JPS63283098A - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS63283098A JPS63283098A JP11795687A JP11795687A JPS63283098A JP S63283098 A JPS63283098 A JP S63283098A JP 11795687 A JP11795687 A JP 11795687A JP 11795687 A JP11795687 A JP 11795687A JP S63283098 A JPS63283098 A JP S63283098A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- layer
- film
- pattern
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高密度なパターン形成方法に係り、特にプリン
ト基板等に用いられる高密度配線を行うパターン形成方
法に関する。
ト基板等に用いられる高密度配線を行うパターン形成方
法に関する。
プリント基板等の導体パターンの形成には、パターンメ
ッキ法が用いられる。第２図は従来のパターンメッキ法
によるパターン形成方法の説明図である。第２図（Ａ）
に示すようにプリント基板の基材７０はエポキシ系樹脂
等の絶縁体で形成された板材であり、基材７０の両面に
は銅箔７２が張り付けられ、基材７０は両面銅張り積層
板として形成される。この銅箔７２は厚さ１８μｍ以下
のものが用いられる。また、第２図（Ｂ）に示すように
基材７０にはスルーホール７４が形成される場合がある
。
ッキ法が用いられる。第２図は従来のパターンメッキ法
によるパターン形成方法の説明図である。第２図（Ａ）
に示すようにプリント基板の基材７０はエポキシ系樹脂
等の絶縁体で形成された板材であり、基材７０の両面に
は銅箔７２が張り付けられ、基材７０は両面銅張り積層
板として形成される。この銅箔７２は厚さ１８μｍ以下
のものが用いられる。また、第２図（Ｂ）に示すように
基材７０にはスルーホール７４が形成される場合がある
。
基材７０に銅箔７２を張った後、第２図（Ｃ）に示すよ
うに銅箔７２の表面には無電解銅メッキが行われメッキ
膜７６（第２図に於いて無電解銅メッキ膜７６の厚みは
強調されて図示されている）が形成される。メッキ膜７
６上には第３図（Ｄ）に示すように導体部パターンと逆
パターン形状のレジスト層７８．７８が形成される。こ
のレジスト層７８が光硬化性を有する感光性樹脂のドラ
イフィルムの場合、パターンを形成するには、メッキ膜
７６の表面全域にドライフィルムを形成した後、パター
ン作成用のフィルムを重ねて露光、現像して、硬化され
た部分以外を有機溶剤によって溶解させて所定のパター
ンを形成する。
うに銅箔７２の表面には無電解銅メッキが行われメッキ
膜７６（第２図に於いて無電解銅メッキ膜７６の厚みは
強調されて図示されている）が形成される。メッキ膜７
６上には第３図（Ｄ）に示すように導体部パターンと逆
パターン形状のレジスト層７８．７８が形成される。こ
のレジスト層７８が光硬化性を有する感光性樹脂のドラ
イフィルムの場合、パターンを形成するには、メッキ膜
７６の表面全域にドライフィルムを形成した後、パター
ン作成用のフィルムを重ねて露光、現像して、硬化され
た部分以外を有機溶剤によって溶解させて所定のパター
ンを形成する。
メッキ膜７６の表面にレジスト層７８の所定のパターン
を形成した後、第２図（Ｅ）に示すように銅の電気メッ
キ或いは化学メッキによって約２５〜５０μｍの厚い銅
層８０を形成する。従って、基材７０の表面には銅箔７
２、無電解銅メッキ膜７６及び電気メッキの銅層８０に
よる銅層を得ることができる。
を形成した後、第２図（Ｅ）に示すように銅の電気メッ
キ或いは化学メッキによって約２５〜５０μｍの厚い銅
層８０を形成する。従って、基材７０の表面には銅箔７
２、無電解銅メッキ膜７６及び電気メッキの銅層８０に
よる銅層を得ることができる。
次に第２図（Ｆ）に示すように電気メツキ銅層８０の表
面にはハンダ層８２が電気メッキにより形成される。ハ
ンダ層８２の形成後、樹脂のレジスト層７８は第２図（
Ｇ）に示すように剥離除去される。剥離除去した後、レ
ジスト層７８の剥離部分をアルカリ性のエソチンク液を
用いて第２図（Ｈ）に示すようにエツチング処理を行う
。これにより、レジスト層７８の部分を除いて、基板７
０上には銅層の導体パターンが形成される。
面にはハンダ層８２が電気メッキにより形成される。ハ
ンダ層８２の形成後、樹脂のレジスト層７８は第２図（
Ｇ）に示すように剥離除去される。剥離除去した後、レ
ジスト層７８の剥離部分をアルカリ性のエソチンク液を
用いて第２図（Ｈ）に示すようにエツチング処理を行う
。これにより、レジスト層７８の部分を除いて、基板７
０上には銅層の導体パターンが形成される。
