JPS63278977A - 厚膜絶縁体形成用組成物の製造方法 - Google Patents
厚膜絶縁体形成用組成物の製造方法Info
- Publication number
- JPS63278977A JPS63278977A JP11552387A JP11552387A JPS63278977A JP S63278977 A JPS63278977 A JP S63278977A JP 11552387 A JP11552387 A JP 11552387A JP 11552387 A JP11552387 A JP 11552387A JP S63278977 A JPS63278977 A JP S63278977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- general formula
- composition
- forming
- polymer
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業との利用分野〉
本発明は、半導体工業で用いる絶縁膜、キャパシター等
のガラスを形成するための新規な組成初会こ関する。
のガラスを形成するための新規な組成初会こ関する。
史に詳しくは、スピンコード又は浸漬等により塗布後、
加熱処理する方法等により、厚膜の絶縁体を形成するこ
とができる組成物に関するものである。
加熱処理する方法等により、厚膜の絶縁体を形成するこ
とができる組成物に関するものである。
〈従来の技術〉
半導体用絶縁膜はポリシリコンとアルミニウムｃＡｅ＞
配線層間、Ａｅ配線層間の絶縁用途に使用される他に、
ＰＮ接合保護、素子表面保護、素子間分離用トレンチの
穴埋等の用途にも広く使用されでいる。絶縁膜の形成方
法１こは一般に気相成長法と塗布膜法とが知られており
、前者が一般的に行なわれているが、この方法は特殊な
装置を必要とす°ること、処理すべき基材の大きざに制
限があること、大蝋生産が困難であること等の問題点が
ある。
配線層間、Ａｅ配線層間の絶縁用途に使用される他に、
ＰＮ接合保護、素子表面保護、素子間分離用トレンチの
穴埋等の用途にも広く使用されでいる。絶縁膜の形成方
法１こは一般に気相成長法と塗布膜法とが知られており
、前者が一般的に行なわれているが、この方法は特殊な
装置を必要とす°ること、処理すべき基材の大きざに制
限があること、大蝋生産が困難であること等の問題点が
ある。
更に、半導体の高渠積化が進む１こつれ、パターン間の
溝が狭くなり、且つ素子表面の凹凸は大きくなる方向に
あり、従来の気相法では表面構造依存性が大きすぎるた
め、絶縁性を保証することが困難になってきた。このよ
うな観点から平担性の優れた塗布膜法が見直されてきて
いる。
溝が狭くなり、且つ素子表面の凹凸は大きくなる方向に
あり、従来の気相法では表面構造依存性が大きすぎるた
め、絶縁性を保証することが困難になってきた。このよ
うな観点から平担性の優れた塗布膜法が見直されてきて
いる。
塗布膜として現在名に提案されでいるものは多い。有機
系で代表的なものはポリイミドやポリイミドシリコーン
等であるが、これらは平担性、耐クラツク性）こは優れ
ているものの、耐熱性、ポリシリコン、（Ｊ？ 、 ５
ｉＯ１、Ｓｉ＠Ｎ、 等（ｙ） サブストレートとの密
着性に劣っており、又長期開基こおける劣化の問題があ
る。特に、４５０℃以上の温度で一部分解が起るのが大
きな欠点である。
系で代表的なものはポリイミドやポリイミドシリコーン
等であるが、これらは平担性、耐クラツク性）こは優れ
ているものの、耐熱性、ポリシリコン、（Ｊ？ 、 ５
ｉＯ１、Ｓｉ＠Ｎ、 等（ｙ） サブストレートとの密
着性に劣っており、又長期開基こおける劣化の問題があ
る。特に、４５０℃以上の温度で一部分解が起るのが大
きな欠点である。
これに対して、テトラエトキシシランの縮重合物で代表
されるシリカグラス系の塗布膜は、耐熱性、サブストレ
ートとの密着性に優れているが、耐クラツク性に劣り、
最高膜厚６，０ＯＯＡ以下の用途しか使用出来ない欠点
を有している。
されるシリカグラス系の塗布膜は、耐熱性、サブストレ
ートとの密着性に優れているが、耐クラツク性に劣り、
最高膜厚６，０ＯＯＡ以下の用途しか使用出来ない欠点
を有している。
又、巾１μｍ１深さ１μｍの溝を完全に埋めることが出
来ない欠点を有しでいる。
来ない欠点を有しでいる。
又、オルガノシリカゾルとアルキルシリケートを反応さ
せた例（特開昭６１−２９１６６５号公報）においても
、密着性がよくクラックのない膜厚で膜厚が１μｍを越
えるものは得られていない。
せた例（特開昭６１−２９１６６５号公報）においても
、密着性がよくクラックのない膜厚で膜厚が１μｍを越
えるものは得られていない。
一方、ポリラダーオルガノシロキサンやポリラダーオル
がノシロキサンとシリカグラス等との複合物の提案もあ
るが、サブストレートとの密着性や耐クラツク性、膜の
均一性に劣り、実用的ではない（特開昭５７−８８５６
８号、特開昭５７−１８１２５０号、特開昭５６−１２
９２６１号公報等）。
がノシロキサンとシリカグラス等との複合物の提案もあ
るが、サブストレートとの密着性や耐クラツク性、膜の
均一性に劣り、実用的ではない（特開昭５７−８８５６
８号、特開昭５７−１８１２５０号、特開昭５６−１２
９２６１号公報等）。
又、特開昭６０−８６０１８号公報のポリジハイドロジ
エンシロキサンの提案は、酸素雰囲気下で４６０℃、１
時間のベーキングが必要であり、またＩｎｋで約１０％
程度の増加がおこる。
エンシロキサンの提案は、酸素雰囲気下で４６０℃、１
時間のベーキングが必要であり、またＩｎｋで約１０％
程度の増加がおこる。
更に、容積の増加をともなうので素子への影響も無視出
来なく、また膜厚を−厚くすると酸素の拡散が不充分と
なり均一な膜質を得Ｉこくいという欠点を有しでいる。
来なく、また膜厚を−厚くすると酸素の拡散が不充分と
なり均一な膜質を得Ｉこくいという欠点を有しでいる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
かかる現状において、本発明者が解決すべき問題点は、
少なくとも６００ＣＩＣｔｃｔいて安定で、且つ微細パ
ターン間の溝を充分に埋めることができ、サブストレー
トとの密着性が良好で、平担化を行うことができ、更に
、膜厚が２．０μｍを越えでもクラック発生のない厚膜
絶縁体形成用組成物を提供することにある。
少なくとも６００ＣＩＣｔｃｔいて安定で、且つ微細パ
ターン間の溝を充分に埋めることができ、サブストレー
トとの密着性が良好で、平担化を行うことができ、更に
、膜厚が２．０μｍを越えでもクラック発生のない厚膜
絶縁体形成用組成物を提供することにある。
く問題点を解決するための手段〉
