JPS6325493B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6325493B2 JPS6325493B2 JP55028364A JP2836480A JPS6325493B2 JP S6325493 B2 JPS6325493 B2 JP S6325493B2 JP 55028364 A JP55028364 A JP 55028364A JP 2836480 A JP2836480 A JP 2836480A JP S6325493 B2 JPS6325493 B2 JP S6325493B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electroless plating
- element body
- plating layer
- electrode
- catalyst
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セラミツク基板等より成る素体の表
面に無電解メツキによる電極を形成する方法に関
する。
面に無電解メツキによる電極を形成する方法に関
する。
磁器コンデンサ、正特性サーミスタもしくはバ
リスタ等の酸化物磁器半導体またはIC基板の配
線パターン等の各種の電子部品に電極を形成する
方法として、従来より、ニツケル、銅等の卑金属
を主成分とする無電解メツキ法が知られている。
この無電解メツキ法は、高価な銀の代用としてコ
ストダウンを図るため、あるいは素体の有する電
気的特性を有効に引き出すため等に採用されるも
のであるが、無電解メツキ層の密着性向上のた
め、予め素体の電極形成領域を活性化させる必要
がある。従来は、この素体の活性化にあたつて、
塩化パラジウムPdCl2、塩化錫SnCl2等の溶液中
に素体を浸漬し、これによつて素体の表面に付着
したパラジウムPdもしくは錫Snをメツキ反応の
触媒として作用させるようにしてあつた。第１図
ａ〜ｅはこの従来の電極形成方法を説明するため
の図である。
リスタ等の酸化物磁器半導体またはIC基板の配
線パターン等の各種の電子部品に電極を形成する
方法として、従来より、ニツケル、銅等の卑金属
を主成分とする無電解メツキ法が知られている。
この無電解メツキ法は、高価な銀の代用としてコ
ストダウンを図るため、あるいは素体の有する電
気的特性を有効に引き出すため等に採用されるも
のであるが、無電解メツキ層の密着性向上のた
め、予め素体の電極形成領域を活性化させる必要
がある。従来は、この素体の活性化にあたつて、
塩化パラジウムPdCl2、塩化錫SnCl2等の溶液中
に素体を浸漬し、これによつて素体の表面に付着
したパラジウムPdもしくは錫Snをメツキ反応の
触媒として作用させるようにしてあつた。第１図
ａ〜ｅはこの従来の電極形成方法を説明するため
の図である。
まず、表面の粗面化、洗浄、脱脂、乾燥、鋭敏
化等の前処理を施した素体１（第１図ａ）を、
PdCl2またはSnCl2等の溶液２中に浸漬（第１図
ｂ）して、素体１の全表面を活性化する。前記
PdCl2またはSnCl2溶液２は、濃度が0.01〜0.05％
程度の希薄水性溶液であり、素体１はこの溶液２
中に25℃の温度条件で１〜２分間浸漬する。この
後、素体１を溶液２中から引き上げると、素体１
の全面に、メツキ反応の開始剤となるPdCl2また
はSnCl2等の触媒剤３が付着する（第１図ｃ）。
こうして得られた素体１をニツケルまたは銅等を
主成分とする無電解メツキ浴４中に浸漬（第１図
ｄ）すると、素体１の全表面に付着している
PdCl2またはSnCl2がメツキ反応の触媒剤となり、
素体１の全表面に無電解メツキ層５が付着する
（第１図ｅ）。
化等の前処理を施した素体１（第１図ａ）を、
PdCl2またはSnCl2等の溶液２中に浸漬（第１図
ｂ）して、素体１の全表面を活性化する。前記
PdCl2またはSnCl2溶液２は、濃度が0.01〜0.05％
程度の希薄水性溶液であり、素体１はこの溶液２
中に25℃の温度条件で１〜２分間浸漬する。この
後、素体１を溶液２中から引き上げると、素体１
の全面に、メツキ反応の開始剤となるPdCl2また
はSnCl2等の触媒剤３が付着する（第１図ｃ）。
こうして得られた素体１をニツケルまたは銅等を
主成分とする無電解メツキ浴４中に浸漬（第１図
ｄ）すると、素体１の全表面に付着している
PdCl2またはSnCl2がメツキ反応の触媒剤となり、
