JPS6325736Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6325736Y2 JPS6325736Y2 JP13669383U JP13669383U JPS6325736Y2 JP S6325736 Y2 JPS6325736 Y2 JP S6325736Y2 JP 13669383 U JP13669383 U JP 13669383U JP 13669383 U JP13669383 U JP 13669383U JP S6325736 Y2 JPS6325736 Y2 JP S6325736Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- diameter
- shaped
- disc
- thin plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は半導体ウエーハホルダに係り、特に
所定の径の半導体ウエーハを整列させて加工を施
す装置に小径の半導体ウエーハを装填させて加工
を施すのに適用される。
所定の径の半導体ウエーハを整列させて加工を施
す装置に小径の半導体ウエーハを装填させて加工
を施すのに適用される。
例えば半導体ウエーハ（以降ウエーハと略称す
る）にイオン注入を施す工程に用いられるイオン
注入装置にウエーハを装入するには第１図に示す
ように行なわれている。
る）にイオン注入を施す工程に用いられるイオン
注入装置にウエーハを装入するには第１図に示す
ように行なわれている。
すなわち、図における１はイオン注入装置で、
その装置内部にウエーハを外周で定位保持するウ
エーハ保持台２にウエーハキヤリヤ３から所定の
外径を有しイオン注入が施される第１のウエーハ
４，４…が移される。ウエーハキヤリヤは多段に
なり各段にウエーハを収納しており、第１のウエ
ーハ４のキヤリヤ３からウエーハ保持台２へのウ
エーハの移動は、ウエーハキヤリヤを斜めにおく
ことによりウエーハの自重によつてキヤリヤ３か
らウエーハ保持台２へすべりおちる。ウエーハ保
持台はの位置でウエーハを受け入れ、の位置
でイオン注入を行つたのち、の位置でウエーハ
を収納キヤリヤへ送り出したのちの位置で次の
ウエーハを受け入れる。ウエーハキヤリヤは、ウ
エーハ保持台２の動きに合わせてキヤリヤ載置台
６，６′が上昇または下降するようになつている。
その装置内部にウエーハを外周で定位保持するウ
エーハ保持台２にウエーハキヤリヤ３から所定の
外径を有しイオン注入が施される第１のウエーハ
４，４…が移される。ウエーハキヤリヤは多段に
なり各段にウエーハを収納しており、第１のウエ
ーハ４のキヤリヤ３からウエーハ保持台２へのウ
エーハの移動は、ウエーハキヤリヤを斜めにおく
ことによりウエーハの自重によつてキヤリヤ３か
らウエーハ保持台２へすべりおちる。ウエーハ保
持台はの位置でウエーハを受け入れ、の位置
でイオン注入を行つたのち、の位置でウエーハ
を収納キヤリヤへ送り出したのちの位置で次の
ウエーハを受け入れる。ウエーハキヤリヤは、ウ
エーハ保持台２の動きに合わせてキヤリヤ載置台
６，６′が上昇または下降するようになつている。
上に述べたように、イオン注入が施される第１
のウエーハの径と、ウエーハ保持台におけるウエ
ーハ収納のための例えば凹部の径とは相当厳密に
近似させておく必要がある。ところで、一般にイ
オン注入工程のチエツクには、イオン注入が施さ
れる所定の径の第１のウエーハ、例えば３″のウ
エーハの間にこれよりも小径のチエツク用第２の
ウエーハ、例えば２″のウエーハを装入してイオ
ン注入を施し、イオン注入後にこれを取り出し、
所定の注入イオン濃度が得られているか、ウエー
ハの部分による濃度差の程度等のチエツクを施し
て工程の品質チエツクを行なつていた。
のウエーハの径と、ウエーハ保持台におけるウエ
ーハ収納のための例えば凹部の径とは相当厳密に
近似させておく必要がある。ところで、一般にイ
オン注入工程のチエツクには、イオン注入が施さ
れる所定の径の第１のウエーハ、例えば３″のウ
エーハの間にこれよりも小径のチエツク用第２の
ウエーハ、例えば２″のウエーハを装入してイオ
ン注入を施し、イオン注入後にこれを取り出し、
所定の注入イオン濃度が得られているか、ウエー
ハの部分による濃度差の程度等のチエツクを施し
て工程の品質チエツクを行なつていた。
しかし、近頃半導体製造の全工程に対する自動
化が進むに従い、チエツク用ウエーハを必要に応
じて装入することが不可能になりつつある。
化が進むに従い、チエツク用ウエーハを必要に応
じて装入することが不可能になりつつある。
この考案は上述の従来の問題点に鑑み、半導体
ウエーハホルダの構造を提供する。
