JPS63255955A - 入力保護回路 - Google Patents
入力保護回路Info
- Publication number
- JPS63255955A JPS63255955A JP9117187A JP9117187A JPS63255955A JP S63255955 A JPS63255955 A JP S63255955A JP 9117187 A JP9117187 A JP 9117187A JP 9117187 A JP9117187 A JP 9117187A JP S63255955 A JPS63255955 A JP S63255955A
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- JP
- Japan
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- polycrystalline silicon
- semiconductor substrate
- circuit
- film
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- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は入力保護回路に関し、特に半導体集積回路装置
に用いられる入力保護回路に関する。
に用いられる入力保護回路に関する。
従来半導体集積回路装置に用いられている入力保護回路
としては、多結晶シリコンから成る直列抵抗素子を信号
入力回路に直列に挿入したものが知られている。
としては、多結晶シリコンから成る直列抵抗素子を信号
入力回路に直列に挿入したものが知られている。
上述した従来の入力保護回路は、直列抵抗素子としての
多結晶シリコンと半導体基板との間には酸化膜と層間絶
縁膜があるだけであり、信号入力端子に静電気などによ
り高電圧が印加された場合、多結晶シリコン側に電界が
集中するため、ここから絶縁破壊が生じて半導体基板と
多結晶シリコンとが短絡し、半導体集積回路が動作不能
となるという問題点がある。
多結晶シリコンと半導体基板との間には酸化膜と層間絶
縁膜があるだけであり、信号入力端子に静電気などによ
り高電圧が印加された場合、多結晶シリコン側に電界が
集中するため、ここから絶縁破壊が生じて半導体基板と
多結晶シリコンとが短絡し、半導体集積回路が動作不能
となるという問題点がある。
本発明の目的は、入力端子に高電圧が印加されたときに
直列抵抗素子としての多結晶シリコンと半導体基板との
短絡が発生しにくい入力保護回路を提供することにある
。
直列抵抗素子としての多結晶シリコンと半導体基板との
短絡が発生しにくい入力保護回路を提供することにある
。
し問題点を解決するための手段〕
本発明の入力保護回路は、半導体集積回路装置の信号入
力回路に直列に挿入された多結晶シリコンから成る直列
抵抗素子を有する入力保護回路において、前記直列抵抗
素子と半導体基板との間に前記直列抵抗素子の幅よりも
広く前記半導体基板および電源線その他いかなる信号線
にも接続されていない浮遊状態の多結晶シリコン膜を設
けて構成されている。
力回路に直列に挿入された多結晶シリコンから成る直列
抵抗素子を有する入力保護回路において、前記直列抵抗
素子と半導体基板との間に前記直列抵抗素子の幅よりも
広く前記半導体基板および電源線その他いかなる信号線
にも接続されていない浮遊状態の多結晶シリコン膜を設
けて構成されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図はそのＡ−
Ａ’断面図である。半導体基板１上には酸化膜２が形成
され、その上に電気的にどこにも接続されていない浮遊
状態の多結晶シリコン膜３が形成されている。多結晶シ
リコン膜３の上には層間絶縁膜４があり、その上に入力
回路に直列に挿入されている多結晶シリコンから成る直
列抵抗素’：ｉ’−５が設けられている。この直列抵抗
素子５にはコンタクト孔６が設けられ、金属配線（アル
ミニウム）７を介して信号入力端子に接続するための入
力パッド８に接続されている。多結晶シリコン膜３の幅
りは直列抵抗素子５の幅ｄに対して十分広く選定されて
いる。なお、参照番号９は初段回路を構成する拡散層で
ある。
Ａ’断面図である。半導体基板１上には酸化膜２が形成
され、その上に電気的にどこにも接続されていない浮遊
状態の多結晶シリコン膜３が形成されている。多結晶シ
リコン膜３の上には層間絶縁膜４があり、その上に入力
回路に直列に挿入されている多結晶シリコンから成る直
列抵抗素’：ｉ’−５が設けられている。この直列抵抗
素子５にはコンタクト孔６が設けられ、金属配線（アル
ミニウム）７を介して信号入力端子に接続するための入
力パッド８に接続されている。多結晶シリコン膜３の幅
りは直列抵抗素子５の幅ｄに対して十分広く選定されて
いる。なお、参照番号９は初段回路を構成する拡散層で
ある。
上述の構成によれば、静電気などにより信号入力端子に
高電圧が加わった場合、直列抵抗素子５の付近に電界が
集中して絶縁破壊が発生したとしても、眉間絶縁膜４が
破壊して多結晶シリコン膜３との間が短絡するだけで止
まり、半導体基板１に達しないで済むため致命傷とはな
らない、すなわち、多結晶シリコン膜３と金属配線７と
が短絡状態となった場合でも、多結晶シリコ膜３は幅が
