JPS63277685A - 混合フタローナフタロシアニン及びこれを含有する照射に敏感な照射用薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、１〜３個のべンゾ縮合したイソインドール下
位単位を有する新規な混合フタロ−ナフタロシアニン、
ならびにこの新規物質を含有する照射に対し敏感な層と
支持体を有する照射に敏感な塗被薄膜に関する。

高エネルギー密度の放射線例えばレーザー光線を用いて
、局部的に限られた状態変化を起こす記録用材料は既知
である。この熱によって起こる状態変化例えば気化によ
る流動性の変化又は脱色は、光学的性質例えば反射又は
吸収極大の変化による吸収又は消光と結びついており、
これが情報記録又はデータ記録に利用される。

光学的記録系のための光源としては、例えば赤外部近く
の光線を放射する半導体レーザーが適する。固体の射入
レーザー、特に約７００〜８　５　０　ｎｍの波長範囲
で操作するＡＩＧａＡｓレーザーが好適である。したが
って約７００〜８５０ｎｍの波長範囲の光線を吸収し、
そして薄い均質な層に加工できる記録用材料が特に望ま
れる。

光学的記録系に用いられる照射敏感物質には、ＩＲ染料
も属する。例えば照射に敏感な成分としてフタロシアニ
ン又はナフタロシアニンを含有する光学的貯蔵系が知ら
れている（　ＤＥ−Ａ　５６５２５９０、ＥＰ−Ａ　１
３４５３、ＥＰ−Ａ　２０５８２６　、　ＵＳ−Ａ　４
４５８００４、ＵＳ−Ａ　４４９２７５０、、ＴＰ−Ａ
　８２０９３／１　９　８　２又はＪＰ−Ａ　３５５４
５／１９８５参照）。

本発明の課題は、使用する半導体レーザーの波長範囲に
おいて、良好な反射性及び高い吸収。

を有する新規な照射敏感な化合物を開発することであっ
た。さらに新規化合物を含有する層が均質で、使用する
支持体材料に対し良好な固着性を有し、長期にわたり安
定である照射に敏感な塗被膜を提供することも課題であ
った。

本発明は、次式 （　Ｐｃは１〜３個のインインドール下位単位がベンゾ
縮合しているフタロシアニン残基、Ｍは銅、ニッケル、
マンガン、鉄、亜ｉ，　鉛，ビスマス、２個の水素原子
又は基ＣＩＡＩ、Ｃｌ２ＳｉもしくはｖＯ、Ｒ１はベン
ゾ縮合していないインインドール下位単位への置換基、
Ｒ２はベンゾ縮合しているイソ、インドール下位単位へ
の置換基を意味し、このＲ１とＲ２は同一でも異なって
もよく、互いに無関係にアルキル基が１個以上の酸素原
子により中断されていてもよい０１〜Ｃ２０−アルキル
基、置換されていてもよいフェニル基、０１〜Ｃ２０−
アルコキシ基、ハロゲン原子又は基−ｓｉ（ｃ，〜Ｃ６
−アルキル）、を意味し、ａはベンゾ縮合していないイ
ソインドール下位単位の数で１〜６であり、ｍはベンゾ
縮合していないイソインドール単位における置換基Ｒ１
の数で０〜４であり、そしてｎはベンゾ縮合しているイ
ソインドール下位単位における置換基Ｒ２の数で０〜６
である）で表わされる混合フタロ−ナフタロシアニンで
ある。

新規な混合フタロ−ナフタロシアニンは、照射敏感な塗
被薄膜層中の照射敏感成分として、好ましい様式で適す
る。

前記の基中に現れるアルキル基は直鎖状でも分岐状でも
よい。

式ＩのＲ１及びＲ２の例は次の基である。１個以上特に
１〜３個の酸素原子により中断されていてもよい０１〜
Ｃ２ｏ−アルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル
、イソプロピル、ブチル、インブチル、二級ブチル、三
級ブチル、ペンチル、インヘンチル、二級ヘンチル、三
級ペンチル、ヘキシル、２−メチルペンチル、ヘプチル
、オクチル、２−エチルヘキシル、インオクチル、ノニ
ル、イソノニル、デシル、イソデシル、ドデシル、　　
３．５，５．７−チトラメチルノニル、イントリテシル
、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタ
デシル、ノナデシル、エイコシルオキシルとは通俗的表
現であって、オキソ合成によって得られるアルコールに
由来する。これに関してはウルマンス・エンチクロペデ
イ・デル・テヒニツシエン・ヘミ−４版７巻２１５〜２
１７頁ならびに１１巻４３５〜４３６頁が参照される。