ウエーハホルダの構造を提供する。
この考案は所定径の第１のウエーハを整列させ
て順次処理装置内に送り込み加工を施す装置で加
工状態をチエツクするものにおいて、小径のチエ
ツク用第２のウエーハを必要に応じて混ぜて流す
ことを可能にするため、チエツク用第２のウエー
ハを収納し外径が所定径になる半導体ウエーハホ
ルダを案出し、ウエーハに対する加工の全工程の
自動化を達成させる。
て順次処理装置内に送り込み加工を施す装置で加
工状態をチエツクするものにおいて、小径のチエ
ツク用第２のウエーハを必要に応じて混ぜて流す
ことを可能にするため、チエツク用第２のウエー
ハを収納し外径が所定径になる半導体ウエーハホ
ルダを案出し、ウエーハに対する加工の全工程の
自動化を達成させる。
次にこの考案の１実施例をウエーハに対するイ
オン注入装置で、イオン注入が施される所定径の
第１のウエーハ群の流れに、イオン注入層のチエ
ツクを施すために径小のチエツク用第２のウエー
ハを工程の流れを乱すことなく装入できるように
するウエーハホルダにつき、図面を参照して詳細
に説明する。
オン注入装置で、イオン注入が施される所定径の
第１のウエーハ群の流れに、イオン注入層のチエ
ツクを施すために径小のチエツク用第２のウエー
ハを工程の流れを乱すことなく装入できるように
するウエーハホルダにつき、図面を参照して詳細
に説明する。
１実施例の第２のウエーハホルダを示す第１図
ないし第３図において、円板状本体（第３図１
１）はその外径が、イオン注入が施される第１の
ウエーハ群に相等の例えば３インチに形成され、
一方の主面にチエツク用第２のウエーハ１０を収
納する例えば径２インチの凹部１２が中央に設け
られている。次に、１３は輪型薄板で外径が円板
状本体の外径とほぼ相等になり、中央に前記凹部
１２の外径よりも小径の開孔を有する輪型で前記
円板状本体の凹部１２を除く上面を被覆する。ま
た、前記円板状本体の上面と接する部分に外周に
沿つて唖鈴の軸方向断面形の開孔１４，１４…が
３個、等間隔に設けられている。すなわち、この
開孔１４は２個の丸孔が輪型薄板の外周に沿うて
わずかに離れて設けられ、この間が丸孔の中心間
を輪型薄板の外周に沿い、丸孔の径よりも小さい
幅のスリツトで結ばれた形状である。また、前記
開孔の２個の丸孔は例えば時計の針の進行方向に
大、小の順に形成されている。一方、円板状本体
の上面に各開孔の大なる円孔をぎりぎりに挿通す
る径の頭部を有する針状突起１５，１５…が、前
記スリツトを通過できる径に形成された軸部で円
板状本体の上面に植設されて前記開孔とともに輪
型薄板の取着手段になつている。
ないし第３図において、円板状本体（第３図１
１）はその外径が、イオン注入が施される第１の
ウエーハ群に相等の例えば３インチに形成され、
一方の主面にチエツク用第２のウエーハ１０を収
納する例えば径２インチの凹部１２が中央に設け
られている。次に、１３は輪型薄板で外径が円板
状本体の外径とほぼ相等になり、中央に前記凹部
１２の外径よりも小径の開孔を有する輪型で前記
円板状本体の凹部１２を除く上面を被覆する。ま
た、前記円板状本体の上面と接する部分に外周に
沿つて唖鈴の軸方向断面形の開孔１４，１４…が
３個、等間隔に設けられている。すなわち、この
開孔１４は２個の丸孔が輪型薄板の外周に沿うて
わずかに離れて設けられ、この間が丸孔の中心間
を輪型薄板の外周に沿い、丸孔の径よりも小さい
幅のスリツトで結ばれた形状である。また、前記
開孔の２個の丸孔は例えば時計の針の進行方向に
大、小の順に形成されている。一方、円板状本体
の上面に各開孔の大なる円孔をぎりぎりに挿通す
る径の頭部を有する針状突起１５，１５…が、前
記スリツトを通過できる径に形成された軸部で円
板状本体の上面に植設されて前記開孔とともに輪
型薄板の取着手段になつている。
叙上の取着手段によつて、輪型薄板はその開孔
の大径の丸孔をこれに対応して円板状本体の上面
に植設されている針状突起の頭部に挿通させて上
面に密接されたのち、円周方向に回転させること
によつて針状突起の軸部がスリツトを通過し、小
径の円孔内に至つて係止され、取着が達成され
る。脱する際は逆回転させて容易に離脱させるこ
とができる。なお、輪型薄板の上面に設けられた
突起１６はこの薄板を回転させる際の手懸けであ
り、その形状、数量等は図示に限定されないこと
は云うまでもない。
の大径の丸孔をこれに対応して円板状本体の上面
に植設されている針状突起の頭部に挿通させて上
面に密接されたのち、円周方向に回転させること
によつて針状突起の軸部がスリツトを通過し、小
径の円孔内に至つて係止され、取着が達成され
る。脱する際は逆回転させて容易に離脱させるこ
とができる。なお、輪型薄板の上面に設けられた
