差電流による磁束が発生するのみ
で、感度が良い。

直流測定では、標準抵抗における電圧降下を直流電位差
計で測定する。また大電流のときは分流計を用いる。

半導体のホール効果を利用して直流電流を測定すること
もできる。

また電流によって生じる磁界を磁気抵抗素子を使用して
電流検出することができ、特開昭５９−７９８６０号公
報によって公知である。第２２図に示すように電線１に
対し少し離れた位置に磁性金属膜２を表面に設けた基板
５を置く。磁性金属膜２はニッケル・鉄合金などにより
形成され、基板上の長手方向の両端に端子３．４を設け
る。基板５はセラミック等の電気絶縁材を用いる。各端
子３，４間には磁気コア（ヨーク）６を設け、磁気コア
６と磁性金属膜２とにより磁気ループ７を構成させる。

電線１に直流が流れたときの磁界は磁気コア６を介して
磁気ループ７を作り、磁性金属膜２の端子３．４間抵抗
値が変化するから、その抵抗値変化により電線１に流れ
た電流値を求めることができる。

交流・直流両用のものとして可動鉄片型・電流力計型な
どが使用できる。

［発明が解決しようとする問題点］ 変成器を使用して交流電流を測定するときは、小型化す
ることが困難であった。また変成器にはインダクタンス
成分があるため、パルス電流など高周波成分の多い電流
では正確な測定が困難であった。

漏電センサの場合は使用電流とそれに適した大きさの環
状コアが必要で、適用範囲はあまり広くない。

抵抗素子を使用して直流を測定するときは、抵抗素子に
おいて無駄な電力消費があり、電流値と抵抗素子の抵抗
値、及び直流電位差計をその都度選定して使用する必要
がある。このとき電流回路に不要信号が混入すると、測
定に直接影響する。

一般に直流の流れる導線と検出器とを絶縁して検出でき
る小型装置は存在しなかった。

更にホール効果素子を使用するとき、外部磁界による影
響を除くヨークを用いるなどのため装置が大型化する欠
点があり、磁界を測定する構成であるから、地磁気の影
響を除く手段が必要で、電流検出器として装置が複雑大
型化した。

また前述の特許公開公報に記載された公知技術では、磁
性金属膜２の両端子間に電線を囲んだ形状の磁気コアを
設けているから、大きな部品を使用する必要がある。ま
た電線の作る磁界以外に外部磁界が働いたとき、その影
響は磁気コアの材質で定まるμの逆数に比例して検出さ
れるから、外部磁界の影響を免れるためにはμの大きい
磁気コアを必要とし高価になる欠点があった。

本発明の目的は前述の欠点を改善し、筒易・小型な構成
で直流から高周波交流まで、高速応答できる高精度な電
流検出器を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 第１図は本発明の原理構成を示す図である。第１図にお
いて、１１は直線状導線、１２は導線に流れる電流、１
３は導線１１に電流１２が流れた際に該導線１１を中心
として導線周囲に同心円状に発、生ずる磁界を示す磁気
ループ、１４．１５は磁電変換素子、１６は合成部、１
７は外部から与えられる外乱磁界を示す。

本発明は前述の目的を達成するため、被測定電流１２の
流れる導線１１と、該導線１１に被測定電流１２が流れ
た際に該導線１１の周囲に発生する磁界１３を、該導線
の周囲対向領域において磁電変換する磁電変換素子１４
．１５と、それぞれの磁電変化素子１４．１５の磁電変
換出力を合成する合成部１６とで構成されている。

［作用］ 第１図に示す磁電変換素子１４．１５は同一特性であっ
て、導線１１に電流１２が流れたとき発生する磁気ルー
プ１３に対し互いに同一で異なる方向の磁界を受けてい
る。そのため素子１４．１５から取り出した出力は逆位
相であるから、合成部１６において差動合成したとき、
合成部１６の出力は素子単独出力の略２倍となる。一方
、電流検出器全体に外部磁界１７が影響しているとき、
外部磁界１７に対し磁電変換素子１４．１５の出力は同
相である。したがって合成部１６において差動合成した
出力には外部磁界１７に基づ（出力信号は打ち消される
。