素体１の全表面に無電解メツキ層５が付着する
（第１図ｅ）。
次に、洗浄、乾燥工程等を通した後、メツキ層
５の不要部分を化学的エツチング法またはセンタ
レス研磨法（第１図ｆ）等によつて除去して所定
の電極パターンとした後、洗浄、熱処理等の必要
な工程を通し、メツキ層５の上に錫、ハンダメツ
キ層を施して半田付け性を向上させ、更に洗浄、
乾燥工程を経て完成する。
５の不要部分を化学的エツチング法またはセンタ
レス研磨法（第１図ｆ）等によつて除去して所定
の電極パターンとした後、洗浄、熱処理等の必要
な工程を通し、メツキ層５の上に錫、ハンダメツ
キ層を施して半田付け性を向上させ、更に洗浄、
乾燥工程を経て完成する。
上述の如く、従来は、素体の活性化にあたつ
て、PdCl2またはSnCl2溶液中に素体を浸漬し、
素体の全表面に無電解メツキ層を形成する方法を
採用していたため、電極形成領域のみに限定した
部分選択メツキが不可能であつて、無電解メツキ
処理後に、不要なメツキ層を化学的エツチングま
たはセンタレス研磨等によつて除去せざるを得な
かつた。このため、従来の電極形成方法には、次
のような欠点があつた。
て、PdCl2またはSnCl2溶液中に素体を浸漬し、
素体の全表面に無電解メツキ層を形成する方法を
採用していたため、電極形成領域のみに限定した
部分選択メツキが不可能であつて、無電解メツキ
処理後に、不要なメツキ層を化学的エツチングま
たはセンタレス研磨等によつて除去せざるを得な
かつた。このため、従来の電極形成方法には、次
のような欠点があつた。
(1) 不要なメツキ層の除去工程、活性化工程に入
るための前処理工程等、工程数が多く、製造コ
ストが高くつく。
るための前処理工程等、工程数が多く、製造コ
ストが高くつく。
(2) センタレス研磨またはサンドブレスト等によ
り不要なメツキ層５を削除する場合、金属層た
るメツキ層５を機械的に直接削除することとな
るため、メツキ層５の界面剥離、接着強度の低
下、それに伴う経時的劣化、素体１の破損もし
くは割れ、またはマイクロラツクの発生等を招
き易く、信頼性の高いものを歩留まりよく製造
することが非常に困難であつた。特に素体が薄
い場合には機械的強度の不足から、製品化を断
念せざるを得ない場合もあつた。
り不要なメツキ層５を削除する場合、金属層た
るメツキ層５を機械的に直接削除することとな
るため、メツキ層５の界面剥離、接着強度の低
下、それに伴う経時的劣化、素体１の破損もし
くは割れ、またはマイクロラツクの発生等を招
き易く、信頼性の高いものを歩留まりよく製造
することが非常に困難であつた。特に素体が薄
い場合には機械的強度の不足から、製品化を断
念せざるを得ない場合もあつた。
(3) センタレス研磨にあたつては、第１図ｆに示
すように、10〜15個程度の素体１をパラフイン
等の接着剤６を用いて一連に連結し、この状態
でセンタレス研磨を行なうのが通例であるが、
このような手段を講じても、メツキ層５が直接
削除されることに変りはないので、前述の諸欠
点は除去できず、却つて工程の煩しさや、メツ
キ層５の損傷、メツキ層５間の展延、絡みによ
る素体１の分離困難性等を招き易い。
すように、10〜15個程度の素体１をパラフイン
等の接着剤６を用いて一連に連結し、この状態
でセンタレス研磨を行なうのが通例であるが、
このような手段を講じても、メツキ層５が直接
削除されることに変りはないので、前述の諸欠
点は除去できず、却つて工程の煩しさや、メツ
キ層５の損傷、メツキ層５間の展延、絡みによ
る素体１の分離困難性等を招き易い。
(4) 化学的エツチング法によつてメツキ層５の不
要部分を除去する場合には、エツチング処理工
程が多く、製造コストアツプを招くうえに、エ
ツチング液等により素体１が損傷を受け、電気
的諸特性の劣化を招き易い。
要部分を除去する場合には、エツチング処理工
程が多く、製造コストアツプを招くうえに、エ
ツチング液等により素体１が損傷を受け、電気
的諸特性の劣化を招き易い。
(5) 素体１上に単純に無電解メツキを施す方法で
あるため、メツキ層５の接着強度が弱く、また
メツキ液の残留イオンがメツキ層５と素体１と
の界面に介在し、メツキ層５の剥離、それによ
る電気的諸特性の劣化もしくは経時的劣化等を
招き易い。また正特性サーミスタでは、オーミ
ツクコンタクトを得るため、メツキ層５の上に
フリツト含有銀焼付電極を形成してメツキ層５
の接着強度を向上させると共に、経時的劣化を
防止し、半田付け性を向上させる方法も提案さ