塗布膜法の基本は膜を形成するベースポリマーを有機溶
剤に溶解させ、浸漬又はスピンコード法等ｌどより基材
ｌこ塗布し、加熱により有機溶剤の除去と熱縮重合を行
ない、がラス質又は巨大高分子の膜を形成させることか
らなる。
剤に溶解させ、浸漬又はスピンコード法等ｌどより基材
ｌこ塗布し、加熱により有機溶剤の除去と熱縮重合を行
ない、がラス質又は巨大高分子の膜を形成させることか
らなる。
段差のある配線パターン上で平担性がよく、クラックの
ない膜を得るためには、平担なウェハーでは少なくとも
当該段差深さ以上の膜厚でクラックが入らないことが必
要である。例えば、段差が１．８μｍ（１８，０００人
）のパターンでは少なくとも２．０ ｐ ｍ （２０，
０ＯＯＡ）の膜厚で、クラックの入らないことが必要で
ある。
ない膜を得るためには、平担なウェハーでは少なくとも
当該段差深さ以上の膜厚でクラックが入らないことが必
要である。例えば、段差が１．８μｍ（１８，０００人
）のパターンでは少なくとも２．０ ｐ ｍ （２０，
０ＯＯＡ）の膜厚で、クラックの入らないことが必要で
ある。
本発明者は、上記条件を満足する組成物を種々検討した
結果、４００℃以上熱処理をした後の膜厚が２．０μｍ
以上で、クラックが全く発生しない膜を得る組成物を開
発し、本発明を完成させるにいたった。
結果、４００℃以上熱処理をした後の膜厚が２．０μｍ
以上で、クラックが全く発生しない膜を得る組成物を開
発し、本発明を完成させるにいたった。
即ち本発明は、アルコキシシランを加水分解縮重合して
得られるシロキサン系プレポリマーを有機溶剤とからな
る絶縁膜形成用組成物において、シロキサン系プレポリ
マーが次の粒子状又は網目状セグメントを形成する重合
体（２）と重合体（２）を結合させる成分（Ｂ）とを共
加水分解縮重合して得られる共重合体であることを特徴
とする厚膜絶縁体形成用組成物に係るものである。
得られるシロキサン系プレポリマーを有機溶剤とからな
る絶縁膜形成用組成物において、シロキサン系プレポリ
マーが次の粒子状又は網目状セグメントを形成する重合
体（２）と重合体（２）を結合させる成分（Ｂ）とを共
加水分解縮重合して得られる共重合体であることを特徴
とする厚膜絶縁体形成用組成物に係るものである。
（イ）一般式（ａ）：５ｉ（ＯＲ１）４で表わされるテ
トラアルコキシシランから得られる重合体＾ （ａ）一般式（ｂ）：Ｒ’５ｉ（ＯＲ１）３ で表わさ
れるトリアルコキシシラン、一般式（ｃ） ： Ｒ’Ｒ
’５ｉ（ＯＲ’ ）１で表わされるジアルコキシシラン
、或は一般式（ａ）、一般式（ｂｌ、一般式（ｃ）から
選ばれた２種以上のアルコキシシラン化合物又はこれら
の低縮合物（オリゴマー）である成分（ａ（式中Ｒ１、
Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１１及びＲ６は炭素数１〜５のア
ルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を表わす。） テトラアルコキシシランの加水分解縮重合反応は、一般
的には酸触媒又はアルカリ触媒と水の存在下で行なわれ
る。
トラアルコキシシランから得られる重合体＾ （ａ）一般式（ｂ）：Ｒ’５ｉ（ＯＲ１）３ で表わさ
れるトリアルコキシシラン、一般式（ｃ） ： Ｒ’Ｒ
’５ｉ（ＯＲ’ ）１で表わされるジアルコキシシラン
、或は一般式（ａ）、一般式（ｂｌ、一般式（ｃ）から
選ばれた２種以上のアルコキシシラン化合物又はこれら
の低縮合物（オリゴマー）である成分（ａ（式中Ｒ１、
Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１１及びＲ６は炭素数１〜５のア
ルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基を表わす。） テトラアルコキシシランの加水分解縮重合反応は、一般
的には酸触媒又はアルカリ触媒と水の存在下で行なわれ
る。
テトラアルコキシシランの加水分解縮
重合反応によって得られる重合体の構造は、触媒の種類
や量、水の量、アルコキシ基の種類、溶媒の種類、反応
条件等によって左右されることが知られている。
や量、水の量、アルコキシ基の種類、溶媒の種類、反応
条件等によって左右されることが知られている。
特にアルカリ触媒を用いた場合や酸触
媒を用いて、水の量をテトラアルコキシシラン１モル当
り２モル以上の過剰址を用いた場合、重合体は粒子状又
は網目状構造となり易い。
り２モル以上の過剰址を用いた場合、重合体は粒子状又
は網目状構造となり易い。
これらのことは、例えば作花済夫、神谷寛−０日本レオ
ロジー学会誌１４巻Ｐ、９〜Ｐ、１７（１９８６年）
；Ｓ、５ＡＫＫＡ、 Ｋ、ＫＡＭＩＹＡ、 Ｊ、Ｎｏｎ
−Ｃｒｙｓｔ、 ５ｏｌｉｄｓ、 ｖｏｌｏ、４８．
Ｐ、８Ｌ−Ｐ４６（１９８２年）等に記載されている。
ロジー学会誌１４巻Ｐ、９〜Ｐ、１７（１９８６年）
；Ｓ、５ＡＫＫＡ、 Ｋ、ＫＡＭＩＹＡ、 Ｊ、Ｎｏｎ
−Ｃｒｙｓｔ、 ５ｏｌｉｄｓ、 ｖｏｌｏ、４８．
Ｐ、８Ｌ−Ｐ４６（１９８２年）等に記載されている。
本発明における粒子状又は網目状セグメントを形成する
重合体（Ａｌとは、テトラアルコキシシランを該テトラ
アルコキシシラン１モル当り４〜２０モルの水と酸又は
アルカリ触媒、及び必要：こ応じて溶媒を用いて、加水
分解縮重合しで得られるものである。
重合体（Ａｌとは、テトラアルコキシシランを該テトラ
アルコキシシラン１モル当り４〜２０モルの水と酸又は
アルカリ触媒、及び必要：こ応じて溶媒を用いて、加水
分解縮重合しで得られるものである。
一般式（ａ） ： Ｓ ｉ （ＯＲ’ ）４で示される
テトラアルコキシシランの具体例としては、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポ
キシシラン、テトライソブトキシシラン、テトラフェノ
キシシラン等があげられる。特にテトラメトキシシラン
、テトラエトキシシランが好適に使用される。溶媒はメ
タノール、エタノール、インプロパツール等のアルコー
ル類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、テ
トラ辷ドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類等、
テトラアルコキシシランと水とを相互溶解させる溶媒を
用いることができる。
テトラアルコキシシランの具体例としては、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポ
キシシラン、テトライソブトキシシラン、テトラフェノ
キシシラン等があげられる。特にテトラメトキシシラン
、テトラエトキシシランが好適に使用される。溶媒はメ
タノール、エタノール、インプロパツール等のアルコー
