JPS63259903A - 複合誘電体 - Google Patents
複合誘電体Info
- Publication number
- JPS63259903A JPS63259903A JP62094611A JP9461187A JPS63259903A JP S63259903 A JPS63259903 A JP S63259903A JP 62094611 A JP62094611 A JP 62094611A JP 9461187 A JP9461187 A JP 9461187A JP S63259903 A JPS63259903 A JP S63259903A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- fluororubber
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- bao
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明はフッ素ゴム中に、ＢａＯ−ＴｉＣｈ系等の誘電
セラミック粉末を分散せしめてなる複合誘電体に関し、
特にマイクロ波集積回路基板や高周波用コンデンサ等の
ように高周波領域で使用される各種誘電体製品に利用す
ることのできる複合誘電体に関する。
セラミック粉末を分散せしめてなる複合誘電体に関し、
特にマイクロ波集積回路基板や高周波用コンデンサ等の
ように高周波領域で使用される各種誘電体製品に利用す
ることのできる複合誘電体に関する。
「従来技術とその問題点」
従来よりマイクロ波集積回路基板等にはチタン酸バリウ
ム、チタン酸マグネシウム等のセラミック焼結体が使用
されている。かかるセラミック焼結体は高周波領域にお
ける誘′ｒｔ特性が良好な反面、硬く脆いためドリル、
カッター等により任意の形状に機械加工することが困難
で、しかも欠けや割れを生じ易い欠点があった。
ム、チタン酸マグネシウム等のセラミック焼結体が使用
されている。かかるセラミック焼結体は高周波領域にお
ける誘′ｒｔ特性が良好な反面、硬く脆いためドリル、
カッター等により任意の形状に機械加工することが困難
で、しかも欠けや割れを生じ易い欠点があった。
一方、樹脂、ゴムなどの有機材料は柔軟で加工性に富む
ため前記セラミック焼結体のような欠点はないが、誘電
率や誘電損失が著しく低いので高周波用誘電体製品には
不適とされていた。
ため前記セラミック焼結体のような欠点はないが、誘電
率や誘電損失が著しく低いので高周波用誘電体製品には
不適とされていた。
そこで有機材料のもつ優れた柔軟性、加工性と、誘電セ
ラミックのもつ優れた誘電特性とを組合わせることが考
えられる。
ラミックのもつ優れた誘電特性とを組合わせることが考
えられる。
従って本発明は柔軟で加工性が良く、かつ誘電特性の向
上を図った高周波用複合誘電体を提供することを目的と
する。
上を図った高周波用複合誘電体を提供することを目的と
する。
「問題点を解決する九めの手段」
本発明者等は上記目的を達成するため鋭意検討の結果、
有機材料として高い柔軟性、加工性を有するフッ素ゴム
を選択し、このフッ素ゴム単味では満足すべき誘電特性
を示さないが、これにＢａＯ−Ｔｉ１ｌ系等のように高
周波領域において誘電率が１０以上、誘電損失が１％以
下と小さい誘電セラミック粉末を容積比で２０〜８０：
８０〜２００割合で含有させることによってフッ素ゴム
のもつ柔軟性、加工性を維持した状態で誘電特性を著し
く向上し得ることを見出したものである。ここでフッ素
ゴムに対する防電セフミック粉末の含有量を２０〜８０
容積チに限定し雷のは、２０容積％以下では誘電特性の
向上を充分図ることができず、また８０容積−を越える
とフッ素ゴム特有の柔軟性、加工性がなくなるからであ