このとき、磁電変換素子１４．１５を共通パターンで形
成した１個の素子によっても外部磁界を打ち消す効果は
同様に得られる。

［実施例］ 本発明において使用する磁電変換素子として、ホール効
果素子或いは磁気抵抗素子を使用することができる。特
にバーバーポール型磁気抵抗素子を基板上に設けた検出
器は動作上有効である。

○第１実施例 本発明の実施例として第２図に示す説明図のように構成
し、更に具体的には磁気抵抗素子を基板上に第３図のよ
うにバーバーポール型パターンとして設ける。第４図は
第３図の横断面図、第５図は第３図Ａ部の拡大図、第６
図は同Ｂ部の拡大図を示す。第７図は第３図に示すパタ
ーンの変形例を示す図である。そして導線を含めた検出
器としての全体が第８図のように構成される。以下図面
の順序に従って、本発明の第１実施例およびその変形例
について説明する。

第２図に示す説明図において、磁気抵抗素子１４−１．
１４−２と１５−１．１５−２はそれぞれ対をなす磁気
抵抗素子の例である。磁気抵抗素子としてバーバーポー
ル型が好適で、各素子はブリッジ接続され、その詳細は
後述する。また１８はガラスまたはシリコンの基板、１
９はスルーホールで各磁気抵抗素子の中央部に穿孔され
、導線１１が貫通する。

２０は定電流源で磁気抵抗素子のブリッジの一方の対角
頂点から定電流を流すもの、２１は演算増幅器でブリッ
ジの他方の対角頂点から取り出した出力を差動合成する
回路である。また１４−３．１５−３はトリミングパタ
ーンで磁気抵抗素子を蒸着などで基板１８上に形成した
とき、４個の素子１４−１〜１５−２に生じた若干のば
らつきを補正するものを示す。第２図において導線１１
に電流が矢印１２のように流れるとき、発生した磁界は
磁気抵抗素子１４−１と１４−２．１５−１と１５−２
に対しそれぞれ逆方向に影響し抵抗値変化を与える。そ
のためブリッジ接続された素子の一方の対角頂点間に印
加された定電流源２０からの定電流が変化し、他方の対
角頂点間から取り出した出力は演算増幅器２１で差動合
成される。そのため磁界の強さの変化と演算増幅器２１
の出力電圧について予め較正しておけば、演算増幅器２
１の出力電圧値から電流値を直ぐ求めることができる。

なお導線１１に交流が流れるときは、交流ピーク値に対
応する磁界の強さ変化をブリッジの他方の対角頂点間か
ら取り出すことができる。

次に第３図に示す基板と基板上の磁気抵抗素子のパター
ンについて説明する。このパターンは本発明の実施例と
して好適なものであり、第３図、は上面図、第４図は第
３図における１点鎖線ＩＶ−ＩＶ線で切断し矢印の方向
に見た横断面図を示す。横断面図はその縦方向を横方向
に比べ拡大して判り易（描いである。第３図において、
２２−１〜２２−４は抵抗素子のボンディング用パッド
で、ブリッジ接続の対角頂点とも接続される。その他の
第２図と同一符号は同様のものを示す。第３図・第４図
に示すつづら折り状のバーバーポール型磁気抵抗素子パ
ターンそれ自体は公知技術によって形成する。

即ちシリコンなどの基板１８上に形成された二酸化シリ
コンなどの絶縁層２３の上に鉄・ニッケル合金（パーマ
ロイ）のような磁性薄膜２４を付着形成した後、リソグ
ラフィ技術によりパターンニングしてつづら折り状の磁
性薄膜２４を形成する。