しかしながら、このような従来のパターン形成方法にお
いては、レジスト層７８を剥離除去した後のエツチング
処理において、第２図（Ｈ）に示すように基材７０上に
残す必要のある銅層の側面８６にサイドエツチングが等
方的に進行する不具合がある。そこで、このようなサイ
ドエツチングを少なくするため、銅張り積層板の銅箔７
２の厚さを薄くすることが考えられる。しかし、極端に
薄い銅箔７２では取り扱いが困難となり、不必要な孔等
が形成される不具合がある。
いては、レジスト層７８を剥離除去した後のエツチング
処理において、第２図（Ｈ）に示すように基材７０上に
残す必要のある銅層の側面８６にサイドエツチングが等
方的に進行する不具合がある。そこで、このようなサイ
ドエツチングを少なくするため、銅張り積層板の銅箔７
２の厚さを薄くすることが考えられる。しかし、極端に
薄い銅箔７２では取り扱いが困難となり、不必要な孔等
が形成される不具合がある。
また、このようなサイドエツチングを解消するために特
開昭５６−８１６７９等の技術が示されている。この技
術によれば、感光性樹脂のレジスト層を上層と下層の２
層に形成し、厚みのある上層のみを剥離した後、銅層表
面（剥離した上層と接する銅層の側面を含む）にハンダ
膜による保護を形成し、エツチング処理する方法が示さ
れている。しかしながら、このような技術においては、
２層のレジスト層の樹脂及びそれ等を剥離する溶剤の選
択が難しく、また二層間を接着する接着樹脂の選択も難
しい。
開昭５６−８１６７９等の技術が示されている。この技
術によれば、感光性樹脂のレジスト層を上層と下層の２
層に形成し、厚みのある上層のみを剥離した後、銅層表
面（剥離した上層と接する銅層の側面を含む）にハンダ
膜による保護を形成し、エツチング処理する方法が示さ
れている。しかしながら、このような技術においては、
２層のレジスト層の樹脂及びそれ等を剥離する溶剤の選
択が難しく、また二層間を接着する接着樹脂の選択も難
しい。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、プリ
ント基板等の高密度なパターンの形成時に、サイドエツ
チングを少なくして正確にパターンを形成することので
きるパターン形成方法を提案することを目的としている
。
ント基板等の高密度なパターンの形成時に、サイドエツ
チングを少なくして正確にパターンを形成することので
きるパターン形成方法を提案することを目的としている
。
本発明は前記目的を達成するために、基材に形成した薄
銅板或いは薄銅膜面上に銅より導電率の低い物質の被膜
を形成し、前記被膜上にドライフィルムやレジストイン
クから成るレジスト層のパターンを形成し、前記レジス
ト層に覆われない部分の前記被膜を除去した後に銅層の
導体パターンをレジスト層に覆われない部分に形成し、
次に前記レジスト層を除去してその下層の前記被膜を露
出させた後に前記銅層表面に電気メッキによる保護層を
形成し、前記保護層に覆われていない被膜の除去及びそ
の下の前記薄銅板酸いは薄銅膜をエノチンク液でエツチ
ング処理して基材に導体パターンを形成することを特徴
とする。
銅板或いは薄銅膜面上に銅より導電率の低い物質の被膜
を形成し、前記被膜上にドライフィルムやレジストイン
クから成るレジスト層のパターンを形成し、前記レジス
ト層に覆われない部分の前記被膜を除去した後に銅層の
導体パターンをレジスト層に覆われない部分に形成し、
次に前記レジスト層を除去してその下層の前記被膜を露
出させた後に前記銅層表面に電気メッキによる保護層を
形成し、前記保護層に覆われていない被膜の除去及びそ
の下の前記薄銅板酸いは薄銅膜をエノチンク液でエツチ
ング処理して基材に導体パターンを形成することを特徴
とする。
本発明に係るパターン形成方法によれば、基材に形成し
た薄銅板等の表面に銅より導電率の低い物質の被膜を形
成し、その被膜表面に感光性樹脂のレジス）１５パター
ンを形成したので、後段の処理のレジスト層剥離除去後
のエツチングにおいて、レジスト層の除去した下層の被
膜面を除いて、メンキされた銅層パターンの上面及びレ
ジスト層と接していた側面を保護層で保護できるように
した。
た薄銅板等の表面に銅より導電率の低い物質の被膜を形
成し、その被膜表面に感光性樹脂のレジス）１５パター
ンを形成したので、後段の処理のレジスト層剥離除去後
のエツチングにおいて、レジスト層の除去した下層の被
膜面を除いて、メンキされた銅層パターンの上面及びレ
ジスト層と接していた側面を保護層で保護できるように
した。
この為、導体パターンとしての銅層のサイドエツチング
を少なくすることができる。
を少なくすることができる。
以下添付図面にしたがって本発明に係るパターン形成方
法の好ましい実施例を詳説する。
法の好ましい実施例を詳説する。
第１図（Ａ）乃至（Ｍ）は本発明に係るパターン形成方
法の工程図である。第１図（Ａ）に示すようにプリント
基板の基材１０はエポキシ系樹脂で形成され、基材１０