ル類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、テ
トラ辷ドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類等、
テトラアルコキシシランと水とを相互溶解させる溶媒を
用いることができる。
反応温度は１５０ｃ以Ｆであり、好ましくは０〜１００
Ｃである。また反応時１濁は、反応温度１ζよって異な
り、上記平均分子−を１辱るべく適宜選択される。重合
体ｉＡｌの分子部はＧＰＣによる重量平均分子ｍｃ４１
準ポリスチレン換算）で２，０００−１００，０００で
あり、好ましくは４．０００〜５０，０００である。粒
子状又は網目状セグメントを形成する這合体四を結合さ
せる成分（８１は、一般式（ｂ）で表わされるトリアル
コキシシラン、一般式（ｃ）で表わされるジアルコキシ
シラン、或は一般式＋１）で表わされるテトラアルコキ
シシラン、一般式（ｂｌで表わされるトリアルコキシシ
ラン、一般式（ｃ）で表わされるジアルコキシシランか
ら選ばれに２）ｉＪ以上の７°ルコキシシラン化合物、
又はこれらの低縮合物（オリゴマー）であり、（Ａｌと
＜８１とを共加水分解１Ｍ＋！合する場合、（Ｂ）はそ
れ自身加水分解縮重合曇とよって重合体となると同時６
ζ、＾）とβ）の間での縮重合によって（Ａ）を結合さ
せる成分となる。
Ｃである。また反応時１濁は、反応温度１ζよって異な
り、上記平均分子−を１辱るべく適宜選択される。重合
体ｉＡｌの分子部はＧＰＣによる重量平均分子ｍｃ４１
準ポリスチレン換算）で２，０００−１００，０００で
あり、好ましくは４．０００〜５０，０００である。粒
子状又は網目状セグメントを形成する這合体四を結合さ
せる成分（８１は、一般式（ｂ）で表わされるトリアル
コキシシラン、一般式（ｃ）で表わされるジアルコキシ
シラン、或は一般式＋１）で表わされるテトラアルコキ
シシラン、一般式（ｂｌで表わされるトリアルコキシシ
ラン、一般式（ｃ）で表わされるジアルコキシシランか
ら選ばれに２）ｉＪ以上の７°ルコキシシラン化合物、
又はこれらの低縮合物（オリゴマー）であり、（Ａｌと
＜８１とを共加水分解１Ｍ＋！合する場合、（Ｂ）はそ
れ自身加水分解縮重合曇とよって重合体となると同時６
ζ、＾）とβ）の間での縮重合によって（Ａ）を結合さ
せる成分となる。
一般式（ｂ）二でＳ ｉ （ＯＲ’ ）、で示されるト
リアルコキシシランの具体例としでは、メチルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイ
ソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキ
シシラン、フェニルトリイゾプロポキシシラン、等が挙
ケられる。好ましくはメチルトリメトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシランである。
リアルコキシシランの具体例としでは、メチルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイ
ソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキ
シシラン、フェニルトリイゾプロポキシシラン、等が挙
ケられる。好ましくはメチルトリメトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシランである。
一般式（ｃ） ： Ｒ’ Ｒ’ＩＳ ｉ （ＯＲ＠）ｔ
で示されるジアルコキシシランのＡｌ例としては、ジメ
チルジメトキシシラン、ジメチルジェトキシシラン、ジ
メチルジインプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシ
ラン、ジエチルジェトキシシラン、ジエチルジインプロ
ポキシシラン、ジインプロピルジメトキシシラン、ジイ
ソプロピルジェトキシシラン、ジイソプロピルジインプ
ロポキシシラン、ジエチルジェトキシシラン、ジフェニ
ルジェトキシシラン、ジフェニルジインプロポキシシラ
ン、等が挙げられる。
で示されるジアルコキシシランのＡｌ例としては、ジメ
チルジメトキシシラン、ジメチルジェトキシシラン、ジ
メチルジインプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシ
ラン、ジエチルジェトキシシラン、ジエチルジインプロ
ポキシシラン、ジインプロピルジメトキシシラン、ジイ
ソプロピルジェトキシシラン、ジイソプロピルジインプ
ロポキシシラン、ジエチルジェトキシシラン、ジフェニ
ルジェトキシシラン、ジフェニルジインプロポキシシラ
ン、等が挙げられる。
特１ζジメチルジメトキシシラン、ジメチルジェトキシ
シラン、ジフェニルジェトキシシランが好適］ご用いら
れる。
シラン、ジフェニルジェトキシシランが好適］ご用いら
れる。
成分（Ｂｌ ＋こおいて、低縮合物（オリゴマー）は、
トリアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、或はテト
ラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン及びジアル
コキシシランから選ばれた２種以上のアルコキシシラン
が有するアルコキシ基のモルフ、４〜２．０倍の水を用
いて部分加水分解縮重合に得られるものであり、分子看
はＧＰＣによる眞噛平均分−Ｆ−量で５００〜ａ、ｏ
ｏ ｏである。この時、溶媒はメタノール、エタノール
、インプロパノ−Ｉし等のアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン、
ジオキサン等の環状エーテル類等のアルコキシシランと
水とを相互溶解させる溶媒を用いることができるが、溶
媒は必須ではない。
トリアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、或はテト
ラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン及びジアル
コキシシランから選ばれた２種以上のアルコキシシラン
が有するアルコキシ基のモルフ、４〜２．０倍の水を用
いて部分加水分解縮重合に得られるものであり、分子看
はＧＰＣによる眞噛平均分−Ｆ−量で５００〜ａ、ｏ
ｏ ｏである。この時、溶媒はメタノール、エタノール
、インプロパノ−Ｉし等のアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン、
ジオキサン等の環状エーテル類等のアルコキシシランと
水とを相互溶解させる溶媒を用いることができるが、溶
媒は必須ではない。
１合体ｍと成分（Ｂｌとを共加水分解縮重合させてシロ