第３図・第４図においては、導線１１の貫通するスルー
ホール１９に近い側と、遠い側とで折り返し部（円周方
向の長さ）が異なっている。即ち第５図として第３図に
おけるＡ部の拡大図を示すが、パーマロイ２４の短冊状
部がスルーホール１９に近い方に向かって、より近接す
るようになっている。その状況は第３図におけるＢ部の
拡大図として第６図に示している。第６図の１点鎖線は
スルーホール１９から引き出した直線で、磁性薄膜２４
はその直線より更に所定角度αだけ傾いている。

パターンは全体的にスルーホール１９の中心に対し対称
に形成される。なお説明を後述する。

第５図・第６図を含めパーマロイの磁性薄帯２４に対し
スルーホール１９から離れる方向に一軸異方性を付与し
てから、密着層２５　（タンタルモリブデンＴａＭｏま
たはクロム）を介して導電帯２６（例えば金）を一定間
隔で斜めに付着する。導電帯２６の幅Ｗは例えば４．２
４μ、間隔Ｇは５．６Ｅｌ、パーマロイ２４の幅ωは１
６μ程度とし、パターンの大きさは１辺を５日程度の基
板上に置くことが出来る程度とする。なお導電帯２６の
向きは隣接するブリッジ辺において、互いに異ならせ、
それぞれスルーホールからの引き出した線に対し約４５
度傾いている。導電帯２６の上面には保護膜２７を付け
てお（。またボンディング用バッド２２−１〜２２−４
は接続するためのリードパターン２８を第３図に示すよ
うに４箇所設ける。

次に第６図に示すパーマロイ・パターンについて説明す
る。第６図におけるパーマロイ部分は基板上に蒸着した
のみでは形状異方性を有するのみであるから、蒸着の後
に導線に大電流を流して′いわば誘導異方性を与える。

それは電流によって得られる磁界Ｈｉがパーマロイに対
し図示する方向に働くからパーマロイがＨｉと直交して
いると、図の左方向にはＨｉの分力が残らない。そのた
めパーマロイ・パターンを形成する側線２９をスルーホ
ールから引き出した線３０に対しα（例えば数度）傾け
てＨｉとして約８０００ｅ与えると、パーマロイに４〜
５０ｅの磁界分力Ｈｐが残存し誘導異方性が与えられる
。なおこのように４５度傾いたバーバーポール型とする
ことは他にバイアス磁界を使用することな（、外部磁界
に比例した磁電変換出力を得ることが出来るために都合
が良い。

スルーホール１９は基板１８に対しパーマロイを蒸着す
る前に穿孔する。マイクロマシーニング技術により電流
検出器として使用するときの基板の大きさに対応する間
隔例えば５ｍｍ毎に一辺０．５ｍｍの菱形孔を、シリコ
ンの基板であればその（１，１，０）面上に穿つと良い
。

第７図はパーマロイのような磁性薄膜のパターンについ
ての変形例を示す図で、第３図における０部の拡大図を
示している。勿論磁性薄膜によるパターンは０部を含み
全体にわたっている。第３図に示すパターンは磁性薄膜
２４がスルーホール１９に近い側と、遠い側とでパター
ン幅を同一として形成され、つづら折り状となっていた
。第７図の場合はスルーホール１９から離れるに従い、
磁性薄膜２４のパターン幅ωを幅広としている。

このときハツチングで示す導電帯２６の幅Ｗ・間隔Ｇは
一定で、且つスルーホール１９からの半径方向線に対し
約４５度傾くことは第３図の場合と同様である。したが
って磁性薄膜２４上での導電帯２６はスルーホール１９
から離れると長さを増している。このパターンによりス
ルーホール１９から離れた磁性薄膜はより小さい磁界を
受けるが、パターン長を増して磁電変換された出力を増
加させ、磁気抵抗パターン全面から略均−な電気出力を
得ている。

