JPH02117963A - テトラアザポルフィリン及び光学的記録媒体 - Google Patents

テトラアザポルフィリン及び光学的記録媒体

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JPH02117963A
JPH02117963A JP1218754A JP21875489A JPH02117963A JP H02117963 A JPH02117963 A JP H02117963A JP 1218754 A JP1218754 A JP 1218754A JP 21875489 A JP21875489 A JP 21875489A JP H02117963 A JPH02117963 A JP H02117963A
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JP
Japan
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formula
layer
alkyl
recording medium
tetraazaporphyrin
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JP1218754A
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Bernhard Albert
ベルンハルト、アルベルト
Peter Neumann
ペーター、ノイマン
Rolf-Dieter Kohler
ロルフ‐ディーター、コーラー
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BASF SE
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は新規なテトラアザポルフィリン及びこれを感放
射線性層中に含有する光学的記録媒体に関するものであ
る。
(従来技術〕 レーザ光のような高エネルギ密度線照射により部分的状
態変化tもたらす記録材料は公知である。
この熱的に開始される状態変化、例えば蒸発、流れ特性
変化或は退色は、吸収極大の変化乃至消失を介して光学
的特性、例えば反射或は吸収の変化をもたらし、これが
情報乃至データの記録に利用されろ。
光学的記録媒体のための適当な光源は、例えば近赤外線
光を放射する半導体レーザである。これらのうち、こと
に重要であるのは、約650乃至900nmの波長範囲
で作動する固体注入レーザ、ことにAIGaAaレーザ
である。従って、この種の記録材料として符に興味があ
るのは、約650乃至900nmの波長範囲の放射@ン
吸収し、均質な薄層に加工処理し得るものである。
光学的記録媒体に使用される感放射線物質としては、さ
らに工R染料である。例えばフダロシアニン或はナフタ
ロシアニンを感放射線組成分として含有する光学的記録
手段がある(西独特許出願公開3622590号、ヨー
ロッパ特許出願公開13453号、同204876号、
米国特許4458004号、同4492750号、日本
国符許出願公開明57−82093号、同昭60−35
545号、ヨーロッパ特許出願公開191970号、同
191215号、同204876号、同198140号
及び米国特許4605607号)。
本発明の目的は、半流体レーザの波長領域で強い反射性
及び吸収性を示す新規な感放射線性化合物を提供するこ
とである。
(発明の要約) しかるに、この目的は以下の式(1) (式中、Ll、が、Ll及びR4は互に同じであっても
異なってもよく、相互に無関係にそれぞれN。
0及びSかも成る群より選ばれる、1乃至3個の同じ或
は異なるヘテロ原子を有する、場合により置換されてい
る二環式芳香族へテロ環基を意味し、R1及びR1は互
に同じであっても異なってもよく、相互に無関係にそれ
ぞれヒドロキシ、a、 −O,。
アルコキシ、O,+ 010アルキル、G!−0鵞0ア
ルケニ”’、01− atoアルケニルオキシ或は以下
の式(II)の基を意味し、 R′ R1+ R1はo、 −o、。アルキル、o4− otoアルケ