る。
有機材料として高い柔軟性、加工性を有するフッ素ゴム
を選択し、このフッ素ゴム単味では満足すべき誘電特性
を示さないが、これにＢａＯ−Ｔｉ１ｌ系等のように高
周波領域において誘電率が１０以上、誘電損失が１％以
下と小さい誘電セラミック粉末を容積比で２０〜８０：
８０〜２００割合で含有させることによってフッ素ゴム
のもつ柔軟性、加工性を維持した状態で誘電特性を著し
く向上し得ることを見出したものである。ここでフッ素
ゴムに対する防電セフミック粉末の含有量を２０〜８０
容積チに限定し雷のは、２０容積％以下では誘電特性の
向上を充分図ることができず、また８０容積−を越える
とフッ素ゴム特有の柔軟性、加工性がなくなるからであ
る。
なお、フッ素ゴムに混合する誘電セラミック粉末として
、上側のＢａＯ−ＴｉＯｘ系の他、ＢａＴｉｓＯｓ ＋
ＢａＴｉｅＯｚｏあるいはＢａＯ−ＴｉＯｘ −Ｓｍｘ
Ｏｓ 、 ＢａＯ−ＴｉＯｚ−ＮｄｉＯｓ−ＰｂＯ等の
ＢａＯ−Ｔｉ１ｔ−希土類系更にはＢａＴｉＯ３＋ Ｍ
ｇＴｉＯｓ ＋ Ｂａ（Ｔａ、 Ｚｎ）Ｏｓ等のベロゲ
スカイト系等のセラミック粉末も有効である。
、上側のＢａＯ−ＴｉＯｘ系の他、ＢａＴｉｓＯｓ ＋
ＢａＴｉｅＯｚｏあるいはＢａＯ−ＴｉＯｘ −Ｓｍｘ
Ｏｓ 、 ＢａＯ−ＴｉＯｚ−ＮｄｉＯｓ−ＰｂＯ等の
ＢａＯ−Ｔｉ１ｔ−希土類系更にはＢａＴｉＯ３＋ Ｍ
ｇＴｉＯｓ ＋ Ｂａ（Ｔａ、 Ｚｎ）Ｏｓ等のベロゲ
スカイト系等のセラミック粉末も有効である。
以下本発明を実施例に基づいて説明する。
「実施例」
誘電セラミック粉末として下記に示す組成と性状を有す
るものを準備した。
るものを準備した。
Ｋ ＢａＯ： １０．２５モ／Ｌ／％、Ｔｉ０ｇ ：
６６．７５−ｅ ｌ ％、ＰｂＯ： ８モ／に％、
ＮｄｉＯｓ： １５ モＮ％１、平均粒径：５μｍ以下
、誘電率（２，８ＧＨｚ ） ：９０〜９８、誘電損失
（２，８ＧＨｚ ） ： ０．０４８％（ロ）ＢａＴｉ
ｓＯｓ ： ２０．９モ／Ｉ／％、ＺｎＯ：２９モ／Ｌ
／％、ＷＯｓ ： ？、 ２モミｖ％、ＴａｚＯｓ ：
５８モ／Ｉ／％、ＭｎＯ２；２．９モ／Ｌ’％、平均
粒径：５μｍ以下、誘電率（８ＧＨｚ）： ８２〜８５
、誘電損失（８ＧＨｚ）： 。
６６．７５−ｅ ｌ ％、ＰｂＯ： ８モ／に％、
ＮｄｉＯｓ： １５ モＮ％１、平均粒径：５μｍ以下
、誘電率（２，８ＧＨｚ ） ：９０〜９８、誘電損失
（２，８ＧＨｚ ） ： ０．０４８％（ロ）ＢａＴｉ
ｓＯｓ ： ２０．９モ／Ｉ／％、ＺｎＯ：２９モ／Ｌ
／％、ＷＯｓ ： ？、 ２モミｖ％、ＴａｚＯｓ ：
５８モ／Ｉ／％、ＭｎＯ２；２．９モ／Ｌ’％、平均
粒径：５μｍ以下、誘電率（８ＧＨｚ）： ８２〜８５
、誘電損失（８ＧＨｚ）： 。
０．０１８％
次に上記誘電セラミック粉末（イ）（ロ）と下記のフッ
素ゴム原料とを下記の割合で配合し小型ロール機で混練
して均一なゴムラテックスを得た。
素ゴム原料とを下記の割合で配合し小型ロール機で混練
して均一なゴムラテックスを得た。
フッ素ゴム ；１００重量部
加硫剤（アミン系）： ５重量部 ｌＯ〜９０容積φ
受酸剤（ＭｇＯ） ： １０重量部誘電セフミック
粉末（４）（ロ）＝９０〜１０容積％続いて得られたゴ
ムラテックスを、温度１５０℃、圧力２００Ｋｅ／ｄ、
時間８０分の条件で架橋し、長さ７０■×巾８０罵×厚
み２ｔｘｍのシート状に成形し、その表裏面に銀ペース
トの電極を塗着形成して複合誘電体基板を得た。
受酸剤（ＭｇＯ） ： １０重量部誘電セフミック
粉末（４）（ロ）＝９０〜１０容積％続いて得られたゴ
ムラテックスを、温度１５０℃、圧力２００Ｋｅ／ｄ、
時間８０分の条件で架橋し、長さ７０■×巾８０罵×厚
み２ｔｘｍのシート状に成形し、その表裏面に銀ペース
トの電極を塗着形成して複合誘電体基板を得た。