）、２ｒメトキシエチル、２−エトキシエチル、２−エ
トキシプロピル、３−エトキシプロピル、３．６−シオ
キサヘプチル、３，６−シオキサオクチル又は３，６．
９−ト！ｊオキサデシル；フェニル基又は０１〜Ｃ４−
アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ基もしくはハロゲ
ン原子特にＦ、Ｃ１又はＢｒにより置換されたフェニル
基、例えば２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、
４−エチルフェニル、４−イソプロピルフェニル、　４
−メチルフェニル、２．４−ジメチルフェニル、２，６
−ジメチルフェニル、２−メトキシフェニル、４−メト
キシフェニル、４−エトキシフェニル、４−７’ロボキ
シフエニル、４−インブトキシフェニル、２．４−ジメ
トキシフェニル、２，６−ジメトキシフェニル、２−フ
ルオルフェニル、４−フルオルフェニル、２−クロルフ
ェニル、４−クロルフェニル、４−フロムフェニル、２
．４−ジクロルフェニル、２．６−ジクロルフェニル又
は２，４．６−ドリクロルフエニル；Ｃ１〜Ｃ２０−ア
ルコキシ基例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イ
ンプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、二級ブトキシ
、ペントキシ、イソペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキ
シ、オクトキシ、２−エチルへキシルオキシ、インオク
チルオキシ、ノニルオキシ、イソノニルオキシ、デシル
オキシ、イソデシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシ
ルオキシ、イソトリデシルオキシ、テトラデシルオキシ
、ペンタデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、ヘプタデ
シルオキシ、オクタデシルオキシ、ノナデシルオキシ又
はエイコシルオキシ；ハロゲン例えばＦｌＣｌ又はＢｒ
；又は−Ｓｉ　（Ｃ，〜Ｃ６−アルキル）８例えばトリ
メチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル
、トリイソプロピルシリル、トリブチルシリル、トリペ
ンチルシリル又はトリへキシルシリル。

式Ｉの好ましいフタロ−ナフタロシアニンは、ＭがＶＯ
又はＣｌＡｌを意味するものである。Ｐｃが２又は６個
のイソインドール下位単位がベンゾ縮合しているフタロ
シアニン残基で、ＭがＶＯそしてＲ１が分岐１状のＣ６
〜ｃｌ□−アルキル基、ａｔ〜ｃａｔ−アルコキシ基又
は−８ｉ　（Ｃ，〜Ｃ４−アルキル）、である式！の７
タローナフタロシアニンは特に好ましい。そのほかｍ及
びｎが同一でも異なってもよいが、互いに無関係に０，
１又は２を意味するものが好ましい。ｍが１又は２でｎ
が０である化合物は特に好ましい。

本発明の混合フタロ−ナフタロシアニンは既知の手段に
より、例えばモーザー及びトーマス著「ザΦフタロシア
ニンズＪ１９８３年に記載のフタロシアニン又はナフタ
ロシアニンの製法と同様にして製造できる。

出発物質としては対応するフタロ誘導体とナフタロ誘導
体の混合物が用いられる。その例はジニトリル（Ｉｌａ
及びｒｌｂ）、ジイミノイソインドリ：／（ｎ［ａ及び
ｌ１ｌｂ）、イミド（ＩＶａ及びＩＶｂ　）又はカルボ
ン酸無水物（Ｖａ及びＶｂ）である。

［ａ　　　　　　　　　　　　　　　　［ｂｌ［１ａ　
　　　　　　　　　　　　　　　ｍｂ■ａ　　　　　　
　　　　　　　　　ｙｂす Ｖａ　　　　　　　　　　　　　　　Ｖｂｂｌａないし
Ｖａのフタロ誘導体も式１ｂないしｙｂのナフタロ誘導
体も、（す）フタロシアニンを形成するために必要な置
換基を、それぞれオルト位（４〜Ｃ１２２位又は２，６
位）に結合している。