ニル或はフェニル置換o、 −0,。アルキルを意味し
、R4及びR1は互に同じでも異なってもよく相互に無
関係にそれぞれO,−0□アルキル或は基OR”を意味
し、このR1は上述の意味を有する)で表わされるテト
ラアザポルフィリンにより達成され得ることが見出され
た。
(発明の構成) 本発明による新規のテトラアザポルフィリンにおけるす
べてのアルキル及びアルケニルは直鎖性のみでなく分枝
されていてもよい。
基L1、が、が及びL′が意味する二環式芳香族へテロ
環は、1乃至3個、ことに1或は2個の、同じ或は異な
るヘテロ原子N、O或はSを有し、置換されていてもよ
い。この二環式へテロ環はそれぞれ5乃至6個の環員を
有する。
二環式芳香族へテロ環が置換されている場合には、各二
環は一般に1乃至4個の置換基(以下これをXで表わす
)を有する。
適当な置換基は、例えばat ”’ O!0アルキル(
フェニルで置換されることができる) Ot −01゜
アルケニル% a、 + atoアルコキシ(フェニル
で置換されることがでさる)、弗素、塩素及び臭素であ
る。
Ill、が、LJ及びL′が意味する二環式芳香族へテ
ロ環の基本的構造は以下の通りである。ただしこれらは
上述したようにXによりモノ、ジ、トリ或はテトラ置換
されることができる。
R1、R1、R4及び又は、それぞれ例えばメチル、エ
チル、プロピル或はイソプロピルを意味することができ
る。
R′、R2、R′及び又は、8 ラIc R”と同様に
それぞれブチル、イソブチル、8θ0−ブチル、tar
t−ブチル、ペンチル、インペンチル、ネオペンテk、
tert −’<ブチル、ヘキシル、2−メflLtペ
ンチル、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル、イ
ソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル
、ウンデシル或はドデシルである。
R′、R2、RB及びXは、さらにそれぞれトリデシル
、3,5,5.7−チトラメチルノニル、イソトリデシ
ル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプ
タデシル、オクタデシル、ノナデシル或はエイフシルを
意味する。上述の表記インオクチル、イソノニル、イソ
デシル及びイソトリデシルはオキソ法により得られるア
ルコールから派生した名称である。[ウルマンス、エン
ツィクロヘティー、チル、テヒニツシエン、ヘミーJ4
版、7巻、215−217頁及び11巻、435−43
6頁参照。
R1、R2及びXはそれぞれさらにメトキシ、エトキシ
、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキ
シ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ
、オクチルオキシ、2−エチルへキシルオキシ、イソオ
クチルオキシ、ノニムオキシ、イソノニルオキシ、デシ
ルオキシ、イソデシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデ
シルオキシ、トリデシルオキシ、イントリデシルオキシ
、テトラデシルオキシ、ペンタデシルオキシ、ヘキサデ
シルオキシ、ヘプタデシルオキシ、オクタデシルオキシ
、ノナデシルオキシ、エイコシルオキシ、ビニル或はア
リルを意味する。
R1、R1及びXはまたR8と同じく、さらにメタリル
、7’)−3−エン−1−イル、ウンデス−10−エン
−1−イル、オクタデス−9−エン−1−イル、オクタ
デク−9,12−ジエン−1−イル、オクタデク−9,
12,15−トリエン−1−イル、エイニス−9−エン
−1−イル、エイフス−5,8,11。
14−テトラエン−1−イルな意味する。
R’及ヒR’はさらにアリルオキシ、メタリルオキシ、
ブドー3−エン−1−オキシ、ウンデス−10−エン−
1−オキシ、オクタデス−9−エン−1−オキシ、オク
タデク−9,12−ジエン−1−オキシ、オクタデク−
9,12,25−)リエンー1−オキシ、エイン−−9
−二ンー1−オキシ或はエイロス−5,8,11,14