キサン系プレポリマーを合成する場合、（Ａ４とβ）醗
こおいて用いられる一般式（ａ）、一般式（ｂ）。
キサン系プレポリマーを合成する場合、（Ａ４とβ）醗
こおいて用いられる一般式（ａ）、一般式（ｂ）。
一般式（ｃ１で表わされるアルコキシシランの使用割合
は、（１）式 で定義されるＳｉに結合したアルキル基の割合を表わす
値で、０．５０〜１．５０であることが望ましく、好ま
しくは０．５６〜１．８０である。０．６０より小さい
とシロキサン系プレポリマー中の４官能成分が多すぎる
ことによって、クラックのない厚膜を得ることができず
、１．５０より大きいと硬化時に膜収縮が大となり、平
担性が悪くなるだけでなく基材との密着性も悪くなるの
で不適である。
は、（１）式 で定義されるＳｉに結合したアルキル基の割合を表わす
値で、０．５０〜１．５０であることが望ましく、好ま
しくは０．５６〜１．８０である。０．６０より小さい
とシロキサン系プレポリマー中の４官能成分が多すぎる
ことによって、クラックのない厚膜を得ることができず
、１．５０より大きいと硬化時に膜収縮が大となり、平
担性が悪くなるだけでなく基材との密着性も悪くなるの
で不適である。
又、シロキサン系プレポリマーにおける粒子状又は網目
状セグメントを形成する重合体ＦＡＩの割合は、ケイ素
のモル分率で０．０５〜０．７５であることが望ましく
、０．０９〜０．５０であることが好ましい。モル分率
が０．７６より大きい場合、シロキサン系プレポリマー
中の４官能成分が多すぎること）ζよって塗布後の膜厚
が２．０１１ｍ以上の場合にクラックを生じやす＜、０
．０５より小さい場合、粒子状又は網目状セグメントの
波が少なすぎること番こより耐クラツク性のよい膜は得
られない。
状セグメントを形成する重合体ＦＡＩの割合は、ケイ素
のモル分率で０．０５〜０．７５であることが望ましく
、０．０９〜０．５０であることが好ましい。モル分率
が０．７６より大きい場合、シロキサン系プレポリマー
中の４官能成分が多すぎること）ζよって塗布後の膜厚
が２．０１１ｍ以上の場合にクラックを生じやす＜、０
．０５より小さい場合、粒子状又は網目状セグメントの
波が少なすぎること番こより耐クラツク性のよい膜は得
られない。
重合体（〜と（Ｂｌとを共加水分解線は合する場合、値
合体内を合成する際に過剰の水を用いているので、合成
された重合体（〜の液液中には共加水分解縮重合に必要
な水は十分含まれるため、新たに水を加える必要はない
。重合体（〜の溶液と成分（Ｂ）を反応させる際、四の
溶液に（Ｂｌを徐々に添加してもよく、（８１に（〜の
液液を徐々に添加してもよい。この際、（Ｂ）がアルコ
キシシラン化合物の場合、溶媒で希釈してもよく、しな
くともよいが、希釈しない場合は不均一な反応を防ぐた
め徐々）ζ添加することが咀ましい、四と（８１を共加
水分解縮重合する際の反応温度は１５０℃以Ｆ、好まし
くは０〜１００℃である。反応時間は、反応温度により
適宜選択されるが、一般には８０分〜３時間である１反
応系の濃度は高すぎると分子量の制御が困難となり易く
、ゲル化を起こし易い。又、低すぎると望ましい分子量
迄共加水分解縮重合反応させる時間が長くなるため、反
応系の濃度は反応溶液ｔｇ当りケイ素原子のモル濃度で
０．６〜６モル／ｅであることが好ましく、１〜５モル
／ｅであることが川に好ましい。
合体内を合成する際に過剰の水を用いているので、合成
された重合体（〜の液液中には共加水分解縮重合に必要
な水は十分含まれるため、新たに水を加える必要はない
。重合体（〜の溶液と成分（Ｂ）を反応させる際、四の
溶液に（Ｂｌを徐々に添加してもよく、（８１に（〜の
液液を徐々に添加してもよい。この際、（Ｂ）がアルコ
キシシラン化合物の場合、溶媒で希釈してもよく、しな
くともよいが、希釈しない場合は不均一な反応を防ぐた
め徐々）ζ添加することが咀ましい、四と（８１を共加
水分解縮重合する際の反応温度は１５０℃以Ｆ、好まし
くは０〜１００℃である。反応時間は、反応温度により
適宜選択されるが、一般には８０分〜３時間である１反
応系の濃度は高すぎると分子量の制御が困難となり易く
、ゲル化を起こし易い。又、低すぎると望ましい分子量
迄共加水分解縮重合反応させる時間が長くなるため、反
応系の濃度は反応溶液ｔｇ当りケイ素原子のモル濃度で
０．６〜６モル／ｅであることが好ましく、１〜５モル
／ｅであることが川に好ましい。
この共加水分解縮重合１ζよって得られるシロキサン系
プレポリマーの分子量は、ＧＰＣによる重量平均分子量
でｔｏ、０００〜ｔ、ｏ ｏ ｏ、ｏ ｏ ｏであるこ
とが好ましく、更１ζ好ましくはｉ ｏ、ｏ ｏ ｏ〜
５００．０００である。
プレポリマーの分子量は、ＧＰＣによる重量平均分子量
でｔｏ、０００〜ｔ、ｏ ｏ ｏ、ｏ ｏ ｏであるこ
とが好ましく、更１ζ好ましくはｉ ｏ、ｏ ｏ ｏ〜
５００．０００である。
上記シロキサン系プレポリマー溶液は、エバポレーター
等による濃縮や有機溶剤の添加によっで、所望の１度に
調整された塗布液とするととができる。有機溶剤として
はメタノ−髪、エタノール、インプロパツール等のアル
コール系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン等のケトン系溶剤、プチルセヤンルブ
等のエチレングリコールのモノアルキルエーテル系溶剤
、ｌ−メトキシ−２−プロパノーヤ等のプロピレングリ
コールの七ノアをキルエーテル系ｍＭ、ベンゼン、トル
エン等の芳香族系溶剤等の有機溶剤が挙げられる。
等による濃縮や有機溶剤の添加によっで、所望の１度に
調整された塗布液とするととができる。有機溶剤として
はメタノ−髪、エタノール、インプロパツール等のアル
コール系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン等のケトン系溶剤、プチルセヤンルブ
等のエチレングリコールのモノアルキルエーテル系溶剤
、ｌ−メトキシ−２−プロパノーヤ等のプロピレングリ
コールの七ノアをキルエーテル系ｍＭ、ベンゼン、トル
エン等の芳香族系溶剤等の有機溶剤が挙げられる。
かかるシロキサン系プレポリマーと有機溶剤の混合物１
ζおいて、該シロキサン系ポリマーの濃度は使用状況に
応じ適宜決定されるが、一般的にはＳｉｎ、 換算で
４ｖ１！ｔ％以上であり、１０ｔａ％以上が好適に用い
られる。
ζおいて、該シロキサン系ポリマーの濃度は使用状況に
応じ適宜決定されるが、一般的にはＳｉｎ、 換算で
４ｖ１！ｔ％以上であり、１０ｔａ％以上が好適に用い
られる。
絶縁膜形成は、先ず上記絶縁膜形成塗布液を一般に使用
されるスピンコード法又は浸漬法により慎重し、次いで
風乾又は低温加熱１こ上り溶剤を充分除去した後、４０
０℃以上の温度１こ加熱して未反応のアルコキシ基を分
解させ、この部分でシロキサン結合を形成させることｌ
