JPS63273208A

JPS63273208A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPS63273208A
Application number: JP10678887A
Authority: JP
Inventors: Akinori Kurikawa; 栗川　明典; Takao Matsudaira; 松平　他家夫
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1987-04-30
Filing date: 1987-04-30
Publication date: 1988-11-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野〕本発明は、磁気記録に用いられる、磁気ディスク、磁気
ドラム、磁気テープ、磁気カード等の磁気記録媒体に関
するものである。

〔従来の技術〕

従来、この種の磁気記録媒体としては、アイイーイーイ
ートランザクションズ　オン　マグネティクス、１９８
１年１１月、　ＲＡＧ−１７巻、　８０６　（ＩＥＥＥ
ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　）４ＡＧＮＥＴＩＣ
３，ＶＯｌ、、ＨＡＧ−１７，８０６゜ＮＯＶ［ＨＢＥ
Ｒ１９８１に記載サレテイルにウニ、非磁性支持体上に
コバルト（Ｇｏ）とニッケル（Ｎ　＋　）とタングステ
ン（Ｗ）とからなる磁性層を被着したものがあった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、Ｃｏ−Ｎ　ｉ　−からなる磁性層を直接
、非磁性支持体上に被着した磁性記録媒体は、角形比（
Ｈｒ／Ｈｓ　）　＜ただし、Ｈｒは残留磁化を示し、Ｈ
ｓは飽和磁化を示す。）が０．１８と低い値であるとい
う問題点があった。すなわち、この角形比（Ｈｒ／８３
　’）が０．８０未満であると、磁気記録媒体に記録さ
れた情報を正確に再生するための出力型゛圧が低くなり
、かつ所望する情報の記録や消去が確実に行われないと
いう問題点があった。

（問題点を解決するだめの手段）本発明は前述した問題点を除去するためになされたもの
で、その特徴は、非磁・性支持体上に、下地層と、Ｃ０
１Ｎｉ及び−からなる磁性層とを順次積層し、かつ前記
磁性、Ｆｌに含有される−の含有率が１〜５０原子％で
ある磁気記録媒体である。

（作用）下地層上に１〜５０原子９％の誓を含有する、ＣＯとＮ
ｉと−とからなる磁性層を積層することから、角形比（
Ｍｒ／Ｍｓ　）が０．８０以上となる。

〔実施例〕

本発明の磁気記録媒体の一実施例を第１図に基づいで詳
１［１１に説明する。なお第１図は部分断面図である。

先ず、ソーダライムガラスからなり、直径１３０ｍｔｎ
、厚ざ　１．９Ｍの非磁性支持体１の一生表面上に、ク
ロム（Ｃｒ）をターゲットとして、非磁性支持体１の温
度を室温とし、Ａｒガス雰囲気（＾ｒガス圧：６　Ｘ　
１０’Ｐａ）中でマグネトロンスパッタリング法で、Ｃ
ｒからなる非磁性の下地層２（膜厚：　３０００人）を
成膜Ｊる。次に、Ｃｏ、Ｎｉ及び−からなる合金をター
ゲットとし、下地層２を成膜したときと同様にマグネト
ロンスパッタリング法で、Ｃｏ、Ｎｉ　及ＴｊＷからな
る磁性層３（膜厚は６００人で、Ｃｏ１旧及び−のそれ
ぞれの含有率（原子％）は、６２．６　。

１１．１及び２６，３である。）を下地Ｗ！Ｊ２上に積
層する。次に、この磁性層３上に、炭素（Ｃ）をターゲ
ットとし、前述したマグネト【コンスバッタリング法で
、Ｃからなる保護膜４（膜厚：３００〜４００人）を積
層し、磁気記録媒体５を製作する。

次に、前述した磁気記録媒体５の角形比　（）ｌｒ／８
３　）及び保磁力（ｌ（Ｃ）を次の表に示す。なお、Ｃ
ｏ、Ｎｉ及び−の含有率が異なり、下地層２及び保護膜
４は同様である他の実施例についてもＨｒ／ＭＳ及びｌ
ｌｃを示す。また、比較例として、下地層を被着してい
なく、非磁性支持体１上に直接、Ｃｏ−Ｎ　ｉ−一から
なる磁性層を被着し、この磁性層上に前述した保護ＦＩ
４を積層した磁気記録媒体の角形比（Ｈｒ／ＭＳ　）と
保持力（ｆ（ｃ）、ざらに比較例２として、非磁性支持
体１上に、前述した下地層２を被着し、次にこの下地層
２」二に、ＣＯとＮｉからなる磁性層（−は含まない。