−テトラエン−1−オキシな意味する。
X或はHaがフェニル置換at −atoアルキルを意
味する場合、これはベンジル或は1−もしくは2−フェ
ニルエチルである。
又はさらにベンジルオキシ或は1−もしくは2−フェニ
ルニドキシを意味する。
本発明によるテトラアザポルフィリンは、伝えば198
3年米国フロリダ州、ボカロタのOROプレス社刊、I
P、 H,モーザー、A、 I、、 )マスの「ザ、フ
タロシアニンズ」及びJ、 Amer、 Ohem、 
Soo。
106 (1984)、7404−10に記載されてい
る、フタロシアニン或はナフタロシアニン製造のために
使用される公知の慣用の方法により製造され得る。
なお、Z、 Ohem、 26 (1986)、217
−18は2゜3−ジシアノキノザリンかも出発してテト
ラ〔2゜3−キノザリン〕テトラアザホルフイナトーオ
キソバナジウムの製造法を記載している。
本発明によるテトラアザポルフィリン(1)のための出
発物質は、以下の式(1)のジニトリルか或は以下の式
CF/)のジイミノイソインドリンであるのが好ましい
式中、Lは上述したり、L!、Ll及びR4と同じもの
を意味し、テトラアザポルフィリンを構成し得る置換基
は何れもオルト位に在る。
例えばジイミノイソインドリン(F/)’に以下の式(
V)のクロルシラン YSiOls        (V )(式中、Yはo
、 −o鵞◎アルキル、0鵞−oloアルケニル或は塩
素を意味する)と不活性有機希釈剤中、塩基の存在下に
170乃至250℃の温度で反応させることにより、以
下の式(Ma )のテトラアザポルフィリンな得る。
式中、2は塩素、Ll、L!、Ll、い及びYは前述の
意味を有する。
適当な希釈剤は例えばテトラリン及びニトロベンゼンで
ある。また適当な塩基は例えばトリブチルアミン、キノ
リン、ピコリン、フリジンのような3級アミンである。
式(■IL)の化合物な0.−0.◎アルカノール或は
0.−〇含0アルケノールと、3o乃至120℃の温度
で反応させることにより、式(I)中R1及び/或はR
2が01−O鵞0アルフキシ或はo、−o、。
アルケノキシを意味する化合物に到達する。
しかしながら、式(■&)のクロルシリコン誘導体は、
またピリジンの存在下或は不存在下に、5乃至80℃の
温度で濃硫酸或は水性塩基、例えばナトリウム、カリウ
ム或はアンモニウムの水溶液で処理して相当する式(v
b )のヒドロキシ化合物に転化する。
ヒドロキシ化合物(Wb)’kまず以下の式(■)のク
ロルシラン \ 5ills    (■) / (式中、Ql及びQ3は互に同じでも異なってもよく、
それぞれ01−0□アルキル或は塩素を意味するンと、
ナトリウムヒドリドの存在下、ピリジン中において15
乃至150℃で反応させ、次いで式(■) R” −O
H(式中、R″は前述した意味を有する)のアルコール
と30乃至120℃で反応させて、本発明のテトラアザ
ポルフィリン(I)に到達することもできる。
式(I)の新規テトラアザポルフィリンは、近赤外線域
に高い分子吸収ケ示す。これら化合物は物質の無足形層
を形成しかつ/もしくは染料含有ポリマー層中に都合よ
く一体化される。
そこで本発明新規化合物を含有する層が均質であり、慣
用の担体材料によく接着し、長期間にわたり安定である
べき新規の光学的記録媒体を提供することも本発明の対
象となる。
この光学的記録媒体の他の構成分として、本発明化合物
(1)と相容性のあるポリマーが挙げられる。この種の
ポリマーは一般に結合剤と称される。
適当な結合剤の例として、ポリスチレン、ポリエステル
、ポリアクリラート、ポリメタクリラート、ポリカルボ
ナート、ポリアミン、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルクロリド、ビニルクロリド/ビニルア七タート共重合
体及びヨーロッパ特許出願公開90282号及び同17
1045号に記載されている液晶側鎖基を有する単独重
合体乃至共重合体が挙げられる。
記録媒体は、さらに適当な添加剤、例えば低分子jI#
:、液晶化合物を含有することができる。
好ましい光学的記録媒体は、その感放射線性層が式(I