得られた誘電体基板についてのシ四アＡ硬度と誘電特性
の測定結果を第１表及び第２表に示す。
の測定結果を第１表及び第２表に示す。
なお、シ盲アＡ硬度の測定はＡＳＴＭ規格Ｄ２２４０の
下に行ない、誘電特性の測定はＬＦインピーダンスアナ
フイザーにより周波数１０ＭＨｚの条件で行なった。
下に行ない、誘電特性の測定はＬＦインピーダンスアナ
フイザーにより周波数１０ＭＨｚの条件で行なった。
第１．２表よシ明らかなようにシリコンゴム２０〜８０
容積チと残り誘電セラミック粉末よりなる本発明の複合
誘電体は、フッ素ゴム単味もしくは８０容槓−以上のも
のに比し誘電特性が良好となることが認められた。ま九
、同異から本発明の複合誘電体は高い柔軟性と加工性を
維持するためショアＡ硬度で７２〜９９の範囲。
容積チと残り誘電セラミック粉末よりなる本発明の複合
誘電体は、フッ素ゴム単味もしくは８０容槓−以上のも
のに比し誘電特性が良好となることが認められた。ま九
、同異から本発明の複合誘電体は高い柔軟性と加工性を
維持するためショアＡ硬度で７２〜９９の範囲。
を示すことが認められた。
「本発明の効果」
以上の通υ本発明の複合誘電体は、高い柔軟性、加工性
を有するのでトリ〃、カッター等の機械加工により任意
の形状のものを欠けや割れを発生することなく安価かつ
容易に製造できる。
を有するのでトリ〃、カッター等の機械加工により任意
の形状のものを欠けや割れを発生することなく安価かつ
容易に製造できる。
ま九、高周波領域の酵１特性も優れるので誘電体回路基
板や高容量コンデンサ等に適用して多大の利益を期待し
得る。
板や高容量コンデンサ等に適用して多大の利益を期待し
得る。
手続補正書（自発）
一７５′
昭和６２年５月、、り日
特許庁長官 黒 １）明 雄 殿
１、事件の表示
昭和６２年４月１７日付出願の特許側（１）２、発明の
表示 複合誘電体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （住所） ６ ４６７ ９１ 名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号 つ ４、補正の対象 明細書全文。
表示 複合誘電体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （住所） ６ ４６７ ９１ 名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号 つ ４、補正の対象 明細書全文。
５、補正の内容
別紙の通り。
明 細 書
１、発明の名称
複合誘電体
２、 ＩＰ！ｆ！ＦＦ ａ’＃求の範囲フッ素ゴム２０
〜８０容積％と誘電セラミック粉末８０〜２０容積チよ
りなることを特徴とする複合−′α体。
〜８０容積％と誘電セラミック粉末８０〜２０容積チよ
りなることを特徴とする複合−′α体。
８、発明の詳細な説明
「産業上の利用分野」
本発明はフッ素ゴム中に、 ＢａＯ−Ｔｉ０ｇ系等の誘
電セフミック粉末を分散せしめてなる複合誘電体に関し
、特にマイクロ波集槓回路基板や高周波用コンデンサ等
のように高周波領域で使用される各種誘電体製品に利用
することのでさる複合誘電体に関する。
電セフミック粉末を分散せしめてなる複合誘電体に関し
、特にマイクロ波集槓回路基板や高周波用コンデンサ等
のように高周波領域で使用される各種誘電体製品に利用
することのでさる複合誘電体に関する。
「従来技術とその問題点」
従来よｐマイクロ波集積回路基板等にはチタン酸バリウ
ム、チタン酸マグネシウム等のセラミック焼結体が使用
されている。かかるセラミック焼結体は高周波領域にお
ける誘電特性が艮好な反面、硬く脆いためドリル、カッ
ター等により任意の形状に機械加工することが困疏で、
しかも欠けや割れを生じ易い欠点があり友。