こより行なわれる。
されるスピンコード法又は浸漬法により慎重し、次いで
風乾又は低温加熱１こ上り溶剤を充分除去した後、４０
０℃以上の温度１こ加熱して未反応のアルコキシ基を分
解させ、この部分でシロキサン結合を形成させることｌ
こより行なわれる。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例ｆこ上り更に具体的に説明するが
、本発明はこれら実施側番こ限定されるものではない。
、本発明はこれら実施側番こ限定されるものではない。
実施例１
テトラエトキシシラン８８．８ｆ エタノ−や４６．
７ｆ諺よび０，６Ｎの塩酸−エタノール溶液１．５−を
還流器付き１０００ｍ？四つロフラスコｌζ入れ、Ｍ水
７２ Ｆとエタノール４０ｆの混合物を室温下に攪拌し
ながら２時間かけて添加する。次いで昇温し還流下で１
時間反応させてテトラエトキシシランの加水分解縮重合
を行なった。室温に冷却後、上記液中の水分濃度は２２
．４重量％、ＧＰＣによる重量平均分子量は７，４００
であった。
７ｆ諺よび０，６Ｎの塩酸−エタノール溶液１．５−を
還流器付き１０００ｍ？四つロフラスコｌζ入れ、Ｍ水
７２ Ｆとエタノール４０ｆの混合物を室温下に攪拌し
ながら２時間かけて添加する。次いで昇温し還流下で１
時間反応させてテトラエトキシシランの加水分解縮重合
を行なった。室温に冷却後、上記液中の水分濃度は２２
．４重量％、ＧＰＣによる重量平均分子量は７，４００
であった。
次に、上記テトラエトキシシランの１合体のエタノール
溶液２４２ｔを還流器付き１０００ｄ四つロフラスコに
入れ、テトラエトキシシラン７０．８Ｆ、メチルトリエ
トキシシランｔ ８１．９ｆ及びジメチルジェトキシシ
ラン１０９．７ｆの混合物を室温下に攪拌しながら１時
間かけて添加した。次いで昇温し還流下で１時間反応さ
せ、共加水分解縮重合を行なりた。反応後の液中の水分
濃度は１．９重量％、共重合体のＧＰＣ＋こよる重量平
均分子量は９． ｌ ＯＯであった。
溶液２４２ｔを還流器付き１０００ｄ四つロフラスコに
入れ、テトラエトキシシラン７０．８Ｆ、メチルトリエ
トキシシランｔ ８１．９ｆ及びジメチルジェトキシシ
ラン１０９．７ｆの混合物を室温下に攪拌しながら１時
間かけて添加した。次いで昇温し還流下で１時間反応さ
せ、共加水分解縮重合を行なりた。反応後の液中の水分
濃度は１．９重量％、共重合体のＧＰＣ＋こよる重量平
均分子量は９． ｌ ＯＯであった。
上記共重合体のエタノール溶液１００ ｆヲエバポレー
ターにて濃縮して８０Ｆとし、０．２μｍのフィルター
でろ過した後シリコンウェハー上に１や２ｏｏｒｐｍで
スピンコード］こて塗膜を形成し、これを１８０℃で１
０分間、次いで４５０℃で８０分間熱処理して硬化膜と
した。膜厚は２．１８μｍでありクラックは全く見られ
なかった。
ターにて濃縮して８０Ｆとし、０．２μｍのフィルター
でろ過した後シリコンウェハー上に１や２ｏｏｒｐｍで
スピンコード］こて塗膜を形成し、これを１８０℃で１
０分間、次いで４５０℃で８０分間熱処理して硬化膜と
した。膜厚は２．１８μｍでありクラックは全く見られ
なかった。
実施例２
テトラエトキシシラン１２５Ｆ、エタノール２６、７
ｆ及び０．６ Ｎの塩酸−エタノール溶液１．５ｄを還
流器付き１０００−四つロフラスコに入れ、純水５７Ｆ
とエタノール８０ｔの混合物を室温下に攪拌しながら１
時間かけて添加し、次いで昇温し還流下で２時間反応さ
せて加水分解縮重合を行ない、テトラエトキシシランの
重合体のエタノール溶液を得た。液中の水分濃度は１４
．５重社％、重合体のＧＰＣによる直艙平均分子嘘は４
０，９００であった。
ｆ及び０．６ Ｎの塩酸−エタノール溶液１．５ｄを還
流器付き１０００−四つロフラスコに入れ、純水５７Ｆ
とエタノール８０ｔの混合物を室温下に攪拌しながら１
時間かけて添加し、次いで昇温し還流下で２時間反応さ
せて加水分解縮重合を行ない、テトラエトキシシランの
重合体のエタノール溶液を得た。液中の水分濃度は１４
．５重社％、重合体のＧＰＣによる直艙平均分子嘘は４
０，９００であった。
次１こ、上記テトラエトキシシラン重合体のエタノール
溶液２４０ｆを還流器付きｌ Ｏ００ｙｔｔ四つロフラ
スコ番と入れ、メチルトリエトキシシラン１０７ ｆ、
ジメチルジェトキシシラン８９ｔの混合物を室温下に攪
拌しながら１時間かけで添加した。次いで昇温し還流下
で１時間反応させて共加水分解縮重合を行なりた。液中
の水分濃度は２．２ｉＪｉ１％、共重合体のＧＰＣＩご
よる重鑓平均分子嘘は４７． ｌ ００であづた。
溶液２４０ｆを還流器付きｌ Ｏ００ｙｔｔ四つロフラ
スコ番と入れ、メチルトリエトキシシラン１０７ ｆ、
ジメチルジェトキシシラン８９ｔの混合物を室温下に攪
拌しながら１時間かけで添加した。次いで昇温し還流下
で１時間反応させて共加水分解縮重合を行なりた。液中
の水分濃度は２．２ｉＪｉ１％、共重合体のＧＰＣＩご
よる重鑓平均分子嘘は４７． ｌ ００であづた。
と記共眞合体のエタノール溶液１２０ｔをエバポレータ
ーで濃縮して１００ｆとし、０．２μｍフィルターでろ
過した後シリコンウェハー上Ｉζ１１０００ｒｐでスピ
ンコードして塗膜を形成し、これを１８０℃で１０分間
、次いで４６０℃で８０分間熱処理して硬化膜を得た。
ーで濃縮して１００ｆとし、０．２μｍフィルターでろ
過した後シリコンウェハー上Ｉζ１１０００ｒｐでスピ
ンコードして塗膜を形成し、これを１８０℃で１０分間
、次いで４６０℃で８０分間熱処理して硬化膜を得た。
膜厚は２．８７μｍでありクラックは老く見られなかっ
た。
た。
実施例８
ジメチルジェトキシシランｌ Ｏ４，８Ｆ、 １．２
Ｎ塩酸−エタノール溶液６−をｌ Ｏ００＃／四つロフ
ラスコｉこ入れ、室温下に攪拌しながら純水１０．２Ｆ
を約５分間で添加した。純水添加の際、液温は２０℃か
ら４６℃にと昇し、添加後そのまま８０分間攪拌を続け
て、ジメチルジェトキシシランの部分加水分解縮重合を
行った。これ］こメチＩレトリエトキシシラン１０４．
８Ｆを加え、史（こ純水１２．７ｆを攪拌しながら約１
０分間で添加し、ジメチルジェトキシシランの低縮合体
とメチルトリエトキシシランを反応させた。これ唱こテ
トラエトキシシラン１４７ｖと蒸留水２０．４ｆを５０
分間で併産添加した後、液温を６０℃（こ昇温しｒｓｏ
分間反応させた。更に、鎮圧下で副生エタノール、塩酸
及び未反応の水を留去した後エタノールを加えで４００
ｆとした。。
Ｎ塩酸−エタノール溶液６−をｌ Ｏ００＃／四つロフ
ラスコｉこ入れ、室温下に攪拌しながら純水１０．２Ｆ
を約５分間で添加した。純水添加の際、液温は２０℃か
ら４６℃にと昇し、添加後そのまま８０分間攪拌を続け
て、ジメチルジェトキシシランの部分加水分解縮重合を
行った。これ］こメチＩレトリエトキシシラン１０４．