れているが、銀は資源的に有限であり、また最
近著るしく値上りしており、大幅なコストアツ
プを招く。
あるため、メツキ層５の接着強度が弱く、また
メツキ液の残留イオンがメツキ層５と素体１と
の界面に介在し、メツキ層５の剥離、それによ
る電気的諸特性の劣化もしくは経時的劣化等を
招き易い。また正特性サーミスタでは、オーミ
ツクコンタクトを得るため、メツキ層５の上に
フリツト含有銀焼付電極を形成してメツキ層５
の接着強度を向上させると共に、経時的劣化を
防止し、半田付け性を向上させる方法も提案さ
れているが、銀は資源的に有限であり、また最
近著るしく値上りしており、大幅なコストアツ
プを招く。
本発明は上述する従来の諸欠点を一掃し、メツ
キ層の除去工程を必要とすることなく、素体の電
極形成領域に直接的に所定パターンの無電解メツ
キ層を形成することができ、工程数が少なく経済
的で、しかも信頼性の高い電極を形成し得る電極
形成方法を提供することを目的とする。
キ層の除去工程を必要とすることなく、素体の電
極形成領域に直接的に所定パターンの無電解メツ
キ層を形成することができ、工程数が少なく経済
的で、しかも信頼性の高い電極を形成し得る電極
形成方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係る電子部
品の電極形成方法は、素体の表面に無電解メツキ
層より成る電極を形成する場合に、前記素体の電
極形成領域に、ガラス質フリツトを含有し前記無
電解メツキ反応の触媒となる触媒ペーストを塗布
し、その後に無電解メツキ処理を施すことを特徴
とする。
品の電極形成方法は、素体の表面に無電解メツキ
層より成る電極を形成する場合に、前記素体の電
極形成領域に、ガラス質フリツトを含有し前記無
電解メツキ反応の触媒となる触媒ペーストを塗布
し、その後に無電解メツキ処理を施すことを特徴
とする。
以下実施例たる添付図面を参照し、本発明の内
容を具体的に説明する。第２図ａ〜ｄは本発明に
係る電子部品の電極形成方法の工程を示す図であ
る。
容を具体的に説明する。第２図ａ〜ｄは本発明に
係る電子部品の電極形成方法の工程を示す図であ
る。
所定の形状となるように形成された素体１（第
２図ａ）の両面の電極形成領域に、ガラス質フリ
ツト無電解メツキ反応の触媒となる触媒ペースト
７を、所定パターンとなるように、たとえばスク
リーン印刷等の手段によつて塗布する。前記触媒
ペースト７は、従来のPdCl2、SnCl2より成る触
媒溶液と同量のPdまたはSnを含有するペースト
であることが望ましい。具体的には、たとえば99
％のペーストラツカ１％のPdキレート（エチレ
ンジアミン四酢酸パラジウム）、Pd脂肪酸塩また
は塩化錫を混合したペースト等が適当である。
２図ａ）の両面の電極形成領域に、ガラス質フリ
ツト無電解メツキ反応の触媒となる触媒ペースト
７を、所定パターンとなるように、たとえばスク
リーン印刷等の手段によつて塗布する。前記触媒
ペースト７は、従来のPdCl2、SnCl2より成る触
媒溶液と同量のPdまたはSnを含有するペースト
であることが望ましい。具体的には、たとえば99
％のペーストラツカ１％のPdキレート（エチレ
ンジアミン四酢酸パラジウム）、Pd脂肪酸塩また
は塩化錫を混合したペースト等が適当である。
次に、触媒ペースト７を塗布した素体１を通炉
し、300℃前後の温度条件で、10〜60分間位加熱
することにより、触媒ペースト７の有機物を分解
遊離させると共に、Pd、Sn等の金属成分を素体
１の表面に焼付ける。この場合、予め触媒ペース
ト７に硼けい酸鉛ガラス粉末等のガラス質フリツ
トを微量添加してあるので、周知のフリツト含有
銀ペーストの焼付の場合と同様に、素体界面にフ
リツトが密着し、Pd、Sn等の金属成分を、溶解
したフリツトにより、素体１上に強固に密着させ
ることができる。
し、300℃前後の温度条件で、10〜60分間位加熱
することにより、触媒ペースト７の有機物を分解
遊離させると共に、Pd、Sn等の金属成分を素体
１の表面に焼付ける。この場合、予め触媒ペース
ト７に硼けい酸鉛ガラス粉末等のガラス質フリツ
トを微量添加してあるので、周知のフリツト含有
銀ペーストの焼付の場合と同様に、素体界面にフ
リツトが密着し、Pd、Sn等の金属成分を、溶解
したフリツトにより、素体１上に強固に密着させ
ることができる。
次に、素体１をたとえば１％の塩酸水溶液に10
分間程度浸漬して活性化し、更に水洗した後、無