）と前述した保護膜４とを順次積層した磁気記録媒体の
Ｈｒ／８３とＩＩｃをそれぞれ示す。

まＩＣ１前述した下地層２の膜厚を３０００人とし、磁
性層３の賛の含有率を１〜５０原子％の範囲で変化させ
、残りのＣｏ、　Ｎｉの含有率を８５：１５に配分して
含有させた磁気記録媒体（保護膜も前述した保護膜４と
同様のものが積層している。）の保持力（ｆｌｃ）と、
再生時の出力と比例する、残留磁化（Ｈｒ）と磁性層の
膜厚（旬との積（以下［ＨｒＴｊと略記する。）とを第
２図に示す。なお、同図のｓ！Ａは保持力（ＩＣ）を示
し、線ＢはＨｒＴを示している。

この表及び第２図に示すように、先ず角形比（Ｈｒ／Ｈ
ｓ）は、−の含有率が１〜５０原子％であることから、
０．８０以上となり、また、−の含有率が１５へ・３７
原子％であると、近年要求されている１Ｉｃ＝９００（
００）以上とすることができ、さらに−の含有率が１〜
２１原子であると、望ましいＨｒＴ＝３．７　ｘ　１Ｏ
−３（ｅａ＋ｕ／　ｃＩｉ）以上とすることもできる。

すなわち、−の含有率が１５〜３７原子％であると、角
形比（Ｈｒ／Ｈｓ）及び保持力（ＩＩｃ）を良好にする
ことができ、―の含有率が１〜２１原子％であると、角
形比及びＨｒＴを良好にづることができ、さらに、１５
〜２７原子％であると、角形比、保持力及びＨｒＴが良
好となる。なお、−の含有率を１〜５０原子％とし、Ｃ
０１Ｎｉを８５：１５以外の配分としても同様である。

ざうＩｓ−前述Ｌｔ　タＨｃ＝９００（Ｏｅ）以上及Ｃ
ＦＨｒＴ＝３．７　ｘｌＯ−３（０１１０／　ｍ）以上
とするためには、前述したーの含有率と共に、Ｆｉｔ！
Ｉ￥！Ｊ２及び磁性層３のそれぞれの膜厚を、５００Å
以上及び３００〜１０００人が望ましく、さらに下地層
２の膜厚は製造コスト等の実用性から５０００Å以下が
望ましい。

以上、本発明は前記実施例に限らず下記のものであって
もよい。先ず、前記実施例では、下地層２及び磁性層３
の膜厚がそれぞれ、３０００人及び６００人であったが
他の膜厚であっても角形比（Ｈｒ／Ｈｓ）は良好となる
。また、下地層はクロムに限らず、伯の非磁性材料、例
えばＮｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｂｉであってもよい。また、非
磁性支持体はソーダライムガラスからなるものに限らず
、アルミノシリケートガラス、石英ガラス等の他のガラ
ス、／１合金、セラミックまたは有機樹脂からなるもの
であってもにい。また前記実施例では、保護膜がＣから
なるものであったが、５ｉ０２、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ
４等のセラミックや有機重合体からなる保護膜や、複合
層からなる保護膜、例えばＣｒ層と（ＪＪとを当接して
積層したもの、Ｃｒ層とセラミック層とを８１ｉ層した
ものまたはＣｒ層と０層とセラミック層とからなるもの
でもよく、さらに前記複合層の材料を混合した混合層で
あってもよい。なお、前記実施例では、磁性層上に保護
膜を積層したが、保護膜を積層しないものでもよい。

また°、前記実施例では、非磁性支持体上に下地層、磁
性層及σ保ｗ１膜を順次積層したが、例えば、円板状の
磁気記録媒体（磁気ディスク）のとき、磁気ヘッドによ
る情報の書き込み又は読み取り終了摂、磁気ヘッドが配
置されるランディグゾーンを合む領域の、非磁性支持体
ど下地層どの間又は下地層と磁性層との間に磁性層や保
護膜層に凹凸を形成する層（例えばＡｌｌ薄ｐｌＡ）を
設けてもよい。

（発明の効果〕本発明は前述したように下地層を右し、磁性層がＣｏ、
Ｎｉ及び−からなり、かつ誓の含有率を１〜５０原子％
であることから、良好な角形比を有する磁気記録媒体が
可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記録媒体の一実施例を示す断面図
であり、第２図は本発明の一実施例において磁性層の賛
の含有率を変化させたときの保磁力及びＨｒＴを示す特
性図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）非磁性支持体上に、下地層と、コバルト、ニッケ
ル及びタングステンからなる磁性層とを順次積層し、か
つ前記磁性層に含有されるタングステンの含有率が１〜
５０原子％であることを特徴とする磁気記録媒体。