JPS63281453A - 半導体装置のリ−ド加工方法及びその装置 - Google Patents
半導体装置のリ−ド加工方法及びその装置Info
- Publication number
- JPS63281453A JPS63281453A JP11740187A JP11740187A JPS63281453A JP S63281453 A JPS63281453 A JP S63281453A JP 11740187 A JP11740187 A JP 11740187A JP 11740187 A JP11740187 A JP 11740187A JP S63281453 A JPS63281453 A JP S63281453A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- die
- resin
- shaped groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、リードフレームを切断、成形する半導体装
置のリード加工方法及びその装置の改良に関するもので
ある。
置のリード加工方法及びその装置の改良に関するもので
ある。
第4図は、従来の半導体装置用リード加工金型の、吊り
リード切断部を示す断面図であり、図において(1)は
半導体装置、(2)は半導体装置を筺持しているリード
フレーム、(6)はノくンチ、(7)はダイである。
リード切断部を示す断面図であり、図において(1)は
半導体装置、(2)は半導体装置を筺持しているリード
フレーム、(6)はノくンチ、(7)はダイである。
従来の半導体装置用リード加工金型の串りリード切断部
は上記のように構成され、リードフレーム(2)をダイ
(7)の上に載せ、半導体装置(1)を、ノ櫂ンチ(6
)により下方に押すことにより、リードフレーム(2)
から引きちぎり、第5図のような状態となり、半導体装
置(1)が1個の製品となる。
は上記のように構成され、リードフレーム(2)をダイ
(7)の上に載せ、半導体装置(1)を、ノ櫂ンチ(6
)により下方に押すことにより、リードフレーム(2)
から引きちぎり、第5図のような状態となり、半導体装
置(1)が1個の製品となる。
〔発明が解決しようとする問題点]
上記のような従来の半導体装置のリード加工方法及びそ
の装置においては、第3図に示す吊りリード(3)カ、
リードフレーム(2)から切断される場合、せん断より
はむしろ、引張り力で切断されることになり、半導体装
置(1)の内部の樹脂を損傷し、漏れ電流を発生させる
原因となる等の問題点があった。
の装置においては、第3図に示す吊りリード(3)カ、
リードフレーム(2)から切断される場合、せん断より
はむしろ、引張り力で切断されることになり、半導体装
置(1)の内部の樹脂を損傷し、漏れ電流を発生させる
原因となる等の問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、半導体装置の内部に損傷が発生することを防止でき
る半導体装置のリード加工方法及びその装置を得ること
を目的とする。
で、半導体装置の内部に損傷が発生することを防止でき
る半導体装置のリード加工方法及びその装置を得ること
を目的とする。
[問題点を解決するための手段J
この発明に係る半導体装置のリード加工方法及びその装
置は、ダイパット上の半導体素子を樹脂封止した後、リ
ードフレームの両端の連結部を切断する際に、樹脂パッ
ケージの近傍の両連結部を予め鋭利なプレス金型でせん
断するものであり、また、他の発8Arri、ダイパッ
ト上の半導体素子を樹脂封止したリードフレームにおけ
る両端の連結部を大々下方から支持する鋭利な一対の第
1の刃先を有する下金型と、上記一対の第1の刃先に対
向して上記両端の連結部を大々上方から上記一対の第1
の刃先と協同して上記両端の連結部をせん断する一対の
第2の刃先を有する止金型とを有するものである。
置は、ダイパット上の半導体素子を樹脂封止した後、リ
ードフレームの両端の連結部を切断する際に、樹脂パッ
ケージの近傍の両連結部を予め鋭利なプレス金型でせん
断するものであり、また、他の発8Arri、ダイパッ
ト上の半導体素子を樹脂封止したリードフレームにおけ
る両端の連結部を大々下方から支持する鋭利な一対の第
1の刃先を有する下金型と、上記一対の第1の刃先に対
向して上記両端の連結部を大々上方から上記一対の第1
の刃先と協同して上記両端の連結部をせん断する一対の
第2の刃先を有する止金型とを有するものである。
[作用J
この発明においては、吊りリード断面にV型溝部が形成
されるため、吊すリードがV型溝部に集中応力を生じ、
切断時には、その部分から切断されるため、半導体装置
内部の応力発生は小さく、損傷が抑制される。
されるため、吊すリードがV型溝部に集中応力を生じ、
切断時には、その部分から切断されるため、半導体装置
内部の応力発生は小さく、損傷が抑制される。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図であり、V空
溝部形成のための治具である。(4)は溝加工パンチ、
(5〕は溝加工ダイであり1両部品とも同様な形状であ
る。
溝部形成のための治具である。(4)は溝加工パンチ、
(5〕は溝加工ダイであり1両部品とも同様な形状であ
る。
上記のように構成された半導体装置用リード加工金型に
おいては、溝加工パンチ(4)が、下方に動き、吊りリ
ード(3)を、溝加工ダイ(5)との間ではさみつけ、
吊りリード(3)に第2図の如きV型溝部を形成する。
おいては、溝加工パンチ(4)が、下方に動き、吊りリ
ード(3)を、溝加工ダイ(5)との間ではさみつけ、
吊りリード(3)に第2図の如きV型溝部を形成する。
このように加工された吊りリードは第4図に示した従来
方法により切断されても、半導体装置内部での応力発生
を減少させることになる。
方法により切断されても、半導体装置内部での応力発生
を減少させることになる。
〔発明の効果J
この発明は以上説明したとおり、吊りリードにV型溝部
が形成され吊りリード切断に伴う、半導体装置内部で発
生する樹脂の損傷を抑制し、電気的不良等の発生を防ぐ
という効果がある。
が形成され吊りリード切断に伴う、半導体装置内部で発
生する樹脂の損傷を抑制し、電気的不良等の発生を防ぐ
という効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図は溝
加工が実施された吊M−ドの断面図、第3図はリードフ
レームの上面図、第4図及び第5図は大々従来のリード
加工金型の吊II) IJ−ド切断部の状態の工程を示
す断面図である。 図において(1)は半導体装置、(2〕はり−F7L/
−ム、(3)は吊りリード、(4)は溝加工パンチ、(
5)は溝加工ダイである。 なお、各図中同−符りは同一または相当部分を示す。
加工が実施された吊M−ドの断面図、第3図はリードフ
レームの上面図、第4図及び第5図は大々従来のリード
加工金型の吊II) IJ−ド切断部の状態の工程を示
す断面図である。 図において(1)は半導体装置、(2〕はり−F7L/
−ム、(3)は吊りリード、(4)は溝加工パンチ、(
5)は溝加工ダイである。 なお、各図中同−符りは同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)ダイパット上の半導体素子を樹脂封止した後、リ
ードフレームの両端の連結部を切断する際に、樹脂パッ
ケージの近傍の両連結部を予め鋭利なプレス金型でせん
断することを特徴とする半導体装置のリード加工方法。 - (2)ダイパット上の半導体素子を樹脂封止したリード
フレームにおける両端の連結部を夫々下方から支持する
鋭利な一対の第1の刃先を有する下金型と、上記一対の
第1の刃先に対向して上記両端の連結部を夫々上方から
上記一対の第1の刃先と協同して上記両端の連結部をせ
ん断する一対の第2の刃先を有する上金型とを有する半
導体装置のリード加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11740187A JPS63281453A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 半導体装置のリ−ド加工方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11740187A JPS63281453A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 半導体装置のリ−ド加工方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281453A true JPS63281453A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14710735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11740187A Pending JPS63281453A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 半導体装置のリ−ド加工方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63281453A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016127067A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP11740187A patent/JPS63281453A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016127067A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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