突起１６はこの薄板を回転させる際の手懸けであ
り、その形状、数量等は図示に限定されないこと
は云うまでもない。
さらに、このウエーハホルダはステンレス等で
形成してよく、その厚さはキヤリヤ、イオン注入
装置に収納できる厚さに形成できる構造である。
形成してよく、その厚さはキヤリヤ、イオン注入
装置に収納できる厚さに形成できる構造である。
なお、この取着手段はいわゆるバヨネツトマウ
ント方式を応用して第４図および第５図に示す構
造にしてもよい。図中の１７，１７…はいずれも
バヨネツトの爪である。
ント方式を応用して第４図および第５図に示す構
造にしてもよい。図中の１７，１７…はいずれも
バヨネツトの爪である。
この考案によるウエーハホルダを用いることに
より、所定の径寸法のウエーハ群の中に随時小径
のウエーハ、例えばチエツク用ウエーハを装入し
て加工を施す全工程を自動化することができる顕
著な効果がある。
より、所定の径寸法のウエーハ群の中に随時小径
のウエーハ、例えばチエツク用ウエーハを装入し
て加工を施す全工程を自動化することができる顕
著な効果がある。
第１図はウエーハに対するイオン注入装置にお
けるウエーハの装入を説明するための断面図、第
２図はこの考案の１実施例のウエーハホルダの上
面図、第３図は第２図のAA線部における断面を
矢印方向から視た側面断面図、第４図は別の１実
施例のウエーハホルダの上面図、第５図は第４図
のBB線部における断面を矢印方向から視た側面
断面図である。 ４……第１のウエーハ、１０……第２のウエー
ハ、１１……ウエーハホルダの円板状本体、１２
……円板状本体の凹部、１３……輪型薄板、１４
……輪型薄板の開孔、１５……針状突起、１７…
…バヨネツトの爪。
けるウエーハの装入を説明するための断面図、第
２図はこの考案の１実施例のウエーハホルダの上
面図、第３図は第２図のAA線部における断面を
矢印方向から視た側面断面図、第４図は別の１実
施例のウエーハホルダの上面図、第５図は第４図
のBB線部における断面を矢印方向から視た側面
断面図である。 ４……第１のウエーハ、１０……第２のウエー
ハ、１１……ウエーハホルダの円板状本体、１２
……円板状本体の凹部、１３……輪型薄板、１４
……輪型薄板の開孔、１５……針状突起、１７…
…バヨネツトの爪。
Claims (1)
- 外径が所定である第１の半導体ウエーハの外径
と同径に形成された円板状本体と、前記第１の半
導体ウエーハよりも小径のチエツク用の第２の半
導体ウエーハを収納するため前記円板状本体の一
主面に形成された凹部と、前記凹部の径よりも小
径の円孔が同心に設けられ前記円板状本体の上面
を被覆する輪型薄板と、前記輪型薄板を円板状本
体に着脱自在に取着する取着手段とを具備した半
導体ウエーハホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13669383U JPS6045437U (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 半導体ウエ−ハホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13669383U JPS6045437U (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 半導体ウエ−ハホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045437U JPS6045437U (ja) | 1985-03-30 |
| JPS6325736Y2 true JPS6325736Y2 (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=30307269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13669383U Granted JPS6045437U (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 半導体ウエ−ハホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045437U (ja) |
-
1983
- 1983-09-05 JP JP13669383U patent/JPS6045437U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6045437U (ja) | 1985-03-30 |
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