８Ｆを加え、史（こ純水１２．７ｆを攪拌しながら約１
０分間で添加し、ジメチルジェトキシシランの低縮合体
とメチルトリエトキシシランを反応させた。これ唱こテ
トラエトキシシラン１４７ｖと蒸留水２０．４ｆを５０
分間で併産添加した後、液温を６０℃（こ昇温しｒｓｏ
分間反応させた。更に、鎮圧下で副生エタノール、塩酸
及び未反応の水を留去した後エタノールを加えで４００
ｆとした。。
このよう１こして得られたアルコキシシラン低縮合物の
エタノール溶液中の水分は０．０５１１１ｔ％以下で、
ＧＰＣＩこよる直緻平均分子殖は１，１５０であった。
エタノール溶液中の水分は０．０５１１１ｔ％以下で、
ＧＰＣＩこよる直緻平均分子殖は１，１５０であった。
上記アルコキシシラン低縮合物のエタノール溶液ｔｏｏ
ｆと実施例２で得られたテトラエトキシシラン重合体の
エタノール溶液８０ｆと０．６Ｎ＃１酸−エタノール溶
液１ ｓｔを還流器付き５００４−四つロフラスコに入
れ、還流下ｌｃ１時間反応させて共加水分解縮重合を行
なった。反応後の液中の水分ａ変は４．７眞酸％、ＧＰ
Ｃｔこよる１社平均分子−ｍは８８，７００であった。
ｆと実施例２で得られたテトラエトキシシラン重合体の
エタノール溶液８０ｆと０．６Ｎ＃１酸−エタノール溶
液１ ｓｔを還流器付き５００４−四つロフラスコに入
れ、還流下ｌｃ１時間反応させて共加水分解縮重合を行
なった。反応後の液中の水分ａ変は４．７眞酸％、ＧＰ
Ｃｔこよる１社平均分子−ｍは８８，７００であった。
と記共市含体のエタノール溶液１ｏＯｆをエバポレータ
ーで濃縮して７８Ｆとした。これを０．２μｍフィルタ
ーでろ過した後、シリコンウェハー土に１．２００１”
ｐｍでスピンコードして塗膜を形成し、これを１８０℃
で１０分間、次いで４６０Ｃで８０分間熱処理して硬化
膜とした。
ーで濃縮して７８Ｆとした。これを０．２μｍフィルタ
ーでろ過した後、シリコンウェハー土に１．２００１”
ｐｍでスピンコードして塗膜を形成し、これを１８０℃
で１０分間、次いで４６０Ｃで８０分間熱処理して硬化
膜とした。
膜厚は２．８０μｍでありクラックは会く見られなかっ
た。
た。
実施例４
ジメチルジェトキシシラン１７８．Ｏｆ、 １．２Ｎ塩
酸エタノール溶液６ ｍｌを１０００ｍ／４つロフラス
コに入れ、室温Ｔｉζ攪拌しながら純水１７．８Ｆを添
加し、ジメチルジェトキシシランの部分原水分解線１台
を行なった。これ］こメメチルトリエトキシシランフ１
８ｆを加え、更に純水８．７Ｆを攪拌しながら１０分間
で添加した。
酸エタノール溶液６ ｍｌを１０００ｍ／４つロフラス
コに入れ、室温Ｔｉζ攪拌しながら純水１７．８Ｆを添
加し、ジメチルジェトキシシランの部分原水分解線１台
を行なった。これ］こメメチルトリエトキシシランフ１
８ｆを加え、更に純水８．７Ｆを攪拌しながら１０分間
で添加した。
ｆｉ（こ、テトラエトキシシラン８Ｂ、８ｆと蒸留水Ｌ
Ｌ、５Ｆを８０分間で併産添加し、液温を５０Ｃに昇温
し８０分間反応させた。引続き減圧下に副生エタノール
、４酸、未反応の水を留去した後エタノールを加えで４
００ｆになるように調整した。上記アヤコキシシランの
低縮合物のエタノール溶液２００ｇと実施例２で得られ
たテトラエトキシシラン重合体のエタノール溶液ｔａｏ
ｒと０．６Ｎ塩酸エタノール溶液２ ａｔを還流器付き
ｌ ０００ ｄ四つロフラスコに入れ、還流下に１時間
反応させて共加水分解縮重合を行なった。反応後の液中
の水分濃度は５．１重社％、ＧＰＣ＋こよる１緻平均分
子ははａｏｏ、ｏｏｏ であった。
Ｌ、５Ｆを８０分間で併産添加し、液温を５０Ｃに昇温
し８０分間反応させた。引続き減圧下に副生エタノール
、４酸、未反応の水を留去した後エタノールを加えで４
００ｆになるように調整した。上記アヤコキシシランの
低縮合物のエタノール溶液２００ｇと実施例２で得られ
たテトラエトキシシラン重合体のエタノール溶液ｔａｏ
ｒと０．６Ｎ塩酸エタノール溶液２ ａｔを還流器付き
ｌ ０００ ｄ四つロフラスコに入れ、還流下に１時間
反応させて共加水分解縮重合を行なった。反応後の液中
の水分濃度は５．１重社％、ＧＰＣ＋こよる１緻平均分
子ははａｏｏ、ｏｏｏ であった。
上記共電合体のエタノール溶液２００１をエバポレータ
ーで濃縮して１２０ｆとした後、プチルセルロルブを８
６ｔ６加した。これを０．２μｍフィルターでろ過した
後、シリコンウエノ１−上にｓ ｏ ｏ ｒｐｍでスピ
ンコードしで塗膜を形成し、１８０℃で１０分間、次い
で４５０℃で８０分間熱処理して硬化膜とした。膜厚は
８．４７μｍでありクラックは全く見られなかった。
ーで濃縮して１２０ｆとした後、プチルセルロルブを８
６ｔ６加した。これを０．２μｍフィルターでろ過した
後、シリコンウエノ１−上にｓ ｏ ｏ ｒｐｍでスピ
ンコードしで塗膜を形成し、１８０℃で１０分間、次い
で４５０℃で８０分間熱処理して硬化膜とした。膜厚は
８．４７μｍでありクラックは全く見られなかった。
実施例５
実施例４で得られた塗布液をシリコンウエノ１−上Ｅ：
１０００ ｒｐｍ でスピンコードして櫓膜を形成
し、これを１８０℃で１０分間、次いで４５０℃で８０
分間熱処理して硬化膜とした。
１０００ ｒｐｍ でスピンコードして櫓膜を形成
し、これを１８０℃で１０分間、次いで４５０℃で８０
分間熱処理して硬化膜とした。
膜厚は８．１７μｍであった。更にｔｏｏｏｃで８０分
間熱処理を行うと膜厚は２．６μｍであった、クラック
は針く見られなかつた。
間熱処理を行うと膜厚は２．６μｍであった、クラック
は針く見られなかつた。
比較例１
実施例２で得られるテトラエトキシシランの重合体のエ
タノール溶液１２０９と０．６ Ｎ塩酸エタノール溶液
０．５ ｍｌを還流器付５００譚ｔ４つロフラスコ（こ
入れ、ジメチルジェトキシシランＬ２ｆを室温下に攪拌
しながら２０分かけて添加し、還流下で１侍間反応させ
て共加水分解縮重合を行なつた。上記共重合体のエタノ
ール溶５ｔｏｏｆをエバポレーターで濃縮して７０Ｆと
し、０．２μｍフィルターで沖過後比較例１の塗布液と
した。
タノール溶液１２０９と０．６ Ｎ塩酸エタノール溶液
０．５ ｍｌを還流器付５００譚ｔ４つロフラスコ（こ
入れ、ジメチルジェトキシシランＬ２ｆを室温下に攪拌
しながら２０分かけて添加し、還流下で１侍間反応させ
て共加水分解縮重合を行なつた。上記共重合体のエタノ
ール溶５ｔｏｏｆをエバポレーターで濃縮して７０Ｆと
し、０．２μｍフィルターで沖過後比較例１の塗布液と
した。
比較例２
実施例１で傳られるテトラエトキシシランの踵合体のエ
タノール溶液１２０Ｆと０．６Ｎ塩酸−エタノール溶液
ｌ−を還流器付５００ｇｔ４つロフラスコに入れ、ジメ
チルジェトキシシラン１１８．６Ｆを室温下に攪拌しな
がら１時間かけて添加し、還流下で１時間反応させ共加
水分解縮重合を行なまた。上記共１合体のエタノール溶