の表面には銅箔１２が張付けられる。従って、基材１０
は両面が銅張りにされた積層板として形成される。また
、この銅箔１２は厚さが１８μｍ以下に形成されている
。次に第１図（Ｂ）に示すように銅箔１２を張付けた基
材１０にはスルーホール１４が開口形成される。
法の工程図である。第１図（Ａ）に示すようにプリント
基板の基材１０はエポキシ系樹脂で形成され、基材１０
の表面には銅箔１２が張付けられる。従って、基材１０
は両面が銅張りにされた積層板として形成される。また
、この銅箔１２は厚さが１８μｍ以下に形成されている
。次に第１図（Ｂ）に示すように銅箔１２を張付けた基
材１０にはスルーホール１４が開口形成される。
次いで第１図（Ｃ）に示すように銅箔１２の表面及びス
ルーホール１４内に無電解銅メッキにより無電解銅メッ
キ膜１６が形成される。
ルーホール１４内に無電解銅メッキにより無電解銅メッ
キ膜１６が形成される。
第１図（Ｄ）に示すように無電解銅メッキ膜１６の表面
には更に銅より導電率の低い物質の被膜１８が形成され
る。被膜１８の物質としては、例えば酸化金属が用いら
れ、無電解銅メッキ膜１６の表面を直接酸化した酸化第
一銅、酸化第二銅の他に酸化マグネシウム、酸化アルミ
ニウム、二酸化けい素又は酸化クロム等がある。又、有
機物質を被膜１８に用いてもよく、例えば特公昭５１−
１８８９６号公報に示されたイミダゾール化合物、特に
アルキル系イミダゾール−銅キーレト剤等が用いられる
。
には更に銅より導電率の低い物質の被膜１８が形成され
る。被膜１８の物質としては、例えば酸化金属が用いら
れ、無電解銅メッキ膜１６の表面を直接酸化した酸化第
一銅、酸化第二銅の他に酸化マグネシウム、酸化アルミ
ニウム、二酸化けい素又は酸化クロム等がある。又、有
機物質を被膜１８に用いてもよく、例えば特公昭５１−
１８８９６号公報に示されたイミダゾール化合物、特に
アルキル系イミダゾール−銅キーレト剤等が用いられる
。
次に、第１図（Ｅ）に示すように被膜１８の表面には、
感光性樹脂からなるレジスト層２０が形成され、レジス
トＮ２０の表面には更にパターン作成用フィルム２２が
重ねられる。重ねたフィルム２２を露光、現像し、レジ
ストＰｉｉ２０の一部は光によって硬化され溶剤に不溶
となる。従って、溶剤可溶な部分は金属膜１８上から除
かれ、被膜１８上には第１図（Ｆ）に示すように作成し
ようとする導体パターンと逆のパターンのレジスト層２
０．２０が形成される。次に、第１図（Ｇ）に示すよう
に被膜１８はレジスト層２０で覆われる部分以外が除去
される。この除去においては、被膜１８が例えば酸化銅
又はイミダゾール化合物の場合には塩酸によって溶解除
去される。
感光性樹脂からなるレジスト層２０が形成され、レジス
トＮ２０の表面には更にパターン作成用フィルム２２が
重ねられる。重ねたフィルム２２を露光、現像し、レジ
ストＰｉｉ２０の一部は光によって硬化され溶剤に不溶
となる。従って、溶剤可溶な部分は金属膜１８上から除
かれ、被膜１８上には第１図（Ｆ）に示すように作成し
ようとする導体パターンと逆のパターンのレジスト層２
０．２０が形成される。次に、第１図（Ｇ）に示すよう
に被膜１８はレジスト層２０で覆われる部分以外が除去
される。この除去においては、被膜１８が例えば酸化銅
又はイミダゾール化合物の場合には塩酸によって溶解除
去される。
次に第１図（Ｈ）に示すようにレジスト層２０以外の部
分には、電気メッキによりレジスト層とほぼ同等の厚さ
の銅層２４が形成される。尚、電気メツキ以外に化学メ
ッキによって行うこともできる。
分には、電気メッキによりレジスト層とほぼ同等の厚さ
の銅層２４が形成される。尚、電気メツキ以外に化学メ
ッキによって行うこともできる。
第１図（１）に示すように銅層２４が形成された後、レ
ジスト層２０が剥離除去される。この剥離除去にあたっ
ては、レジスト層２０がリストン１２２０である場合に
は塩化メチレン等の溶剤により剥離することができる。
ジスト層２０が剥離除去される。この剥離除去にあたっ
ては、レジスト層２０がリストン１２２０である場合に
は塩化メチレン等の溶剤により剥離することができる。
レジスト層２０の剥離後、第１図（Ｊ）に示すように銅
層２４の表面にハンダの電気メッキによる保護層２６が
形成される。ハンダの保護層２６は、電気メッキにより
形成されるため、レジスト層２０の下面と接していた導
電率の低い被膜１８の露出表面には形成されない。従っ
て、保護層２６は銅層２４の上面及び側面に形成される
。
層２４の表面にハンダの電気メッキによる保護層２６が
形成される。ハンダの保護層２６は、電気メッキにより
形成されるため、レジスト層２０の下面と接していた導
電率の低い被膜１８の露出表面には形成されない。従っ
て、保護層２６は銅層２４の上面及び側面に形成される
。
次に第１図（Ｋ）に示すように露出していた被膜１８は
酸或いはアルカリ性溶液で溶解除去される。更に、第１
図（Ｌ）に示すように基材１０はアルカリ性エツチング