電解メツキ浴８中に浸漬する（第２図ｃ）。無電
解メツキ浴８は、基本的に、従来より良く知られ
ている組成のニツケル系または銅系のもので良
い。ニツケル系の無電解メツキ浴としては、塩化
ニツケル−次亜燐酸ナトリウム−ヒドロキシン酢
酸ナトリウム浴、塩化ニツケル−次亜燐酸ナトリ
ウム−クエン酸ナトリウム浴、硫酸ニツケル−次
亜燐酸ナトリウム−酢酸ナトリウム浴、塩化ニツ
ケル−次亜燐酸ナトリウム−コハク酸ナトリウム
浴が適当であり、また銅系の無電解メツキ浴とし
ては、硫酸銅−酒石酸ナトリウム浴や硫酸銅−
EDTAナトリウム浴が適当である。
分間程度浸漬して活性化し、更に水洗した後、無
電解メツキ浴８中に浸漬する（第２図ｃ）。無電
解メツキ浴８は、基本的に、従来より良く知られ
ている組成のニツケル系または銅系のもので良
い。ニツケル系の無電解メツキ浴としては、塩化
ニツケル−次亜燐酸ナトリウム−ヒドロキシン酢
酸ナトリウム浴、塩化ニツケル−次亜燐酸ナトリ
ウム−クエン酸ナトリウム浴、硫酸ニツケル−次
亜燐酸ナトリウム−酢酸ナトリウム浴、塩化ニツ
ケル−次亜燐酸ナトリウム−コハク酸ナトリウム
浴が適当であり、また銅系の無電解メツキ浴とし
ては、硫酸銅−酒石酸ナトリウム浴や硫酸銅−
EDTAナトリウム浴が適当である。
これらの無電解メツキ浴に、素体１を浴温80〜
90℃程度の温度条件で、５〜30分間位浸漬する。
この場合、素体１の電極形成領域上に設けた触媒
ペースト塗布部分は、素体１の表面に焼付けてあ
るPd、Sn等の金属成分が無電解メツキ反応の触
媒として働くので、この部分には無電解メツキ層
が析出するが、触媒ペーストを塗布しなかつた他
の部分には無電解メツキ層が析出することができ
ず、したがつて、電極形成領域にのみ選択的に無
電解メツキ層９が形成されることとなる（第１図
ｄ）。
90℃程度の温度条件で、５〜30分間位浸漬する。
この場合、素体１の電極形成領域上に設けた触媒
ペースト塗布部分は、素体１の表面に焼付けてあ
るPd、Sn等の金属成分が無電解メツキ反応の触
媒として働くので、この部分には無電解メツキ層
が析出するが、触媒ペーストを塗布しなかつた他
の部分には無電解メツキ層が析出することができ
ず、したがつて、電極形成領域にのみ選択的に無
電解メツキ層９が形成されることとなる（第１図
ｄ）。
このようにして、電極形成領域にのみメツキ層
９を選択的に形成し、更に水洗し、乾燥させた
後、密着力を向上させる目的でN2雰囲気中で、
400℃前後の温度条件で、１時間程度、熱処理す
る。これにより、素体１の表面に付着していたフ
リツトが再度溶解し、この溶解したフリツトによ
り、メツキ液の残留イオンが界面に残ることな
く、メツキ層９が素体１の表面に強固に密着さ
れ、電極の界面剥離や電気的特性の劣化、経時的
劣化が有効に防止される。
９を選択的に形成し、更に水洗し、乾燥させた
後、密着力を向上させる目的でN2雰囲気中で、
400℃前後の温度条件で、１時間程度、熱処理す
る。これにより、素体１の表面に付着していたフ
リツトが再度溶解し、この溶解したフリツトによ
り、メツキ液の残留イオンが界面に残ることな
く、メツキ層９が素体１の表面に強固に密着さ
れ、電極の界面剥離や電気的特性の劣化、経時的
劣化が有効に防止される。
以上の工程を経て、本発明に係る電子部品は、
電極にリード線を半田付けできる状態となるが、
更に半田付け条件に応じてメツキ層９上に錫、半
田メツキを施して半田付け性を向上させた後、洗
浄し、乾燥させてもよい。このように、メツキ層
９上に錫・半田メツキを施す構造であると、銀焼
付けの場合に比較して遥かに安価で、しかも半田
付け性に優れた電極構造とすることができる。
電極にリード線を半田付けできる状態となるが、
更に半田付け条件に応じてメツキ層９上に錫、半
田メツキを施して半田付け性を向上させた後、洗
浄し、乾燥させてもよい。このように、メツキ層
９上に錫・半田メツキを施す構造であると、銀焼
付けの場合に比較して遥かに安価で、しかも半田
付け性に優れた電極構造とすることができる。
以上述べたように、本発明に係る電子部品の電
極形成方法は、素体の表面に無電解メツキ層より
成る電極を形成する場合に、前記素体の電極形成
領域に、ガラス質フリツトを含有し前記無電解メ
ツキ反応の触媒となる触媒ペーストを塗布し、そ
の後に無電解メツキ処理を施すことを特徴とする
から、次のような効果がある。
極形成方法は、素体の表面に無電解メツキ層より
