JPS63281453A - 半導体装置のリ−ド加工方法及びその装置 - Google Patents

半導体装置のリ−ド加工方法及びその装置

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JPS63281453A
JPS63281453A JP11740187A JP11740187A JPS63281453A JP S63281453 A JPS63281453 A JP S63281453A JP 11740187 A JP11740187 A JP 11740187A JP 11740187 A JP11740187 A JP 11740187A JP S63281453 A JPS63281453 A JP S63281453A
Authority
JP
Japan
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lead
semiconductor device
die
resin
shaped groove
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Pending
Application number
JP11740187A
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English (en)
Inventor
Hideki Morizaki
森崎 英樹
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、リードフレームを切断、成形する半導体装
置のリード加工方法及びその装置の改良に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
第4図は、従来の半導体装置用リード加工金型の、吊り
リード切断部を示す断面図であり、図において(1)は
半導体装置、(2)は半導体装置を筺持しているリード
フレーム、(6)はノくンチ、(7)はダイである。
従来の半導体装置用リード加工金型の串りリード切断部
は上記のように構成され、リードフレーム(2)をダイ
(7)の上に載せ、半導体装置(1)を、ノ櫂ンチ(6
)により下方に押すことにより、リードフレーム(2)
から引きちぎり、第5図のような状態となり、半導体装
置(1)が1個の製品となる。
〔発明が解決しようとする問題点] 上記のような従来の半導体装置のリード加工方法及びそ
の装置においては、第3図に示す吊りリード(3)カ、
リードフレーム(2)から切断される場合、せん断より
はむしろ、引張り力で切断されることになり、半導体装
置(1)の内部の樹脂を損傷し、漏れ電流を発生させる
原因となる等の問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、半導体装置の内部に損傷が発生することを防止でき
る半導体装置のリード加工方法及びその装置を得ること
を目的とする。
[問題点を解決するための手段J この発明に係る半導体装置のリード加工方法及びその装
置は、ダイパット上の半導体素子を樹脂封止した後、リ
ードフレームの両端の連結部を切断する際に、樹脂パッ
ケージの近傍の両連結部を予め鋭利なプレス金型でせん
断するものであり、また、他の発8Arri、ダイパッ
ト上の半導体素子を樹脂封止したリードフレームにおけ
る両端の連結部を大々下方から支持する鋭利な一対の第
1の刃先を有する下金型と、上記一対の第1の刃先に対
向して上記両端の連結部を大々上方から上記一対の第1
の刃先と協同して上記両端の連結部をせん断する一対の
第2の刃先を有する止金型とを有するものである。
[作用J この発明においては、吊りリード断面にV型溝部が形成
されるため、吊すリードがV型溝部に集中応力を生じ、
切断時には、その部分から切断されるため、半導体装置
内部の応力発生は小さく、損傷が抑制される。
〔発明の実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図であり、V空
溝部形成のための治具である。(4)は溝加工パンチ、
(5〕は溝加工ダイであり1両部品とも同様な形状であ
る。
上記のように構成された半導体装置用リード加工金型に
おいては、溝加工パンチ(4)が、下方に動き、吊りリ
ード(3)を、溝加工ダイ(5)との間ではさみつけ、
吊りリード(3)に第2図の如きV型溝部を形成する。
このように加工された吊りリードは第4図に示した従来
方法により切断されても、半導体装置内部での応力発生
を減少させることになる。
〔発明の効果J この発明は以上説明したとおり、吊りリードにV型溝部
が形成され吊りリード切断に伴う、半導体装置内部で発
生する樹脂の損傷を抑制し、電気的不良等の発生を防ぐ
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図は溝
加工が実施された吊M−ドの断面図、第3図はリードフ
レームの上面図、第4図及び第5図は大々従来のリード
加工金型の吊II) IJ−ド切断部の状態の工程を示
す断面図である。 図において(1)は半導体装置、(2〕はり−F7L/
−ム、(3)は吊りリード、(4)は溝加工パンチ、(
5)は溝加工ダイである。 なお、各図中同−符りは同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ダイパット上の半導体素子を樹脂封止した後、リ
    ードフレームの両端の連結部を切断する際に、樹脂パッ
    ケージの近傍の両連結部を予め鋭利なプレス金型でせん
    断することを特徴とする半導体装置のリード加工方法。
  2. (2)ダイパット上の半導体素子を樹脂封止したリード
    フレームにおける両端の連結部を夫々下方から支持する
    鋭利な一対の第1の刃先を有する下金型と、上記一対の
    第1の刃先に対向して上記両端の連結部を夫々上方から
    上記一対の第1の刃先と協同して上記両端の連結部をせ
    ん断する一対の第2の刃先を有する上金型とを有する半
    導体装置のリード加工装置。
JP11740187A 1987-05-13 1987-05-13 半導体装置のリ−ド加工方法及びその装置 Pending JPS63281453A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016127067A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

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JP2016127067A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

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