液に浸されエツチング処理がされる。これにより、保護
層２６に覆われた部分以外の無電解銅メッキ膜１６及び
銅箔１２が溶解除去される。
酸或いはアルカリ性溶液で溶解除去される。更に、第１
図（Ｌ）に示すように基材１０はアルカリ性エツチング
液に浸されエツチング処理がされる。これにより、保護
層２６に覆われた部分以外の無電解銅メッキ膜１６及び
銅箔１２が溶解除去される。
前記の如く構成された本発明に係るパターン形成方法に
よれば、第１図（Ｊ）に示すように保護層２６を形成さ
せた時、レジスト層２０を取り除いた銅層２４の側面は
保護層２６によって保護される。一方、レジスト層２０
の下面に接していた被膜１８の表面は、保護層２６に保
護されないため、第１図（Ｌ）に示すようにエツチング
液によりエツチングを受けることとなる。この場合にお
いて、サイドエツチングは無電解銅メッキ膜１６及び銅
箔１２の側面だけに起きることになる。従って、サイド
エツチングされる部分が少ないため、高密度なパタ□−
ンの形成が可能となり、正確なパターンを形成すること
ができる。 尚、前記実施例に於いては、スルーホール
１４を形成したため、銅箔１２に無電解銅メッキ膜１６
を形成したが、これに限るものではなく、直接銅箔１２
面に被膜１８を形成して所定の導体パターンを形成して
もよい。またレジスト層材として感光性樹脂からなるド
ライフィルムを用いたが、これはレジストインクで形成
してもよい。
よれば、第１図（Ｊ）に示すように保護層２６を形成さ
せた時、レジスト層２０を取り除いた銅層２４の側面は
保護層２６によって保護される。一方、レジスト層２０
の下面に接していた被膜１８の表面は、保護層２６に保
護されないため、第１図（Ｌ）に示すようにエツチング
液によりエツチングを受けることとなる。この場合にお
いて、サイドエツチングは無電解銅メッキ膜１６及び銅
箔１２の側面だけに起きることになる。従って、サイド
エツチングされる部分が少ないため、高密度なパタ□−
ンの形成が可能となり、正確なパターンを形成すること
ができる。 尚、前記実施例に於いては、スルーホール
１４を形成したため、銅箔１２に無電解銅メッキ膜１６
を形成したが、これに限るものではなく、直接銅箔１２
面に被膜１８を形成して所定の導体パターンを形成して
もよい。またレジスト層材として感光性樹脂からなるド
ライフィルムを用いたが、これはレジストインクで形成
してもよい。
以上説明したように本発明に係るパターン形成方法によ
れば、基材に形成された薄銅板或いは薄銅膜の表面に銅
より導電率の低い物質の被膜を形成し、該被膜上にレジ
スト層を形成して次に導体パターンとしての銅層を形成
したので、銅層形成後、剥離除去されたレジスト層の下
層には導電率の悪い被膜が形成される。このため、銅層
に電気メッキによる保護層を形成するときに、保護層は
被膜に形成されずに銅層の上面及び側面のみ形成される
ので、導体パターンとなる銅層のサイドエツチングを少
なくして正確にパターンを形成することができる。
れば、基材に形成された薄銅板或いは薄銅膜の表面に銅
より導電率の低い物質の被膜を形成し、該被膜上にレジ
スト層を形成して次に導体パターンとしての銅層を形成
したので、銅層形成後、剥離除去されたレジスト層の下
層には導電率の悪い被膜が形成される。このため、銅層
に電気メッキによる保護層を形成するときに、保護層は
被膜に形成されずに銅層の上面及び側面のみ形成される
ので、導体パターンとなる銅層のサイドエツチングを少
なくして正確にパターンを形成することができる。
第１図（Ａ）乃至（Ｌ）は本発明に係るパターン形成方
法の工程図、第２図（Ａ）乃至（Ｈ）は従来のパターン
形成方法の工程図である。 １０・・基材、 １２・・・銅箔、 １６・・・無電解
銅メッキ膜、 １８・・・被膜、 ２０・・・レジ
スト層、２４・・・銅層膜、 ２６・・・保護層 。 出願人 日立プラント建設株式会社 第２図 （Ａ） （Ｂ） （Ｄ） ７８ ７８７２（Ｅ）８０７Ｂ 第２図 （Ｆ） （Ｇ’） ｎ
法の工程図、第２図（Ａ）乃至（Ｈ）は従来のパターン
形成方法の工程図である。 １０・・基材、 １２・・・銅箔、 １６・・・無電解
銅メッキ膜、 １８・・・被膜、 ２０・・・レジ
スト層、２４・・・銅層膜、 ２６・・・保護層 。 出願人 日立プラント建設株式会社 第２図 （Ａ） （Ｂ） （Ｄ） ７８ ７８７２（Ｅ）８０７Ｂ 第２図 （Ｆ） （Ｇ’） ｎ
Claims (6)
- （１）基材に形成した薄銅板或いは薄銅膜面上に銅より
導電率の低い物質の被膜を形成し、 前記被膜上にドライフィルム又はレジストインクから成
るレジスト層のパターンを形成し、前記レジスト層に覆
われない部分の前記被膜を除去した後に銅層の導体パタ
ーンをレジスト層に覆われない部分に形成し、 次に前記レジスト層を除去してその下層の前記被膜を露
出させた後に前記銅層表面に電気メッキによる保護層を
形成し、 前記保護層に覆われていない露出被膜の除去及びその下