出発成分の混合物中には、それぞれフタロ誘導体とナフ
タロ誘導体が１＝１０ないし１０：１好ましくは１：５
ないし１：１のモル比で存在する。

好ましくは■ないし■のフタル酸誘導体及びナフタロ誘
導体の溶融物及び対応する金属又は金属塩を、場合によ
り尿素の存在下に用意する。これに例えばフタロジニト
リル−ナフタロジニトリル混合物１重量部と、銅、ニッ
ケル、マンガン、鉄、亜鉛、鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、珪素又はバナジウムの酸化物又はハロゲン化物０．
２〜０．５重量部との混合物を添加し、２００〜３００
℃に２〜１０時間加熱する。反応混合物に触媒、例えば
モリブデン酸アンモニウムを添加してもよい。

今後、粗生成物を酸例えば１０％塩酸を用いて常法によ
り処理したのち、アルカリ性溶液例えば１０％アンモニ
ア水と共に煮沸すると、夾雑物は溶液中に移行する。粗
生成物を場合によりメタノールを用いて再度煮沸する。

得られた生成物を常法により乾燥する。

粗生成物を硫酸に溶解して濾過し又は遠心分離すると、
含有される硫酸に不溶な夾雑物が分離される。次いでこ
の硫酸溶液を氷水に注入すると、生成物が沈殿する。沈
殿を濾過又は遠心分離し、洗浄水が中性になるまで水洗
したのち乾燥する。この予備精製された生成物をハロゲ
ン化炭化水素例えば塩化メチレンで抽出し、モしてカラ
ムクロマトグラフィにかけると、高純度のものにするこ
とができる。

式■の金属不含の７タロ＝ナフタロシアニン（Ｍは２個
の水素原子）は、例えば対応する亜鉛化合物を硫酸で処
理する常法によっても得られる。

式ｌの新規な混合フタロ−ナフタロシアニンは、赤外部
近辺で高い分子吸収を示す。これは均一の無定形層を形
成し及び／又は有利に重合体中色素の層に加工できる。

本発明はさらに、式Ｉの混合フタロ−ナフタロシアニン
を含有する照射に対し敏感な層と支持体を有する照射に
敏感な塗被薄膜である。

塗被薄膜の他の成分としては、式Ｉの化合物と融和する
重合体が用いられる。この重合体は一般に結合剤と呼ば
れる。適当な結合剤の例は次のものである。ポリスチロ
ール、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリメタクリ
レート、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリビニルア
ルコール、ポリ塩化ビニル又はポリ酢酸ビニル、あるい
はＥＰ−Ａ９０２８２及び１７１０４５による液晶性の
側方基を含有する重合体又は共重合体。

そのほか薄膜は適当な添加物、例えば低分子の液晶性化
合物を含有し５る。

式Ｉの混合フタロ−ナフタロシアニンだけから成り、そ
してこの色素が無定形の状態で存在する膜が特に優れて
いる。

「無定形」とは、照射された膜が熱により変化された小
部分の範囲より大きい異方性の部分を有することな（、
約５０ｎｍ又はそれ以上の大きさにおいては光学的に異
方性であることを意味する。

一般に膜の厚さは５０〜１６０ｎｍ、好ましくは８０〜
１４０　ｎｍ％に１００〜１３０　ｎｍである。

本発明の塗被膜に含有される色素は、レーザー光線特に
比較的長い波長（６５０〜９００ｎｍ）のレーザー光線
を吸収することが好ましい。

この塗被膜は、好ましくは場合により反射層を有する円
板形支持体上に接着され、そしてこれは半導体レーザー
により情報の記入及び再生が可能である。

このように構成された光学的貯蔵体は、高密度の情報を
、らせん状又は環状の濃縮工程、微細な孔又は凹み（約
１μｍ幅）（これは反射性の変更により光学的に環境に
対し固定化されうる）の形で、収容できる。これは良好
な対照を示す。

色素の高い光吸収によって、本発明の塗被膜は半導体レ
ーザーの光線に対しきわめて敏感である。

他の波長範囲で放射するレーザーも使用できる。その場
合は本発明による成分を、既知の色素例えば置換された
ジチオーレン錯化合物、アゾ色素、アントラキノン色素
、トリフェニルメタン色素、メチン色素、四角酸誘導体
、ビリリウム塩又はチオピリリウム塩と混合することが
好ましい。