そして第８図に示すようにモジュール化した電流検出器
が構成される。第８図においてリードフレーム３０は差
動合成回路などとの接続用端子となり、またリードフレ
ーム３１は基板１８と外装３２との結合のため使用する
。導線１１を基板１８のスルーホール１９に貫通させ、
被測定電流を流すとき、磁気抵抗素子の抵抗値変化を読
出せば良い。

○第２実施例 第９図は本発明の第２実施例についての説明図で、第１
０図は第２実施例における磁気抵抗素子パターンを示す
図である。第９図において１１乃至２０の符号は全て第
２図と同様のものを示す。

第９図では各磁気抵抗素子’１４．１５が導線１１の周
囲対向領域に存在するように配置され、且つ各素子の磁
電変換出力が直列接続されるように合成される。即ち抵
抗素子１４．１５が定電流源２０に対し直列接続されて
、定電流源２００両端の電圧を取り出すため、合成部と
して特別な構成部品を要しない。

第１θ図は第９図の構成を具体化した磁気抵抗素子パタ
ーンを示す。第１Ｏ図はバーバーポール型磁気抵抗素子
１４．１５をスルーホール１９に対し左右対称形に配置
し、且つ初期磁化の方向を太い矢印のように定める。太
い矢印は全てスルーホール１９に集まる方向または離れ
て行く方向とする。第１０図のポンディングパッド２２
−１．２２−２に定電流源を接続し、且つ増幅回路など
への接続を行う。第１０図に示すパターンは第５図のよ
うに磁性薄膜（パーマロイ）の幅ωがスルーホール１９
から離れて行っても同値で、且つ第６図に示すように僅
かの傾きを有する。或いは第７図に示すようにωを変化
させる構成とすることもできる。

更に第２実施例を全体図として見るとき、第８図と同様
な構成とすることができる。

第２実施例の構成は第１実施例の構成と比較して、抵抗
素子パターンの製造が容易となる特徴を有している。

○第３実施例 以下の実施例の説明は、第１実施例第２実施例の説明と
比較して、その特徴とする部分のみを強調して行うため
、第１実施例または第２実施例と同様の部分の説明は省
略されている。

第１１図は本発明の第３実施例として導線に多相交流を
流した場合の検出器を示す。第１１図において基板１８
のスルーホールを貫通させた導線を同軸形３３とする。

第１１図Ａは２相交流のとき使用する２層同軸線３３−
１を示し、第１１図Ｂは３相交流のとき使用する３層同
軸線３３−２を示す。

２層同軸線３３−１の場合は第２図と同様に動作するが
、３Ｎ同軸線３３−２の場合は交流各相の関係で打ち消
し合う電流があり、周囲に磁界を生じない。

そのため漏電検出センサとして使用するとき、相銀の違
う流れの存在を検出できるから、大電流の交流に対する
漏電検出センサとして有効である。

Ｏ第３実施例 第１２図は本発明の第４実施例として導線１１を磁気抵
抗素子面に対し極く僅かの間隔を以て平行に置いた場合
を示し、第１２図Ａは平面図、同図Ｂは側面図である。

磁気抵抗素子１４−１〜１５−３のパターンは、導線１
１と平行に形成することが望ましく、導線１１を置く場
所としては、磁気抵抗素子パターンの中央付近が良い。

第１２図Ｂにおいて第３図と同様な磁気抵抗素子に対し
導線１１との間隔を例えば０．４ｍｍとし、導線に流す
電流と差動増幅回路出力との関係を測定したグラフを第
１２図Ｃに示す。第１２図Ｃにおいて横軸は導線の被測
定電流を示し、１．　ＯＡのとき磁気抵抗素子に対し約
５．６０ｅの磁界が得られ、ブリッジ出力が例えば０．
４ｖであった。導線に０．５Ａの電流を流したときブリ
ッジ出力は約０．２　Ｖであった。