広く面積も大きいため電界の集中が少なく、酸化膜２に
は絶縁破壊が発生しにくいため、多結晶シリコン膜３と
半導体基板１との間隔が小さくてもほぼ同等の耐圧を持
たせることが可能である。従って、直列抵抗素子５と多
結晶シリコン膜３が短絡した場合は、入力容量は大きく
なるが耐圧としては従来とほぼ同等の値を持たせること
かで・きる。
高電圧が加わった場合、直列抵抗素子５の付近に電界が
集中して絶縁破壊が発生したとしても、眉間絶縁膜４が
破壊して多結晶シリコン膜３との間が短絡するだけで止
まり、半導体基板１に達しないで済むため致命傷とはな
らない、すなわち、多結晶シリコン膜３と金属配線７と
が短絡状態となった場合でも、多結晶シリコ膜３は幅が
広く面積も大きいため電界の集中が少なく、酸化膜２に
は絶縁破壊が発生しにくいため、多結晶シリコン膜３と
半導体基板１との間隔が小さくてもほぼ同等の耐圧を持
たせることが可能である。従って、直列抵抗素子５と多
結晶シリコン膜３が短絡した場合は、入力容量は大きく
なるが耐圧としては従来とほぼ同等の値を持たせること
かで・きる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明は、入力保護回路の直列抵
抗素子としての多結晶シリコンと半導体基板との間に、
浮遊状態の幅の広い多結晶シリコン膜を有することによ
り、高電圧の印加によって直列抵抗素子としての多結晶
シリコン付近から絶縁破壊を起こすことがあっても、半
導体基板との短絡を防止でき、信頼性が向上するという
効果を有する。
抗素子としての多結晶シリコンと半導体基板との間に、
浮遊状態の幅の広い多結晶シリコン膜を有することによ
り、高電圧の印加によって直列抵抗素子としての多結晶
シリコン付近から絶縁破壊を起こすことがあっても、半
導体基板との短絡を防止でき、信頼性が向上するという
効果を有する。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図はその断面
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・・・・多結晶シリコン膜、４・・・・・・層間絶
縁膜、５・・・・・・直列抵抗素子、６・・・・・・コ
ンタクト孔、７・・・・・・金属配線、８・・・・・・
入力パッド、９・・・・・・拡散層。 箔 １ 目 フ紘敞層
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・・・・多結晶シリコン膜、４・・・・・・層間絶
縁膜、５・・・・・・直列抵抗素子、６・・・・・・コ
ンタクト孔、７・・・・・・金属配線、８・・・・・・
入力パッド、９・・・・・・拡散層。 箔 １ 目 フ紘敞層
Claims (1)
- 半導体集積回路装置の信号入力回路に直列に挿入され
た多結晶シリコンから成る直列抵抗素子を有する入力保
護回路において、前記直列抵抗素子と半導体基板との間
に前記直列抵抗素子の幅よりも広く前記半導体基板およ
び電源線その他いかなる信号線にも接続されていない浮
遊状態の多結晶シリコン膜を設けたことを特徴とする入
力保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9117187A JPS63255955A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 入力保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9117187A JPS63255955A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 入力保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63255955A true JPS63255955A (ja) | 1988-10-24 |
Family
ID=14019021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9117187A Pending JPS63255955A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 入力保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63255955A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511667A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電子写真画像形成装置 |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP9117187A patent/JPS63255955A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511667A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電子写真画像形成装置 |
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