記録用媒体自体の構造は既知である。

支持体としては、例えばガラス製の板又は円板、あるい
は合成樹脂例えばポリメチルメタクリレート、ポリスチ
ロール、スチロール共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリメ
チルペンテン又はポリカーボネートからの板又は円板（
場合により痕跡小溝を有する）が用いられる。支持体は
テープ、正方形又は長方形の板又は円盤の形であってよ
（、呑−枯レーザー光学的記録用媒体にとって普通で既
知の直径が１０〜１６ｃｒＩＫの円盤が優れている。

記録用材料はそのほか他の層、例えば保護層、接着層又
は電極層を有しうる。支持体のほかに反射層が存在する
と、照射されて有色層中を進行した光は、吸収されない
限り、反射層で反射されて再び有色層中を進行する。

照射は好ましくは透明基質を通して行われる。

この場合の層の顆序は、基質−吸収層−（場合により反
射層）である。

光反射層は、受容しそして走査するために用いられる光
をできるだけ定量的に反射するものであるべきである。

適当な光反射材料の例は、アルミニウム、ロジウム、金
、すす、鉛、ビスマス、銅又は誘電性反射鏡である。光
反射層の厚さは、受容し又は走査するために必要な光を
できるだけ完全に反射し５る厚さとすることが望ましい
。

この目的のためには熱伝導性の少ない反射鏡が優れてい
る。支持体又は光反射層は光学的に平滑で平らな表面を
有することが必要で、吸収層がその上に固着されねばな
らない。表面の品質及び付着現象に好ましい影響を与え
るため、支持体及び／又は反射層は、熱硬化性又は熱可
塑性の材料からの平滑層を備えていてもよい。

照射に対し敏感な層の機械的安定性が充分でないときは
、透明保護層で被覆することができる。このためには溶
解した重合体の遠心塗布、ドクター塗布又は浸漬塗布に
より、あるいは真空蒸着により保護層を形成しうる種々
の重合体、例えば弗素化重合体が用いられる。

データ貯蔵体が、２枚の同一の又は異なる記録用媒体を
サンドインチ状に重ねて構成されたものであるときは、
保護層を省略することかで力を有する。

光学的記碌用媒体の優れた品質を保持したままで、保護
層及び／又は中間層を省略することもできる。中間層を
省略できないときは、これに用いられる材料の屈折率及
び使用するレーザー光線の波長を考慮して、保護層の厚
さを妨げとなる干渉現象が起こらないように選ぶことが
好ましい。

新規な混合フタロ−ナフタロシアニンを含有する本発明
の塗被薄膜は、半導体レーザーの波長（約７００〜８５
０ｎｍ）において強く吸収する。混合フタロ−ナフタロ
シアニンは、光学的品質において平滑な吸収層を与え、
その中で貯蔵される情報が高いシグナル：ノイズ比で記
入されるように塗布される。

吸収層の塗布は、好ましくは溶解又は分散された色素を
結合剤の存在下で遠心塗布することにより行われる。ド
クター塗布又は浸漬塗布も、保護層形成法として用いら
れる。金属製反射層の被着は、好ましくは支持体上への
真空蒸着又は適当な金属箔の被着により行われる。

−溶液からの吸収層の被着のためには、適当な溶剤例え
ば塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、フロモホ
ルム、メチルクロロホルム、アセトン、メチルエチルケ
トン、シクロヘキサノン、ドルオール、アセトニトリル
、酢酸エステル、メタノール又はその混合物の中で、混
合７タローナ７タロシアニン又はその混合物及び結合剤
の溶液又は場合により懸濁液を、場合により補助剤を添
加して調製する。

この色素調製物を、ドクター塗布又は浸漬又は好ましく
は遠心塗布（スピンコーティング）により、あらかじめ
清浄化され又は予備処理された基質（基礎層）の上に被
着し、この層を空気中で乾燥し又は硬化させる。この薄
膜は真空中の高温で、又は場合により照射して乾燥し又
は硬化させることもできる。

前記のように単一層から成り、それが特にスピンコーテ
ィングにより被着されたものである照射に敏感な塗被膜
が優れている。

系の構成によってまず照射敏感層を、次いで反射層を被
着し、あるいはその逆に操作する。

前記のように中間層及び保護層又は反射層の被着を、所
望により省略できる。

本発明の照射に敏感な塗被薄膜には、記入用レーザー線
により、アナログ又はデジタルのデータを記入すること
ができ、その場合アナログデータの記入のためにはアナ
ログ変調された持続線レーザー、そしてデジタルデータ
の記入のためには衝撃電流でコード化されたレーザーが
用いられる。