)のテトラアゾポルフィリンのみから成り、この染料が
無足形状態にあるものである。
この「無定形」なる訪は、感放射線性層が熱的に変化せ
しめられる寸法より大きい異方性領域を持たないが、こ
の層が約30 nm以上で光学的に等男性であることン
意味する。
感放射線性層の厚さは一般に20乃至400 nm、こ
とに50乃至300 nmである。
本発明による光学的記録媒体に含有される染料はレーザ
光、ことに比較的長波長(65o乃至900nm )の
レーザ光を吸収することが望ましい。
このタイプの記録媒体は、反射層を有するか或はこれを
持たない、円盤状担体のものであって、半導体レーザに
より情報の書込み、読出しをするものが好ましい。
このような構成の光学的記録媒体は渦巻状トラック或は
同心珊状トラック、微小孔或は凹み(幅約174m )
の形態における情報を高密度で記録することができ、こ
れは周辺と対比した反射率の変化により光学的に読取ら
れ得る。
本発明化合物乃至染料の高い光吸収性により、本発明の
光学的記録媒体は半導体レーザ光に対し極めて高い感度
で反応する。
記録゛媒体の構成自体は公知である。
担体乃至基板はガラス製板体乃至ディスク、プラスチッ
ク製板体乃至ディスク、ことにポリメチルメタクリラー
ト、ポリスチレン、スチレン共重合体、ポリビニルクロ
リド、ポリメチルペンテン、ポリカルボナート製の板体
乃至ディスクが好ましい。
この担体はまたテープ状、正方形乃至矩形の板体の形状
であることもできるが、レーザ光学的記録媒体に公知慣
用の径10乃至13 ctsのディスクが好ましい。
なお記録媒体はさらに保護層、接着層、電極層などの層
を有することができる。
担体以外に、さらに反射層を設けて、潰色層を通過し、
吸収されないレーザ入射光を反射して再び着色層を通過
させることもできる。
レーザ照射は透明基板を通して行なうのが好ましい。こ
の場合の層の配列は基板−吸収層−(場合により設けら
れる反射層)となる。
反射層面は光学的に平滑で吸収層と確実に接着するもの
でなければならない。この表面特性、接着特性を確実に
するため、基板及び/W、は反射層には熱硬化性或は熱
可塑性材料から成る平滑化層を設けることができる。
感放射線性層が適当な機械的安定性を持たない場合には
透明保護層を形成することができる。この目的のため種
々の重合体、ことに弗素化ポリマーを溶液状にしてスピ
ンコーティング法、ナイフコーティング法或は浸漬法で
、或は真空蒸着法で保護層形成する。
データ記録を同一の或は相違する2記録媒体をサンドイ
ッチ状に積層して行なう場合には、保護層は省略され得
る。サンドイッチ構造は機械的及び回転動態的安定性の
ほかに、記録キャパシティーを2倍にできる利点がある
光学的記録媒体が十分な品質を有する場合には、保護層
も中間層も省略され得る。
本発明による新規なテトラアザポルフィリンな含有する
記録媒体は、約650乃至900’ nm f’)1半
導:体レーザ波長において強力な吸収性を示す。このテ
トラアザポルフィリンは、記録されるべき情報が高いシ
グナル/ノイズ率で書込まれ得る光学的品質の、平滑な
吸収層を形成し得る。
吸収層は、場合に応じて結合剤を使用し或は使用せずに
、染料溶液乃至分散gをスピンコーティング法により塗
布して形成されろ。他の可能な層形成法はナイフコーテ
ィング及び浸漬コーティングである。金属反射層は、真
空蒸着法により或は金属箔を基板に貼着して形成される
溶液から吸収層を形成する場合には、シリコンナフタロ
シアニンを適当な溶媒、例えばシクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、メチレンクロリド、クロロホルム、四
塩化炭素、ブロモホルム、1.1.1− )リクロルエ
タン、1,1.2−トリクロルエタン、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、ア七ト
ニトリル、エチルアセタート、メタノール、エタノール
或はこれらの混合溶媒に、結合剤ケ使用し或は使用する
ことなく、助剤l添加し或は添加することなく溶解させ
、或は分散させる。
この染料調剤をナイフフーティング法、浸漬コーティン