ム、チタン酸マグネシウム等のセラミック焼結体が使用
されている。かかるセラミック焼結体は高周波領域にお
ける誘電特性が艮好な反面、硬く脆いためドリル、カッ
ター等により任意の形状に機械加工することが困疏で、
しかも欠けや割れを生じ易い欠点があり友。
一方、樹脂、ゴムなどの有機材料は柔軟で加工性に富む
九め前記セラミック焼結体のような欠点はないが、誘電
率や誘電損失が著しく低いので＾周波用誘電体製品には
不適とされてい友。
九め前記セラミック焼結体のような欠点はないが、誘電
率や誘電損失が著しく低いので＾周波用誘電体製品には
不適とされてい友。
そこで有機材料のもつ優れた柔軟性、加工性と、誘電セ
フミックのもつ優れた誘電特性とを組合わせることが考
えられる。
フミックのもつ優れた誘電特性とを組合わせることが考
えられる。
従って本発明は柔軟で加工性が良く、かつ誘電特性の向
上を図った高周波用複合誘電体を提供することを目的と
する。
上を図った高周波用複合誘電体を提供することを目的と
する。
「問題点を解決するための手段」
本発明者等は上記目的を達成する九め鋭意検討の結果、
有機材料として高い柔軟性、加工性を有するフッ素ゴム
を選択し、このフッ素ゴム単味では満足すべきｇｉｑ４
ｊ性を示さないが、これにＢａＯ−ＴｉＯ雪系等のよう
に高周波領域において誘電率が１０以上、誘電損失が１
％以下と小さい誘電セラミック粉末ｔ−谷槓比で２０〜
８０：８０〜２０の割合で含有させることによってフッ
素ゴムのもつ柔軟性、加工性を維持した状態で誘電％性
を著しく向上し得ることを見出したものである。ここで
フッ素ゴムに対する防゛電セラミック粉末の含有量を２
０〜８０容積優に限定したのは、２０容槓−以下では誘
を特性の向上を充分図ることができず、ま７ｔ８０容積
チを越えるとフッ素ゴム特有の柔軟性、加工性がなくな
るからである。
有機材料として高い柔軟性、加工性を有するフッ素ゴム
を選択し、このフッ素ゴム単味では満足すべきｇｉｑ４
ｊ性を示さないが、これにＢａＯ−ＴｉＯ雪系等のよう
に高周波領域において誘電率が１０以上、誘電損失が１
％以下と小さい誘電セラミック粉末ｔ−谷槓比で２０〜
８０：８０〜２０の割合で含有させることによってフッ
素ゴムのもつ柔軟性、加工性を維持した状態で誘電％性
を著しく向上し得ることを見出したものである。ここで
フッ素ゴムに対する防゛電セラミック粉末の含有量を２
０〜８０容積優に限定したのは、２０容槓−以下では誘
を特性の向上を充分図ることができず、ま７ｔ８０容積
チを越えるとフッ素ゴム特有の柔軟性、加工性がなくな
るからである。
なお、フッ素ゴムに混合する誘電セラミック粉末として
、上側のＢａＯ−Ｔｉ０ｉ系の他、ＢａＴ１４０＊ ５
ＢａＴｉｅＯｘｏあるいはＢａＯ−Ｔｉ０１−５ｎ２ｐ
ｓ 、 ＢａＯ−Ｔ ｉ（ｈ −ＮｃｈＯｓ −ＰｂＯ
等のＢａＯ−Ｔｌ０ｚ−希土類系更にはＢａＴｔＯｓ
＊ ＭｇＴｉＯｓ ＊ Ｂａ（Ｔａ 、 Ｚｎ ） Ｏ
ｓ等のベロゲスカイト系等のセラミック粉末も有効であ
る。
、上側のＢａＯ−Ｔｉ０ｉ系の他、ＢａＴ１４０＊ ５
ＢａＴｉｅＯｘｏあるいはＢａＯ−Ｔｉ０１−５ｎ２ｐ
ｓ 、 ＢａＯ−Ｔ ｉ（ｈ −ＮｃｈＯｓ −ＰｂＯ
等のＢａＯ−Ｔｌ０ｚ−希土類系更にはＢａＴｔＯｓ
＊ ＭｇＴｉＯｓ ＊ Ｂａ（Ｔａ 、 Ｚｎ ） Ｏ
ｓ等のベロゲスカイト系等のセラミック粉末も有効であ
る。
以下本発明を夾施例に基づいて睨明する。
「夾施例」
１Ｅｌｔ’にセフミック粉末として下記に示す組成と性
状を有するものを準備した。
状を有するものを準備した。
Ｋ ＢａＯ： １０．２５モ／Ｌ’％、Ｔｉ０ｇ ：
６６．７５そｌｖ％、ｐｂｏ：ｓモｌｖ％、 ＮｄｚＯ
ｓ ： １５ ’ｅ−／！’ ％、平均粒径：５１１ｍ
以下、誘電Ｘ （２，８ＧＨ２） ：９０〜９８、誘電