一般に適当なレーザーは、犯人波長において１〜２０ｍ
Ｗの照射電力を有する。記入レーザー線の焦点直径は、
一般に３００〜２０００　ｎｍである。衝撃電流でコー
ド化されたレーザーを用いて記入する場合の衝撃時間は
、一般に１０〜ｊ　Ｏ００ｎｓである。好ましくは記入
のために、関連する記録層によって良好に吸収される波
長の光によるレーザー線が用いられる。４００〜１００
０　ｎｍの波長が特に有利である。

記入過程において、レーザー線は相対的移動において記
録用材料の方へ導かれてこれと垂直に突き当たり、その
際記録層上に焦点を結ぶ。

突き当たった場所で記録層は局部的に加熱され、そして
熱により変化した範囲が例えば小孔、凹み又は小点の形
で生成する。衝撃電流でコード化されたレーザーにより
データを記入する場合には、この範囲は本質的に１００
〜２０００ｎｍの直径を有する円又は長円の形を有する
。アナログ変調された持続線を用いて記入する場合には
、それは任意の形を有しうる。

本発明の塗被薄膜は、除去及び変形のレーザー光学的デ
ータ記碌のために著しく適している。

記録層へのデータの記入は、支持体と反対の層の側から
、あるいは光学的に透明な支持体を通して行われる。後
者の方が特に有利である。

記入されたデータは、読解用レーザー線により読解され
る。読解レーザーの照射電力は、読。

解波長において記入が可能である境界電力より低い。一
般に照射電力は０．１〜２　ｍＷである。

記入層で強く反射される波長のレーザー線を使用するこ
とが有利である。４００〜１１０００ｎ特に６３０〜９
０Ｏｎｍの波長が好ましい。

読解の経過においても、読解用レーザー線は相対的移動
において記録用材料の方へ導かれてこれと垂直に突き当
たり、その際記録層上に焦点を結ぶ。

読解レーザー線が記録層中で熱により変化した範囲、例
えば小点に突き当たると、記録材料から伝導され又は反
射された光線の性質が変化し、これは適当な検波器によ
り確認できる。その場合記録層中のデータの読解は、支
持体と反対の側から、あるいは光学的に透明な支持体を
通して行われ、後者の方が有利である。反射光を捕える
ことが特に有利である。

そのほか赤外部の６３０〜９００ｎｍの波長範囲で照射
される記入レーザー及び読解レーザーを使用することが
好ましい。犯人波長が読解波長と同一であるか、あるい
はわずかに異なることが特に有利である。この波長の光
線は公知の半導体レーザーから発せられる。

本発明の薄膜は多くの利点を有する。すなわち未記入の
記録層は特に安定で、比較的高い温度及び空気湿度で長
期間貯蔵した後でも、レーザー光学的データ記入に好適
である。記入された記録層も同様である。これはきわめ
て長い貯蔵においても情報の損失を示さない。したがっ
て記入レーザーを比較的低い光負荷で使用することもで
きる。そのほか記入された記録材料は、記入部と非記入
部との間の特に高い光学的コントラストを有し、これは
既知の７タロシアニン層における光学的コントラストに
より優れている。そのほか本発明の記録用材料では、ビ
ット密度が明らかに１０７ピツト／ｃｒ１１２以上に達
し、データは記入の直後でも読解できる。

本発明の式■のフタロ−ナフタロシアニンは、良好な応
用技術上の性質を有するので、他の使用目的にも使用す
ることができ、特にＩＲＲ護層、ＩＲＲ収フィルム、太
陽めがね被膜、自動車防風窓ガラス用の被膜、ＩＲイン
キ、ＩＲ読解線状符号用の印刷インキ、液晶表示又は工
Ｒ安全系の製造に使用できる。

ＩＲＲ解可能な線状符号とは、例えば包装物上に付着さ
れた品物の正確な特性表示に役立つ線状符号を意味する
。

液晶表示又はディスプレイとは、液晶物質からの層を含
有する既知の構造を意味する。この層は電圧を負荷する
と、局部的にその光学的性質を変更し、これによって例
えば数字、文字又は図形を見分は可能にすることができ
る。