グ法、ことにスピンコーティング法で、あらかじめ洗浄
し清浄化された面上に層形成し、空気雰囲気中で乾燥、
硬化させる。皮膜は高温下、減圧で乾燥、硬化させるこ
ともできる。
前述したように、式(1)のテトラアザポルフィリンの
みから成る感放射線性層を有する記録媒体が好ましい。
該層をスピンフーティングで形成する記録媒体がことに
好ましい。
記録媒体の構造に応じて、ます感放射線性層が形成され
、次いで反射層が形成されるか、或はこの逆の順序で形
成される。中間層、保護層、反射層は、前述したように
、場合により省略され得る。
′できれば反射層のない単一層構造が好ましい。
本発明記録媒体には、書込みレーザ光でアナログ情報で
もディジタル情報でも記録され得る。アナログ情報は当
然のことながらアナログコード変調連続波レーザで、デ
ィジタル情報はパルスフード変調レーザで記録される。
適当なレーザは一般に書込み波長で1乃至20mWのビ
ーム出力を有する。書込みレーザ光の焦点径は一般に3
00乃至2000 nmである。パルスフード変調レー
ザによる照射のパルス持続は通常10乃至1000 n
aである。書込み用には、記録層に容易に吸収される波
長のレーザ光を使用することが好ましい。有利であるの
は400乃至1000 nm波長のレーザ光である。
書込み操作は、記録材料層を横切って相対運動するよう
にレーザビームYi内し、レーザツCがこれに直角に入
射し記録材料層面上に焦点ケ結ぶようにする。この入射
点で記録層は局部的に加熱され、熱的変性領域、例えば
孔隙、クレータ或はスポットを形成する。パルスコート
変調レーザで書込む場合、この領域は実質上直径100
乃至2000nmの円形乃至楕円形をなす。アナログコ
ード変調連続波レーザで書込む場合、該領域は不特定で
、任意所望の形状を示す。
本発明による光学的記録媒体は、レーザ光学的データ記
録に極めて適する。データは記録層の基板から遠い方の
面から或は透明基板を通過して、記録層に書込まれる。
後者の方が好ましい。
書込まれたデータは読出しレーザ光により読まれる。読
出し波長における読出しレーザ光出力は書込み可能閾値
よりも低い。一般に出力は0.1乃至1.5mWである
。記録層で強力に反射される波長範囲のレーザ光を使用
するのが有利である。有利な波長範囲は400乃至10
00mm、ことに630乃至900 nmである。
読出しの場合にも、レーザ光は記録材料層を横切って相
対運動するように案内され、レーザ光が該層に直角に入
射し、該層上に焦点を形成するようになされる。
読出しレーザ光が記−層を横切って走査している間に熱
変性域、例えばスポットに遭遇した場合、記録層により
伝達され或は反射される光の性質に変化が生じ、これが
適当なディテクタにより感知される。
この記録層にあるデータの読出しは、記録層の基板から
遠い面から、或は透明な基板を通過して行なわれるが、
後者の方が好ましい。この場合反射光を探知するのがこ
とに有利である。
またこの目的のために650乃至900 nmの近赤外
線波長の書込み、読出しレーザ光な使用するのが特に有
利である。またこの場合、書込み波長は読出し波長と同
じであるか、相違してもこれが僅少であるのが有利であ
る。この波長のレーザ光は現に公知、慣用の半導体によ
り出力可能である。
本発明による記録媒体は多くの符別の利点を有する。例
えば未だ書込まれていない記録層は極めて安定であって
、比較的高温多湿の条件下に長期間保存貯蔵された後で
もなおレーザ光データ記録な好適に行ない得る。同様の
ことが書込みを行なった記録層についても云い得る。極
めて長期の保存貯蔵後においても記録ロスのおそれがな
い。この理由から比較的低出力の書込みレーザ光の使用
が可能である。さらに書込まれた記録材料は、その書込
み域と非書込み域との間に極めて高い光学的コントラス
トケ示し、これは従来公知のフタロシアニン層におけろ
光学的フントラストを邊かに凌駕するものである。さら
にこの新規な記録材料は10’ピツ)/i7r著しく超
えるビット密度を可能とし、このため書込み直後のデー
タ読出しを可能とする。
本発明による新規なテトラアザポルフィリン(1)は極
めて良好な使用特性を有し、他の用途にも使用可能であ