成る電極を形成する場合に、前記素体の電極形成
領域に、ガラス質フリツトを含有し前記無電解メ
ツキ反応の触媒となる触媒ペーストを塗布し、そ
の後に無電解メツキ処理を施すことを特徴とする
から、次のような効果がある。
(1) 電極形成領域に限つて、部分選択的に無電解
メツキを施すことができる。この結果、 (イ) 無電解メツキ層の不要部分を除去する工程
が不要となり、工程数が減少し、量産性が向
上し、製造コストが低下する。
メツキを施すことができる。この結果、 (イ) 無電解メツキ層の不要部分を除去する工程
が不要となり、工程数が減少し、量産性が向
上し、製造コストが低下する。
(ロ) センタレス研磨等に見られたような、メツ
キ層の界面剥離、接着強度の低下、経時的劣
化、素体の破損または割れ、マイクロクラツ
クの発生等の各種トラブルを生じる余地がな
く、高信頼度のものを歩留まり良く製造する
ことができる。
キ層の界面剥離、接着強度の低下、経時的劣
化、素体の破損または割れ、マイクロクラツ
クの発生等の各種トラブルを生じる余地がな
く、高信頼度のものを歩留まり良く製造する
ことができる。
(ハ) 素体の厚みが薄くなつても、何らの障害も
なく、無電解メツキ層による電極を形成する
ことができる。
なく、無電解メツキ層による電極を形成する
ことができる。
(ニ) 化学的エツチング処理工程に見られるよう
な素体の損傷を生じる余地がない。
な素体の損傷を生じる余地がない。
(2) 触媒ペーストにガラス質フリツトを含有させ
ることにより、素体に対するメツキ層の密着強
度を向上させ、界面剥離、経時的劣化等を有効
に防止することができる。しかも、従来の銀焼
付方法による密着強度の向上の場合に比較し
て、遥かに安価になる。
ることにより、素体に対するメツキ層の密着強
度を向上させ、界面剥離、経時的劣化等を有効
に防止することができる。しかも、従来の銀焼
付方法による密着強度の向上の場合に比較し
て、遥かに安価になる。
(3) 実施例に示したように、メツキ層上の錫・半
田メツキを施すことにより、従来の銀焼付方法
に比較して遥かに安価で、半田付け性に優れた
電極を形成することができる。
田メツキを施すことにより、従来の銀焼付方法
に比較して遥かに安価で、半田付け性に優れた
電極を形成することができる。
(4) 銀を使用していないので、シルバーマイグレ
ーシヨンや半田喰われ現象等を生じる余地がな
く、信頼性が向上する。
ーシヨンや半田喰われ現象等を生じる余地がな
く、信頼性が向上する。
第１図ａ〜ｆは従来の電子部品の電極形成方法
を示す図、第２図は本発明に係る電子部品の電極
形成方法を示す図である。 １……素体、７……触媒ペースト、９……無電
解メツキ層。
を示す図、第２図は本発明に係る電子部品の電極
形成方法を示す図である。 １……素体、７……触媒ペースト、９……無電
解メツキ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 素体の表面に無電解メツキ層より成る電極を
形成する場合に、前記素体の電極形成領域に、ガ
ラス質フリツトを含有し前記無電解メツキ反応の
触媒となる触媒ペーストを塗布し、その後に無電
解メツキ処理を施すことを特徴とする電子部品の
電極形成法。 ２ 前記触媒ペーストはパラジウムのキレートま
たは脂肪酸塩を含有することを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の電子部品の電極形成法。 ３ 前記触媒ペーストは塩化錫を含有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子部
品の電極形成法。 ４ 無電解メツキ処理を施した後、該無電解メツ
キ層上に錫・半田メツキを施すことを特徴とする
特許請求の範囲第１項、第２項または第３項に記
載の電子部品の電極形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2836480A JPS56124223A (en) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | Method of forming electrode for electronic part |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2836480A JPS56124223A (en) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | Method of forming electrode for electronic part |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56124223A JPS56124223A (en) | 1981-09-29 |