ＩＲ安全全系は、本質的にレーザー光源とそれから空間
的に適当に離れた検波器とから成る装置を意味する。レ
ーザー光源から放射されるレーザー光線は検波器に突き
当たって、いわゆる光の塀を生じる。これを中断すると
、検波器から警報が発せられる。

電子光学的記録用材料は、暗所で高い電気抵抗を有する
が照射時に導電性になる層から本質的に構成される。こ
の層が暗所で表面に帯電され、そして像を生成するよう
に照射されるならば、この帯電は照射範囲で漏電して静
電像を生成し、これがいわゆるトナーにより可視にされ
る。

以下実施例によりさらに詳しく説明する。

Ａ）合成 一般的製造指針： ０−ナフタロジニトリル０．２５モル、０−７タロジニ
トリル０．０３モル及び塩化アルミニウム又は五酸化バ
ナジン又は塩化ノ（ナジウム＠）０゜０６２５モルを、
２００℃に２時間、次いで２５０℃に３時間加熱する。

今後、反応混合物を１０％塩酸２００　ｍｌと共に煮沸
し、次いで塩酸を除去したのち、まず１０％アンモニア
水２０Ｑ　ｍｌと、続いてメタノール２００　ｍｌと共
に煮沸し、可溶性夾雑物を粗生成物から除去する。

乾燥後、予備精製された生成物を塩化メチレンで抽出し
て、混合フタロ−ナフタロシアニンを単離する。得られ
た混合物を、中性酸化アルミニウム（活性度３）上でド
ルオール、ドルオール／酢酸エチル（容量比９：１）又
は塩化メチレンを用いて溶出するカラムクロマトグラフ
ィにより、さらに精製する。

得られた生成物の組成は、元素分析により測定され、計
算値と比較される。それぞれの７タローナフタロシアニ
ンは、二酸化珪素又は酸化アルミニウム上の薄層クロマ
トグラフィによる８士値により特性決定される。

下記表に合成された生成物及びその５Ｒ１値を示す。Ｒ
１ｉ値は、メルク社製Ａ１□Ｏ８板（ＤＣ−アルホリエ
ンＦ２５４、中性、Ｅ型、層厚０．２　ｍ　’）ならび
にマーチエリ−及びナーゲル社製８１０２板（ポリグラ
ムＳＩＬ　、　Ｎ−ＨＲ／ＵＶ２５４．０．２　ｆｉ　
）を用いて測定される。溶出剤としてはドルオール（Ａ
）、トルオ−ルーシクロヘキサン（９：　１　ｖ／ｖ）
（Ｂ）及びドルオール−アセトン（９：　１　ｖ／ｖ　
）（Ｃ）が用いられる。

Ｒ１及びＲ２のＭｅはメチル基、ｔ　−Ｂ　ｕは三級ブ
チル基そしてｔ−Ｃ，Ｈ，、は４〜Ｃ１２４〜Ｃ１２３
．３−テトラメチルブチル基を意味する。置換基の位置
はフタロ−及びナフタロジニトリルを基礎とする。