の前記薄銅板或いは薄銅膜をエッチング液でエッチング
処理して基材に導体パターンを形成することを特徴とし
たパターン形成方法。 - （２）前記電気メッキによる保護層をハンダ層とするこ
とを特徴とした特許請求の範囲第１項記載のパターン形
成法。 - （３）前記被膜物質は酸化金属であることを特徴とした
特許請求の範囲第１項又は第２項記載のパターン形成方
法。 - （４）前記酸化金属の被膜は酸化第一銅、酸化第二銅、
酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、二酸化けい素又
は酸化クロムのいずれかであることを特徴とする特許請
求の範囲第３項記載のパターン形成方法。 - （５）前記被膜物質は銅とキレートを形成する有機物で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載のパターン形成方法。 - （６）前記銅キレート形成有機物はイミダゾール化合物
であることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載のパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11795687A JPS63283098A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11795687A JPS63283098A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | パタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283098A true JPS63283098A (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=14724402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11795687A Pending JPS63283098A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63283098A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996029849A1 (en) * | 1995-03-20 | 1996-09-26 | Hitachi, Ltd. | Method and device for manufacturing printed wiring board |
| JP2002305381A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
| US7415761B2 (en) | 1998-09-03 | 2008-08-26 | Ibiden Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayered circuit board |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP11795687A patent/JPS63283098A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996029849A1 (en) * | 1995-03-20 | 1996-09-26 | Hitachi, Ltd. | Method and device for manufacturing printed wiring board |
| US7415761B2 (en) | 1998-09-03 | 2008-08-26 | Ibiden Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayered circuit board |
| US7832098B2 (en) | 1998-09-03 | 2010-11-16 | Ibiden Co., Ltd. | Method of manufacturing a multilayered printed circuit board |
| US8148643B2 (en) | 1998-09-03 | 2012-04-03 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayered printed circuit board and manufacturing method thereof |
| JP2002305381A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びその製造方法 |
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