○第５実施例 第１３図は本発明の第５実施例を示す図である。

第１３図は導線を磁気抵抗素子面上でコイル上とした場
合を示す平面図である。導線の長手方向に平行状態で複
数ルートの電流を流すから、磁気抵抗素子に与える磁界
の変化が単一導線の場合より大となる。またコイル状導
体の代わりに、平面導体を用いても、単一導線の場合よ
り、磁界の検出効率が向上する効果がある。

○第６実施例 第１４図は本発明の第５実施例を示す図で、動作特性の
略等しい磁気抵抗素子ブリッジを２組対向させ、その中
間に電流の流れる導線１１を置いた場合を示している。

第１４図において、２１は差動増幅器、３４．３５はそ
れぞれブリッジ接続されたバーバーポール型磁気抵抗素
子、３６．３７は各抵抗素子に対する動作回路を示して
いる。

一方の動作回路３６の出力に対し他方の動作回路３７の
出力は、差動増幅回路２１により差動的に取り出される
。その結果各ブリッジ３４．３５の出力は導線１１の電
流に対し差動的に働くから、それを差動増幅すると結局
足し算される。したがって単一のブリッジを使用する場
合と比較し、略２倍の出力が得られるのに対し、外部地
磁気など外乱磁界は各ブリッジ出力に同量の影響を与え
ているから、差動増幅するとキャンセルされる。即ち信
号対雑音比が格段に向上する。

○第７実施例 第１５図は本発明の第７実施例を示す図である。

第１５図において３８は磁気抵抗素子ブリッジで、ブリ
ッジ３４とはその飽和磁界Ｈｄの異なるもの例えばより
大きいもので、基板１８の表裏に各別に設けられている
ものを示す。ここで飽和磁界Ｈｄとは第１６図に示す値
を指す。即ち第１６図において磁気抵抗素子ブリッジに
印加される磁界の強さを横軸に採り、抵抗値の変化ΔＲ
／Ｒを縦軸に採ると、原点を通るＳ字状曲線が得られる
。磁界の強さを変化させるときＳ字状曲線は一定でなく
、素子によって３４５．３８Ｓのように変化する。その
理由は磁性膜パターンの幅・膜厚に違いがあることに基
づく。そして印加磁界を所定値より大にしたとき、抵抗
値の変化が正から負に変化する点があり、そのときの磁
界の大きさを飽和磁界Ｈｄという。飽和磁界Ｈｄの小さ
い素子は小電流の検出に適し、Ｈｄの大きい素子は大電
流の検出に適するから、電流検出器動作の当初において
電流量を少し変化させて見て、抵抗値変化のより大きい
方例えば３８はそのまま動作させ、抵抗値変化の小さい
方３４はそのとき出力端子との接続を切って置く。大電
流を検出するときは使用する磁気抵抗素子ブリッジを３
８から３４に切換えれば良い。

○第８実施例 第１７図は本発明の第８の実施例を示す図で、磁気抵抗
素子ブリッジの飽和磁界Ｈｄの大きさが順次に大きくな
るものを、電流導線を貫通させた基板を３４．３８，３
９．４０・・−のように数珠状に並べて置き、検出電流
の大きさにより順次切換えて行く。その結果検出すべき
電流の範囲が大小極めて広い場合であっても、対応する
ことができる。

Ｏ第９実施例 第１８図は本発明の第９実施例の構成を示す図で、磁気
抵抗素子ブリッジをドーナツ環状に複数個並列した場合
を示す。このとき各ブリッジについてその飽和磁界Ｈｄ
の大きさが同じであっても、互いに異なっても良い。電
流導線１１により発生する磁界は基板１８の周辺の方が
より弱くなるため電流の大きさにより、各ブリッジを切
換え使用する。なお飽和磁界Ｈｄが順次小さくなるもの
を外周に使用する構成が動作上好適である。