１５　　　　　４−ｔ−Ｂｕ　　　　　　　６−ｔ−Ｂ
ｕ　　　　　　　　　２１６　　　　　４−Ｍｅ３Ｓｉ
　　　　　　　６−ｔ−Ｂｕ　　　　　　　　２１７　
　　　４−　ｔ−Ｃ４Ｈ１７１＋４（ＯＭｅ）ｚ　　　
　　２１８　　　　４−ｔ−Ｂｕ　　　　　　１．４（
ｏＭｅ）ｚ　　　　　　２１９　　　　４−Ｍｅ３　Ｓ
ｌ　　　　　　１．４（ＯＭｅ）ｔ　　　　　２２０　
　　　　４−ｔ−Ｂｕ　　　　　　　６−ｔ−Ｂｕ　　
　　　　　　　２２１　　　　　ａ−ｔ−ＣｇＨ，？Ｈ
５２２４−ｔ−Ｂｕ　　　　　　　　　　Ｈ３２３４−
Ｍｅ３Ｓｉ　　　　　　　　　Ｈ３２４４−ｔ−ＣｓＨ
，、６−ｔ−Ｂｕ　　　　　　　　３２５　　　　４−
ｔ　−Ｂｕ　　　　　　　６−ｔ　−Ｂｕ　　　　　　
　　　３２６　　　　４−Ｍｅ３Ｓｉ　　　　　　６−
ｔ−Ｂｕ　　　　　　　　３２７　　　　４−　ｔ−Ｃ
６Ｈ１７４〜Ｃ１２４（ｏＭｅ）２　’　　　　　３２
８　　　　４−ｔ−Ｂｕ　　　　　　１　＋４（ｏＭｅ
）２　　　　５２９　　　　４−Ｍｅ３Ｓｉ　　　　　
　１．４（ＯＭｅ）２　　　　　５３０　　　　　４−
ｔ−Ｂｕ　　　　　　　６−ｔ−Ｂｕ　　　　　　　　
５ｖｏ　　　　　Ｏ，５６０，４５０，９１０，３４０
，２６０，９５ｖｏ　　　　　Ｏ，６２０，５８０，８
１０，４００，５５０，８６ｖｏ　　　　　Ｏｊｏ　　
　０．１９　　０．８３　　　　０．５４　　０．２６
　　０．９２ｖｏ　　　　　Ｏ，２８０，１６０，５７
０，１５０，１１０，９５ｖｏ　　　　　Ｏ，２６０，
１６０，８５０，２９０，２２０，９０ＣＩＡＩ　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｏ，６００
，４８０，９８ｖｏ　　　　　Ｏ，７１０，６４０，９
５０，６８０，６３０，９０ｖ。

ＶＯＯ，５８０，６７ ｖｏ　　　　　Ｏ，７６０，７００，８３０，８２０，
７７Ｇ、９０ｖｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　Ｏ，５３０，４２０，９５ｖｏ　　　　
　Ｏ，７６０，７２０，ＩＮ　　　　　Ｏ，７１０，６
１０，８６ｖｏ　　　　　Ｏ，５１０，５５０，８３０
，９２ｖｏ　　　　　Ｏ，５７０，４２０，５７０，９
５ＶＯＯ，４８０，５４０，８５０，９０ＣＩＡＩ　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｏ，７０
０，６００，９８塗被膜の一般的製造指針： フタロ−ナフタロシアニン（化合物番号１〜３０）１ｇ
を、ドルオール２０１ｒＬｌ中で室温で一夜攪拌したの
ち、加圧下にフリツ）（Ｐ４）を通過させる。得られた
溶液を注射器を用いて、ポリメチルメタクリレート製の
回転する円板（直径１２ｃｒｎ）の上に注加する。溶液
を２００Ｏｒ＋１１で２５秒間遠心分離したのち、５ｏ
ｏｏｒｐ＊で乾燥遠心分離する。得られる層は均質でピ
ンホールがな（、高度反射性である。

Ｂ）応用 前記により製造された記録用材料について記入及び読解
するため、普通の既知の測定装置を使用する。これは ａ）　１０　ｍＷの最大記入電力で波長８３６ｎｍの光
線を発する衝撃電流でコード化された記入用レーザー及
び ｂ）　０．４〜１　ｍＷの電力で波長７８　Ｄ　ｎｍの
連続光線を発射する読解用レーザーを有する。そのほか
この測定装置は光学的構成部を有し、これを用いてレー
ザー（ａ）及び（ｂ）の平行レーザー線が、１個の共通
の対物レンズ（ＮＡ＝０．５）によりディスクを通って
記録層上に焦点を結ぶように、相互に線状に調節された
。これにより、両レーザー線の突き当たった場所は約１
０μｍだけしか互いに離れていないので、記入された小
点はプレートの回転により記入ののち数μｓで読解レー
ザー（ｂ）の焦点を通過し、検出することができた。

小点を検出する目的で、記録層からディスクを通して反
射された光は既知の手段で捕えられた。

すべての記録用材料には４ｒｎｓ−’の追跡速度におい
て、記入レーザー（ａ）を用いて連続パルス発生器（Ｉ
　ＭＨｚ直角、各パルス時間は５００ｎｓ）により記入
された。その際記入電力は１〜１０ｍＷで変化させた。

直接に、すなわちその記録ののち数μｓに、得られた小
点が読解された。

その際小点により引き起こされた一反射レーザー光線の
パルスの増幅が測定され、そして記入電力の関数（これ
により関連する小点が最初に垂成される）として特性付
けられた。こうして、前記の条件下でどの記入電力から
問題のない信号（データ記録の基本的前提条件）を得る
ことができるかが調べられた。これはすべての場合に２
．５　ｍＷの記入電圧から可能であり、本発明の記録用
材料の高い感度が証明された。