る。これはことに工R保護層、工R吸収フィルム、眼を
保護するためのコーティング、自動車のウィンドスクリ
ーンコーティング、赤外線インキ、赤外線可視バーコー
ド用印刷インキ、液晶デイスプレィ或は赤外線保安設備
などの創作、製造に使用され得る。
紫外線可視バーコードは、例えば商品内部を見えるよう
に包装に施こされる。
液晶デイスプレィは周知の通り液晶化合物層を含有する
。この層は電圧を掛けることにより光学的特性の局部的
変化をもたらし、これにより番号、文字、画像などの表
示ケ可能とする。
赤外線保安設備は、レーザ光源とこれから離れた適当な
ディテクタとから成り、前者からのレーザ光がディテク
タに入射して光学的バリアを形成する。もしこのバリア
が破壊されると、警報が発せられる。
電気光学的記録材料は、光の当たらない状態で高い電気
抵抗を示し、放射線照射により導電性となる層を有する
。このような層を暗黒下に帯電させ、これを画像露光さ
せると、露光域が放電し、その結果書られる静電画像が
トーチにより可視的ならしめられる。
以下の実施例により不発明をさらに具体的に説明する。
(A)化合物の製造 実施例 1 (a)(キノリン−2,3−ジカルボキシアミド)30
 fのジエチルキノリン−2,3−ジカルボキシラート
を200艷のアンモニア水溶液(20重量%濃度)及び
100−のインプロパツール中において室温で1日攪拌
した。生成ジカルボキシアミドを吸引濾別し、少量のメ
タノールで洗浄した。
伽)(213−ジシアノキノリン) 9.3fの上記(+L)で得られたジカルボキシアミド
を90 dのN、N−ジメチルホルムアミドに入れ、1
0−のPool 、を0℃において滴下した。反応混合
物を室温で20時間攪拌し、氷水上に注下し、吸引濾別
し、残渣を水洗した。収量7.5f、融点204−20
6°c。
(0) (4−アザ−1,3−ジイミノ−ベンゾ[f’
llイソインドリン) (1))で得られたジニトリル597:、8〇−のメタ
ノールに入れ、0.5fのナトリウムメトキシドを添加
し、還流混合物ケアンモニアガスで12時間処理した。
冷却後、生成物を吸引濾別し、少量のメタノールで洗浄
した。収量4.52、融点230℃。
(勾(以下の式(IX)のテトラアザボルフイリ・ン(
K” −K” −01)ン 上記(Q)で得られた生成物4.0vを、3〇−のテト
ラリン、4.0 ml!の5ill、及び15rntの
トリブチルアミンと共に230℃で6時間加熱した。冷
却後、混合物を100−のメタノールで希釈し、吸引濾
別し、残渣をメタノールで洗浄し、乾燥した。収量2.
0?。
(e)(上記式■(ただしΣ1−が−OH)テトラアザ
ポルフィリン) 上記(d)の生成物s、or1¥:1oO−の濃硫酸に
入れ、20時間攪拌した。反応混合物を氷水上に注下し
、生成沈殿物を吸引濾別し、メタノールで反覆洗浄し、
乾燥した。収量4.82゜ (f)(上記式■のテトラアザポルフィリン)だOH。
■ だし!”−K”−OSi  On  allHIT0H
上記(e)の生成物4.Ofを150−のピリジンに入
れ、5.0 mjのテトラブチルアミン及び0.5fの
ナトリウムヒドリドを添加し、混合物を80℃で2時間
攪拌し、次いで室温に冷却し、8.5−のジメチルジク
ロルシランを添加した。1夜攪拌し、4.0−のn−オ
クタツールを添加し、混合物を80’Cに6時間加熱し
た。次いで減圧下にピリジンを除去した。残渣をメタノ
ールを添加し攪拌し、吸引濾別し、メタノールで洗浄し
た。λ  (0JOII ) : 724 nm%Rf
 ()ax ルエン) : 0.75゜ (g)(式(IX)のテトラアザポルフィリン)OH。
’M’ = N” = 0 31 0  n  012
H1B0H。
上記(f)の処理を反覆したが、4.0−のn−オクタ
ツールの代りに4.0−のn−ドデカノールを使用した
。λ  (aH,elt ) :m&x 724 nm、 Rf ()ルエン) : 0.710
上記両側でRf値は、マチヤリ−、アンド、ネイジエル
のシリカゲルプレート(ポリグラム0.2鰭、N −H
RUV 254 )で測足した。
(B)化合物の用途 上記(f)の最終生成物1rY:20−のトルエンに入