○第１０実施例 第１９図は本発明の第１０実施例の構成を示す図で、ブ
リッジを構成する磁気抵抗素子を電流導線の通るスルー
ホールから扇形に分割し、互い違いにブリッジ各辺の磁
気抵抗素子を構成する。例えば１４−１ａ＋　１４−２
ａ、　１５−１ａ＋　１５−２ａで構成するブリッジと
、１４二ｌｂ、　１４−２ｂ、　１５−１ｂ、　１５−
２ｂで構成するブリッジとする。基板１８上に２組の各
別のブリッジを構成したため、飽和磁界Ｈｄの異なるブ
リッジとしたとき有効である。更にブリッジ組を増加す
ることもできる。

Ｏ第１１実施例 第２０図は本発明の第１１実施例の構成を示す図で、磁
気抵抗素子を含む基板１８及び電流導線１１の一部を、
鉄などの高透磁率のシールドケース４１に格納した場合
である。この実施例によると外部磁界によって、磁気抵
抗素子の飽和磁界が実質的に低下することを防止できる
効果がある。

［発明の効果］ このようにして本発明によると、２個の磁電変換素子を
直線状導線に対し線対称の位置に対をなして配置したた
め、導線に流れる電流に基づく磁界の強さ変化に比例し
た磁電変換素子の出力値変化を有効に取り出して、電流
検出が簡易にできる。

また交流に対しても直流の場合と同様に磁電変換素子の
出力値を変化させるこきが出来るため、周波数がＩＭＨ
ｚ以上のような高周波交流またはパルス波形に対しても
電流検出することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理構成を示す図、 第２図乃至第８図は本発明の第１実施例についてその構
成・部分拡大図などを示す図、 第９図・第１０図は本発明の第２実施例についてその構
成の説明図と素子パターンを示す図、第１１図乃至第１
５図は本発明の第３実施例乃至第７実施例の構成を示す
図、 第１６図は飽和磁界を説明するための図、第１７図乃至
第２０図は本発明の第８実施例乃至第１１実施例の構成
を示す図、 第２１図は従来の漏電センサの構成例を示す図、第２２
図は従来の単一磁気抵抗素子を使用する電流検出器の構
成を示す図である。 １１−・−電流導線　　　１３−・−磁気ループ１４、
　１５−磁電変換素子 １６−合成部　　　　１７−・外部磁界１８・一基板　
　　　　１９−・スルーホール２０−・定電流源 ３４．３５．３８．３９．４９−・− 磁気抵抗素子ブリッジ ３６．３７・〜・動作回路 溝線 第１因 莫１尖４１列の＃Ｌ噺Ｊａ 第２図 第３図 断面図 第４図 第３回ＡｔＩｐ鳩大図 第５図 側 第３団Ｂ静ヰ人図 第６図 第７図 リードフレーム ′＠１１！−ＩＦ’と伊１澄４本口 第８図 濡 発２実ｖ１の説明図 第９図 第１０図 基」快 第３虻施例 第１１図Ａ 第３虻施例 第１１図Ｂ 基未 第１２ｖ７ＡＡ 第１２因Ｂ 第１３区 第１４図 第１５図 第１６図 Ｈｄ六−ｍ−−１１＼ 箱気括拵鼻さづリッジ イｉ囃プヘカＮ↑た１３−ヅノッ５７ 第１８図 笥１０笑７知汐Ｕ 第１９図 箋１１笑引ビ列 第２０図