これらの記録用材料を１０週間６０℃及び９０％の相対
空気湿度で貯蔵した。その際不利な変化は全く起こらず
、記録されたデータは依然として正確に読解することが
できた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （Ｐｃは１〜３個のイソインドール下位単位がベンゾ縮
   合しているフタロシアニン残基、Ｍは銅、ニツケル、マ
   ンガン、鉄、亜鉛、鉛、ビスマス、２個の水素原子又は
   基ＣｌＡｌ、Ｃｌ＿２ＳｉもしくはＶＯ、Ｒ＾１はベン
   ゾ縮合していないイソインドール下位単位への置換基、
   Ｒ＾２はベンゾ縮合しているイソインドール下位単位へ
   の置換基を意味し、このＲ＾１とＲ＾２は同一でも異な
   つてもよく、互いに無関係にアルキル基が酸素原子によ
   り中断されていてもよいＣ＿１〜Ｃ＿２＿０−アルキル
   基、置換されていてもよいフエニル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿２
   ＿０−アルコキシ基、ハロゲン原子又は基−Ｓｉ（Ｃ＿
   １〜Ｃ＿６−アルキル）＿３を意味し、ａはベンゾ縮合
   していないイソインドール下位単位の数で１〜３であり
   、ｍはベンゾ縮合していないイソインドール単位におけ
   る置換基Ｒ＾１の数で０〜４であり、そしてｎはベンゾ
   縮合しているイソインドール下位単位における置換基Ｒ
   ＾２の数で０〜６である）で表わされる混合フタロ−ナ
   フタロシアニン。 ２、Ｐｃが２個又は３個のイソインドール下位単位がベ
   ンゾ縮合しているフタロシアニン残基、Ｍが基ＶＯそし
   てＲ＾１が好ましくはＣ＿４〜Ｃ＿１＿２−アルキル基
   、Ｃ＿４〜Ｃ＿１＿２−アルコキシ基又は基−Ｓｉ（Ｃ
   ＿１〜Ｃ＿４−アルキル）＿３であることを特徴とする
   、第１請求項に記載の混合フタロ−ナフタロシアニン。 ３、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （Ｐｃは１〜３個のイソインドール下位単位がベンゾ縮
   合しているフタロシアニン残基、Ｍは銅、ニツケル、マ
   ンガン、鉄、亜鉛、鉛、ビスマス、２個の水素原子又は
   基ＣｌＡｌ、Ｃｌ＿２ＳｉもしくはＶＯ、Ｒ＾１はベン
   ゾ縮合していないイソインドール下位単位への置換基、
   Ｒ＾２はベンゾ縮合しているイソインドール下位単位へ
   の置換基を意味し、このＲ＾１とＲ＾２は同一でも異な
   つてもよく、互いに無関係にアルキル基が酸素原子によ
   り中断されていてもよいＣ＿１〜Ｃ＿２＿０−アルキル
   基、置換されていてもよいフエニル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿２
   ＿０−アルコキシ基、ハロゲン原子又は基−Ｓｉ（Ｃ＿
   １〜Ｃ＿６アルキル）＿３を意味し、ａはベンゾ縮合し
   ていないイソインドール下位単位の数で１〜３であり、
   ｍはベンゾ縮合していないイソインドール単位における
   置換基Ｒ＾１の数で０〜４であり、そしてｎはベンゾ縮
   合しているイソイソドール下位単位における置換基Ｒ＾
   ２の数で０〜６である）で表わされる混合フタロ−ナフ
   タロシアニンを含有する照射に対し敏感な層と支持体を
   有する照射に敏感な塗被薄膜。 ４、Ｐｃが２個又は３個のイソインドール下位単位がベ
   ンゾ縮合しているフタロシアニン残基、Ｍが基ＶＯそし
   てＲ＾１が分岐状のＣ＿４〜Ｃ＿１＿２−アルキル基、
   Ｃ＿４〜Ｃ＿１＿２−アルコキシ基又は基−Ｓｉ（Ｃ＿
   １〜Ｃ＿４−アルキル）＿３であることを特徴とする第
   ３請求項に記載の塗被薄膜。