損失（２，８ＧＨｚ ） ： ０．０４８％（ロ）Ｂａ
Ｔｉ４０ｓ ： ２０．９モＩｖｑｂ％ＺｎＯ：２９モ
９％、ＷＯｓ ： ７．２モ〃チ、Ｔａｘｅｓ ： ５
８七Ｎ ％ 、ＭｎＯｓ ：２．９モ、Ａ／％、平均粒
径：６μｍ以下、誘電率（８ＧＨｚ）： ３２〜８５、
誘ｔｍ失（’８Ｇ）Ｌｚ ） ：ｏ、ｏｔａ％ 次に上記誘電セラミック粉末０）（ロ）と下記のフッ素
ゴム原料とを下記の割合で配合し小屋ローμ機で混練し
て均一なゴムラテックスｔ−得た。
６６．７５そｌｖ％、ｐｂｏ：ｓモｌｖ％、 ＮｄｚＯ
ｓ ： １５ ’ｅ−／！’ ％、平均粒径：５１１ｍ
以下、誘電Ｘ （２，８ＧＨ２） ：９０〜９８、誘電
損失（２，８ＧＨｚ ） ： ０．０４８％（ロ）Ｂａ
Ｔｉ４０ｓ ： ２０．９モＩｖｑｂ％ＺｎＯ：２９モ
９％、ＷＯｓ ： ７．２モ〃チ、Ｔａｘｅｓ ： ５
８七Ｎ ％ 、ＭｎＯｓ ：２．９モ、Ａ／％、平均粒
径：６μｍ以下、誘電率（８ＧＨｚ）： ３２〜８５、
誘ｔｍ失（’８Ｇ）Ｌｚ ） ：ｏ、ｏｔａ％ 次に上記誘電セラミック粉末０）（ロ）と下記のフッ素
ゴム原料とを下記の割合で配合し小屋ローμ機で混練し
て均一なゴムラテックスｔ−得た。
フッ素ゴム ２１００重量部
加硫剤（アミン系）： ５重量部 １０〜９０容積％
受酸剤（ＭｇＯ） ： １０恵＊部誘電セラミック
粉末Ｇ（）＠：９ｏ〜１０容積％絖いて得られたゴムラ
テックスを、温度１５０°Ｃ１圧力２００〜／ｄ、時間
８０分の条件で架橋し、長さ７０ ｗ ｘ巾８０■×厚
み２ｍのシート状に成形し、その表裏面に銀ペーストの
電極を塗着形成して複合誘電体基板を得九。
受酸剤（ＭｇＯ） ： １０恵＊部誘電セラミック
粉末Ｇ（）＠：９ｏ〜１０容積％絖いて得られたゴムラ
テックスを、温度１５０°Ｃ１圧力２００〜／ｄ、時間
８０分の条件で架橋し、長さ７０ ｗ ｘ巾８０■×厚
み２ｍのシート状に成形し、その表裏面に銀ペーストの
電極を塗着形成して複合誘電体基板を得九。
得られ几酵電体基板についてのシ１アＡ硬度とＥｓ電時
性の測定結果を第１表及び第２表に示す。
性の測定結果を第１表及び第２表に示す。
なお、シ目アＡ硬度の測定はＡＳＴＭ規格Ｄ２２４０の
下に行ない、誘゛シ特性の測定はＬＦインピーダンスア
ナフィザーにより周波６１０Ｍ ｔ（ｚの条件で行なっ
た。
下に行ない、誘゛シ特性の測定はＬＦインピーダンスア
ナフィザーにより周波６１０Ｍ ｔ（ｚの条件で行なっ
た。
２０〜８０容積係と残９誘電セラミック粉末よりなる本
発明の複合誘電体は、フッ素ゴム単味もしくは８０容積
％以上のものに比し誘ｖＬ特性が良好となることが認め
られた。を九、開光から本発明の複合誘電体は高い柔軟
性と加工性を維持するためシ冒アＡ硬度で７２〜９９の
ね囲を示すことが認められた。
発明の複合誘電体は、フッ素ゴム単味もしくは８０容積
％以上のものに比し誘ｖＬ特性が良好となることが認め
られた。を九、開光から本発明の複合誘電体は高い柔軟
性と加工性を維持するためシ冒アＡ硬度で７２〜９９の
ね囲を示すことが認められた。
「本発明の効果」
以上の通９本発明の複合Ｓ電体は、高い柔軟性、加工性
を有するのでドリル、カッター等の機械加工により任意
の形状のものを欠けや割れを発生することなく安価かつ
容易に製造できる。
を有するのでドリル、カッター等の機械加工により任意
の形状のものを欠けや割れを発生することなく安価かつ
容易に製造できる。
また、高周波領域の酵電特性も侵れるので誘電体回路基
板や高容量コン１．デンサ等に適用して多大の利益を期
待し得る。
板や高容量コン１．デンサ等に適用して多大の利益を期
待し得る。
Claims (1)
- フッ素ゴム２０〜８０容積％と誘電セラミック粉末８
０〜２０容積％よりなることを特徴とする複合誘電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62094611A JPS63259903A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 複合誘電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62094611A JPS63259903A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 複合誘電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63259903A true JPS63259903A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14115043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62094611A Pending JPS63259903A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 複合誘電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63259903A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009227985A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-10-08 | Nsk Ltd | エラストマートランスデューサーおよび導電性ゴム組成物ならびに誘電性ゴム組成物 |
| CN114409396A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-04-29 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 高温度稳定型wifi用微波介质陶瓷及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047753A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-15 | 中西金属工業株式会社 | 複式トロリ・コンベヤ |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP62094611A patent/JPS63259903A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047753A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-15 | 中西金属工業株式会社 | 複式トロリ・コンベヤ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009227985A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-10-08 | Nsk Ltd | エラストマートランスデューサーおよび導電性ゴム組成物ならびに誘電性ゴム組成物 |
| CN114409396A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-04-29 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 高温度稳定型wifi用微波介质陶瓷及其制备方法 |
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