液ｔｏｏｒをエバポレーターで濃縮して８０ｆとし、０
．２μｍ ７４ルターで沖過後、比較例２の塗布液とし
た。
タノール溶液１２０Ｆと０．６Ｎ塩酸−エタノール溶液
ｌ−を還流器付５００ｇｔ４つロフラスコに入れ、ジメ
チルジェトキシシラン１１８．６Ｆを室温下に攪拌しな
がら１時間かけて添加し、還流下で１時間反応させ共加
水分解縮重合を行なまた。上記共１合体のエタノール溶
液ｔｏｏｒをエバポレーターで濃縮して８０ｆとし、０
．２μｍ ７４ルターで沖過後、比較例２の塗布液とし
た。
比較例８
実施例２で得られるテトラアルコキシシランの重合体の
エタノール溶液１２０ｔと０．６Ｎ塩酸エタノール溶液
０．５−を還流器付５００ｍ１４つロフラスコ１こ入れ
、メチルトリエトキシシラン４Ｂ、８ｒを室温下に攪拌
しながら４０分かけで添加し、還流下で１時間反応させ
て共加水分解縮重合を行なった。上記共重合体のエタノ
ール溶１１００ｆをエバポレーターで濃縮しで８０ｆと
し、０．２μｍフィルターでｐ過後、比較例８の塗布液
とした。
エタノール溶液１２０ｔと０．６Ｎ塩酸エタノール溶液
０．５−を還流器付５００ｍ１４つロフラスコ１こ入れ
、メチルトリエトキシシラン４Ｂ、８ｒを室温下に攪拌
しながら４０分かけで添加し、還流下で１時間反応させ
て共加水分解縮重合を行なった。上記共重合体のエタノ
ール溶１１００ｆをエバポレーターで濃縮しで８０ｆと
し、０．２μｍフィルターでｐ過後、比較例８の塗布液
とした。
比較例４
実施例８で得られるアルコキシシランの低縮合物のエタ
ノール溶液２００ｆと実施例１で得られるテトラアルコ
キシシランのは合体のエタノール溶液８０Ｆと０．６Ｎ
塩酸エタノール溶液ｌ ｄを用いて実施例８と同様の方
法で縮重合を行い、比較例４の塗布液を得た。
ノール溶液２００ｆと実施例１で得られるテトラアルコ
キシシランのは合体のエタノール溶液８０Ｆと０．６Ｎ
塩酸エタノール溶液ｌ ｄを用いて実施例８と同様の方
法で縮重合を行い、比較例４の塗布液を得た。
実施例１〜４、比較例１〜４の塗布液をスピンコードに
よって成膜し、４５０℃２８０分間の熱処理をした後の
膜表面状態の観察結果を表１に示す。
よって成膜し、４５０℃２８０分間の熱処理をした後の
膜表面状態の観察結果を表１に示す。
表 １
〈発明の効果〉
本発明により、気相法の欠点である微細パターン間の水
理性、並びに平担性の問題を解決したと同時に、塗布膜
の欠点であった耐クラツク性を大巾に向上させ、膜厚が
２μｍを越えてもクラック性を生じない厚膜絶縁体形成
用組成物が提供され、半導体工業で用いる絶縁膜、キャ
パシター等のガラスを形成するための塗布液として用い
られる。
理性、並びに平担性の問題を解決したと同時に、塗布膜
の欠点であった耐クラツク性を大巾に向上させ、膜厚が
２μｍを越えてもクラック性を生じない厚膜絶縁体形成
用組成物が提供され、半導体工業で用いる絶縁膜、キャ
パシター等のガラスを形成するための塗布液として用い
られる。
Claims (4)
- （１）アルコキシシランを加水分解縮重合にて得られる
シロキサン系プレポリマーと有機溶剤とからなる絶縁体
形成用組成物において、シロキサン系プレポリマーが次
の粒子状又は網目状セグメントを形成する重合体（Ａ）
と重合体間を結合させる成分（Ｂ）とを共加水分解縮重
合して得られる共重合体であることを特徴とする厚膜絶
縁体形成用組成物。 （イ）一般式（ａ）：Ｓｉ（ＯＲ＾１）＿４で表わされ
るテトラアルコキシシランから得られる重合体（Ａ）（
ロ）一般式（ｂ）：Ｒ＾２Ｓｉ（ＯＲ＾３）＿３で表わ
されるトリアルコキシシラン、一般式（ｃ）：Ｒ＾４Ｒ
＾５Ｓｉ（ＯＲ＾６）＿２で表わされるジアルコキシシ
ラン、或は一般式（ａ）、一般式（ｂ）、一般式（ｃ）
から選ばれた２種以上のアルコキシシラン化合物又はこ
れらの低縮合物（オリゴマー）である成分 （式中Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、及び
Ｒ＾４は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１０
のアリール基を表わす。） - （２）重合体（Ａ）が、一般式（ａ）で表わされるテト
ラアルコキシシランをテトラアルコキシシラン１モル当
り水４〜２０モル用いて加水分解縮重合して得られる特
許請求の範囲第１項記載の厚膜絶縁体形成用組成物。 - （３）シロキサン系プレポリマーにおける重合体（Ａ）
の割合が、ケイ素のモル分率で０．０５〜０．７５であ
る特許請求の範囲第１項記載の厚膜絶縁体形成用組成物
。 - （４）シロキサン系プレポリマーが、式（１）で定義さ
れる値で、０．５０〜１．５０であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の厚膜絶縁体形成用組成物。 （式１） 一般式（ｂ）＋一般式（ｃ）×２ 一般式（ａ）＋一般式（ｂ）＋一般式（ｃ）（但し一般
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各使用量の単位はモル数）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62115523A JPH0819380B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 厚膜絶縁体形成用組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62115523A JPH0819380B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 厚膜絶縁体形成用組成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278977A true JPS63278977A (ja) | 1988-11-16 |