れ室温で1夜攪拌し、次いで焼結P4るつぼを介して加
圧した。このfg液を噴射器から回転するポリメチルメ
タクリラート製ディスク(径12cm)上に施こし、過
剰量の溶液を2000 rpmの回転速度で20秒間に
わたり飛散除去し、次いで5000 rpo+の回転速
度で35秒間乾燥した。均質で、ピンホールのない高反
射率の層がディスク上に形成された。
層の反射率は800 nmで35%、78nmで32%
、750 nmで28%であった。この層は3.5mW
の最大定格出力を有する744 nmレーザ光でレーザ
ドライブにより鋭敏に書込み、読出すことができた。
この記録材料を60°Cs相対湿度90%で10週間貯
蔵したが、この貯蔵期間中全く劣悪化は認められず、記
録されたデータはエラーなしに読取り可能であった。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)以下の式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼(I) (式中、L^1、L^2、L^3及びL^4は互に同じ
    であつても異なつてもよく、相互に無関係にそれぞれN
    、O及びSから成る群より選ばれる、1乃至3個の同じ
    或は異なるヘテロ原子を有する、場合により置換されて
    いる二環式芳香族ヘテロ環基を意味し、R^1及びR^
    2は互に同じであつても異なつてもよく、相互に無関係
    にそれぞれヒドロキシ、C_1−C_2_0アルコキシ
    、C_1−C_2_0アルキル、C_2−C_2_0ア
    ルケニル、C_3−C_2_0アルケニルオキシ或は以
    下の式(II)の基を意味し、 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) R_3はC_4−C_2_0アルキル、C_4−C_2
    _0アルケニル或はフェニル置換O_1−O_2_0ア
    ルキルを意味し、R^4及びR^5は互に同じでも異な
    つてもよく相互に無関係にそれぞれC_1−C_2_0
    アルキル或は基OR^3を意味し、このR^3は上述の
    意味を有する)で表わされるテトラアザポルフィリン。
  2. (2)担体と感放射線性層とを有する光学的記録媒体で
    あつて、この感放射線性層が以下の式(I)▲数式、化
    学式、表等があります▼(I) (式中、L^1、L^2、L^3及びL^4は互に同じ
    であつても異なつてもよく、相互に無関係にそれぞれN
    、O及びsから成る群より選ばれる、1乃至3個の同じ
    或は異なるヘテロ原子を有する、場合により置換されて
    いる二環式芳香族ヘテロ環基を意味し、R^1及びR^
    2は互に同じであつても異なつてもよく、相互に無関係
    にそれぞれヒドロキシ、C_1−C_2_0アルコキシ
    、C_1−C_2_0アルキル、C_2−C_2_0ア
    ルケニル、C_3−C_2_0アルケニルオキシ或は以
    下の式(II)の基を意味し、 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) R^3はC_4−C_2_0アルキル、C_4−C_2
    _0アルケニル或はフェニル置換C_3−C_2_0ア
    ルキルを意味し、R^4及び^5は互に同じでも異なつ
    てもよく相互に無関係にそれぞれC_1−C_1_2ア
    ルキル或は基OR^3を意味し、このR^3は上述の意
    味を有する)で表わされるテトラアザポルフィリンを含
    有することを特徴とする記録媒体。
JP1218754A 1988-09-02 1989-08-28 テトラアザポルフィリン及び光学的記録媒体 Pending JPH02117963A (ja)

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DE3829851A1 (de) 1990-03-08
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