| JPS6325493B2 true JPS6325493B2 (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=12246562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2836480A Granted JPS56124223A (en) | 1980-03-05 | 1980-03-05 | Method of forming electrode for electronic part |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56124223A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187925A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-18 | Murata Manufacturing Co | Ceramic condenser |
| DE3143995A1 (de) * | 1981-11-05 | 1983-05-19 | Preh, Elektrofeinmechanische Werke, Jakob Preh, Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt | Dickschichtkondensator in druckschaltungstechnik |
| JPS592126U (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-09 | ティーディーケイ株式会社 | 非絶縁型コンデンサ |
| JPS60107801A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | コーア株式会社 | チツプ抵抗器とその製造方法 |
| JPH0220093A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Tdk Corp | 高周波用誘電体セラミック上に設けられる電極、及びその形成方法 |
| JPH0284701A (ja) * | 1989-08-24 | 1990-03-26 | Nippon Denso Co Ltd | 正特性磁器半導体の電極の形成方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347340A (en) * | 1976-10-13 | 1978-04-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Salt bath treating means |
| JPS5426459A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of forming electrode terminals for tip parts |
| JPS56116613A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing ceramic electronic part |
| JPS56118322A (en) * | 1980-02-21 | 1981-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing ceramic condenser |
-
1980
- 1980-03-05 JP JP2836480A patent/JPS56124223A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56124223A (en) | 1981-09-29 |
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