| JPH0819380B2 JPH0819380B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=14664636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62115523A Expired - Fee Related JPH0819380B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 厚膜絶縁体形成用組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0819380B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0384927A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002088304A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | シリカ系コーティング剤、シリカ薄膜の製造方法およびシリカ薄膜 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4529403B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-08-25 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP4720076B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-07-13 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4529404B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-08-25 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562871A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | Formation of laminated paint film |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP62115523A patent/JPH0819380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562871A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-13 | Sumitomo Chem Co Ltd | Formation of laminated paint film |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0384927A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002088304A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | シリカ系コーティング剤、シリカ薄膜の製造方法およびシリカ薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0819380B2 (ja) | 1996-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4694040A (en) | Liquid composition for forming a coating film of organopolysiloxane and method for the preparation thereof | |
| US5614603A (en) | Thermosetting silicone resins | |
| EP0590954B1 (en) | Epoxy-functional silicone resin | |
| JP5160189B2 (ja) | 緻密なシリカ質膜を得ることができるポリシラザン化合物含有組成物 | |
| CN101624698B (zh) | 用于浅沟道隔离薄膜的氨基硅烷 | |
| US5633311A (en) | Method of producing organopolysiloxanes containing hydrolyzable functional groups, and curable resin composition using said organopolysiloxanes | |
| JPS62230828A (ja) | 半導体用絶縁膜形成塗布液 | |
| JP2914710B2 (ja) | 無溶媒シリコーンコーティング組成物 | |
| KR101877153B1 (ko) | 한정된 반응성의 반응성 작용기를 지닌 알콕시 기 함유 실리콘 | |
| CN100393788C (zh) | 以有机硅化合物为主要成分的可交联组合物 | |
| JP3733824B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液の製造方法 | |
| JP5695290B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液の調製方法 | |
| TWI234787B (en) | Silica-based coating film on substrate and coating solution therefor | |
| JPH06145599A (ja) | コーティング用組成物 | |
| JPS63278977A (ja) | 厚膜絶縁体形成用組成物の製造方法 | |
| TWI327580B (en) | Organic siloxane resins and insulating film using the same | |
| JPH04321506A (ja) | 窒化アルミニウム粉末 | |
| JP4162060B2 (ja) | 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材 | |
| JPH03188179A (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液，半導体基板の製造法および半導体デバイス | |
| JP2003261823A (ja) | 多孔質膜形成用塗布液の製造方法および該塗布液、並びに多孔質膜の製造方法および多孔質膜 | |
| JPH06346025A (ja) | コーティング用組成物 | |
| JPH03221577A (ja) | 絶縁膜形成用塗布液 | |
| CN107129757B (zh) | 用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置 | |
| JPH1121510A (ja) | 撥水性被膜形成用シリコーンレジン及びその組成物 | |
| KR102015404B1 (ko) | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막을 포함하는 전자소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |