JPS62165362A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS62165362A JPS62165362A JP623186A JP623186A JPS62165362A JP S62165362 A JPS62165362 A JP S62165362A JP 623186 A JP623186 A JP 623186A JP 623186 A JP623186 A JP 623186A JP S62165362 A JPS62165362 A JP S62165362A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特に静電気等によ
る高電圧に対する絶縁破壊強度を向上した半導体集積回
路装置に関する。
る高電圧に対する絶縁破壊強度を向上した半導体集積回
路装置に関する。
従来、半導体集積回路装置では静電気等の高電圧に対す
る絶縁破壊強度を向上するために、特にこれらの過電圧
が印加される外部端子の近傍では拡散層や金属配線にレ
イアウト上の工夫がなされている。例えば、第２図のよ
うに半導体基板１１に形成した外部端子としての金属配
線１２と保護抵抗としての拡散層１３とのコンタクト部
１４に拡散層端の余裕１３ａを設けている。またこれに
近接する金属配線１５と他の拡散層（例えば■。。
る絶縁破壊強度を向上するために、特にこれらの過電圧
が印加される外部端子の近傍では拡散層や金属配線にレ
イアウト上の工夫がなされている。例えば、第２図のよ
うに半導体基板１１に形成した外部端子としての金属配
線１２と保護抵抗としての拡散層１３とのコンタクト部
１４に拡散層端の余裕１３ａを設けている。またこれに
近接する金属配線１５と他の拡散層（例えば■。。
電位）１６とのコンタク１〜部１７を、前記保護抵抗と
しての拡散層１３から十分に離されるように両者の間隔
に十分な余裕を設けている。
しての拡散層１３から十分に離されるように両者の間隔
に十分な余裕を設けている。
上述した従来のパターンレイアウトでは、前記した箇所
における夫々の余裕は十分であるが、保護抵抗としての
拡散層１３に近接する金属配線１５と拡散層１６とのコ
ンタクト部１７における拡散層端の余裕については特に
考慮されることばなく、他の内部回路と同様に製造上の
最小余裕でパターン構成されている。
における夫々の余裕は十分であるが、保護抵抗としての
拡散層１３に近接する金属配線１５と拡散層１６とのコ
ンタクト部１７における拡散層端の余裕については特に
考慮されることばなく、他の内部回路と同様に製造上の
最小余裕でパターン構成されている。
ところで、外部端子としての金属配線１２に静電気等に
よる高電圧が印加された場合、この金属配線１２に接続
した拡散層１３とこれに近接する拡散層１６との間に電
流経路が構成されて多大な電流が流れることがある。す
ると、この多大な電流とこれが原因とされる発熱によっ
て金属配線１２や１５において金属原子のマイグレーシ
ョン現象が引き起こされる。そして、このとき上述のよ
うに拡散層１６と金属配線１５とのコンタクト部１７に
おける拡散層端の余裕が小さいと、このマイグレーショ
ン現象は第３図に示すように半導体基板１１とフィール
ド酸化膜１８或いは層間絶縁膜１９の界面を通して進行
し、ついにはこの部分の絶縁を破壊して半導体基板１１
と金属配線１５を短絡させてしまうことになる。
よる高電圧が印加された場合、この金属配線１２に接続
した拡散層１３とこれに近接する拡散層１６との間に電
流経路が構成されて多大な電流が流れることがある。す
ると、この多大な電流とこれが原因とされる発熱によっ
て金属配線１２や１５において金属原子のマイグレーシ
ョン現象が引き起こされる。そして、このとき上述のよ
うに拡散層１６と金属配線１５とのコンタクト部１７に
おける拡散層端の余裕が小さいと、このマイグレーショ
ン現象は第３図に示すように半導体基板１１とフィール
ド酸化膜１８或いは層間絶縁膜１９の界面を通して進行
し、ついにはこの部分の絶縁を破壊して半導体基板１１
と金属配線１５を短絡させてしまうことになる。
このため、このコンタクト部１７における電圧強度が著
しく低下され、これによって半導体集積回路装置全体の
絶縁破壊強度が低下され、その信頼性を低下させる原因
となっている。
しく低下され、これによって半導体集積回路装置全体の
絶縁破壊強度が低下され、その信頼性を低下させる原因
となっている。
本発明の半導体集積回路装置は、外部端子に接続された
拡散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部
における電圧強度を向上し、半導体集積回路装置全体の
電圧破壊強度の向上及びその信軌性の向上を達成するも
のである。
拡散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部
における電圧強度を向上し、半導体集積回路装置全体の
電圧破壊強度の向上及びその信軌性の向上を達成するも
のである。
本発明の半導体集積回路装置は、外部端子に接続された
拡散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部
における拡散層端の余裕を少なくとも他のコンタクト部
よりも大きく形成する構成としている。
拡散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部
における拡散層端の余裕を少なくとも他のコンタクト部
よりも大きく形成する構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示しており、シリコン等の
半導体基板１上には外部端子としての金属配線２を設け
、これを半導体基板１の主面に形成した保護抵抗として
のＮ型拡散層３にコンタクト部４で接続している。また
、この拡散層３に近接する位置には■。、電位に接続さ
れる金属配線５及びＮ型拡散層６を配設し、両者をコン
タクト部７において接続している。
半導体基板１上には外部端子としての金属配線２を設け
、これを半導体基板１の主面に形成した保護抵抗として
のＮ型拡散層３にコンタクト部４で接続している。また
、この拡散層３に近接する位置には■。、電位に接続さ
れる金属配線５及びＮ型拡散層６を配設し、両者をコン
タクト部７において接続している。
そして、前記コンタクト部４ではこれまでと同様に拡散
層３の端部の余裕３ａを十分大きなものに設定するとと
もに、前記コンタクト部７においても拡散層６の端部の
余裕６ａを可及的に大きく設定している。特に、この拡
散層６の余裕６ａは、内部回路等の他の箇所におけるコ
ンタクト部よりも十分大きな寸法に設定している。
層３の端部の余裕３ａを十分大きなものに設定するとと
もに、前記コンタクト部７においても拡散層６の端部の
余裕６ａを可及的に大きく設定している。特に、この拡
散層６の余裕６ａは、内部回路等の他の箇所におけるコ
ンタクト部よりも十分大きな寸法に設定している。
したがって、この構成によれば外部端子としての金属配
線２に静電気等による高電圧が印加された場合に、上述
したように拡散層３と６との間に電流経路が形成され、
この電流及びこれに伴う発熱が原因となって各金属配線
２と５にマイグレーション現象が引き起こされるが、コ
ンタクト部７には拡散層６の大きな余裕６ａを設けてい
るために、第３図に示したような界面を通してのマイグ
レーションの進行が生ずることはなく、半導体基板１と
金属配線５等との短絡を防止してその絶縁破壊の強度を
向上できる。
線２に静電気等による高電圧が印加された場合に、上述
したように拡散層３と６との間に電流経路が形成され、
この電流及びこれに伴う発熱が原因となって各金属配線
２と５にマイグレーション現象が引き起こされるが、コ
ンタクト部７には拡散層６の大きな余裕６ａを設けてい
るために、第３図に示したような界面を通してのマイグ
レーションの進行が生ずることはなく、半導体基板１と
金属配線５等との短絡を防止してその絶縁破壊の強度を
向上できる。
因に、本発明者の測定によれば、余裕が０．５μｍでは
破壊電圧が２００ｖであったものが、余裕を１．５μｍ
にすることにより破壊電圧を４００■に改善できた。
破壊電圧が２００ｖであったものが、余裕を１．５μｍ
にすることにより破壊電圧を４００■に改善できた。
なお、第１図では拡散層６の幅寸法を一様に増大してコ
ンタクト部７における余裕６ａを大きくしているが、拡
散層３において設けた余裕と同様に、拡散層６のコンタ
クト部７における幅のみを大きくした構成にしても十分
本発明の目的を達成することができる。
ンタクト部７における余裕６ａを大きくしているが、拡
散層３において設けた余裕と同様に、拡散層６のコンタ
クト部７における幅のみを大きくした構成にしても十分
本発明の目的を達成することができる。
また、前記実施例ではＮ型拡散層で例示したがＰ型拡散
層でも同じであり、また近接している拡散層が■。。電
位でな（ＧＮＤやその他の電位でも同様に適用すること
ができる。
層でも同じであり、また近接している拡散層が■。。電
位でな（ＧＮＤやその他の電位でも同様に適用すること
ができる。
以上説明したように本発明は、外部端子に接続された拡
散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部に
おける拡散層端の余裕を少なくとも他のコンタクト部よ
りも大きく形成しているので、外部端子に接続された拡
散層から通流される電流によって起こるマイグレーショ
ン現象からコンタクト部における絶縁破壊を有効に防止
でき、これにより半導体集積回路装置全体の高電圧に対
する破壊強度を向上しかつその信頼性を向上できる。
散層に近接される金属配線と拡散層とのコンタクト部に
おける拡散層端の余裕を少なくとも他のコンタクト部よ
りも大きく形成しているので、外部端子に接続された拡
散層から通流される電流によって起こるマイグレーショ
ン現象からコンタクト部における絶縁破壊を有効に防止
でき、これにより半導体集積回路装置全体の高電圧に対
する破壊強度を向上しかつその信頼性を向上できる。
第１図は本発明の一実施例の要部の平面図、第２図は従
来構造の平面図、第３図は第２図のＡＡての金属配線、
３．１３・・・拡散層、３ａ・・・余裕、 −４，
１４・・・コンタクト部、５，１５・・・ＶＣＣ電位の
城金属配線、６．１６・・・近接された拡散層、
６ａ・・・余裕、７，１７・・・コンタクト部、１８・
・・フィールド酸化膜、１９・・・層間絶縁膜。
来構造の平面図、第３図は第２図のＡＡての金属配線、
３．１３・・・拡散層、３ａ・・・余裕、 −４，
１４・・・コンタクト部、５，１５・・・ＶＣＣ電位の
城金属配線、６．１６・・・近接された拡散層、
６ａ・・・余裕、７，１７・・・コンタクト部、１８・
・・フィールド酸化膜、１９・・・層間絶縁膜。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に、外部端子としての金属配線及び
これに接続された拡散層と、この拡散層に近接された金
属配線及びこれに接続された拡散層とを備える半導体集
積回路装置において、前記外部端子に接続された拡散層
に近接される前記金属配線及び拡散層のコンタクト部に
おける拡散層端の余裕を少なくとも他のコンタクト部よ
りも大きく形成したことを特徴とする半導体集積回路装
置。 - （２）コンタクト部における拡散層端の余裕を半導体集
積回路の製造上の最小余裕よりも大きくしてなる特許請
求の範囲第１項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP623186A JPS62165362A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP623186A JPS62165362A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165362A true JPS62165362A (ja) | 1987-07-21 |
Family
ID=11632740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP623186A Pending JPS62165362A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62165362A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197366A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPH0329361A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0341770A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH05347382A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Nec Corp | 半導体保護素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513182A (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | Nippon Electric Co | |
| JPS56124266A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP623186A patent/JPS62165362A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513182A (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | Nippon Electric Co | |
| JPS56124266A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63197366A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPH0329361A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0341770A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH05347382A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Nec Corp | 半導体保護素子 |
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