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. （１）被測定電流（１２）が流れる導線（１１）と、該
   導線（１１）に被測定電流（１２）が流れた際に、該導
   線（１１）の周囲に発生する磁界（１３）を、該導線（
   １１）の周囲対向領域において磁電変換する磁電変換素
   子（１４）（１５）と、 それぞれの磁電変換素子（１４）（１５）の磁電変換出
   力を合成する合成部と、 で構成することを特徴とする電流検出器。
2. （２）磁電変換素子（１４）（１５）としてホール効果
   素子を使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の電流検出器。
3. （３）磁電変換素子（１４）（１５）として磁気抵抗素
   子を使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の電流検出器。
4. （４）磁電変換素子（１４）（１５）を基板（１８）上
   に配設し、該基板（１８）の所定位置に設けたスルーホ
   ール（１９）に導線（１１）を貫通させたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の電流検出器。
5. （５）磁電変換素子（１４）（１５）として、磁気抵抗
   素子を使用すると共に、該磁気抵抗素子はつづら折り状
   の磁性薄膜帯（２４）と該磁性薄膜（２４）に斜め配置
   で付着した導電飛び（２６）とを有するバーバーポール
   型磁気抵抗素子パターンから成り、該パターンが前記導
   線（１１）を囲むように該導線（１１）の長手方向と垂
   直な面内に配置されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の電流検出器。
6. （６）導線（１１）の周囲対向領域に位置する前記バー
   バーポール型磁気抵抗素子パターンによって前記磁電変
   換素子（１４）（１５）が形成されていることを特徴と
   する特許請求の範囲第５項記載の電流検出器。
7. （７）複数組の磁気抵抗素子はバーバーポール型で構成
   しブリッジ接続され、ブリッジの一方の対角頂点に電圧
   を印加したとき、他方の対角頂点と接続する出力端子か
   らの出力を差動増幅回路に印加することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の電流検出器。
8. （８）バーバーポール型磁気抵抗素子は、基板（１８）
   に設けられたスルーホール（１９）を貫通する導線（１
   １）に対し対称をなし、且つスルーホールを中心とする
   放射状のパターンに構成され、スルーホール（１９）か
   ら引き出して周辺方向に延長した線（３０）とパターン
   を形成する側線（２９）とは所定角度傾いていることを
   特徴とする特許請求の範囲第３項乃至第７項の何れか１
   項記載の電流検出器。
9. （９）バーバーポール型磁気抵抗素子はスルーホールを
   中心とする放射状のパターンに構成され、スルーホール
   からの隔たりにより磁気抵抗素子の幅を変化させないこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の電流検出器
   。
10. （１０）バーバーポール型磁気抵抗素子はスルーホール
    を中心とする放射状のパターンに構成され、スルーホー
    ルからの隔たりにより磁気抵抗素子の幅を変化させるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の電流検出器
    。
11. （１１）シリコン基板（１８）上にマイクロマシーニン
    グ技術により穿孔されたスルーホール（１９）の周辺に
    磁気抵抗素子を形成することを特徴とする特許請求の範
    囲第３項乃至第１０項の何れか１項記載の電流検出器。
12. （１２）磁気抵抗素子を形成するパターンに対し初期磁
    化することに必要な磁界を得るパルス電流を導線（１１
    ）に流しまたは外部磁界を加えて、初期磁化方向をスル
    ーホールから外方へ向かう方向またはスルーホールへ向
    かう方向とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項
    または第３項乃至第８項の何れか１項記載の電流検出器
    。
13. （１３）磁気抵抗素子を形成するパターンの方向を導線
    （１１）の方向と同一にしたことを特徴とする特許請求
    の範囲第１項または第３項記載の電流検出器。
14. （１４）磁気抵抗素子において飽和磁界特性の異なる素
    子を複数個使用し、各素子に共通に影響する電流導線の
    電流の強さに対応した素子を選択して使用することを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の電流検出器。
15. （１５）磁気抵抗素子を基板上スルーホールから外周方
    向に各々異なる半径を有するドーナツ環状に形成したこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電流検出器
    。
16. （１６）磁気抵抗素子を導線と垂直方向の基板上に且つ
    互いに並列させて形成したことを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の電流検出器。
17. （１７）電流を流す導線を多層同軸線としたことを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の電流検出器。
18. （１８）電流を流す導線を基板外周の外部において折り
    返しコイル状に配置したことを特徴とする特許請求の範
    囲第項記載の電流検出器。
19. （１９）磁気変換素子と合成回路とをシールドケース内
    に格納したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の電流検出器。